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Electrónica Analógica

Unidad III. MOSFET

Objetivo: Describir la característica del transistor de efecto de campo.

Definición

Los FET forman un grupo de transistores unipolares. Son una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. No fluye corriente de control y por eso la regulación se realiza casi sin pérdidas.

por campo eléctrico. Este campo se genera por el diferencial de voltaje de control entre la fuente y la puerta.

un

La conductividad del

fet es influenciada

Se clasifican en dos grandes grupos: JFET y MOSFET.

El funcionamiento del efecto de transistor de
El funcionamiento del
efecto de
transistor
de

campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a

los BJT, donde la corriente

que atraviesa la base,

pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

Así como los transistores bipolares se dividen en

NPN

y

PNP,

los

de

efecto de

campo

o

FET

son

también de

dos

tipos:

canal

n

y

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p,

dependiendo de si

la aplicación de

una

tensión

positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados muy extensamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Electrónica Analógica Unidad III. MOSFET Objetivo : Describir la característica del transistor de efecto de campo.transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. No fluye corriente de control y por eso la regulación se realiza casi sin pérdidas. por campo eléctrico. Este campo se genera por el diferencial de voltaje de control entre la fuente y la puerta. un La conductividad del fet es influenciada Se clasifican en dos grandes grupos: JFET y MOSFET. El funcionamiento del efecto de transistor de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados muy extensamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. Las tres conexiones se denominan Source, Gate y Drain. La fuente de alimentación U obliga a los e libres a circular desde la fuente hacia el drenador. - " id="pdf-obj-0-119" src="pdf-obj-0-119.jpg">
Electrónica Analógica Unidad III. MOSFET Objetivo : Describir la característica del transistor de efecto de campo.transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. No fluye corriente de control y por eso la regulación se realiza casi sin pérdidas. por campo eléctrico. Este campo se genera por el diferencial de voltaje de control entre la fuente y la puerta. un La conductividad del fet es influenciada Se clasifican en dos grandes grupos: JFET y MOSFET. El funcionamiento del efecto de transistor de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados muy extensamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. Las tres conexiones se denominan Source, Gate y Drain. La fuente de alimentación U obliga a los e libres a circular desde la fuente hacia el drenador. - " id="pdf-obj-0-121" src="pdf-obj-0-121.jpg">

Las tres conexiones se denominan Source, Gate y Drain. La fuente de alimentación U obliga a los e libres a circular desde la fuente hacia el drenador.

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Electrónica Analógica

Electrónica Analógica Corriente de puerta En un JFET siempre polarizamos en inversa la configuración puerta-fuente. La

Corriente de puerta

En un JFET siempre polarizamos en inversa la configuración puerta-fuente. La corriente de puerta I G es aproximadamente cero es decir que un JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita (Mega ). Esto es muy útil en aplicaciones en las que se requiere una gran impedancia 1 de entrada: circuitos para frecuencias bajas.

El voltaje de puerta controla la corriente I G

Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a través del canal estrecho situado entre las dos zonas de deplexión. Cuanta más negativa sea la tensión de la puerta, más se expande la capa de deplexión y más estrecho será el canal de conducción. En otras palabras, la tensión de puerta puede controlar la corriente a través del canal. Cuanta más negativa sea la tensión de la puerta, menor será la corriente entre la fuente y el drenador.

El JFET actúa como un dispositivo controlado por tensión, ya que una tensión de entrada controla una corriente de salida. El voltaje puerta fuente V GS determina cuanta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando V GS es cero, la corriente máxima de drenador circula a través del JFET. Por

1

Resistencia aparente de un circuito eléctrico al paso de

la corriente alterna:

 

otro lado, si V GS es suficientemente negativa, las capas de deplexión entran en contacto y la corriente se corta.

Electrónica Analógica Corriente de puerta En un JFET siempre polarizamos en inversa la configuración puerta-fuente. La
Electrónica Analógica Corriente de puerta En un JFET siempre polarizamos en inversa la configuración puerta-fuente. La

MOSFET

Los MOSFET (FET semiconductor óxido-metal) tiene una fuente, compuerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la compuerta está aislada eléctricamente del canal. Por esta razón la corriente de compuerta I G es incluso menor que en JFET. Frecuentemente se denomina IGFET, lo que quiere decir FET de compuerta aislada. Existen dos tipos de MOSFET, el de empobrecimiento y el de enriquecimiento. Son muchas las aplicaciones del MOSFET de enriquecimiento. El MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco.

Electrónica Analógica

Electrónica Analógica MOSFET de enriquecimiento Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V es cero,
Electrónica Analógica MOSFET de enriquecimiento Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V es cero,
Electrónica Analógica MOSFET de enriquecimiento Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V es cero,

MOSFET de enriquecimiento

Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V GS es cero, I DS es cero también (el MOSFET está normalmente en corte). La única forma de obtener corriente es mediante un voltaje de compuerta positiva. Cuando la compuerta es positiva, atrae e - libres dentro de la región p y éstos

se recombinan con los huecos cercanos al dióxido de silicio.

Se denomina así a éste tipo de MOSFET porque su conductividad mejora cuando V GS es mayor a V GS(th) . V GS(th) es el voltaje umbral, lo que quiere decir que es el voltaje V GS mínimo que se tiene que superar para la conducción de la corriente del drenador I D .

En resumen los dispositivos de empobrecimiento conducen normalmente cuando V GS = 0, mientras que los dispositivos de enriquecimiento están normalmente en corte cuando V GS = 0.

Electrónica Analógica MOSFET de enriquecimiento Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V es cero,
Electrónica Analógica MOSFET de enriquecimiento Denominado también MOSFET de acumulación. Cuando el voltaje V es cero,

En la figura se muestra dos símbolos de transistores de efecto de campo MOSFET de enriquecimiento.