TRANSISTORES
Dilan Ávila, Universidad Técnica Luis Vargas Torres (UTELVT), Esmeraldas – Ecuador
Resumen –
Índices –.
I. INTRODUCCIÓN.
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico
estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica
que ha superado cualquier previsión inicial. Con el transistor
vino la miniaturización de los componentes y se llegó al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se
colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de transistores.
Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores
y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la
sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y
antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al
máximo las pérdidas de calor de los equipos. Un transistor es
un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
 Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una
PEQUEÑA señal de mando.
 Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de
señales.
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica
analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica
digital como la tecnología TTL o BICMOS. Se consideran
dispositivos activos por que pueden obtener una mayor
corriente de salida a partir de, corriente o tensión de entrada y,
por lo tanto, se utilizan en amplificaciones de corrientes o
tensiones. Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias
configuraciones: considerándose como entrada dos de ellos y
de salida el tercero.
A. Clasificación.
B. Transistores de efecto de campo.
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric
Transistor) son particularmente interesantes en circuitos
integrados y pueden ser de dos tipos:
 Transistor de efecto de campo de unión o JFET
 Transistor de efecto de campo metal-óxido
semiconductor (MOSFET).
Son dispositivos controlados por tensión con una alta
impedancia de entrada (1012Ω). Ambos dispositivos se
utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador
o como conmutador. Sus características eléctricas son
similares aunque su tecnología y estructura física son
totalmente diferentes.
Fig. Transistores FET
1) Ventajas del FET
1. Son dispositivos controlados por tensión con una
impedancia de entrada muy elevada (107a 1012Ω).
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los
BJT.
3. Los FET son más estables con la temperatura que los
BJT.
4. Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues
precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un C1.
5. Los FET se comportan como resistencias controlados
por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-
fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite
retener carga el tiempo suficiente para permitir
operaciones de muestreo en conversores A/D y
memorias.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes.
2) Desventajas que limitan la utilización de los FET
1. Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a
la alta capacidad de entrada, y en general son menos
lineales que los BJT.
2. Se pueden dañar debido a la electricidad estática.
II. TRANSISTOR JFET.
C. Características eléctricas.
Regiones de material tipo p situadas a ambos lados. Es un
elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador, fuente y puerta. En la figura 2.a se describe un 3
3 2
esquema de un JFET de canal n, en la 2.b el símbolo de este 1 2 V −V V GS
dispositivo y en la 2.c el símbolo de un JFET de canal p. r DS ( on )=
ID
(V DS− ( DS 1
3 (
|V p|2
GS 2

) −
|V p|
1
2
))

(1)

Fig.2 a) JFET de canal n.

b) Símbolo de un JFET de canal n.
c) Símbolo de un JFET de canal p.

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén

inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la
tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para
que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la
puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para
que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la figura 3.

Fig.4 Resistencia drenador-fuente de un transistor NJFET en la región lineal.

F. Región de saturación.
En esta región de similares características que un BJT en la
región lineal, el JFET tiene unas características lineales que
son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente
de intensidad controlada por la tensión VGS cuya ID es
prácticamente independiente de la tensión VDS. La ecuación
que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación
cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por:
V GS 2
I D =I DSS (1− )
Fig.3 Característica de un NJFET.
Vp

D. Región a corte.
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula
(ID=0). En este caso, la tensión entre puerta y fuente es
suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean
y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como
de estrangulamiento o pinch-off y se representa por V GS (off) o
Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off)=-2V
E. Región lineal.
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no
lineal que se utiliza en muchas aplicaciones donde se precise
una resistencia variable controlada por tensión. El fabricante
proporciona curvas de resistencia de drenador-fuente (r ds (on))
para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura
4. En esta región el transistor JFET verifica las siguientes
relaciones:
(2)
Donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la I DSS es la
corriente de saturación. Esta corriente se define como el calor
de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada como
frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor
constante (IDSS). La ecuación 2 en el plano I D y VGS representa
una parábola desplazada en Vp. esta relación junto a las
características del JFET de la figura 3 permiten obtener
gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la región
de saturación. La figura 5 muestra la representación gráfica de
este punto:

Tabla.1 Convenio de signos en la tensión y corrientes de un NJFET y PJFET
 Recta de carga y punto de trabajo:
Fig. 5 Curva característica de un JFET.
G. PARÁMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuación algunas de las características de los
transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de
datos:
• IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se
encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita
la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima
intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener
en cuenta que los transistores JFET presentan amplias
dispersiones en este valor.
• VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento
del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en
su valor.
• RDS (ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS
en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta
valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
III. TRANSISTOR MOSFET.
Es un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones
PN, como el transistor bipolar, ya que en éste, el movimiento
de carga se produce exclusivamente por la existencia de
campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de
transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del
inglés, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET está basado en la estructura MOS. En
los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión
entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal
conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias
al efecto de campo. El término enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a
un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región
correspondiente al canal, que también es conocida como
la zona de inversión.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado
a que ocupen un lugar importante dentro de la industria,
desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión,
baja potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias,
como fuentes de alimentación conmutadas, motores sin
escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y
electrodomésticos.
La mayoría de sistemas como lámparas, motores, drivers de
estado sólido, electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de
control, los cuales controlan el flujo de energía que se
transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia
variando su ciclo de trabajo para regular la tensión de salida.
Para realizar la parte de conmutación, existen varios
dispositivos semiconductores, a continuación se muestra una
tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas
capacidades entre potencia y velocidad de conmutación de los
tipos de dispositivos.
Tabla.2 Propiedades relativas de los dispositivos de conmutación.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física
muy diferente pero sus ecuaciones analíticas son muy
similares.
H. La estructura MOS.
La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres
capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n,
sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2)
que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que
presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta
capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio),
que posee características conductoras. En la parte inferior se
coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula, como
se ve en la figura.
Fig. 6 Estructura MOS.
La estructura MOS, actúa como un condensador de placas
paralelas en el que G y B son las placas y el óxido, el aislante.
De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y
la distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los
terminales de Puerta y substrato. La región
semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al
igual que ocurriera en la región P de una unión PN cuando
estaba polarizada negativamente. Esta región de iones En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya
negativos, se incrementa con VGB. que los portadores son huecos (cargas de valor positivas, el
Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona módulo de la carga del electrón). En este caso, para que exista
semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el conducción el campo eléctrico perpendicular a la superficie
campo eléctrico y se provoca la acumulación de cargas debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que
negativas libres (e–) atraídos por el terminal positivo. Se dice la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son
entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los
débil a inversión fuerte. electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy
El proceso de inversión se identifica con el cambio de rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la
polaridad del substrato, debajo de la región de Puerta. tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en
En inversión fuerte, se forma así un CANAL de e– libre, en el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal de
las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de Drenador una tensión negativa respecto al terminal de Fuente.
huecos p+ en el extremo de la Puerta. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se
comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos
decir que, la impedancia desde la Puerta al substrato es
prácticamente infinita e IG=0 siempre en estática.
Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de
portadores libres suficiente para sustentar una corriente
eléctrica.
Fig. 8 Transistores en conducción.
I. MOSFET de enriquecimiento de CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que
impide prácticamente el paso de corriente a su través; por lo
que, el control de puerta se establece en forma de tensión. La
calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas
capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con
este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT,
lo que permite una mayor densidad de integración.
Fig. 9 Formación de canal.
Comencemos con la estructura básica del MOSFET, seguido
de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la
que el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A
ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han
practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+).

Fig. 10 Transistores en conducción.

Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se

denomina de acumulación; y de vaciamiento en caso contrario.
Mientras que la tensión de Puerta a partir de la cual se produce
canal, se conoce como tensión umbral, VT. El terminal de
Fig. 7 Estructura MOSFET de canal N. sustrato sirve para controlar la tensión umbral del transistor, y
normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y
un MOSFET de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la
Drenador son intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N
capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la
el terminal de mayor tensión actúa de Drenador (recoge los
superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a
electrones), siendo el de menor tensión en el tipo P (recoge los
los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido,
huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de
es muy intenso se logra crear en dicha superficie una región
enriquecimiento.
muy rica en electrones, denominada canal N, que permite el
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de
paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea
circuito se muestra en la figura siguiente. La flecha entre el
la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y,
terminal de Fuente y Gate, nos informa sobre el sentido de la
por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la
corriente.
corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el
Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente (Source).

Fig. 11 Simbologías.
En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas
fuentes de tensión polarizando los distintos terminales: VGS,
VDS. Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han
conectado a GND. De este modo, VSB=0 (tensión Surtidor-
sustrato=0), se dice que no existe efecto substrato.
Fig. 12 Estructura MOS polarizada.
Según los valores que tome la tensión VGS, se pueden
considerar tres casos:
1. VGS=0. Esta condición implica que VGS=0, puesto
que VSB=0. En estas condiciones, no existe efecto
campo y no se crea el canal de e–, debajo de la
Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas
(B al terminal más negativo) y aisladas. IDS=0
aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturación.
2. La tensión VGS>0, se crea la zona de
empobrecimiento o deplexión en el canal. Se genera
una carga eléctrica negativa e– en el canal, debido a
los iones negativos de la red cristalina (similar al de
una unión PN polarizada en la región inversa), dando
lugar a la situación de inversión débil anteriormente
citada. La aplicación de un campo eléctrico lateral
VDS>0, no puede generar corriente eléctrica IDS.
3. La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal
y genera una población de e– libres, debajo del óxido
de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el
CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador y
la Fuente (tipo n+) que, modifica las características
eléctricas originales del sustrato. Estos electrones,
son cargas libres, de modo que, en presencia de un
campo eléctrico lateral, podrían verse acelerados
hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un
valor mínimo de VGS para que el número de
electrones, sea suficiente para alimentar esa corriente,
es VT, denominada TENSIÓN UMBRAL (en
algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación
para valores de VGS positivos:
 Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad sólo es
aproximadamente cero) y decimos que el transistor
opera en inversión débil. En ella, las corrientes son
muy pequeñas y su utilización se enmarca en
contextos de muy bajo consumo de potencia. Se
considerará que la corriente es siempre cero. De otro
lado;
 Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si
VDS es no nulo. Se dice que el transistor opera
en inversión fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será la
concentración de cargas libres en el canal y por tanto, será
superior la corriente IDS.
J. Regiones de operación.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el
canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia
de potencial Puerta-canal es en ese punto, más baja y la zona
de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja
resistencia.
Fig. 13 Regiones de operación.
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en
tres regiones de operación diferentes, dependiendo de las
tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de
corte, región óhmica y región de saturación.
K. Región de corte.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a
un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor.
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región,
el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto.
L. Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el
valor de RDS (on) viene dado por la expresión:
VDS (on) = ID (on) x RDS (on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS
(on) a una corriente de Drenaje (ID) específica y el voltaje
Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS (on)=1V e ID (on)=100mA = 0’1 A;
1V
entonces: Rds ( on )= =10 ohms
100 mA
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica,
cuando VGS > Vt y VDS < (VGS – Vt).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada
entre el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia varía
dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el
Surtidor (VGS).
M. Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS)
supera un valor fijo denominado tensión de saturación (Vds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las
hojas características proporcionadas por el fabricante. En esta
zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que
haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de
valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS >
Vt y VDS > (VGS – Vt).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se
interrumpe o estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto
límite, el canal de conducción, bajo la Puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es
debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
Fig. 14 Regiones de funcionamiento de un MOSFET canal n cuando VGS > o
= VT.
En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la
zona óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona
activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar en
cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal
está en la zona óhmica.
N. Región de Ruptura.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET
pierde sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a
romper el componente físico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte
del terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes
eléctricas:
 En tensión: no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds.
 En corriente: no se puede superar un valor de
corriente
por el drenador, conocido como Idmax.
 En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y
es la máxima potencia que puede disipar el
componente.
O. Resumiendo:
Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido
de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual,
impide el paso de corriente de Puerta, tanto para tensiones de
Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET están
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta
y la Fuente. La tensión del zener, es menor que la tensión
Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS (Max).
Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación,
por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona
activa. La tensión de entrada típica tomará un valor bajo o
alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es VGS (on),
especificado en hojas de características.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de
enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a
una resistencia de RDS (on), especificada en hojas de
características. En la curva característica existe un punto Q
test en la zona óhmica. En este punto, ID (on) y VDS
(on) están determinados, con los cuales se calcula RDS (on).
P. Capacidades parásitas.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de
condensadores parásitos en la estructura MOS origina el
retraso en la respuesta del mismo, cuando es excitado por una
señal de tensión o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parásitos, requiere un determinado tiempo, que
determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una
excitación. En la estructura y funcionamiento de estos
transistores se localizan dos grupos de capacidades:
 Fig. 15 Las capacidades asociadas a las uniones PN de las
áreas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades
de Unión.
Fig. 16 Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
Están asociadas principalmente a la carga del canal
(iones o cargas libres) y varían notoriamente en
función de la región de operación del transistor, de
modo que, en general, no es posible considerar un
valor constante de las mismas. Se denominan
Capacidades de Puerta.
De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las más
significativas y dentro de ellas, la capacidad de Puerta-
Fuente CGS y de Drenador-Fuente, CDS son en general, las
dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas de entrada y
salida de un transistor MOSFET N con Vt= 2V conectado en
Fuente común (SC), es decir, el terminal de Fuente, es común
la señal de entrada VGS y las señales de salida ID y VDS.
Fig. 17 Curva de salida y característica de transferencia de un MOSFET de
canal n.
Estas curvas de salida, se obtienen al representar las
variaciones de ID al aumentar VDS, para diferentes valores de
VGS, es decir, ID=ƒ (Vds) VGS=cte.
La curva más baja es la curva de VGS (T). Cuando VGS es
menor que VGS (T), la corriente de Drenador es
extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS
(T), fluye una considerable corriente, cuyo valor depende de
VGS.
Si VGS≤VT, el transistor MOSFET, estará en la región de
corte y la corriente ID=0.
Si VGS≥VT, el transistor MOSFET, estará en la región de
conducción y se pueden dar dos casos:
 Si VDS≥VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en
la región de saturación y la corriente será constante
para un valor determinado de VGS. La curva de
transferencia de la figura que representa ID=ƒ (VDS)
VGS=cte., se obtiene a partir de las curvas de salida
para una tensión VDS constante que sitúe al
transistor en saturación. Se observa que
aproximadamente corresponde a la curva de una
parábola con vértice en VT y por tanto, la corriente
puede determinarse de forma aproximada por:
ID=k (VGS-VT2
Donde k es el parámetro de transconductancia del MOSFET N
y se mide en mA/V2.
 Si VDS≤VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en
la región óhmica de forma que, al aumentar VDS,
también lo harán la corriente y la resistencia del
canal. El comportamiento del transistor puede
asociarse a la resistencia que presenta el canal entre
Drenador y Fuente.
Q. EL MOSFET COMO INVERSOR.
El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación
implica que la tensión de entrada y salida del circuito posee
una excursión de tensión, elevada (de 0 a VDD) entre los
niveles lógicos alto H (asociada a la tensión VDD) y bajo L
(asociada a la tensión 0). Para el nivel bajo, se persigue que
VGS > Vt y que el transistor se encuentre trabajando en
la región óhmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que para en
el nivel alto, se persigue que la tensión de salida sea elevada, y
en general, que el transistor esté funcionando en la región de
corte, con VDS >> 1. Se puede considerar que, el transistor
MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se
basa en sus características en conmutación: pasando de
la región de corte a la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en un
interruptor con resistencia de Drenador, es fundamental en
circuitos digitales, puesto que la conmutación de corte a
saturación y viceversa, implica unos tiempos de retardo de
gran importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una
resistencia normal como RD. En este circuito Vin puede ser
alta o baja.
Cuando Vin está en nivel bajo, el MOSFET está en corte y
Vout es igual a la tensión de alimentación. Cuando Vin está en
nivel alto, el MOSFET está en conducción y Vout cae a un
nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de
saturación ID (sat) tiene que ser menor que ID (on).
RDS (on) << RD
Fig. 18 Inversor del transistor MOSFET n.
Se denomina inversor, porque0 la tensión de salida, es de nivel
opuesto a la tensión de entrada. Lo único que se requiere en
los circuitos de conmutación, es que las tensiones de entrada y
de salida se puedan reconocer fácilmente, ya sea en nivel alto
o bajo.
1) El MOSFET como interruptor.
Cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor
entra en conducción. Cuanto mayor es la tensión de puerta
menor es la resistencia del canal, y ésta puede llegar a
aproximarse a un cortocircuito. Así, el MOSFET es capaz de
funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en
electrónica digital, para transmitir o no, los estados lógicos a
través de un circuito. Existe, sin embargo, una pequeña
dificultad: cuando el MOSFET tipo N actúa como
cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones bajas; sin
embargo las tensiones altas se ven disminuidas en una
cantidad igual al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en ésta ha de
ser VH (VH > VT). Al transmitir VH, el terminal de la
izquierda actúa como Drenador, ya que está a una tensión más
alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensión
en el terminal de Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y
la Fuente, VGS, disminuye. Todo esto ocurre hasta que la
tensión de la Fuente alcanza el valor VH-VT, momento en que
VGS iguala la tensión umbral y el transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensión VL el terminal de la
izquierda actúa como Fuente y el de la derecha como
Drenador. La tensión entre la Puerta y la Fuente permanece en
todo momento constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser
superior a la tensión umbral), por lo que en el Drenador se
llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente
las tensiones altas, y falla en las bajas. Para evitar estos
inconvenientes se conectan en paralelo dos transistores
MOSFET, uno N y otro P.
Fig. 19 Dos transistores MOSFET conectados en paralelo.
Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas
sin error por el MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son
por el tipo P. Esta configuración, se denomina puerta de paso.
Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas han de ser
complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y
viceversa); esto se indica añadiendo un círculo a una de las
puertas, o una barra sobre una de las tensiones.
a) Polarización de MOSFET.
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET
enriquecido, son similares al circuito de polarización utilizada
para JFET. La principal diferencia entre ambos es el hecho de
que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite
puntos de funcionamiento con valor positivo de VGS para
canal n y valor negativo de VGS para el canal p. Para tener un
valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de
VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización.
Por lo tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito
divisor de tensión para mejorar el tipo MOSFET.
b) Realimentación, circuito de polarización.
La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con
realimentación típico para MOSFET canal n de
enriquecimiento.
 Fig. 22 Curva de dos terminales.

Fig. 20 Circuito polarizado. En la figura anterior se indica como calcular la RD del

MOSFET superior. Al ser VGS=VDS, cada punto de trabajo
de este MOSFET tiene que estar en la curva de dos terminales,
si se comprueba cada punto de la curva de dos terminales, se
verá que VGS=VDS.
La curva de dos terminales significa que el MOSFET superior
actúa como una resistencia de valor RD. Este valor RD cambia
ligeramente para los diferentes puntos.

IV. TRANSISTOR BJT COMO AMPLIFICADOR.

Una de las aplicaciones más típicas del BJT es su uso como
amplificador de corriente alterna. Dicha aplicación consiste en
Fig. 21 Análisis circuito simplificado de polarización de realimentación D.C. un sistema capaz de amplificar la señal de entrada en un factor
de ganancia determinado, que será la relación de salida sobre
Como se mencionó anteriormente, para el análisis en corriente la entrada. En términos de señales del voltaje, se habla de
continua, podemos reemplazar el condensador de Vo
acoplamiento por circuitos abiertos y también reemplazar el ganancia de voltaje A v= para que este sistema funcione,
resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG = Vi
0. el BJT debe estar polarizado en zona activa. Esto significa que
La figura, también muestra, el circuito simplificado, para el simultáneamente conviven elementos de corriente continua
análisis con recorte de realimentación CC. Como los (cc) y corriente alterna (ca). En los siguientes apartados se
terminales de Drenaje y Puerta están en cortocircuito, analizan los efectos de ambas componentes y se introducen
VD=VG conceptos dinámicos de funcionamiento de los sistemas
Y VDS=VGS=> Vs=0 basados en BJT.
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de R. Variaciones en el punto Q debido a Excitaciones alternas.
salida, obtenemos,
Sea el transistor polarizado de la Fig. 23a. Considerando que
V DD−I D × R D −V DS=0 Si se encuentra en zona activa, sean los valores de iC=ICQ, vCE
V DS=V DD−I D × RD = VCEQ; iB = IBQ y vBE = VBEQ mostrados en la Fig. 23b
O V GS=V DD −I D × R D (los valores indicados son en corriente continua).
Si V DS=V GS

c) Inversor con carga activa.

En la figura se muestra un conmutador con carga activa, el
MOSFET inferior actúa como conmutador, pero el superior
actúa como una resistencia de valor elevado, el MOSFET
superior tiene su Puerta conectada a su Drenador, por esta
razón, se convierte en un dispositivo de dos terminales, como
una resistencia activa, cuyo valor se puede determinar con:
V DS (activa)
RD=
I DS (activa)
Donde VDS (activa) e IDS (activa) son tensiones y corrientes
Fig. 23 (a) Circuito de polarización fija. (b) Variación del punto Q.
en la zona activa.
Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la RD del
MOSFET superior, tiene que ser mayor que la RD del
MOSFET inferior.
Considerando una excitación vi (t) de tipo alterna al circuito
de base como lo indica el circuito de la Fig. 24a, el voltaje
aplicado a la juntura base-emisor será variable.
Si las variaciones son tales que el voltaje VBE aumenta,
entonces la corriente de base IB, también aumenta, por lo
tanto, IC aumenta, de esta forma, la tensión RC IC crece:
Fig. 24 (a) Circuito con excitación variable. (b) Variación del punto.
Haciendo que VCE disminuya. Si la variación en la entrada
hace disminuir el voltaje VBE, entonces IC disminuye, VCE
crece, como se indica en la Fig.2b.
Se observa que cada una de las variables posee una
componente continua y una componente alterna. Considerado
que el transistor será usado como un sistema capaz de
amplificar señales, el dispositivo recibe corriente continua
para efectos de polarización (funcionamiento) y señales de
corriente alterna, las que serán amplificadas. Éstas deben
convivir simultáneamente sin que cada una afecte a la otra
produciendo un funcionamiento anómalo del sistema.
Una de las configuraciones típicas amplificadoras es el
circuito de emisor común de la Fig. 3, el cual recibe una señal
vi (t) que es transmitida hacia la salida vo (t) y que además
tiene una fuente de polarización de corriente continua VCC.
Fig. 25 Amplificador de emisor común.
Los capacitores, permiten conectar la excitación con el
circuito y a su vez unir el circuito con la carga, por lo que
reciben el nombre de capacitores de acoplo. Estos
condensadores permiten la interconexión con fuentes de señal,
carga u otra etapa de amplificación, su rol consiste en bloquear
las componentes de cc. Por otro lado CE (bypassed capacitor)
en ca, funciona como un cortocircuito haciendo que el emisor
sea el terminal común, desde el punto de vista de las señales.
S. Recta de carga Alterna A.
1) Circuitos de cc y ca
Dada la existencia de componente continua y señal alterna, se
define el circuito de carga ante variaciones de la señal alterna.
El elemento idóneo para actuar como separador de tales
variaciones es el capacitor electrolítico. Sea el circuito de
salida de la Fig. 26 correspondiente a una configuración de
emisor común:
Fig. 26 (a) Etapa de salida de emisor-común. (b) Circuito de ca. (c) Circuito
de cc.
La misión del capacitor es transmitir la señal amplificada a la
carga. Para tal efecto su reactancia a la frecuencia de señal
debe resultar lo más pequeña respecto de la carga RL. Así, el
capacitor recibe el nombre de condensador de paso. Este
condensador bloquea en todo momento las componentes de
corriente continua, pues, la reactancia del capacitor tiende a
1
infinito, es decir, si XC = , para ω =0, Xc → ∞ y para
ωCc
ω ≠ 0 , XC → 0.
Como las componentes alternas y continuas circularán por
diferentes elementos del circuito, se establece una red de
salida para corriente continua y otra para corriente al-terna de
acuerdo a la Fig. 26b-c. Esto no significa que son circuitos
distintos, sino que se comportan de distinta manera, tanto para
cc como para ca, así se tendrán dos rectas de carga.
Planteando la ecuación de salida en cc del circuito de la Fig.
26c, se tiene:
La recta de carga está dada por:
Donde el término RC = RCC se llamará resistencia de cc.
Fig. 27 Circuitos de ca simplificado.
Para ca se considera el circuito de la Fig. 26b. Dada las
variaciones en torno al punto Q, sea vCE; la variación del
voltaje colector emisor respecto de dicho punto e iC la
variación de la corriente de colector, entonces, la variación de
voltaje está dada por:

Donde RC||RL = RAC será la resistencia de ca. Reescribiendo Luego la recta de ca será:
la variación respecto del punto Q, se tiene:

Finalmente:
Donde RAC = RL||RC:
Se observa que la recta de carga de cc tiene una pendiente
menor que la recta de carga en ca. Dibujando ambas rectas de
La que se conoce como recta de carga alterna. Para vCE = 0, carga y dibujando las ondas iC y vCE, se tiene:
se tiene, entonces:

Luego, si iC = 0, entonces se tiene que:

Al dibujar las rectas de carga de cc y ca, se intersectan en el

punto Q, como se ve en la Fig. 28.

Fig. 28 Interacción de la recta de la carga con la recta de la carga cc.

2) Amplificador en emisor común con RE.
Para el amplificador de la Fig. 25, para cc, se tiene el circuito
de la Fig. 7a y para ca se obtiene el circuito de la Fig.7b. La
ecuación de salida para cc se será:
Se observa que la salida estará dada por:
Luego Vop=VCEQ
3) Máxima excursión simétrica
De acuerdo a la curva y la recta de carga de ca de la Fig. 30,
las variaciones de vCE, pueden ir desde el punto Q hasta un
vCEmax. Esto produce una variación de iC respecto de ICQ,
que puede no ser iCmax; la corriente no alcanza el valor
máximo dado.

Fig. 29 Emisor común con RE (a) en cc. (b) en ca.

Donde, RCC=RC+ ( β+1β ) ℜ≈ RC+ ℜ , si β ≫1.

Para ca se tiene:

Fig. 30 Excursión de la señal de Vce e ic.

Para obtener una excusión máxima en corriente, que per-mita
una salida máxima de voltaje en la carga, se debe colocar el
punto Q en el centro de la recta de carga de ca. Este concepto
se define como máxima excursión simétrica o funcionamiento
en clase A de alterna.

Fig. 32 (a) Colector común. (b) Seguidor de emisor.

Sea la configuración de la Fig. 32a, en cc y suponiendo zona

activa, se tiene la malla de entrada y salida:

Fig. 31 máxima excursión simétrica. Donde la recta de carga será:

Así, para garantizar una amplificación lineal y de máxima

excursión simétrica, se debe cumplir que:
β +1
Con RCC=RC + ℜ.
Considerando la recta de cc dada en (1) en el punto Q, β
entonces, Mediante el circuito de la Fig. 33 se determina la recta de
carga en ca, luego la variación del voltaje colector emisor
estará dada por:

Finalmente, se tiene que:

La cual resulta muy útil para analizar los circuitos de máxima

excursión simétrica de salida. Fig. 33 seguidores de emisor en ca.

4) Condensador en el emisor.
Al existir una resistencia en el terminal de emisor, no se puede
establecer que dicha configuración es de emisor común (note
el caso de la red de polarización universal y otras). Para
permitir que el emisor sea un punto de potencial nulo, se Reemplazando las variaciones se tiene:
incluye un condensador electrolítico CE, el cual, presenta una
reactancia baja frente al valor de la resistencia vista en emisor,
es decir, CE debe ser tal que la resistencia vista desde el
emisor sea nula (corto circuito), y debe ser facilitado a la
frecuencia de señal.
β +1
En general, en tanto: CE y CC deben ser tales que: Donde RCA =( )(R E ∨¿ RL ) donde RE > (RE||RC) y
 En ca se comportan como corto circuito. β
 En cc se comportan como circuito abierto. β+1 β +1
RC + RE> (R E ∨¿ RC ) la pendiente de la recta
T. Amplificador colector común. β β
de carga de cc es menor que la pendiente de la recta de carga
Sea el amplificador de la Fig. 12, dicha configuración se
de ca.
conoce como colector común dado que la señal está medida
respecto del colector. Esta configuración recibe el nombre de
Seguidor de Emisor.
 Fig. 34 Seguidores de corriente. (a) Equivalente en cc (b) equivalente en ca.

Sea el circuito de la Fig. 32b, su equivalente en cc se muestra

Fig. 36 Amplificador base común.
en la Fig. 34a, dado que el circuito no tiene la resistencia de
colector, la recta de cc es distinta la circuito de la Fig. 32a, así:

β+ 1
Donde RCC= R E. Por otro lado, la recta de carga de
β
ca será:
Fig. 37 Base común en ca.

La salida estará dada por:

β +1
Donde RCA=( )( R E ∨¿ R L ). Note que si RL>>RE,
β
V. CONCLUSIONES.
la recta de carga ca puede llegar a ser la misma que la recta de
carga cc: La incorporación de señales de corriente alterna en el circuito
un circuito con transistores define el uso de la recta de carga
para ca, o también llamada recta de carga dinámica. Este
nuevo elemento permite describir el comportamiento de las
variables del BJT cuando éste recibe señales tipo ca, pues
establece los valores entre los cuales fluctuará la corriente iC y
el voltaje vCE. Para definir esta nueva recta de carga de ca, se
debe establecer el punto Q para un valor determinado. Si se
quiere lograr una prestación lineal del amplicador, el punto Q
debe estar en el centro de la recta de carga de ca, esto se
conoce como máxima excursión simétrica.

VI. REFERENCIAS.
Libro:
Fig. 35 recta de carga del seguidor de emisor. [1]

[2]
U. Amplificador en base común.
El amplificador de la Fig. 36 se conoce como Amplificador en
Base Común, dado que las señales están referenciadas Tesis:
respecto de la base del transistor. [3]
El circuito en cc corresponde a un circuito de polarización
universal, por lo tanto la recta de carga en cc será: Artículo:
[4]

El circuito de ca será el de la Fig.37, luego planteando la malla

de salida se tiene: