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UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE CAMPECHE

MANTENIMIENTO INDUSTRIAL
MATERIA:
Electrnica Analgica
PROFESOR:
Ing. Luis Esteban Lara chan
EQUIPO:
No. 5
INTEGRANTES:
Prez Jimnez Kimberley
De los Santos Magaa Yesenia
Flores Lara Esther
Chi Kantn ngel Gabriel
PRESENTACIN:
TRANSISTORES

Transistores
El
transistor:
esun
dispositivo
electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador,
conmutadoro rectificador. Actualmente
se losencuentra prcticamente en todos
los aparatos domsticos de uso diario:
radios,
televisores,grabadoras,
reproductores de audio y video, etc.

Transistores
Transistores bipolares
Amplificacin
Conmutacin
Fallas en circuitos con
transistores bipolares.

caracterstica
Es undispositivo
electrnicodeestado slido
consistente en dosuniones PN
muy cercanas entre s, que
permite controlar el paso de
lacorriente a travs de sus
terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias
al
desplazamiento
de
portadores de dos polaridades
(huecos positivo yelectrones
negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de
aplicaciones;
pero
tienen
ciertos inconvenientes, entre
ellos
suimpedanciade
entrada bastante baja.

PARMETROS
El parmetro de un transistor indica la relacin
de semejanza que se produce en la corriente de
colector y las variaciones de las corrientes del
emisor.
As por ejemplo, en el caso de que en un
transistor se haya medido una variacin de la
corriente de colector de 7.92 mA, entre dos
puntos de funcionamiento, y una variacin de 8
mA en la corriente de emisor, tendremos que:
Dado que la corriente de base, suele ser muy
pequea, en la mayor parte de los transistores
el valor del parmetro se acerca a la unidad

configuraciones y polarizacin de los


transistores bipolares NPN y PNP.
En efecto, al polarizar y configurar en
sentido directo la unin emisor-base, se
inyecta un exceso de huecos en la base,
exceso que se difunde hacia el colector. Si
el espesor de la base es muy pequeo
(menor que una longitud de difusin) una
gran parte de los huecos inyectados desde
el emisor llega hasta la unin basecolector por lo que la corriente que
atraviesa esta unin es mucho ms
intensa
que
la
corriente
inversa
correspondiente a una unin p-n aislada.

transistores BJT
Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio,
segn la configuracin mostrada en la Figura.

Estructura interna del transistor bipolar


Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de
transistor, apunta al sentido de la corriente en polarizacin
directa del diodo BE. En principio, parece una estructura
simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del
colector. Sin embargo la funcin que cumple cada uno es
completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con
diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un
componente simtrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operacin:
como un interruptor o como una resistencia variable.

Amplificacin
La necesidad de amplificar las seales es casi una
necesidad constante en la mayora de los
sistemas electrnicos. En este proceso, los
transistores desarrollan un papel fundamental,
pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a
una determinada carga una potencia de seal
mayor de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su
asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas),
resulta interesante ya que permite caracterizarlo
mediante una serie de parmetros relativamente
simples que nos proporcionan informacin sobre
su comportamiento.

caractersticas,
y
para
comprenderparmetros
el funcionamiento
del
transistor Aplicaciones.
como amplificador, se partir
del circuito de la figura, en el que el
transistor se conecta en la configuracin
denominada de emisor comn.
El generador Vebasegura que la unin
base-emisor est polarizada en sentido
directo.
Una
batera
Vc(Vc>>
Vbe)
proporciona la tensin de polarizacin
inversa a la unin del emisor.
El circuito de entrada, en el que se
aplicar la seal que se desea amplificar,
es el que contiene a la base y el emisor.
El circuito de salida est conectado a las
terminales del colector y del emisor. Rces

Conmutacin

cuando el transistor est en saturacin o en


corte las prdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutacin, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en
esos instantes el producto ICx VCEva a tener un
valor apreciable, por lo que la potencia media de
prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas
prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,
debido a que al aumentar sta, tambin lo hace
el nmero de veces que se produce el paso de un

EL BJT EN CONMUTACION
Los circuitos de conmutacin son
aquellos en los que el paso de bloqueo a
saturacin se considera inmediato, es
decir, el transistor no permanece en la
zona activa. Los circuitos tpicos del
transistor en conmutacin son los
multivibradores y la bscula de Schmitt.
Los multivibradores se aplican en los
sistemas electrnicos de temporizacin,
generacin
de
seales
cuadradas,
intermitencias,
etc.
temporizacin,
generacin
de
seales
cuadradas,
intermitencias, etc.
Las bsculas de
Schmitt tienen su principal aplicacin en
sistemas de deteccin que utilizan
sensores, de forma que se comporta

Las aplicaciones de los transistores no se


limitan nicamente a la amplificacin de
seales. Mediante un diseo apropiado,
se pueden utilizar como interruptores
para aplicaciones de cmputo y de
control. puede emplearse como un
inversor
para
circuitos
lgicos
de
cmputo.
Observe que el voltaje de salida Vc es el
opuesto del que se aplica en la terminal
de la base o de entrada. Adems, la
ausencia de una fuente de corriente
directa conectada al circuito de la base.
La nica fuente de corriente directa se
encuentra conectada al colector o lado de
salida y para aplicaciones de cmputo,

caractersticas, parmetros y
configuracin de los transistores
bipolares
Los transistores son dispositivos activos con
caractersticas altamente no lineales. Efecto
Transistor: el transistor es un dispositivo cuya
resistencia interna puede variar en funcin de la
seal de entrada. Esta variacin de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente
que circula por el circuito al que est conectado.
(Transfer
Resistor).
BJT
(Bipolar
Junction
Transistor)

Los
transistores de unin bipolares, son dispositivos
de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo
ms empleado en electrnica, a la vez que se han
ido incrementando sus capacidades de manejar
potencias y frecuencias elevadas, con gran
fiabilidad. (No existe desgaste por partes

TRANSISTOR BIPOLAR NPN


Est formado por una capa fina tipo p entre dos
capas n, contenidas en un mismo cristal
semiconductor de germanio o silicio, presentando
las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor
emite portadores de carga hacia el interior de la
base. En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no
puede acaparar la base. En el colector se recogen
los portadores que no puede acaparar la base.
Unin emisor: es la unin pn entre la base y el
emisor. Unin colector: es la unin pn entre la
base y colector. Cada una de las zonas est
impurificada en mayor o menor grado. La base
100 veces menos que el colector o emisor. La base
tiene menor tamao, despus el emisor y a 2
veces de espesor el colector.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP


El BJT pnp est formado tambin por un
cristal semiconductor con tres regiones
definidas por el tipo de impurezas. Las
tensiones de continua aplicadas son
opuestas a las del npn. Las corrientes
fluyen en sentido contrario al del npn.
Por lo dems, este dispositivo es similar
al npn. El BJT pnp desde el emisor emite
huecos, controlada por la base. El exceso
de huecos que no pueden recombinarse
en la base van a parar al colector
.

Fallas en circuitos con transistores


bipolares
Los
fallos
tpicos
originan
grandes
desviaciones en las corrientes y las
tensiones de un transistor. Quienes
detectan
averas
rara
vez
buscan
diferencias de dcimas de voltio. Lo que
buscan son tensiones que se manifiesten
distintas a los valores normales. Por ello,
el transistor idea es tan til como punto
de partida en la Torren deteccin de
fallos. Adems, explica por qu muchos
detectores de averas ni siquiera usan
calculadoras para determinar la tensin
colector-emisor.

Fallas en transistores
FALLO

VB(V)

VC(V)

COMENTARIO

NINGUNO

0.7

12

NO HAY PROBLEMA

RB (CORTOCIRCUITO)

15

15

TRANSISTOR DESTRUIDO

RB (ABIERTA)

15

RC (CORTOCIRCUITO)

0.7

15

RC (ABIERTA)

0.7

VBB ES CERO

15

VCC ES CERO

0.7

NO HAY CORRIENTE NI EN LA
BASE NI EN EL COLECTOR

VERIFICAR LA FUENTE Y SU
CONEXION