El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en

dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como
la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de
corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que
significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los
BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de
stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de
galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin
base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa
y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor,
el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la
base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores
minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan
"hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de sta en mucho menostiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de
la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
Polarizacin del transistor
Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas y conectar las resistencias
oportunas para que el transistor funcione dentro de los limites indicados en el diseo, de forma que la
seal aplicada a la entrada no resulte deformada a la salida.
Existen tres configuraciones fundamentales, de las cuales la ms utilizada es la de emisor de comn:

Polarizacin mediante dos fuentes de alimentacin

Las tensiones V
BE
y V
CE
adecuadas se consiguen mediante dos bateras independientes: V
BB
y V
CC
.
Necesita dos fuentes y es muy sensible a los cambios de beta y de temperatura.
Polarizacin mediante una sola fuente de alimentacin
Por realimentacin del emisor

Las tensiones adecuadas de V
BE
y V
CE
se
consiguen eligiendo adecuadamente las
resistencias, siendo comn a la entrada y a
la salida la cada de tensin en R
E


V
BE
= V
CC
- V
RB
- V
RE


V
CE
= V
CC
- V
RC
- V
RE

Un aumento de temperatura o de beta
provoca un aumento de I
C
y por tanto de
I
E
y de la tensin en R
E
. La tensin en
R
B
disminuir y tambin I
B
compensando el
incremento de la salida.

Por realimentacin del colector

La cada de tensin en R
C
es comn al
circuito de entrada y al de salida

V
BE
= V
CC
- V
RC
- V
RB


V
CE
= V
CC
- V
RC

R
C
pertenece al circuito de entrada y de
salida (realimentacin).

Es ms estable ante los cambios de temperatura y de beta ya que si aumenta I
C
lo hace V
RC
lo que
hace disminuir la tensin en R
B
y por tanto la corriente de base. Aumentos de I
C
provocan una
reduccin de I
B
que compensa dicho incremento.
Por realimentacin del emisor con divisor de tensin.

Es una variante de la polarizacin por
realimentacin del emisor donde la tensin
en la base se consigue mediante un divisor
de tensin (R
B1
y R
B2
).

V
BE
= V
CC
- V
RB1
- V
RE


V
CE




Fototransistor. Transistor el cual es activado por la incidencia de la luz en la regin de base
generando portadores en ella, el mismo tiene una ventana que permite la entra de luz.
Descripcin
El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, est compuesto por el
mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector,
base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es
en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese
hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca elefecto fotoelctrico.
Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es posible regular su corriente de
colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento
optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o menos corriente de colector cuando incide ms o
menos luz sobre sus junturas. El mismo puede ser identificado en un circuito con la simbologa
mostrada en la figura I.
Principio de funcionamiento
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la deteccin de luz y la ganancia. Su
construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se
expone a la luz a travs de una ventana o lente. Los fotones incidentes generan pares electrn-
hueco en la proximidad de la gran unin CB. Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB,
llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector. La unin BE polarizada
directamente, hace que los huecos circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del
emisor a la base.
En este punto la accin convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del
emisor cruzando la pequea regin de la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este
flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrn-hueco
fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta en configuracin de
emisor comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como corriente de colector
multiplicada por hfe.
Aplicaciones
Su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede
eliminar la necesidad de amplificacin posterior. De hecho, el mayor mercado para el fototransistor
es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms
ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una amplificacin posterior.