El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente(a).

El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

RELACIONES IMPORTANTES

El FET es un dispositivo unipolar que depende de la conducción de electrones (canal n) o de la conducción de

huecos (canal p).

Drain, Gate, Source

 CLASIFICACIÓN

CARACTERÍSTICAS
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito
de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora
(tensión)
Una de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada.

Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños que los BJT, lo que los
hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
 CONSTRUCCIÓN DEL JFET
Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n. El resultado es una región de empobrecimiento en cada
unión.

IDSS es la corriente de drenaje máxima para un

JFET y está definida por la condición VGS = 0 y
VDS>|Vp|

VGS = 0
MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

Posee características parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturación con IDSS, y también
adicionalmente tiene las características que se extienden hasta la región de polaridad opuesta de VGS.
No hay conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.

La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy deseable alta impedancia
de entrada del dispositivo.
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

No hay un canal entre las dos regiones tipo N dopadas. Ésta es la diferencia principal entre la construcción de los
tipo empobrecimiento a los tipo enriquecimiento, la ausencia de un canal como componente construido del
dispositivo.
Conforme VGS se incrementa más allá del nivel de umbral (VT), la densidad de los electrones libres en el canal
inducido aumentará y el resultado es el nivel incrementado de la corriente de drenaje

Para los valores de VGS < VT, la corriente de drenaje de un MOSFET topo enriquecimiento es de 0mA

Para niveles de VGS > VT