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CAMPO
Características Principales:
De unión:
JFET o simplemente FET (transistor de efecto de campo de unión)
De puerta aislada:
IGFET, MOS, MOST o MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido
semiconductor )
TRANSISTORES FET
Analogía FET-BJT
(La polarización no es la misma)
“S” “E”
“G” “B”
“D” “C”
TRANSISTORES FET
IDss y Vp son
valores que se
obtienen de la
hoja del
fabricante
TRANSISTORES FET
PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los
fabricantes en las hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente
común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que
puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias
dispersiones en este valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que I DSS, presenta fuertes
dispersiones en su valor.
RDS (ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene
constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones
más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la
fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BV GS provocan una conducción por
avalancha de la unión.
TRANSISTORES FET
MOSFET
Es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más
inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un
aislante de compuerta que no es un óxido.
ESTRUCTURA DEL MOSFET
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la
concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del
sustrato y la compuerta. La compuerta está localizada encima del sustrato y aislada de todas las demás
regiones del dispositivo por una capa de dieléctrico, que en el caso del MOSFET es un óxido, como el
dióxido de silicio.
TRANSISTORES FET
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor .
El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en
los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
S
I
M
B
O
L
O
S
TRANSISTORES MOSFET
MODO DE OPERACIÓN
Corte Óhmica o lineal Saturación o Activa
Cuando Cuando Cuando
VGS < Vth VGS >Vth y VDS < ( VGS VGS > Vth y VDS > ( VGS
En esta zona la Id=0 – Vth ) – Vth )
Vth: tensión umbral del transitor
ID = k(VGS-VT)2
TRANSISTORES MOSFET
Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la Fuente es menor que la tensión umbral,
VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los terminales de Fuente y Drenador, la corriente es
nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo, cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el
transistor entra en conducción. Cuanto mayor es la tensión de puerta menor es la resistencia del canal, y
ésta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito. Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un
interruptor.
TRANSISTORES MOSFET
APLICACIONES
CONCLUSIONES
El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente controlada por
voltaje. Básicamente el voltaje en la compuerta V GS, controla la corriente ID entre el drenador
y la fuente. Para el JFET, la ecuación que da cuenta del comportamiento es la ley de
Schockley,
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET
son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión
positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente. El Mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran
versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el JFET.
Los Mosfet se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya
que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones.
Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un
dispositivo de conmutación. La elección no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET
tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente.
Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en
la selección. La frecuencia de conmutación es también muy importante.