Está en la página 1de 12

Universidad Tecnolgica de Panam

Centro Regional Azuero

Electrnica Bsica

Parcial #3

Transistor BJT

Estudiante: Laura Domnguez

Profesora: Milagros Cedeo

Fecha: 7/11/2017
Introduccin

En este trabajo trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual ha revolucionado la

vida de todos nosotros, el transistor, que es sin duda uno de los mejores inventos

del hombre diseado para operar en circuitos electrnicos como amplificador,

oscilador o conmutador. En estos temas estudiaremos las principales caractersticas

bsicas del transistor bipolar, as como sus aspectos fsicos, sus estructuras bsicas y

las simbologas utilizadas como tambin aplicaciones del mismo.


ndice

PRESENTACION

INTRODUCCION

INDICE

MARCO TEORICO

Definicin

Caractersticas

Estructura NPN y PNP

Modo de Operacin

Circuitos de Polarizacin

Aplicaciones

CONCLUSIONES

BIBLIOGRAFIA
Marco Terico
TRANSISTOR BJT

Definicin:

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado slido. Fue inventado en
1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el
premio Nobel en 1956). Tambin se suele denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar
junction transistor).
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.
El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrnico, mediante el cual se puede controlar
una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente, este dispositivo
consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines tienen un nombre especial,
es importante no olvidase de esos nombres, los cuales son el colector, la base y el emisor,
tal como se ve en la imagen, el orden de los pines depende del transistor que se est
utilizando, para ello ser necesario recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el
orden de los pines correspondientes para el transistor bipolar BC547B.
Caractersticas:

Dicen caractersticas del BJT las curvas tensin corriente de los distintos terminales del BJT.

Se dice caracterstica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de


base IB en funcin de la tensin de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al
transistor NPN BCW82.

Vemos cmo la caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la


base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la
corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensin de umbral, que en nuestro
caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensin de umbral la corriente
de base aumenta rpidamente.

Se dice caractersticas de salida las que expresan la corriente de colector IC como una
funcin de la tensin VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las
siguientes, que se refieren siempre a BCW82

Observamos que hay diferentes caractersticas de salida, cada obtenida para un valor
predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera caracterstica, a partir
de la parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento de
un IB constante con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta linealmente
y rpidamente a la rodilla; all de la rodilla, la IC permanece prcticamente constante,
incluso si se aumenta la VCE.

Las caractersticas son importantes para la determinacin del punto de trabajo; Se


dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensin y la corriente en reposo, es decir,
en ausencia de seal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente diagrama:

Podemos observar que se encuentra en la caracterstica para IB = 15 m A; la corriente de


base ser IB = 15 m A ; la tensin VCE es de 1,0 V; la corriente de colector ser
aproximadamente IC = 4,6 mA
Estructura NPN y PNP:

Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados
emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:

Figura 3.1.1 Estructura y smbolo de un transistor bipolar npn (izquierda) y pnp (derecha)

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la


regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN en el cual se aprecia


como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la
base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho
hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el
transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo
activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est
altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que
pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta
colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en
relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Modo de Operacin:

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-


colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin
de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.
Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, puede operar segn 4 modos diferentes, segn
estas uniones estn en directa o en inversa. Estas regiones de operacin son:
Activa
Es el modo anteriormente analizado:
unin BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
unin BC en inverso
En esta regin de operacin se cumple que:
Se usa sobre todo en aplicaciones analgicas (por ejemplo, como amplificador).
Corte
Las dos uniones estn en inverso, por lo que no hay inyeccin de portadores del emisor al
colector y todas las corrientes son prcticamente nulas.
Saturacin
En esta regin de operacin:
Unin BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
Unin BC en directo: |VBE| @ 0.8 V
En estas condiciones existe inyeccin de portadores desde el emisor, pero tambin desde
el colector y, por tanto, se verifica (como luego comprobaremos con ms detalle) que:
Adems, se cumple que la diferencia de tensin entre el emisor y el colector es baja (del
orden de 0.1-0.2 V). Por ejemplo, para un pnp:
Los modos de corte y saturacin se emplean sobre todo en aplicaciones digitales.
Activa inversa
Este modo de operacin es parecido al de la regin activa, pero intercambiando
los papeles de colector y del emisor. Es decir:
Unin BE en inverso
Unin BC en directo: |VBC| @ 0.6 V
Normalmente el transistor no opera en esta regin. Recurdese que el BJT no es
completamente simtrico y est optimizado para trabajar en modo activo normal (por
ejemplo, el emisor se dopa ms que el colector).
Circuitos de Polarizacin:

En la siguiente figura se muestra un circuito tpico de polarizacin:


:

Figura 3.4.1 Circuito tpico de polarizacin de un BJT

La malla formada por la pila VBB, la resistencia de base (RB) y la unin BE determinan la
corriente de base (y, por tanto, la de colector y la de emisor). En efecto, como la corriente
de base y la tensin de base-emisor son la solucin del siguiente par de ecuaciones (en
activa):

Figura 3.4.2 Curva caracterstica iB-vBE de un transistor bipolar npn y recta de carga
impuesta por la malla formada por la pila VBB, la resistencia de base RB y la unin BE en el
circuito de polarizacin.
Normalmente, para realizar un anlisis y diseo a mano de un circuito de polarizacin no se
suele resolver el anterior sistema de ecuaciones, sino que se da un valor fijo a la tensin
VBB (aproximadamente 0.6-0.7 V) y se calcula la corriente de base como:
Aplicaciones:

Entre sus principales aplicaciones podemos distinguir:

Analgicas: amplificadores, seguidores de tensin,...

Digitales: conmutadores

También podría gustarte