Asignatura: Electricidad y Electrónica

Área : Electricidad industrial

Sede : Chillan

Profesor : Gabriel Contreras O.

TRANSISTOR.

Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son
bulbos con un brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una
válvula al vacío normal consumía un par de watts, por lo que el equipo requería una
fuente de alimentación voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor,
lo cual preocupaba sobremanera a los diseñadores. El resultado era un equipo
anticuado y pesado. En 1951 Shockley inventó el primer transistor de unión, que fue
todo un acontecimiento porque significó un gran cambio. El impacto del transistor en la
electrónica ha sido enorme, pues además de iniciar la industria multimillonaria de los
semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos
integrados, los dispositivos optoelectrónicos y los microprocesadores. Actualmente,
casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos semiconductores. Los cambios han
sido más notables en la industria de las computadoras.

Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con

una zona común. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona
común se denomina base y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el
emisor y el colector.
 Para que el transistor funcione correctamente, la unión correspondiente al
diodo emisor-base debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unión
correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en sentido inverso.

Si se conecta únicamente el circuito emisor-base, con polarización directa, se establece una

circulación eléctrica desde el emisor a la base a través de la unión. Desconectando la
alimentación en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con polarización en
sentido inverso, la circulación será prácticamente ambas uniones emisor-base y colector-
base, se establecerá una corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente está
determinada por la tensión positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con
relación a la base.

El factor de amplificación de corriente de un transistor es la relación entre la

corriente de colector y la del emisor.

Estructura del Transistor

Tiene 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que pueden estar

distribuidos de varias formas.

Simbología

Existen dos Tipos de Transistores Bipolares los cuales se caracterizan por la

estructura de material que los compone, son transistores NPN o PNP. La siguiente
figura muestra la estructura para ambos casos.

Estructura de un Transistor Estructura de un

Transistor NPN
transistor NPN PNP transistor PNP

Características de terminales
A cada material dopado se conecta un terminal metálico al que llamaremos terminal de
Emisor, terminal de Base y terminal de Colector. Sin embargo, cada material tiene un
Área y cantidad de dopaje diferente entre sí.

a) El Emisor es el material más dopado del transistor y su área es mediana. La

función principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector.

b) La Base es el material menos dopado y de área más pequeña. Su función es de

servir como Base o referencia para los otros terminales.

c) El Colector es el material de mayor área y medianamente dopado. Su función es de

Colectar o recibir los electrones provenientes del Emisor.

Como podemos observar, entre los terminales Emisor y Base se tiene el equivalente a
un diodo de unión o Juntura que denominaremos Jbe por Juntura base-emisor. Una
situación similar se produce entre la Base y Colector que denominaremos Jbc. Eso es,
si imaginariamente dividimos la base en dos partes, obtendremos la equivalencia a
dos diodos según se muestra en la figura 11. Sin embargo, debemos decir que debido
a la diferencia de dopaje que existe en cada uno de los terminales, es que la barrera
de potencial producida en la unión Base – Emisor es mayor que la barrera de potencial
producida en la unión Base – Colector, lo que es fundamental para determinar cada
uno de los terminales utilizando un multitester selectado como prueba de diodo.

Considere que se tiene un transistor tipo NPN, entonces el terminal base conducirá
como diodo (terminal positivo), tanto hacia el terminal colector (Jbc) como al terminal
emisor (Jbe), además, entre los terminales colector y Emisor no debe conducir en
ningún sentido. Identificado entonces el terminal base, se puede determinar fácilmente
terminal Emisor observando su mayor barrera de potencial o mayor impedancia al ser
polarizado directamente que el terminal colector respectivamente.

FUNCIONAMIENTO BASICO

Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor
por lo que la lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre
Colector y Emisor. (Figura 1).
 Figura 1 Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la
Base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasará una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura 2).

En general: IE > IC > IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE  

Polarización del Transistor

Polarizar al transistor, significa entregar una diferencia de potencial o voltaje entre sus
terminales. La polarización es necesaria para establecer una región de operación
apropiada para la amplificación de señal alterna.
Para el caso del transistor, se requerirá que la juntura Base-Emisor (Jbe) esté
polarizada en forma directa, mientras que la juntura Base-Colector (Jbc) ) esté
polarizada en forma inversa. Como se muestra en la figura 13 para un transistor NPN.

Figura 13: Polarización del transistor NPN

ZONAS DE TRABAJO

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y

Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.

 IB = IC = IE = 0;  VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento

de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la
tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. 
 IB Þ IC ;  Vbat = RC X IC.

ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en

conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.

La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores

ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la
corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características,
también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:

β = IC / IB

CONFIGURACIONES

Dependiendo de cuál sea el terminal común a la entrada y a la salida del

transistor, se distinguen tres tipos de configuraciones:

Configuración en base común. La base constituye el terminal común a la

entrada y a la salida, se encuentra unida a tierra. La ganancia en corriente de este
circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en tensión puede ser muy alta y,
por lo tanto, también la ganancia en potencia. Esta configuración presenta muy poca
realimentación entre la entrada y la salida, por lo que se emplea especialmente en
circuitos de frecuencias altas o muy altas.

Configuración en emisor común. El emisor está unido a tierra. La ganancia

en corriente es alta ( del transistor), la ganancia en tensión y en potencia
(dependiente de la carga de colector) es igualmente alta. Es la configuración más
utilizada.

Configuración en colector común. En este caso, el terminal que está

conectado a tierra es el colector. La entrada se aplica a la base, como en las
configuraciones anteriores y la carga entre el emisor y tierra. Esta configuración tiene
una ganancia en corriente  del transistor, la ganancia en tensión es muy parecida,
pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente . Esta
configuración se llama también seguidor de emisor; se emplea para aislar o adaptar
impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la señal una impedancia  veces
inferior a la que se encuentra en el emisor (salida). Se conoce como seguidor de
emisor porque la tensión en el emisor "sigue" a la de base.

Estas Configuraciones básicas de empleo de un transistor se indican a continuación.

 Figura 14: Configuraciones del transistor

Curvas Características

Un transistor en régimen estático se encuentra, solamente, bajo la acción de

las tensiones continuas que se le aplican para polarizarlo. Una forma de resumir este
funcionamiento es utilizar las curvas características del transistor, que relacionan las
tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la
configuración del transistor, pero independientemente de ésta, se distinguen dos tipos
de curvas: la característica de entrada y la característica de salida.

a) Características de entrada

La característica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de

salida. En el caso de la configuración en emisor común se tiene la corriente de base
en función de la tensión base-emisor, para distintos valores de tensión colector-
emisor. La corriente de base y la tensión base-emisor son variables de entrada,
mientras que la tensión colector-emisor es una magnitud de salida.
Si se tiene una configuración en base común, su característica de entrada
relacionará la corriente del emisor con la tensión emisor-base, utilizando la tensión
colector-base como parámetro. La corriente de emisor y la tensión emisor-base con las
magnitudes de entrada.
La figura muestra las diferentes características de entrada de dos transistores
NPN de germanio y silicio respectivamente en función del voltaje base-emisor para
dos valores del voltaje colector-emisor.
 Figura 15:Características típicas de transistores.

b) Características de salida

La característica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al

circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la
tensión emisor-colector son características de salida en configuración emisor-común,
mientras que las que relacionan la corriente de emisor, la de colector y la tensión
colector-base son las curvas correspondientes a una configuración en base común.

Figura: Curvas Características para configuración Base Común