DIODOS DE POTENCIA

El diodo de potencia.

Características estáticas

 Parámetros en bloqueo.
 Parámetros en conducción.
 Modelos estáticos de diodo.

Características dinámicas

 Tiempo de recuperación inverso.

 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.

Disipación de potencia

 Potencia máxima disipable (Pmáx).

 Potencia media disipada (PAV).
 Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
 Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM).

Características térmicas

 Temperatura de la unión (Tjmáx).

 Temperatura de almacenamiento (Tstg).
 Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc).
 Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd).

Protección contra sobreintensidades

 Principales causas de sobreintensidades.

 Órganos de protección.
 Parámetro I2t.

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre
otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente
en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo
y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar
una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de
soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar
de la siguiente forma:

 Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
 Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:

o Potencia máxima disipable.

o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.

 Características térmicas.

o Temperatura de la unión (Tjmáx).

o Temperatura de almacenamiento (Tstg).
o Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc).
o Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd).

 Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas
Parámetros en bloqueo

 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos
cada 10 ms de forma continuada.
 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o más.
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las características del mismo.
 Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Parámetros en conducción

 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos

sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de
conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura
superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.
Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un

diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante
un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída)
en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el
exceso de portadores.

o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
o tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta
que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en
inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta
el 10 % de éste.
o trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

o Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la

característica de recuperación inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo:

 Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:

o Para ta = tb trr = 2ta

o Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

o Se limita la frecuencia de funcionamiento.

o Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.

Factores de los que depende trr :

o A mayor IRRM menor trr.

o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor
será la capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr.

Tiempo de recuperación directo

tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el

instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en
que
dicha tensión se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de
potencia apreciables.

Disipación de potencia

Potencia máxima disipable (Pmáx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que
disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se

desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por
el elemento para una intensidad conocida.

Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el
factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx)

Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destrucción.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de

temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un
intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante

suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este
dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:

Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone
que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

Protección contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidades es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a

cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores,
carga de condensadores, utilización en régimen de soldadura, etc.

Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es incapaz de
evacuar las calorías generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha
térmica).

Órganos de protección.

Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los
más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus
características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se
da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensión.

Parámetro I2t

La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos
y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el fusible el que se destruya y
no el diodo.
Tipos de Diodos de Potencia
Datos del Catalogo
Transistores de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales,
teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto,
las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:

 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 Media (104

ohmios) ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)

Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja

Resistencia OFF (corte) Alta Alta

Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)

Máxima temperatura de Alta (200ºC) Media (150ºC)

operación
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Baja (10-80 Khz)
Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los
transistores bipolares:

 Trabaja con tensión.

 Tiempos de conmutación bajos.
 Disipación mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

 Pequeñas fugas.
 Alta potencia.
 Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
 Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
 Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada).
 Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares,
es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un
retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones
colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.

Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el
terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y
fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son
substancialmente distintas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control
(base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

 En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
 En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

Tiempos de conmutación

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los
efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya
que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de
pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al
aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada
uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal de
entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90%
de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de
entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10%
de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo de encendido
(ton).
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el
transistor:

Otros parámetros importantes

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV, corriente
media por el colector).
Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se
determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.
VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto.
VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la
base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante. VCEsat entre
colector y emisor en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET. Este valor, junto con el de
corriente máxima, determina la potencia máxima de disipación en saturación.
Relación corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia estática de
corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).

Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de
polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser :
  Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor - base y a una
polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de operación normal del transistor
para amplificación.
 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor - base y a una
polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada raramente.
 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en ésta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como
un interruptor abierto (IC 0).
 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación en
esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el transistor
actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la tensión
máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unión colector - base polarizada en
inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los
límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que se
produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor en directo. En efecto, con dicha polarización se
crea un campo magnético transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una
pequeña zona del dispositivo (anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es
proporcional al grado de polarización de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto
valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo con el consiguiente aumento de las
pérdidas y de la temperatura. A este fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos
bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria durante cortos
intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas límites en la zona
activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante,
cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con polarización inversa
de la unión base - emisor se produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si, en un área
más pequeña que en polarización directa, por lo que la avalancha puede producirse con niveles más bajos de
energía. Los límites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo más desfavorables dentro de la
zona activa.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor
en corte y saturación. Para una carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación. Para una carga
resistiva, el transistor pasará de corte a saturación por la recta que va desde A hasta C, y de saturación a corte
desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturación
recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este
último paso lo hace después de una profunda incursión en la zona activa que podría fácilmente sobrepasar el
límite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc).
Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la práctica varios circuitos, que se muestran a
continuación :

a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de ser superior a la tensión de la
fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de saturación a corte, proporcionando a
través de los diodos un camino para la circulación de la intensidad inductiva de la carga.
En la tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el
condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensión Vcc. Diseñando adecuadamente la red RC se consigue
que la tensión en el transistor durante la conmutación sea inferior a la de la fuente, alejándose su
funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a
saturación el condensador se descarga a través de RS.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos
que con esta red, el paso de saturación (punto A) a corte (punto B) se produce de forma más directa y sin
alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
Para el cálculo de CS podemos suponer, despreciando las pérdidas, que la energía almacenada en la bobina L
antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule. Por tanto :

de donde :

Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente
en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de ser menor (por
ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturación el transistor :
Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga resistiva

La gráfica superior muestra las señales idealizadas de los tiempos de conmutación (ton y toff) para el caso de
una carga resistiva.
Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector. En estas
condiciones (0 t tr) tendremos :

donde IC más vale :

También tenemos que la tensión colector - emisor viene dada como :

Sustituyendo, tendremos que :

Nosotros asumiremos que la VCE en saturación es despreciable en comparación con Vcc.

Así, la potencia instantánea por el transistor durante este intervalo viene dada por :

La energía, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida está dada por la integral de la potencia
durante el intervalo del tiempo de caída, con el resultado:

De forma similar, la energía (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de caída, viene dado como:
La potencia media resultante dependerá de la frecuencia con que se efectúe la conmutación:

Un último paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeríamos un error apreciable si
finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:

Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga inductiva

Arriba podemos ver la gráfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga inductiva. La energía perdida durante en ton
viene dada por la ecuación:

Durante el tiempo de conducción (t5) la energía perdida es despreciable, puesto que VCE es de un valor
ínfimo durante este tramo.
Durante el toff, la energía de pérdidas en el transistor vendrá dada por la ecuación:

La potencia media de pérdidas durante la conmutación será por tanto:

Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar
la frecuencia con la sumatoria de pérdidas a lo largo del periodo (conmutación + conducción). La energía de
pérdidas en conducción viene como:

Ataque y protección del transistor de potencia

Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutación limitan el funcionamiento del transistor, por lo
que nos interesaría reducir su efecto en la medida de lo posible.

Los tiempos de conmutación pueden ser reducidos mediante una modificación en la señal de base, tal y como
se muestra en la figura anterior.
Puede verse como el semiciclo positivo está formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor
a pasar a saturación (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el
transistor (de este modo la potencia disipada no será excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentará).
El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor está en
corte, se hace cero para evitar pérdidas de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que actúa en conmutación lo haga lo más rápidamente posible
y con menores pérdidas, lo ideal sería atacar la base del dispositivo con una señal como el de la figura
anterior. Para esto se puede emplear el circuito de la figura siguiente.

En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendrá la forma indicada a continuación:

Durante el semiperiodo t1, la tensión de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (máx). En estas condiciones
la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensión VC de valor:
debido a que las resistencias R1 y R2 actúan como un divisor de tensión.
La cte. de tiempo con que se cargará el condensador será aproximadamente de:

Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:

En el instante en que la tensión de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador cargado a VC, y la
VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensión de entrada, lo que produce el pico negativo de intensidad IB
(mín):

A partir de ese instante el condensador se descarga a través de R2 con una constante de tiempo de valor R2C.
Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:

con esto nos aseguramos que el condensador está cargado cuando apliquemos la señal negativa. Así,
obtendremos finalmente una frecuencia máxima de funcionamiento :

Un circuito más serio es el de Control Antisaturación:

El tiempo de saturación (tS)será proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave saturación
lograremos reducir tS :

Inicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:
Si imponemos como condición que la tensión de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2,
obtendremos que IC sea mayor que IL:

TIRISTORES

INTRODUCCION:

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.

CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una
sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.

ACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una
de las siguientes formas.

TERMICA.

Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el número de pares electrón-hueco, lo

que aumentará las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará que 1 y 2 aumenten.
Debido a la acción regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse.
Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita.

LUZ.
 Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrón-hueco
pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta
llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE.

Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluirá una
corriente de fuga suficiente para iniciar una activación regenerativa. Este tipo de activación puede
resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt.

Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede
dañar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA.

Si un tiristor está polarizado en directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un

voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor.

TIPOS DE TIRISTORES.

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y desactivación, en

general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:

1. Tiristores de control de fase (SCR).

2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

En esta practica fue necesario además de utilizar tiristores, la utilización de un tipo especial de estos
como lo es un UJT además de un PUT por lo que se definen ambos a continuación:

TRANSISTOR MONOUNION (UJT).

 El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR.
En la fig. 5 se muestra un circuito básico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas
como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounión tiene las características de una
resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K).
Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd, se carga el capacitor C a través de la
resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT está en estado abierto. La constante de tiempo del
circuito de carga es T1= RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor
llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a través de RB1 a una velocidad
determinada por la constante de tiempo T2= RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje
del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se
repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El
periodo de oscilación, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y está dado
por:

T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig.1 Circuito básico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.

El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor que aparece en la fig.2. Un PUT
se puede utilizar como un oscilador de relajación, tal y como se muestra en la fig.2b. El voltaje de
compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2,
y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp está fijo para un dispositivo por
el voltaje de alimentación de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del
divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le
dispositivo se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta
en una caída de voltaje de diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará. La
corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la
compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentación en cd Vs. N general Rk está limitado
a un valor por debajo de 100 Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma
aproximada por:
 T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Fig.2 Circuito de disparo para un PUT.

SCR

Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el
de mayor interés hoy en día, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone
Laboratories. Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR incluye controles de
relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,
controles de motores, recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de baterías, circuitos de
protección, controles de calefacción y controles de fase.

En años recientes han sido deseñados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con
valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicación
también ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta
frecuencia.

Operación Básica del Rectificador Controlado de Silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una
tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio debido a sus capacidades de alta
temperatura y potencia. La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de
dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cuándo el
rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente sólo la
polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción la resistencia
dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es típicamente de 100 k
o más.

El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la figura 2.27, y las conexiones correspondientes a la
estructura de semiconductor de cuatro capas en la figura2.26.
 Figura 2.26. Construcción básica del SCR.

Figura 2.27. Símbolo del SCR.

Características y Valores Nominales del SCR

En la figura 2.28 se proporcionan las características de un SCR para diversos valores de corriente de
compuerta. Las corrientes y voltajes más usados se indican en las características.

Figura 2.28. Características del SCR.

1. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la región de
conducción. El asterisco (*) es una letra que se agregará dependiendo de la condición de la terminal
de compuesta de la manera siguiente:
 O = circuito abierto de G a K
S = circuito cerrado de G a K
R = resistencia de G a K
V = Polarización fija (voltaje) de G a K

2. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del
estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.

3. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la condición de
circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del ánodo
al cátodo.

4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la región de avalancha del diodo
semiconductor de dos capas fundamental.

Aplicaciones del SCR

Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes:

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Cicloconversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacctión.
 Controles de fase.

En la figura2.29a se muestra un interruptor estático es serie de medida de media onda. Si el

interruptor está cerrado, como se presenta en la figura 2.29b, la corriente de compuerta fluirá
durante la parte positiva de la señal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la
magnitud de la corriente de compuerta.

Cuando el SCR se enciende, el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de conducción, dando
como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca pérdida en el circuito de
compuerta. Para la región negativa de la señal de entrada el SCR se apagará, debido a que el ánodo
es negativo respecto al cátodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de
compuerta.

Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 2.29b. El
resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga. Si se desea conducción a
menos de 180º, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte
positiva de la señal de entrada. El interruptor puede ser electrónico, electromagnético, dependiendo
de la aplicación.
 a) b)

Figura 2.29. Interruptor estático en serie de media onda.

En la figura 2.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y
180º. El circuito es similar al de la figura 2.29a, con excepción de la resistencia variable y la
eliminación del interruptor. La combinación de las resistencias R y R1 limitará la corriente de
compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si R1 está en su valor máximo, la
corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1
disminuye desde el máximo, la corriente de compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de
entrada.

De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en

cualquier punto entre 0º y 90º, como se muestra en la figura 2.30b. Si R1es bajo, el SCR se
disparará de inmediato y resultará la misma acción que la obtenida del circuito de la figura 2.30b, el
control no puede extenderse más allá de un desplazamiento de fase de 90º, debido a que la entrada
está a su valor máximo en este punto. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de
entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de
pendiente negativa de la forma de onda de la señal. A esta operación se le menciona normalmente
en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia variable. Es un método
efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia se dirige hacia la carga.

a) b)

Figura 2.30. Control de fase de resistencia variable de media onda.

TRIAC:
El TRIAC (triodo AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir
corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura básica y
símbolo aparecen en la fig.3. Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de
bloqueo se refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la
del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente
iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si se supera la tensión de ruptura
en cualquier sentido, lo hace inmune a destrucción por sobretensión.

Fig.3 TRIAC: Estructura y símbolo.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una
conexión de compuerta común, como se muestra en la fig.4

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como
ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activará al
aplicar una señal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC
puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. En la práctica, la
sensibilidad varía de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos).

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de
corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser
bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es
decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa
 .

Fig.4

DESCRIPCION GENERAL

Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una
terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado.
Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye
de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac
deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad
del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac (dv/dt) aún sin
conducción previa, el triac puede entrar en conducción directa.

CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA

EQUIVALENTE

FIG. 5 FIG. 6

La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. 5, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido MT1-
MT2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta
unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los triac son fabricados
para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la FIG. 6 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las
terminales de un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por
Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
 CARACTERISTICA TENSION – CORRIENTE

FIG. 7

La FIG. 7 describe la característica tensión – corriente del Triac. Muestra la corriente a través del
Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1.

El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a
una resistencia baja y la corriente, a través del Triac, crece con un pequeño cambio en la tensión
entre los ánodos.

El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. Una vez
que el Triac entra en conducción, la compuerta no controla mas la conducción, por esta razón se
acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía
sobrante en la compuerta.

El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo MT2 es
negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Por esto es un
componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la característica
en el cuadrante I de la curva es igual a la del III

MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación
entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuación se verán los fenómenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.

Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalización
del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unión P2N2 y en parte a través
de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área
próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de
puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que bloquea el
potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la conducción.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura

auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo.
Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2
que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal
que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar,
entrando en conducción.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la
estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por
difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El
potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que
la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción.

Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

También se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva
de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. Esta
polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a
conducción.

Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los
más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse su
empleo en lo posible.

El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo, conducción y de disparo por

puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en
todos los estados.

FIG.9

Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador,
puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de
onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.

Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepción
de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.9 se muestran las formas de onda
tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a través de los terminales principales)
para dos condiciones diferentes.

En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada
semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el
voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac, sin aplicar ningún
voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga.

La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo.

Después de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza
a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo
durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción.

La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor.
FIG.9

CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO

FIG.10

En la FIG. 10 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF

es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El
transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propósito es aislar eléctricamente el
circuito secundario y el primario, para este caso aísla el circuito de potencia ca del circuito de
disparo.

La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de

este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la línea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 11 (a).

Cuando la alimentación de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se

dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al
devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendiéndolo
durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de
T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 11 (b), (c),(d).
La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1, que forman un divisor de voltaje,
entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeño
en relación a R1, entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el
transistor pnp Q1 conduzca, con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje
de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el
UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.Por otra parte se RF es grande en
relación a R1, entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior, esto provoca la
aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su
corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor
tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y
la corriente de carga promedio es menor que antes.

FIG.11

DISEŇO DEL CIRCUITO PRACTICO

Para el circuito de la FIG. 10, suponga las siguientes condiciones, R1 = 5 k , Rf = 8 k ,

R2=2,5k , C1=0,5 F, = 0,58.

Supóngase que R1 y Rf están en serie, , luego

, de la ecuación

El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta dado por,

El tiempo requerido para cargar hasta ese punto puede encontrarse en

 , permite que simbolice el ángulo de retardo de disparo. Dado que

360 grados representan un periodo de un ciclo, y el periodo de una fuente de 60 HZ es de 16.67 ms,
se puede establece la proporción

, Para un ángulo de retardo de disparo de 120 grados, el tiempo entre

el cruce por cero y el disparo seta dado por la proporción

, El punto pico del UJT es aun 14.5 V, por lo que para retardar el
disparo durante 5.55 ms, la razón de acumulación de voltaje debe ser,

, luego

que nos da , entonces podemos encontrar Rf

, trabajando con seta ecuación y resolviendo Rf se obtiene

, por tanto, si la resistencia de realimentación fuera incrementada a 25K, el Angulo

de retardo de disparo se incrementa a y la corriente de carga se reducirá

proporcionalmente

EJEMPLO PRÁCTICO DE APLICACION. DISEÑO

En la FIG.12 puede verse una aplicación práctica de gobierno de un motor de c.a. mediante un triac
(TXAL228). La señal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando exterior a la
puerta inversora de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lógico por lo que circulará
corriente a través del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite
un haz luminoso que hace conducir al fototriac a través de R2 tomando la tensión del ánodo del
triac de potencia. Este proceso produce una tensión de puerta suficiente para excitar al triac
principal que pasa al estado de conducción provocando el arranque del motor.

Debemos recordar que el triac se desactiva automáticamente cada vez que la corriente pasa por
cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada semionda o bien
mantenerlo con la señal de control activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Como
podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sitúa una red RC cuya misión es
proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan producir por las
corrientes inductivas de la carga, evitando además cebados no deseados.

Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor constituido a
base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.

FIG.12

PARAMETROS DEL TRIAC

VALORES MAXIMOS (2N6071A,B – MOTOROLA)

 CARACTERISTICAS ELECTRICAS (2N6071A,B – MOTOROLA)

DEFINICIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL TRIAC

 VDRM (Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el máximo valor de tensión

admitido de tensión inversa, sin que el triac se dañe.
 IT(RMS) ( Corriente en estado de conducción) = en general en el grafico se da la
temperatura en función de la corriente.
 ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conducción(ON)) = es la corriente pico
máxima que puede pasar a través del triac, en estado de conducción. En general seta dada a
50 o 60 Hz.
 I2t ( Corriente de fusión) = este parámetro da el valor relativo de la energía necesaria para
la destrucción del componente.
 PGM ( Potencia pico de disipación de compuerta) = la disipación instantánea máxima
permitida en la compuerta.
 IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac
volverá del estado de conducción al estado de bloqueo.
 dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensión en el estado de bloqueo) = designa el
ritmo de crecimiento máximo permitido de la tensión en el ánodo antes de que el triac pase
al estado de conducción. Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/ s.
 tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento de la
corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente anódica nominal.
 UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAMA
CENTRO REGIONAL DE CHIRIQUI
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA
Examen Parcial Nº 1 de Electrónica de Potencia

I Parte. 15 puntos. Cierto y falso. Coloque una “C” para el concepto cierto y una “F” para el falso. 1 pto. c/u.

1. C El diodo de potencia soporta más altas temperaturas sin la ayuda de disipadores de calor.

2. En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.

3. C El regulador más simple se logra usando un diodo Zener en paralelo a la salida.

4. La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de

control.

5. C Potencia media disipada (PAV) es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de

conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

6. F Los reguladores de la serie 78XX regulan voltajes negativos.

7. F La principal ventaja de los diodos es que no son afectados por el aumento de la temperatura.

8. F Los reguladores de la serie 79XX regulan voltajes positivos.

9. En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

10. Los tiempos de conmutación del transistor BJT son menores que los de los FET.

11. C Potencia máxima disipable (Pmáx) es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar.

12. F El diodo de potencia se usa para manejar corrientes pequeñas.

13. C Los transistores de potencia son usados en corte y saturación.

14. C tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se

hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF.

15. En un transistor de potencia con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

II Parte. Llenar Espacios. 25 Ptos. 1Ptosc/u.

1. Modelos estáticos de los diodos de potencia:

 Parámetros en bloqueo.
 Parámetros en conducción.
 Modelos estáticos de diodo.

2. Parámetros en bloqueo de los diodos de potencia:

 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin
peligro de entrar en ruptura por avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de
forma continuada.
 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10
minutos o más.
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
características del mismo.
  Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

3. Características de disipación de potencia de los diodos de potencia:

 Potencia máxima disipable (Pmáx).

 Potencia media disipada (PAV).
 Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
 Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM).

4. Parámetros en conducción de los diodos de potencia:

 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180º que
el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con
una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.

5. El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los
transistores bipolares:

6. Regiones de trabajo de los transistores de potencia:

7. Tiempos de recuperación inverso de los diodos de potencia: desapareciendo el exceso de portadores.

o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta
llegar al pico negativo.
o tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y
es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde
el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
o trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

8. Los transistores ideales deben tener:

1. Explique con sus palabras qué ocurre en cada uno de los bloques en una fuente lineal
y dibuje la señal en la salida de cada uno. 15 ptos.
Primera etapa: transformador de poder.

El transformador es un dispositivo que permite obtener voltajes mayores o menores que los producidos por una fuente de
energía eléctrica de corriente alterna (C.A).

Una corriente alterna que circula por uno de los devanados genera en el núcleo un campo magnético alterno, del cual la mayor
parte atraviesa al otro devanado e induce en él una fuerza electro- motriz también

Segunda etapa: rectificación.

La segunda etapa de nuestra fuente de alimentación es la que queda constituida por la rectificación, en este punto, la señal inducida
al secundario, será nuevamente inducida pero ahora a una señal directa. La fuente mas común , posee una rectificación a base de 4
diodos, por lo que su rectificación será de onda completa y está conectado en “tipo puente”.

Tercera Etapa: Filtro

Esta etapa, tiene como función, “suavizar” o “alizar” o “reducir” a un mínimo la componente de rizo y elevar el valor promedio de
tensión directa. El filtro, formado por uno o más condensadores (capacitores), alisa o aplana la onda anterior eliminando el
componente de corriente alterna (c.a.) que entregó el rectificador.

Cuarta Etapa: Regulador De Voltaje.

El regulador es un dispositivo activo en el que se producen los cambios pertinentes para que la salida permanezca estable. Esto se
consigue comparando la salida con una referencia de buena estabilidad y utilizando el resultado de dicha comparación para
producir los cambios internos precisos. El regulador opera, por lo tanto, como un servomecanismo cuyo tiempo de respuesta es
finito y cuyo error en la estabilidad es función de la ganancia del bucle de realimentación.

2.Indique con sus palabras cada uno de los valores en la gráfica. 15 ptos.
 3. Identifique con sus palabras que tipo de fuente es y explique qué ocurre en cada uno
de los bloques en una fuente lineal. 15 ptos.

Diagrama de bloques de una fuente de alimentación con regulador electrónico conmutado

Reguladores lineales básicos
Existen dos tipos:
 Reguladores lineales en serie con la carga
 Reguladores lineales en paralelo con la carga
Aunque ambos reguladores operan con la misma eficacia, bajo consideraciones energéticas existe entre ellos una diferencia
fundamental. Mientras que en el regulador serie la energía sobrante, disipada intencionadamente en forma de calor, aumenta en
proporción directa con la carga a que es sometida la fuente; en el regulador paralelo la energía disipada en el regulador disminuye
cuando aumenta la carga. Esto es un contrasentido cuando se demande de la fuente una carga muy inferior a sus posibilidades.
Además, el regulador paralelo tiene un elemento más que también disipa calor, una resistencia por la que circulan las corrientes de
carga y del propio regulador.

4. Explique con sus palabras cada uno de los tiempos en la gráfica. 15 ptos.
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la
corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La
intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar
al pico negativo.
o tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el
valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
o trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

o Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la característica de
recuperación inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".