Universidad Nacional de Misiones

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Circuitos con transistores de efecto de campo

FETs
(Field Electric Transistor)

Departamento de Electrónica - Facultad de Ingeniería - U.Na.M 2015

 JFET
Empobrecimiento
FET
MOSFET
Enriquecimiento

Ventajas
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10 e7 a 10 e12Ω).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT , precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su
utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad mas pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
FETs de unión (JFETs)

Drenador

Puerta

Fuente
NJFET

Unipolares vs. bipolares

Controlados por tensión vs. controlados por corriente

Floyd
FETs de unión (JFETs)

intensidad drain o drenador a source o fuente

Lineal

VGS (tensión gate o puerta a source o fuente)

saturación

Ruptura

Corte
tensión drain o drenador a source o fuente

Floyd
FETs de unión (JFETs)

curva característica de Transferencia curvas características de salida

Región activa o de saturación

(Shockley)

Floyd + Boylestad
FETs de unión (JFETs)

Floyd
 Zona lineal Zona de saturación

VGS >VGSoff

rd=r0/(1-Vgs/Vp)2
JFETs vs. BJTs

Boylestad
FETs de unión (JFETs)

Floyd
JFET con autopolarización

Floyd
JFET polarizado con divisor resistivo

Id=0;
ID (mA)

8.0

6.0

Q 4.0

2.0

–VGS VGS
-3 -2 -1 0 +1 +2 +3

Floyd
MOSFETs

Donde k es el parámetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en mA/V2.

 Lineal Saturación
I
˚
VV DGST =− ()
2
2

Curva característica de un NMOS

Siendo * un parámetro característico del MOS que depende de la
tecnología a través de la constante k y del tamaño de la puerta del
transistor (W la anchura y L la longitud).
Polarización de MOSFETs
IGBTs
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