INSTITUTO TECNOLOGICO DE MERIDA

FECHA: 10/JUNIO/2011
TRANSISTOR BIPOLAR
ELECTRONICA ANALOGICA


UNIDAD 2 - EL TRANSISTOR BIPOLAR
2.1 INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la
informtica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que ha aportado el
transistor a estas ciencias.
El transistor bipolar, conocido en ingles por el acrinino BJT (Bipolar Junction Transistor,
transistor Bipolar de Union) es uno de los dispositivos mas utilizados en los circuitos
electronicos. El nombre transistor procede de la condensacion de dos vocablos ingleses,
transfer y resistor, y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos
terminales esta controlada por una senal aplicada a la tercer terminal; el termino bipolar
es debido a que la corriente es transportada por portadores de ambas polaridades:
electrones y huecos. La electronica moderna, basada en circuitos integrados se inicio de
hecho con el descubrimiento de este dispositivo. Actualmente sigue siendo el dispositivo
de excelencia, y el que ms se emplea en los CI analogicos.
El transistor vino a reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de
vaco an se emplean en electrnica de potencia, cuando son necesarias elevadsimas
ganancias, por ejemplo en amplificadores para trasmisin va satlite) con las siguientes
ventajas:
Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin es menor su
produccin de calor.
Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede tener el tamao de una
lenteja mientras que un tubo de vaco tiene un tamao mayor que el de un
cartucho de escopeta de caza. Esto permite una drstica reduccin de tamao.
Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos estaban alrededor de los
300 voltios las de los transistores vienen a ser de 10 voltios con lo que los dems
elementos de circuito tambin pueden ser de menor tamao al tener que disipar
mucho menos calor y soportar tensiones mucho menores.
El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por silicio o germanio.
Su vida media es prcticamente ilimitada y en cualquier caso muy superior a la del
tubo de vaco.

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al transistor supone un
gran paso en cuanto a reduccin de tamao y consumo y aumento de fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples disciplinas
cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de materiales entre otras.
Fundamento Terico
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el
transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

Transistores bipolares npn y pnp.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlogo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con
donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su
funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra
dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se
encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y
la base.
Condiciones De Funcionamiento.
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo
B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa.
En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor
se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de
la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta
depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se
asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente , determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de
forma casi independiente de la tension entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientra que el diodo B-C,
ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su
circuito C-E como un interruptor abierto.
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificadores de
seales. Las zonas de corte y saturacin son tiles en circutos digitales.

2.2 POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Y SUS DIFERENTES
COMBINACIONES.
Circuito De Polarizacin De Base

Vamos a realizar un anlisis de las 2 mallas que componen el circuito, la malla base-
emisor, y la malla colector-emisor. De este modo obtendremos las ecuaciones
fundamentales del circuito y analizaremos las condiciones que llevarn al transistor a su
zona activa, de corte, o de saturacin.
Malla base-emisor Malla colector-emisor

Transistor en Saturacin Transistor en Corte




Transistor en Activa





Circuito De Polarizacin De Emisor

Si se quiere amplificar se necesitan circutos cuyos puntos Q (ic,Vce) sean inmunes a los
cambios en la ganancia de corriente (betadc), esto es, interesa que el punto Q sea los ms
estable posible. Para este propsito puede emplearse el circuito de polarizacin de
emisor.
Vamos a realizar un anlisis de las 2 mallas que componen el circuito, la malla base-
emisor, y la malla colector-emisor. De este modo obtendremos las ecuaciones
fundamentales del circuito y analizaremos las condiciones que llevarn al transistor a su
zona activa, de corte, o de saturacin.
Malla base-emisor Malla colector-emisor

Transistor en Saturacin Transistor en Corte



Transistor en Activa








Circuitos De Polarizacin De Transistores Bipolares.
La seleccin del
punto de trabajo Q
de un transistor se
realiza a travs de
diferentes circuitos
de polarizacin que
fijen sus tensiones y
corrientes.
En la figura se
incluyen los
circuitos de
polarizacin ms
tpicos basados en
resistencias y
fuentes de
alimentacin;
adems, se indican
las ecuaciones que
permiten obtener el
punto de trabajo de
los transistores.
Estos circuitos
presentan
diferencias en
algunos casos
importantes.
La polarizacin de
corriente de base
de la figura es
mucho ms estable
aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de
autopolarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra
en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva.

2.3 APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES.
Fuente regulada, variable de 0 a 15V
(con proteccin contra "cortos")
Diagrama de la fuente:

A continuacin se describe una lista de cada uno de los componentes de colocados
en el anterior diagrama:
T1 - Transformador de 120 o 220V (segn la red) con secundario de 16 + 16V
Q1 - Transistor 2N3055 u otro de similares caractersticas (ECG130, BD182, etc.)
Q2 - Transistor BD137 u otro de similares caractersticas (ECG373, etc.)
Q3 - Transistor 2SC536 u otro de similares caractersticas (ECG85, etc.)
C1 - Condensador electrolitico (filtro) 3300 uF 25V
C2 - Condensador electrolitico (filtro) 470 uF 25V
C3 - Condensador 0.1 uF 100V
D1 y D2 - Diodos rectificadores 1N5402 (ECG5802) o equivalentes.
D3 - Diodo Zener de 15V 400mW
D4 - Diodo 1N4007
R1 - Potenciometro 47K
R2 - Resistor 270 ohms 3W
R3 - Resistor 1000 ohms 1W
R4 - Resistor 0.47 ohms 5W
R5 - Potenciometro del tipo "pre-set" 470 ohms
Si se desea, se puede agregar un voltmetro (0 a 15V) y un ampermetro (2A) para
convertirla en una fuente que nos proporcione datos mas fcilmente, lo que har mas
optimo y sencillo el trabajo.

Metrnomo Electrnico
Circuito Esquemtico

Componentes:

R1 = 100 kOhmios; R2 y R4 = 10 kOhmios; R3 = 1 kOhmio; P1 = 1 MOhmio,
potenciometro lineal;
C1 = 1 microFaradio; C2 = 10 microFaradios; C3 y C4 = 100 microFaradios /
16 Voltios;
TR1 = 2N2904 o equivalente; TR2 = 2N2219 o equivalente; IC = 555 o
equivalente;
AV = altavoz en miniatura de 8 Ohmios de impedancia.