Electrnica Analgica

Unidad III. MOSFET

Objetivo: Describir la caracterstica del transistor
de efecto de campo. positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados muy extensamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Definicin
Los FET forman un grupo de transistores unipolares. Son una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. No fluye corriente de control y por eso la regulacin se realiza casi sin prdidas. La conductividad del fet es influenciada por un campo elctrico. Este campo se genera por el diferencial de voltaje de control entre la fuente y la puerta. Se clasifican en dos grandes grupos: JFET y MOSFET.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin

Las tres conexiones se denominan Source, Gate y Drain. La fuente de alimentacin U obliga a los elibres a circular desde la fuente hacia el drenador.

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otro lado, si VGS es suficientemente negativa, las capas de deplexin entran en contacto y la corriente se corta.

Corriente de puerta
En un JFET siempre polarizamos en inversa la configuracin puerta-fuente. La corriente de puerta IG es aproximadamente cero es decir que un JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita (Mega ). Esto es muy til en aplicaciones en las que se requiere una gran impedancia1 de entrada: circuitos para frecuencias bajas.

El voltaje de puerta controla la corriente IG

Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a travs del canal estrecho situado entre las dos zonas de deplexin. Cuanta ms negativa sea la tensin de la puerta, ms se expande la capa de deplexin y ms estrecho ser el canal de conduccin. En otras palabras, la tensin de puerta puede controlar la corriente a travs del canal. Cuanta ms negativa sea la tensin de la puerta, menor ser la corriente entre la fuente y el drenador. El JFET acta como un dispositivo controlado por tensin, ya que una tensin de entrada controla una corriente de salida. El voltaje puerta fuente VGS determina cuanta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando VGS es cero, la corriente mxima de drenador circula a travs del JFET. Por
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MOSFET
Los MOSFET (FET semiconductor xido-metal) tiene una fuente, compuerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la compuerta est aislada elctricamente del canal. Por esta razn la corriente de compuerta IG es incluso menor que en JFET. Frecuentemente se denomina IGFET, lo que quiere decir FET de compuerta aislada. Existen dos tipos de MOSFET, el de empobrecimiento y el de enriquecimiento. Son muchas las aplicaciones del MOSFET de enriquecimiento. El MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco.

Resistencia aparente de un circuito elctrico al paso de la corriente alterna:

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se recombinan con los huecos cercanos al dixido de silicio. Se denomina as a ste tipo de MOSFET porque su conductividad mejora cuando VGS es mayor a VGS(th). VGS(th) es el voltaje umbral, lo que quiere decir que es el voltaje VGS mnimo que se tiene que superar para la conduccin de la corriente del drenador ID. En resumen los dispositivos de empobrecimiento conducen normalmente cuando VGS = 0, mientras que los dispositivos de enriquecimiento estn normalmente en corte cuando VGS = 0.

En la figura se muestra dos smbolos de transistores de efecto de campo MOSFET de enriquecimiento.

MOSFET de enriquecimiento
Denominado tambin MOSFET de acumulacin. Cuando el voltaje VGS es cero, IDS es cero tambin (el MOSFET est normalmente en corte). La nica forma de obtener corriente es mediante un voltaje de compuerta positiva. Cuando la compuerta es positiva, atrae e- libres dentro de la regin p y stos