CLASIFICACIN DE TRANSISTORES

TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT)

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductores. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn
hechos usando las tcnica de procesado de semiconductores habituales, empleando la
oblea mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de
los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que
se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT
es como pantallas de cristal liquido o LCD).Los transistores de efecto de campo o FET ms
conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).Tienen tres terminales,
denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo
se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.El funcionamiento del transistor
de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en
comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.
Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que
tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se
dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y
canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor
en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extensivamente en electrnica digital, y son el componente
fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
TIPOS DE TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del
JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia.
Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a
3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el
rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra
rpida del transistor.
CARACTERISTICAS
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.
 TRANSISTOR DE INDUCCIN ESTTICA (SIT)
Componente electrnico de recin creacin el cual es usado en diferentes
aplicaciones, es de alta potencia y frecuencia. El mismo es muy similar a los JFET,
excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza
en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los
utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales.

DESCRIPCIN
El Dispositivo ms importante bajo desarrollo es el transistor de induccin esttica
(SIT), en la figura I. se muestra una seccin transversal. El SIT es un dispositivo
portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo de electrones de la fuente al
drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos
dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metlicas. S el
dopado y las dimensiones laterales son escogidas adecuadamente, la altura del
potencial de barrera ser modulado por la compuerta y el drenaje. Debido a que
la corriente se incrementa exponencialmente conforme el potencial de barrera es
disminuido, las caractersticas de la salida del SIT son usualmente no saturadas o
de manera de trodo, parecindose a un trodo de tubo al vaco. Los electrones
fluyen de la fuente al drenaje a travs de un punto ensillado de potencial
electrosttico entre los electrodos de compuerta. El mismo cuenta con tres
terminales la Puerta (G), Drenador (D) y Surtidor (S). Su simbologa para
identificarlo es la que se muestra en la figura II.

FABRICACIN
La fabricacin del SIT requiere un grabado anisotrpico de pared recta de zanjas
de 23 m de profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas
en ingls) seguida por una deposicin de Metalizacin de Shottky en la zanja del
fondo sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de
compuerta oscilan en el orden de 0.5 a 1.5 m. Los contactos de baja resistencia
hmica son establecidos a las regiones de la fuente en el techo de las uniones. El
voltaje de compuerta cambia desde cero (arriba de la curva) a 18 V (debajo de la
curva) en cambios de 2V.La escala Horizontal es de 20V / div. El mximo voltaje
de drenaje es de 200 V.Para alcanzar operacin a altas frecuencias, es necesario
escalar agresivamente la escala de la unin, anchar las zanjas, incrementar el
dopado de la regin del canal y minimizar capacitancias parsitas. El ancho de
unin y los anchos de las zanjas son 0.5m cada uno. Los contactos de la fuente
son formados por una interconexin de puente de aire para minimizar
capacitancias parsitas. Este dispositivo exhibi una frecuencia de 7 GHz, el valor
ms alto hasta ahora reportado para un SIT.

CARACTERISTICAS
Bajo nivel de ruido
Baja distorsin
Alta capacidad de potencia en audio frecuencia.
Los tiempos de activacin y desactivacin son muy pequeos, tpicamente
0,25us.
La cada de tensin en estado activo es alta,tipicamente de 90volt para un
dispositivo de 180A y de 18Volt para uno de 18A.
Estos pueden llegar hasta 300A y 1200V.
Velocidad de conmutacin tan alta como 100kHz.
Baja resistencia en serie de compuerta.
Baja capacitancia compuerta fuente.
Resistencia trmica pequea.
 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)
Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin
del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como
las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas
elctricasy convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de
eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin,dom
tica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
CARACTERISTICAS

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido

al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa
como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes
mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de
manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse
en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser
igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y
los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control
de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

ESTRUCTURA
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la
estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C).

FUNCIONAMIENTO
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente IC se autolimita.

CARACTERISTICAS TECNICAS
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito
sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica
cortando desde puerta.
VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja,
ser VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se
esperan valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automvil, Tren, Metro,Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, T
elevisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en
Ingls UPS), etc.
 TRANSISTORES COOLMOS
El COOLMOS, es una tecnologa nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se implementa
mediante una estructura de compensacin en la regin vertical de desplazamiento de un MOSFET,
para mejorar la resistencia en estado activo. Para un mismo encapsulado, tiene menor resistencia
en estado activo en comparacin con la de otros MOSFET. Las perdidas de conduccin son 5
veces menores, cuando menos en comparacin con las de la tecnologa MOSFET convencional. El
COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un
MOSFET convencional en el mismo encapsulado. El rea activa de microcircuito de un

COOLMOS es unas 5 veces menor que la de un MOSFET normal.

La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo se ha aumentado el dopado

de la capa conductora de corriente, sin alterar la capacidad de bloqueo. Un alto voltaje VBR de
bloqueo del transistor requiere una capa epitaxial relativamente gruesa y poco dopado. Existe una
ley que relaciona la resistencia drenaje fuente con VBR.

RD(enc) = VBRKc

Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6

Esta limitacin se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario, que se implementan en
la regin de corrimiento en tal forma que la integral de dopado a lo largo de una perpendicular al
flujo de corriente permanece menor que la carga de ruptura especifica del material. En este
concepto se requiere una compensacin de la carga adicional en la regin n, mediante regiones
adyacentes con dopado p. Esas cargas crean un campo elctrico lateral que no contribuye al perfil
vertical del campo. En otras palabras, la concentracin de dopado se integra a lo largo de una
perpendicular a la interfase entre las regiones p y n.

Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad elctrica. Como no hay

contribucin de corriente bipolar, las perdidas de conmutacin son iguales a las de los

MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje ms o menos,

en un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la estructura para
compensar el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo elctrico en el interior de la
estructura esta fijado por la carga neta de las dos columnas con dopados opuestos. De este modo
se puede obtener una distribucin casi horizontal del campo, si ambas regiones se compensan
entre si en forma perfecta. La fabricacin de pares adyacentes dopadas con p y con n con una
carga neta prcticamente de cero requiere una manufactura de presicin. Todo desequilibrio de
cargas influye sobre el voltaje de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se
tiene que aumentar la profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto
conduce a una relacin lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado activo
Por ejemplo la resistencia es de 70 m_ para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El COOLMOS tiene
una caracterstica v-i lineal con un bajo voltaje umbral. Los dispositivos COOLMOS se pueden usar
en aplicaciones hasta lmites de potencia de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones
de trabajo y servidor, fuentes ininterrumpibles de energa (UPS), convertidores de alto voltaje para
sistemas de microondas, hornos de induccin y equipos de soldadura. Estos dispositivos pueden
reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en todas sus aplicaciones en la mayor
parte de los casos sin adaptacin alguna del circuito. A frecuencias de conmutacin mayores a 100
KHZ, los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente, como por
ejemplo un rea mnima requerida de microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja
de tener un diodo inverso intrnseco. Toda oscilacin parasita que pudiera causar disparos
negativos del voltaje entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.