UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERÚ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

INFORME DE PRACTICA DEL LABORATORIO CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS

TITULO DE LA PRACTICA: TRANSISTOR BJT

ING. DAVID HUARAC ROJAS

HUANCAYO
2018
 PRÁCTICA No. 5 TRANSISTOR BJT

1. DATOS GENERALES:

NOMBRE: (estudiante(s) CODIGO(S): (de estudiante(s)

 Meneses venito rolando

 Rodriguez cristobal Christian jharol 2014100345A
 Vichez lazo angel

GRUPO No.: 2

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

28/05/2018 04/06/2018

2. OBJETIVO(S):

2.1. GENERAL:

 Saber las funcionamiento y propiedades que tiene el transistor bjt,

2.2. ESPECÍFÍCOS:

 Identificar los terminales del transistor utilizando el multímetro

 Analizar el funcionamiento del transistor cuando se configura como se mostró
en los circuitos en la práctica, tomando en cuenta los diferentes transistores.
 Conocer el circuito de polarización del transistor

3. METODOLOGÍA:

 Se plasmo el circuito que se tenía en la práctica en el protoboard y se utilizó dos

multímetros para hallar las corrientes del emisor y colector haciendo variar el
potenciómetro cada 500 ohmios para el experimento 2. De la misma forma para el
experimento 3 con la excepción de que las fuentes a loa que se alimentaban al
circuito se invirtieron y agregando más resultados como VEB, VCB y VCE.
 Para el experimento 4 primero se halló teóricamente los valores de RC y RB y luego
se puso esos valores utilizando dos potenciómetros para equilibrar los valores
deseados.
 Para el experimento 5 también se halló teóricamente los valores de RC y RB y
utilizando el osciloscopio se vio como se comportaba el diodo
4. EQUIPOS Y MATERIALES:

 Protoboard
 Diodos Rectificadores de 2 y 3 Amperios
 Cables de conexión
 Fuente de AC y DC
 Osciloscopio con puntas de medición.
 Generador de funciones.
 Fuente regulada , y Multímetro digital.
 Resistencias de varios valores 100, 150, 220 a 1/2 W.
 Un transistor BD 237.
 Un transistor BD 238.
 Un transistor BC 547
 Un potenciómetro de 2.5 K Ω.

5. MARCO TEORICO:

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de
uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos
de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, reproductores mp3, celulares, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas,
el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica
cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función

amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de
base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a
tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima,
disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor,
tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos
para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y
base común. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la
integración a gran escala que disfrutamos hoy en día.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,

mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

ESTRUCTURA:

Un transistor bipolar de juntura consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas:

La región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N
en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

FUNCIONAMIENTO

En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la

unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la
base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
ánodo compartida. En una operación típica, la juntura base-emisor está polarizada
en directa y la juntura base-colector está polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la juntura base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que

los portadores puedan difundirse a través de ésta en mucho menos tiempo que la
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje
de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El
espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

CONTROL DE TENSIÓN, CARGA Y CORRIENTE

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-
emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto
es debido a la relación tensión-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la
curva tensión-corriente exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).

En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a

que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para
diseñar circuitos utilizando TBJ con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemáticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

EL ALFA Y BETA DEL TRANSISTOR

La proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector es una

forma de medir la eficiencia del TBJ. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo
dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor común está representada por βF o por hfe. Esto
es aproximadamente la tasa de corriente contínua de colector a la corriente
contínua de la base en la región activa directa, y es típicamente mayor a 100. Otro
parámetro importante es la ganancia de corriente base común, aF. La ganancia de
corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor
a colector en la región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano
a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):
TIPOS DE TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA:

NPN:

El símbolo de un transistor NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día
son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P

(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida
del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.

PNP:
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

El símbolo de un transistor PNP

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N

entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la

dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

REGIÓN ACTIVA:

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia
de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

REGIÓN INVERSA:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
TBJ son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo
activo.

REGIÓN DE CORTE:

Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)

 En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0

(Ib =0)

REGIÓN DE SATURACIÓN:

Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima,(Ic = Ie = I máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (Recordar que Ic = β * Ib)

6. PROCEDIMIENTO:

DESARROLLO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIÓN FÍSICA DEL TRANSISTOR.

a) Con el multímetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los

solicitados en la práctica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la
figura 1.
2N2222

Figura 1.

Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre las
uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el
positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de otras dos
terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deberá
ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre las
terminales de colector-emisor se observará alta resistencia sin importar como se coloque la
polaridad en las terminales del óhmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las
uniones rectificantes del transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la
terminal de colector de la de emisor, será necesario aplicar la “prueba del amplificador” o alguna
otra que se proponga.

EXPERIMENTO 2 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR NPN.UTILIZAR BC 547

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.

b) Con los valores de voltaje V1 y V2 constante, ajuste el potenciómetro R1 con la perilla

a su valor mínimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 Ω; para cada
incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor máximo del
potenciómetro.
R1(ohmios) Ic(mA) Ie(mA)
500 1.68 0.66
1000 0.86 0.34
1500 0.58 0.23
2000 0.44 0.18
2500 0.36 0.14

c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.

 graficas del transistor
Series1 Series2
2.5

2
resistencia(ohmios)

1.5

0.5

0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
corriente(mA)

EXPERIMENTO 3 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR PNP.UTILIZAR BD 238

a) Construya el circuito que se muestra en la figura 3.

Figura 3

b) Con los valores de voltaje V1 y V2 constante, ajuste el potenciómetro R1 con la perilla

a su valor mínimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 Ω, a cada
incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor máximo del potenciómetro.

R1(ohmios) Ic(mA) Ie(mA)

500 1.95 1.92
1000 0.94 1
1500 0.66 0.64
2000 0.5 0.48
2500 0.39 0.39
 c) Ajuste el potenciómetro R1 con la perilla a su valor mínimo, obtenga los
parámetros de polarización de emisor máxima, mida VEB, VCB y VCE, anote sus
resultados.
VEB=0.32mV
VCB=63mV
VCE=0.563V

d) Retire la fuente V1 y obtenga el valor de ICBO.

ICBO= 2mA

EXPERIMENTO 4 TRANSISTOR REGIÓN CORTE Y SATURACIÓN UTILICE BC 547

a) Construya el circuito de la figura 4.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarización RC y RB.

Figura 4

IB IC IE VCB VBE VCE

53.1uA 8.71mA 8.7mA 2.6V 675mV 3.29

De acuerdo al transistor que uno utilice para sus trabajos se considera ciertos
rangos de ganancia y parámetros que limitan el margen de trabajo para este caso
consideramos una beta de 150 lo cual nos permite obtener las resistencias Rc=1kΩ
y Rb=100k
EXPERIMENTO 5

Figura 5.

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 Los errores obtenidos se deben a que no se usaron los valores de las resistencias
y del capacitor calculados, y se usaron resistencias aproximados que se
encontraban en el laboratorio.
 Se pudo ratificar experimentalmente, que no a todas las frecuencias, la
amplificación es la misma. Aunque experimentalmente no se verifica la
ubicación del punto Q(aunque se pudo haber medido la corriente por el
colector y el voltaje colector-emisor), podemos inferir que este punto no está
cercano a la región de corte o a la saturación, pues las señales obtenidas no
mostraban distorsión.
 Experimentalmente, se ratifica el modelo re para el transistor BJT en AC, pues
tras el análisis teórico, el comportamiento real del componente se aproxima de
manera efectiva.
8. BIBLIOGRAFÍA:

 Malik, N. Circuitos Electronicos. Análisis, Simulación Y Diseño. Prentice Hall,

1996 [2] Boylestad.
 N. Electronica: Circuitos y Dispositivos. Prentice Hall Latinoamerica. 2005
 Leer más: http://www.monografias.com/trabajos71/transistor-
bipolar/transistor-bipolar.

ANEXOS

Cuestionario de evaluación:

1. Indique en que sección de las curvas de operación del transistor se encuentran las
zonas de saturación y de corte.

En corte es cuando no entra corriente por la base, esta intenta pasar del colector al
emisor, pero no se puede debido a que el paso está interrumpido. Y en saturación entra
la corriente por base y esto provoca que se cierre el paso entre colector y emisor, así ya
puede pasar la corriente.

2. Explique porque en cada una de las curvas de operación del transistor existe una
relación de voltaje con respecto a la corriente.

A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor(punto

Q), es decir, los voltajes y corrientes del mismo una vez polarizado.

3. Indique cuales son los parámetros que se deben considerar para variar la región
de trabajo en un transistor.

Parámetro alfa (a): Indica la relación entre las corrientes de colector y emisor
 Parámetro beta o ganancia de corriente (b): Es la relación entre las corrientes de
colector y de base

4. ¿a qué se le denomina corriente de fuga en un transistor?

Es la corriente que circula por el colector sin tener ninguna tensión o excitación en
la base, es una pequeña corriente que tienen entre colector y emisor sin poner señal
en la base, normalmente es pequeñísima.

5. De las corrientes que circulan a través del transistor, ¿Cuál es la mayor, cual es la
menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?

La corriente de base es mucho mayor que la de colector, la de colector y emisor son

relativamente cercanas y así la de emisor es la suma de la de colector y base.

6. Explique cuál es la utilidad de conocer los puntos de operación del transistor.

Sirve para así conocer de qué manera se obtienen los valores que necesitamos, y así
obtener corrientes de base a emisor y colector o lo que sea necesario.

7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y mencione cuantas

configuraciones de polarización se pueden realizar.

Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas y conectar

las resistencias oportunas para que el transistor funcione dentro de los límites
indicados en el diseño, de forma que la señal aplicada a la entrada no resulte
deformada a la salida.