INSTITUTO POLITECNICO

NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Unidad Zacatenco

Ing. Control y Automatización

Transistor de efecto de
campo (FET)

Electrónica 1

Por: Adrian Benito Sandoval Alvarez

19 de diciembre de 2022

4AM3

Adrian Benito Sandoval Alvarez 4AM3

 Transistor de Efecto de Campo o FET
¿Qué es?
El transistor de efecto de campo abreviado
por las siglas del inglés FET(Field Effect
Transistor), es un dispositivo activo de 3
terminales que usa un campo eléctrico
para controlar el flujo de corriente y tiene
una alta impedancia de entrada que es útil
en muchos circuitos y equipos. El transistor
de efecto de campo o FET, es un
componente electrónico clave que se
utiliza en muchas áreas de la industria
electrónica como los HEMT, MESFET,
Transistor de Puerta Flotante y otros tipos
de transistores. El FET se utiliza en
muchos circuitos construidos a partir de
componentes electrónicos; en áreas que
van desde la tecnología de RF hasta el
control de potencia y la conmutación
electrónica hasta la amplificación general.
El uso principal del transistor de efecto de campo(FET) se encuentra dentro de los circuitos
integrados. En esta aplicación, los circuitos FET consumen niveles mucho más bajos de
energía que los circuitos integrados que utilizan tecnología de transistores bipolares. Esto
permite que funcionen los circuitos integrados de gran escala. Si se usara tecnología
bipolar, el consumo de energía sería órdenes de magnitud mayor y la energía generada
sería demasiado grande para disiparse del circuito integrado. Además de utilizarse en
circuitos integrados, las versiones discretas de transistores de efecto de campo están
disponibles como componentes electrónicos con plomo y también como dispositivos de
montaje en superficie

Clasificación de Transistores de Efecto de Campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET
de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el
método de aislamiento entre el canal y la puerta.

Adrian Benito Sandoval Alvarez 4AM3

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre
el canal y la puerta:

• El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente SiO2).

• El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
• El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con un
diodo Schottky.
• En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado HFET
(FET de estructura heterogénea), la banda de material dopada con huecos forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
• Los MODFET (FET de modulación dopada)
• Los IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo para control de
potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenador-fuente está
entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más
utilizados en el rango de tensiones drenador-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
• Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación
ultra rápida del transistor.
• Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando
una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas
de ADN iguales.
• Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.
.

Adrian Benito Sandoval Alvarez 4AM3

 Construccion de un FET
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones
con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el
tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el
drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La
corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver el gráfico. Este tipo de transistor se polariza
de manera diferente al transistor bipolar.
El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y
la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor
voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal
drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda
cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es
un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base
para producir cambios en la corriente de colector.

Características
• Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
• No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
• Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
• Es muy sensible

Adrian Benito Sandoval Alvarez 4AM3

 Aplicaciones
El FET más comúnmente utilizado es el
MOSFET. La tecnología CMOS es la
base de los modernos circuitos
integrados digitales. Esta usa una
disposición donde el MOSFET de
canal-p (generalmente "modo de
enriquecimiento") y el de canal-n están
conectados en serie de manera que
cuando uno está encendido, el otro
está apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir
en cualquier dirección a través del
canal cuando se operan en el modo
lineal. La convención de nomenclatura
del terminal de drenaje y el terminal de
fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están típicamente (pero no siempre)
construidos simétricamente desde la fuente al desagüe. Esto hace que los FET sean
adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En este
concepto se basan los tablero de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia de entrada
y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la configuración de drenaje
común (seguidor de fuente). Son muy comunes además en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido del motor de
combustión interna, donde las capacidades de conmutación rápida y bloqueo de voltaje son
importantes.

Adrian Benito Sandoval Alvarez 4AM3