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Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Es un dispositivo electrnico de tres terminales, formado por un cristal de silicio en el


que se crea una regin de tipo n entre dos tipo p, o bien una tipo p entre dos tipo n. en el primer
caso el transistor se denomina p-n-p y en el segundo n-p-n.
Las tres regiones que se forman y los terminales extrados desde ellas se denominan de la
siguiente forma:

E: Emisor. Es una regin muy dopada. Su nombre se debe a que funciona como emisor
de los portadores de carga. Cuanto ms dopaje tenga el emisor, ms cantidad de
portadores podr aportar a la corriente.
B: Base. Es la regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el
paso de portadores. Con estas caractersticas conseguimos que en esta zona exista poca
recombinacin, y prcticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al
colector. Notar que si esta en zona no es estrecha, el dispositivo podra no funcionar
como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposicin.
C: Colector. Es la regin unida a la base, de extensin ms amplia. Cuyo objeto es
captar los portadores inyectados en dicha regin desde el emisor.

Estructura del Transistor de Unin Bipolar


Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del
emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C),
segn corresponda.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje
de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la
estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean
mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de
en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el
colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa
de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una
gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en


procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede
ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados
como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente
como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a
la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos
estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares
de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones
de alta velocidad.

Funcionamiento del Transistor de Unin Bipolar


La unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la
agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida.
En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector
est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es
aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el
campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de
la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores
minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al
ancho de difusin de los electrones.

El Alfa y Beta del transistor


Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de
cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la
regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor
comn est representada por F o por

hfe.

Esto es aproximadamente la tasa de corriente

continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es


tpicamente mayor a 100.
Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn,
. La ganancia de
corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre
0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal


del emisor y apunta en la direccin en la que la convencional
circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Smbolo de un transistor NPN.

PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y


apunta en la direccin en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Smbolo de un transistor PNP.

Regiones operativas del transistor


Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:
Regin Activa, en cuanto a la polaridad: corriente del emisor = ( + 1)I b ; corriente del
colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est
en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.
Regin Inversa

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.
Regin de Corte
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto,
ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin
Un transistor est saturado cuando: corriente de colector corriente de emisor =
corriente mxima, (Ic Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta
cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor
umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin
Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la
diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Configuraciones del transistor

Base Comn

A este tipo de circuitos se les aplica la entrada por el emisor y la salida se toma del colector. El
terminal comn a la entrada y a la salida es la base y est conectada a tierra.
Con un circuito de base comn no vamos a conseguir ganancia en la corriente. La corriente de
emisor, que es la corriente de entrada, est formada por la suma de la corriente de base y la de
colector: IE = IC + IB
Esto implica que la corriente de colector, es decir, la corriente de salida, sea ms
pequea que la corriente de entrada. Por lo tanto, la ganancia de corriente que es el
cociente entre la corriente de salida y la de entrada, va a ser menor que la unidad y no
vamos a obtener ganancia.
La caracterstica principal de estos circuitos es que tienen mucha ganancia de tensin,
es decir, la tensin de salida va a ser mucho mayor que la tensin de entrada.

Colector Comn

A esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos no vamos
a conseguir una amplificacin de tensin, pero son muy buenos amplificadores de la corriente y
de ah viene su utilidad.
La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el colector
como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la entrada y la salida es el colector,
como su nombre indica. Si la unin base emisor est polarizada directamente, el transistor va a
conducir, mientras que si est inversamente polarizada no lo har.
El emisor sigue a la base, lo que quiere decir que la tensin que le apliquemos a la base va a ser
reproducida por el emisor.

Emisor Comn

La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor acta como un


amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos de amplificacin, tambin
invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es tendente a positiva en la base pasa a ser
tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.

Transistor como Interruptor


Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace
pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en
saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como
interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese
voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a
la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base
mnima:
IBSAT min = Icsat / b
RBMax = Von/IBsat min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar
una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en R B de apagado Voff que haga que el circuito
entre en corte.

La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos,


all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se
aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel)
al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva
quema el transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo
volante.

Transistor como Amplificador


Un caso intermedio entre corte y saturacin se produce cuando la corriente en la base no es tan
pequea como para cortar la corriente en los otros terminales, pero tampoco tan grande como
para permitirla pasar completamente.
En ese caso el transistor funciona como un amplificador que nos proporciona entre el colector y
el emisor un mltiplo de la corriente que pasa por la base.
En estas imgenes se ve como al regular con el potencimetro la corriente que pasa por la base,
la bombilla brilla ms o menos.

Cuando el transistor se comporta como un amplificador y conduce parcialmente decimos que


trabaja en la zona activa.

El transistor de Efecto de Campo (FET)


Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente

La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de
campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. La puerta es la
terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenaje y fuente.

Sus smbolos son los siguientes:

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre
puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy
acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los
transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son
el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Curva Caracterstica
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la
siguiente figura:

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin
VGS.

Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET,


amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe
entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S), VGS.

Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC),
Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la
equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de
seales dbiles.

Transistor JFET
El transistor de efecto de campo de unin (JFET) es un dispositivo electrnico notablemente
diferente del transistor bipolar. Su funcionamiento se basa en el estrechamiento de una regin de
semiconductor llamado canal, que une los electrodos de fuente (source: S) y drenador (drain:
D), debido a la formacin de una zona de vaciamiento desprovista de portadores libres en la
unin PN entre la zona de puerta (gate: G) y el canal. La zona de vaciamiento crece al
aumentarla tensin inversa aplicada a la unin puerta-canal de modo que la conduccin entre
drenador y fuente se puede controlar con la tensin entre puerta y fuente (VGS).
En el JFET la unin entre puerta y canal siempre debe estar polarizada en inversa de modo que
la corriente de puerta es extremadamente pequea y se puede despreciar en la gran mayora de
los casos. Cuando la puerta se utiliza como terminal de entrada se obtienen impedancias de
entrada del orden de cientos de M. El transistor JFET es por lo tanto un dispositivo controlado
por la tensin entre su puerta y su fuente mientras que el BJT estaba controlado por la corriente
de su base.

Funcionamiento

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta
es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como
un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se hacen
ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor es la tensin inversa
en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al drenaje, por lo
que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente I D = IS.

Curvas Caractersticas

Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en la imagen,


ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y la
zona de saturacin.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de

simulacin (como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas,
en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms
adelante se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin
embargo no son las nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la
configuracin para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados,
etc.

Transistor MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad
de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS;

Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y


el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es
decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido
a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El
canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor
NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que


se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo
cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin
respectiva de la conductividad.

Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de
operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un
modelo algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con
fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben
un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
1. Corte
Cuando VGS < Vth
Donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de
Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta
energa presentes en el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente subumbral, que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La
corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:

Donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,


VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
Donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de xido.

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no


existen portadores libres en esta zona, debido a que los
electrones son repelidos del canal.

2. Regin lineal u hmica


Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de
agotamiento en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente,
aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de
agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de
conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de
compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de la
ecuacin:

Dnde:
es la movilidad efectiva de los portadores de carga,
es la capacidad del xido por unidad de rea,
es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de


tipo n al lograr la inversin del sustrato, y la
corriente fluye de drenador a surtidor.

3. Saturacin o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > (VGS Vth)

Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que
entra por el drenador y sale por el surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

NMOS en la regin de saturacin. Al aplicar una


tensin de drenador ms alta, los electrones son
atrados con ms fuerza hacia el drenador y el
canal se deforma.

Tiristor
Es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza
realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone
son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren
pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control
de potencia.

Tipo de Tiristor

SCR, (rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado


para controlar corrientes ms bien altas para una carga. Un SCR acta a semejanza
de un interruptor. Cuando est en conduccin, hay una trayectoria de flujo de
corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado cuando est en corte, no puede haber flujo de corriente del nodo
al ctodo. Por lo tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado slido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.

Seccin Longitudinal de un SCR

Curva caracterstica del SCR


En la siguiente figura se muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y
la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como
un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico).
En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn,
siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. Concluyendo, al disminuir la corriente de


compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se
ponga en On / est activo)

Condiciones de Conmutacin

Cuando se polariza inversamente el nodo ctodo y/o IG = 0


La destruccin del dispositivo se puede dar si se llega al punto de
ruptura por avalancha (VRSH, IRSH) o superando la corriente
mxima de conduccin IMAX.
No llegar al punto de mantenimiento

Polarizado directamente nodo-ctodo y superando a V BO, hecho


esto, se debe lograr llegar al punto de mantenimiento, el tiempo
para lograrlo disminuir de acuerdo a la forma en que I G aumente

DIAC (Diodo para Corriente Alterna)

Es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que


conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC
tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es
similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de
tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un
interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el
voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.

La conduccin ocurre cuando se alcanza el


voltaje de ruptura con cualquier polaridad. Una
vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye
en una direccin que depende de la polaridad del
voltaje en las terminales.

Caractersticas Generales
Es otro dispositivo tiristor y se usa normalmente para disparar a un TRIAC
Se comporta como dos Diodos Zener conectados en paralelo pero orientados en
formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de la tensin
del zener que est conectado en sentido opuesto.
Normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga, la
conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.

Circuito Equivalente

TRIAC

Es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las


condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquier direccin. La corriente
de mantenimiento no est presente en cada direccin como lo es en el DIAC. Se puede
disparar mediante un pulso de corriente de compuerta y no requiere alcanzar el voltaje
VBO (VBR) como el DIAC.

Dnde:

IH Corriente de sostenimiento
VBO Voltaje que permite la conduccin
IG Corriente de compuerta
IMAX Corriente mxima del dispositivo

Condiciones de Conmutacin

La destruccin del dispositivo se puede dar si se

supera IMAX en cualquier sentido.


Siempre que no supere IH
Con
una IG =directamente
0.
Polarizado
A2-A1 y superando a V BO

(cuadrante I), hecho esto, se debe aplicar una I G positiva

manteniendo IH.
Polarizado directamente A1-A2 y superando a V BO
(cuadrante III), hecho esto, se debe aplicar una I G negativa
manteniendo IH.

Introduccin

El descubrimiento del diodo y el estudio sobre el comportamiento de los


semiconductores, desemboc en que a mediados del siglo pasado, se desarrollara el
transistor, que sustituira a la vlvula de vaco y posteriormente el circuito integrado,
esto abri las posibilidades a todo un mundo de avances tecnolgicos.
Siguiendo con el estudio de los dispositivos electrnicos vamos a avanzar un paso ms y
vamos a estudiar un dispositivo semiconductor que consta de tres zonas distintas, con
dos uniones pn y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo,
estamos ante un dispositivo de tres terminales: El transistor.
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado un punto
de inflexin en la historia de la Humanidad, como en su da lo fueron el descubrimiento
del fuego, la invencin de la rueda o la mquina de vapor entre otros. El descubrimiento
del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la era de la
electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de penetracin en
la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo sera la vida sin los
ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido, precisamente, el
descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin tecnolgica.
Adems del Transistor, nos encontramos con un componente llamado Tiristor que
denominamos a todos aquellos semiconductores con dos estados estables cuyo

funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN.


Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el ms empleado con mucha
diferencia es el rectificador controlado de silicio (SCR), por lo que suele aplicrsele el
nombre genrico de tiristor.
Es un componente con dos terminales principales, nodo y ctodo y uno auxiliar para
disparo o puerta. Se puede decir que se comporta como un diodo rectificador con
iniciacin de la conduccin controlada por la puerta: como rectificador, la conduccin
no es posible en sentido inverso, pero s en sentido directo. Sin embargo, a diferencia de
los diodos, el tiristor no conduce en sentido directo hasta que no se aplica un pulso de
corriente por el terminal de puerta. El instante de conmutacin (paso de corte a
conduccin), puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de
puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el
elemento, lo que hace que el tiristor sea un componente idneo en Electrnica de
Potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Conclusiones

El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientfico y tecnolgico, dado


su amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus
fundamentos fsicos son fundamentados en las bases de la mecnica cuntica,
aprovechando sus concepciones y formulaciones tericas es posible llevar a la
prctica elementos prcticos e innovadores como el transistor. La incursin de los
transistores sustituyo los tubos al vaco y permiti la reduccin de sistemas y

diseos electrnicos, siendo estos ms estables y de mayor rendimiento.


El uso de los Transistores se realiza con la intencin de usar de manera ms eficiente

la energa elctrica.
En el caso de los tiristores su punto ms dbil es el circuito de puerta, ocurriendo
que la mayora de las destrucciones sean debido a la sobretensiones o sobrecorriente

que se produce en el circuito, es decir, por una disipacin de potencia elevada.


Al usar los Transistores y Tiristores nos da una mayor seguridad en el circuito
permitiendo una mayor salvaguarda a la vida, ya sea de los bienes materiales o de
las personas.

Bibliografa

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http://html.rincondelvago.com/transistor.html
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http://www.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-aplicaciones-yfuncionamiento

Repblica Bolivariana de Venezuela


Ministerio del Poder Popular para la Educacin Superior
Universidad Politcnica Territorial del Oeste de Sucre Clodosbaldo Russian
Cuman, Edo. Sucre

Transistor de Unin, Transistor de


Efecto de Campo y Tiristores

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Seccin 1
PNF- ELECTRICIDAD

Cuman. Junio de 2014