Material recopilado por Ing.

Consuelo Pérez

ELECTRÓNICA III
CODIGO EL 1313
Unidad II: El transistor como interruptor: Corte y Saturación
Objetivos
1. Estudiar el transistor como elemento conmutador.
2. Aplicaciones del transistor como interruptor
3. Estudiar el uso del transistor en electrónica digital y circuitos de
compuertas lógicas
Contenido
1. Regiones de operación del transistor BJT
2. Características: corte y saturación
3. Circuitos interruptores con transistores
4. Uso del transistor en la electrónica digital y circuitos de
compuertas lógicas
5. Modelo Ebers Moll

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados

· Región activa:

En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de

base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

· Región inversa:
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Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor

bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los TBJ son
diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta
(β) en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.

· Región de corte:

: En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito, (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

· Región de saturación:

Un transistor está saturado cuando: Corriente de colector = corriente de emisor =

corriente máxima, (Ic = Ie = Imáxima).

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande.

Cuando un transistor es utilizado como un amplificador de señal de CA, se aplica el

voltaje de polarización a la base del transistor de tal manera que siempre opera dentro
de su “región activa", es decir las características de las curvas usadas de la parte
lineal de la salida. Sin embargo, tanto el transistor bipolar tipo NPN y tipo PNP pueden
hacer operar "Encendido/apagado" como los interruptores de estado sólido
polarizando la base de los transistores de manera diferente a la de un amplificador de
señal.

Los interruptores de estado sólido son una de las principales aplicaciones para el uso
de los transistores, y los interruptores de transistor se pueden utilizar para controlar
dispositivos de alta potencia, tales como motores, solenoides o lámparas, pero
también pueden utilizado en la electrónica digital y circuitos de compuertas lógicas.

Si el circuito utiliza el transistor bipolar como un interruptor, entonces la polarización

del transistor, NPN o PNP está dispuesta para operar el transistor a ambos lados de
las "I-V", curvas características que denotan la región de operación.
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Las áreas de operación de un conmutador de transistor se conocen como la región de

saturación y la región de corte, y utilizar el transistor como un interruptor de la
conducción hacia atrás y adelante entre su "totalmente- apagado" (corte) y la
"integración global en (saturación) regiones ", como se muestra en la siguiente gráfica

Regiones de operación

El área sombreada de color rosa en la parte inferior de las curvas representa la región
de "corte", mientras que la zona azul a la izquierda representa la región "saturación"
del transistor.

Región de corte

Aquí las condiciones de funcionamiento del transistor son cero de la corriente de base
de entrada (IB), corriente cero colector de salida (IC) y la tensión de colector máxima
(VCE) lo que resulta en una gran capa de agotamiento y ninguna corriente fluye a
través del dispositivo. Por tanto, el transistor cambia a "totalmente apagado".

Características de corte
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• La entrada y Base están conectados a tierra (0 V)

• La tensión base-emisor VBE <0.7V

• La unión base-emisor se polariza inversamente

• La unión base-colector se polariza inversamente

• Transistor es "totalmente apagado" (región de corte)

• No circula corriente por el colector (IC = 0)

• VOUT = VCE = VCC = "1"

El transistor opera como un "interruptor abierto". Entonces se puede definir la "zona de

corte" o "modo apagado" cuando se utiliza un transistor bipolar como interruptor,
cuando las dos uniones polarización inversa, VB <0.7v e IC = 0 Para un transistor
PNP, la potencia del emisor tiene que ser más negativa respecto a la base.

.Región de saturación

Aquí el transistor será polarizado con el máximo valor de corriente de la base,

resultante en la corriente máxima de colector lo que resulta en la caída de tensión de
colector-emisor mínima que resulta en la capa de agotamiento de ser lo más pequeño
posible y la máxima corriente que fluye a través del transistor.

Características de saturación

• La entrada y Base están conectados a VCC

• VBE tensión base-emisor> 0.7v

• La unión base-emisor está polarizado

• La unión base-colector está polarizado

• Transistor es "totalmente encendido" (región de saturación)

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• Los flujos actuales Max (Ic = Vcc / RL)

• VCE = 0 (saturación ideal)

• VOUT = VCE = "0"

El transistor opera como un "interruptor cerrado". Entonces se puede definir la "región

de saturación" o "modo ON" cuando se utiliza un transistor bipolar como interruptor,
cuando las dos uniones polarizado, VB> 0.7v e IC = máximo. Para un transistor PNP,
el potencial del emisor debe ser positivo con respecto a la base.

Ejemplos Circuitos interruptores con transistores

 Circuito básico del transistor NPN como interruptor

 Interruptor digital Lógico Transistor

 Circuito de Transistor PNP como interruptor

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 Interruptor Darlington Transistor

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Uso del transistor en la electrónica digital y circuitos de compuertas lógicas

Lógica transistor resistencia (RTL)

Dos o más inversores de transistor pueden colocarse en paralelo con una resistencia a
fuente común, como se muestra a continuación y se obtiene una compuerta NOR de
tres entradas

Tabla de la verdad

A B C Salida
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 0

Diagrama lógico equivalente

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Modelo Ebers Moll

El modelo de Ebers-Moll es un modelo de señal amplificada que normalmente se

utiliza para modelar los BJT. Un tipo del modelo se basa en suponer un diodo con
polarización directa y un diodo con polarización inversa. Para un transistor NPN. Este
modelo, conocido como versión de inyección del modelo de Ebers-Moll, es válido para
las regiones activa, de saturación y de corte. Bajo condiciones de funcionamiento
normal dentro de la región activa, una unión del BJT tiene polarización directa, y la
otra, inversa.

La polarización de un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones

lineales y no-lineales ya que determina las corrientes y tensiones en directa que van a
circular por el dispositivo.

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones
en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo Ebers-Moll,
establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son:

VT = kT/q = 25.8 mV a 25°C

Donde IES es igual a la corriente de saturación inversa base-emisor del diodo y ICS es
la corriente de saturación inversa base-colector de diodo, respectivamente, aF el factor
de defecto y aR la fracción de inyección de portadores minoritarios.