Instituto tecnológico superior de San Andrés

Tuxtla

Ingeniería electromecánica
Electrónica analógica
Docente: Jorge Adán Lucho Chigo
Alumno: Angel Manuel Lucho Ataxca
Grupo: 302-A Unidad: 2
Matricula: 211U0146
Investigación documental
Lugar y fecha de entrega:
San Andrés Tuxtla 11/10/22
Introducción
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres
terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. El transistor
se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han
ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas,
con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). Los transistores son
dispositivos activos con características altamente no lineales.

¿QUÉ SON LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten
controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero
comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de
señales o como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para
controlar motores, accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos
transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden encontrarse en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles,
ordenadores, etc.
¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos
diodos semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen
referencia a las capas de material semiconductor que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas
por una capa tipo “P”.
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas
por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona
central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y
C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor.
Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el
emisor hacia el colector.
-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores
inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la
zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la
terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las
imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te
darás cuenta que lo único que lo diferencia es la orientación de la flecha.

PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente
que se establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para
mantener el transistor en la región activa directa.

VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).

IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).

PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).

FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).

HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de

modelo Hibrido “H” de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos
con transistores, “F” proviene de los términos (FORWARD CURRENT) amplificación
con polarización directa y “E” de (COMMON EMITTER) configuración de emisor
común.

REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están

polarizadas directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es
muy grande.

REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero

para cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base
emisor están inversamente polarizadas.

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta

polarizada en inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región
nos permite utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de corriente o de
potencia.
¿COMO FUNCIONAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y
como amplificador con ganancia variable.
FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR
Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe
operar en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente
en un circuito.
Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se
polariza en la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera
los transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos
estados lógicos 0 y 1.
FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR
Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una
corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los
transistores BJT como amplificadores, tienes que tener en cuenta que hay distintos
tipos de transistores BJT los cuales tienen diferentes características técnicas, cada
uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta del transistor,
dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta del transistor
para obtener la amplificación de corriente deseada.
Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente.
La corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada
por la «beta» del transistor.
Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:
• Ic = Corriente de colector
• hFE = Beta del transistor
• Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede
variar, es por eso que no es recomendable el uso de transistores como
amplificadores electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.
CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT
CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN
La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto
para la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo
general es la terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra.
CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
lo contrario de las configuraciones en base común y en emisor común
CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN
Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de
referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento de la configuración en
emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito
de salida o de colector-emisor.

Principio de Funcionamiento

Característica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión
base-colector en inversa.[6] Debido a la agitación térmica los portadores de carga
del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar al colector.
A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el
campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa
y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico
repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan"
a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta
la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P,
los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que

los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor
de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones

Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo.

Transistores PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Conclusión

Un transistor es un dispositivo activo con tres terminales, y estos tres terminales se

conocen como Emisor, Base y Colector. Hay dos tipos principales de transistores:
transistores de unión bipolar y transistores de efecto de campo.

Los transistores NPN y PNP son transistores de unión bipolar, y es un componente

eléctrico y electrónico básico que se utiliza para construir muchos proyectos
eléctricos y electrónicos. Los transistores de unión bipolar se pueden encontrar tanto
como partes de circuitos integrados como en componentes discretos. En los
transistores PNP, los portadores de carga mayoritarios son huecos, mientras que
en los transistores NPN, los electrones son los portadores de carga mayoritarios
Referencias bibliográficas
• admin. (2020, noviembre 16). Diferencias entre transistores NPN y PNP.
recuperado octubre 12, 2022, de Industrias GSL sitio web:
https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/diferencias-entre-
transistores-npn-y-pnp
• Ayala, F. (2019, octubre 11). Transistores de unión bipolar BJT; Conoce su
funcionamiento. recuperado octubre 12, 2022, de UNIT Electronics sitio web:
https://uelectronics.com/transistores-bjt/
• de, C. (2006, mayo 5). tran. de union bipolar bjt. recuperado octubre 12, 2022,
de Wikipedia.org sitio web:
https://es.m.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar