Universidad Técnica Estatal De Quevedo

Facultad de ciencias de la ingeniería

Alumno:
Alvarado Betancourt Adonis Arom

Materia:
Electrónica

Docente:
Ing. Paola Benítez

Tema:
Transistor tipo FET
Curso:
5to Rediseño Mecánica

Año lectivo:

2021 – 2022
 Transistores tipo TEF.

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

1) Explicación de la combinación de portadores.

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde
el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar
que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que
el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia
la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo
de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS
aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como
el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de
valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente
crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor
de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de
los distintos dispositivos.
2)Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Fundamento de transistores de efecto de
campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras

juntas dopadas alternativamente con purezas
donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la
tabla.

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta

están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de
saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud
efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión
de puerta).

Configuración.
Los JFET pueden utilizarse en tres configuraciones fundamentales: surtidor Común y
drenado común. De igual comportamiento que las tres respectivas configuraciones del
transistor bipolar, sirven para los transistores de efecto de campo con graduador aislado o
IGFET.
Características de los transistores fet.

Entre las características de estos transistores se encuentra que su ganancia de voltaje es menor
a comparación de los bjt, tambien que la estabilidad de la temperatura de los transistores FET
es mayor a la de los bjt aunque en varias ocasiones es recomendable colocar un drenador de
temperatura a ellos para evitar un sobrecalentamiento.

El tamaño físico de los fets es menor a comparación de los bjt, otra de las características
importantes es su impedancia de entrada debido a que en los transistores fet es mucho mayor
que la de los bjt (llegando al orden de los MΩ).

Transistores JFET símbolo

Al igual que los transistores fet, estos transistores también poseen una simbología de acuerdo
al tipo:
Terminales de Transistor FET

El transistores fet o fet transistor, posee dos combinaciones que son conocidas como Canal N o
Canal P, los tipo canal N se encuentran integrados internamente en gran parte por el material
de tipo N formando el canal entre las capaz del material P. En la parte superior del canal de
material tipo N se encuentra conectado a un contacto ohmnico el cual se conoce como el
terminal D (Drenaje o Drain).

Ahora en la parte inferior del canal del material tipo N se encuentra otro contacto ohmnico
conocido como terminal F (Fuente) en español o S (Source) en inglés. Finalmente los materiales
de tipo P se encuentran conectados entre sí y conectados a un contacto ohmnico que es el
terminal G (Gate o Puerta). Fisicamente toda la explicación anterior se puede visualizar de la
siguiente manera:

Ahora el cómo se encuentra integrado internamente los transistores fets de canal P, es

completamente igual a lo anterior descrito, solamente que donde el material es N en este caso
será material tipo P y viceversa. Viéndose entonces su estructura física de la siguiente forma:

Diagrama de funcionamiento de un transistor FET

Las conexiones donde se logra el funcionamiento y polarización de un transistor FET es el

siguiente:

Dependiendo de la hoja de especificaciones de cada

transistor fet, se va a conocer entonces el rango de
voltaje VGS y VDS con los que pueden trabajar sin
problemas ni riesgo de daño, sin embargo es
importante conocer las zonas de funcionamiento en
primer lugar se encuentra la zona de saturación que
es aquella que controla la amplificación del
transistor y su comportamiento es similar a una
fuente de corriente que es controlada por el valor
de VGS; en segundo lugar se tiene la zona óhmica la
cual es como una resistencia variable que depende
del valor de VGS también; y por último la zona de
corte que es donde la corriente del terminal D posee un valor nulo.
 Aplicaciones de los Transistores FET.

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida,

(buffer) de salida baja receptores

Sintonizadores de FM, equipo para

Amplificador de RF Bajo ruido comunicaciones

Baja distorsión de Receptores de FM y TV, equipos para

Mezclador intermodulación comunicaciones

Facilidad para controlar

Amplificador con CAG ganancia Receptores, generadores de señales

Instrumentos de medición, equipos de

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada prueba

Amplificadores de cc, sistemas de

Troceador Ausencia de deriva control de dirección

Resistor variable por Amplificadores operacionales, órganos

voltaje Se controla por voltaje electrónicos, controlas de tono

Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera, transductores

frecuencia acoplamiento inductivos

Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,

Oscilador frecuencia receptores

Integración en gran escala,

Circuito MOS digital Pequeño tamaño computadores, memorias