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de lista _________ Nombre: ________________________________ Electrnica de Potencia Tarea # 01 Calificacin _________ Tiempo de trabajo (min) _________

1.1 Qu es electrnica de potencia? Es la aplicacin de la electrnica de estado solido para el control y la conversin

de la energa elctrica. Se puede definir como las aplicaciones de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. 1.2 En qu se basa principalmente la aplicacin de la electrnica de potencia La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa y giratoria para la generacin, transmisin y distribucin de la energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados.
1.3 Cules son las dos clasificaciones de los dispositivos semiconductores de potencia? (la de tres y la de cinco clases)

Estos dispositivos se pueden dividir en forma general en tres clases: 1) diodos de potencia, 2) transistores y 3) tiristores. Tambin se pueden dividir en general en cinco tipos: 1) diodos de potencia, 2) tiristores, 3) transistores de unin bipolar (BJT, de sus siglas en ingls bipolar junction transistors), 4) transistores de efecto de campo de xido de metal semi conductor (MOSFET, de sus siglas en ingls Metal oxide semiconductor field-effect transistors), y 5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT, de sus siglas en ingls insulated-gate bipolar transistors) y transistores de induccin esttica (SIT, de sus siglas en ingls static induction transistors). 1.4 Cules son los tipos de diodos de potencia? De propsito general, de alta velocidad (o recuperacin rpida), y de Schottky.
1.5 Cules son los diversos tipos de tiristores, su clasificacin?

Los tiristores se pueden dividir en once tipos: a) tiristor conmutado forzado, b) tiristor conmutado por lnea, e) tiristor de abertura de compuerta (GTO, de sus siglas en ingls gate-turn-off thyristor), d) tiristor de conduccin inversa (RCT, de sus siglas en ingls reverse-conducting thyristor), e) tiristor de induccin esttica (SITR, de sus siglas en ingls static induction thyristor), f) tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de sus siglas en ingls gate-assisted turn-off thyristor), g) rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR, de sus siglas en ingls light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR), h) tiristor abierto por MOS (MTO, por sus siglas en ingls MOS turn-off), i) tiristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en ingls emitter turn-off), j) tiristor conrnutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en ingls integrated gate-commutated thyristor) y k) tiristores controlados por MOS (MCT, por sus siglas en ingls MOS-controlled thyristor).
1.6 Cules son las condiciones para que conduzca un tiristor?

El tiristor conduce siempre que la terminal del nodo tenga mayor potencial que el ctodo. 1.7 Cmo se puede abrir un tiristor? Con una conmutacin por lnea o forzada. 1.8 Qu es un circuito de conmutacin? Es un circuito donde el elemento base funciona en todo o nada. 1.9 Qu es el tiempo de conmutacin?
1.10 Cul es la clasificacin de los transistores de potencia?

Los transistores de potencia son de cuatro clases: 1) BJT, 2) MOSFET de potencia, 3) IGBT Y 4) SIT. 1.11 Qu es una conmutacin de lnea?

se apagan (o desactivan o bloquean) debido a la naturaleza senoidal del voltaje de entrada. 1.12 Qu es una conmutacin forzada? se apagan con un circuito adicional, llamado circuito de conmutacin. 1.13 Cul es la diferencia entre un tiristor y un TRIAC? El flujo de corriente por un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. 1.14 Cul es la caracterstica de control de un GTO? Son tiristores auto desactivado, se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas y se desactivan mediante un impulso corto de las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. 1.15 Cul es la caracterstica de control de un MTO? es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de abertura del GTO. Su estructura es parecida a la de un GTO y conserva las ventajas del GTO de alto voltaje (hasta 10 kV) Y a la corriente (hasta 4000 A). Los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia, que van desde 1 hasta 20 MVA. 1.16 Cul es la caracterstica de control de un ETO? es un hbrido de MOS y GTO, que combina las ventajas tanto del GTO como del MOSFET. El ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para abertura y una con una serie de MOSFET para cerrado. SE han demostrado ETO con capacidad de corriente hasta de 4 kA Ycapacidad de voltaje hasta de 6 kV. 1.17 Cul es la caracterstica de control de un IGCT? el IGCT se enciende aplicando a su compuerta la corriente de cerrado. El IGCT se apaga por medio de una tarjeta de circuito activador de compuerta, de varias capas, que puede suministrar un pulso de abertura de subida rpida (es decir, una corriente de 4 kA/J-Lscon slo 20 V de voltaje entre compuerta y ctodo). 1.18 Qu es el tiempo de abertura de un tiristor y cul es su valor promedio? El tiempo de abertura se define como el intervalo de tiempo entre el instante en el que la corriente principal baja a cero despus de una interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante cuando el tiristor es capaz de sostener un voltaje principal de respaldo especificado sin encenderse, su valor promedio es posible tener de 10 a 20 us en un tiristor para 3000 V y 3600 A. 1.19 Cules son las diferencias en las caractersticas de control entre los GTO y los tiristores? Que los GTO no requieren un circuito de conmutacin para apagarse. 1.20 Cules son las diferencias en las caractersticas de control entre los tiristores y los transistores? En comparacin con los transistores, los tiristores tienen menores prdidas por conduccin en estado encendido y mayor especificacin de manejo de potencia. Por otra parte, los transistores tienen en general mejor funcionamiento en conmutacin, por su mayor velocidad y menores prdidas de conmutacin. 1.21 Cules son las diferencias en las caractersticas de control entre los BJT y los MOSFET? Los MOFSET son mucho ms rpidos que los BJT
1.22 Cul es la caracterstica de control de un IGBT?

Son transistores de potencia de voltaje controlado. Son adecuados para alto voltaje, gran corriente y frecuencias hasta de 20KHz y se consiguen hasta para 1700V y 2400A
1.23 Cul es la caracterstica de control de un MCT?

Son sencillos se consiguen hasta para 4500V y 250 A y una frecuencia de 5khz.
1.24 Cul es la caracterstica de control de un SIT?

Tiene una capacidad de voltaje de hasta 1200V y corriente de 300 A y una frecuencia de 100KHz
1.25 Cules son las diferencias entre los BJT y los IGBT?

Los IGBT son ms rpidos que los BJT. Los IGBT ofrecen caractersticas muy superiores de activacin y de salida que las de los BJT.
1.26 Cules son las diferencias entre los MCT y los GTO? 1.27 Cules son las diferencias entre los SITH y los GTO?

1.28 Cmo se clasifican los dispositivos semiconductores de potencia de acuerdo a: encendido / apagado y direccin

de conduccin?
1.29 Cules son las caractersticas ideales de un dispositivo semiconductor de potencia (interruptor)? 1.30 Cules son las caractersticas prcticas de un dispositivo semiconductor de potencia (interruptor)? 1.31 Enlista las caractersticas principales que el fabricante proporciona en su hoja de datos como las capacidades del

producto.
1.32 Qu es un convertidor? 1.33 Cul es el principio de la conversin de CA-CD? 1.34

Cul es el principio de la conversin de CA-CA?


1.35 Cul es el principio de la conversin de CD-CD? 1.36 Cul es el principio de la conversin de CD-CA? 1.37 Qu es un interruptor esttico? 1.38 Cules son los pasos que intervienen en el diseo del equipo electrnico de potencia? 1.39 Cules son los efectos perifricos del equipo electrnico de potencia? 1.40 Cmo se conforma un mdulo inteligente (ejemplo)?