DIPOSITIVOS ELECTRONICOS

DIODO
 DIODO

• Si un trozo de silicio intrínseco es dopado de tal forma que una parte es tipo N y la otra tipo P,
se forma una unión PN en el límite entre las dos regiones y se crea un diodo, como se indica
en la figura.

• La región P tiene muchos huecos (portadores mayoritarios) por lo átomos de impureza y sólo unos cuantos
electrones libres generados térmicamente (portadores minoritarios).
• La región N tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) por los átomos de impureza y sólo unos
cuantos huecos generados térmicamente (portadores minoritarios).
 FORMACIÓN DE LA REGIÓN DE EMPOBRECIMIENTO O
AGOTAMIENTO

• Los electrones libres en la región N se mueven aleatoriamente en todas direcciones.

• En el instante en que se forma la unión PN, los electrones libres que se encuentran cerca de
la unión en la región N comienzan a difundirse a través de la unión hacia la región P, donde se
combinan con los huecos que se encuentran cerca de la unión, como se muestra en la figura.

• Es importante tener en cuenta que existen tantos electrones como protones en el material tipo N, por lo
que el material es neutro en función de la carga neta; lo mismo se aplica al caso del material tipo P.
 REGIÓN DE EMPOBRECIMIENTO O AGOTAMIENTO

• Cuando se forma la unión PN, la región n pierde electrones libres a medida que se difunden a
Través de la unión.
• Esto crea una capa de cargas positivas (iones pentavalentes) cerca de la unión.
• A medida que los electrones se mueven a través de ésta, la región p pierde huecos a
medida que los electrones y huecos se combinan.

• Esto crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unión.
• Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la región de empobrecimiento o
agotamiento, como se muestra en la figura.

• El término empobrecimiento se refiere al hecho de que la región cercana a la unión PN se

queda sin portadores de carga (electrones y huecos) debido a la difusión a través de la
unión
 POTENCIAL DE BARRERA

• En la región de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y muchas cargas negativas

en los lados opuestos de la unión PN.
• Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo eléctrico, como se indica en la figura
mediante flechas entre las cargas positivas y las cargas negativas.

• Este campo eléctrico es una barrera para los electrones libres en la región N y se debe
consumir energía para mover un electrón a través del campo eléctrico; es decir, se
debe aplicar energía externa para hacer que los electrones se muevan a través de la
barrera del campo eléctrico en la región de Agotamiento.
 POTENCIAL DE BARRERA

• La diferencia de potencial del campo eléctrico a través de la región de agotamiento es la

cantidad de voltaje requerido para mover electrones a través del campo eléctrico.
• Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en volts.
• Expresado de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de voltaje igual al
potencial de barrera y con la polaridad apropiada a través de una unión PN para que los
electrones comiencen a fluir a través de la unión
• El potencial de barrera de una unión PN depende de varios factores, incluido el tipo de
material semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura.
• El potencial de barrera típico es aproximadamente de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para
el germanio a 25°C.
 DIAGRAMAS DE ENERGÍA DE LA UNIÓN PN

• Las bandas de valencia y conducción de un material tipo N se encuentran a niveles de

energía un poco más bajos que las bandas de valencia y conducción en un material tipo P.
• Recuerde que el material tipo P tiene impurezas trivalentes en tanto que el tipo N tiene
impurezas pentavalentes.
• Las impurezas trivalentes ejercen fuerzas más bajas sobre los electrones de la
capa externa que las impurezas pentavalentes.
• Las fuerzas más bajas en materiales tipo P hacen que las órbitas de los electrones
sean un poco más grandes y que consecuentemente tengan una energía más
grande que las órbitas de los electrones en los materiales tipo N.
 DIAGRAMAS DE ENERGÍA DE LA UNIÓN PN
• La figura muestra un diagrama de energía de una unión PN en el instante de su formación.
• Como se puede ver, las bandas de valencia y conducción de la región N están a niveles de
energía más bajos que aquellas de la región P, pero existe una cantidad significativa de
traslape.
• Los electrones libres en la región N que ocupan la parte superior de la
banda de conducción en función de su energía pueden difundirse con
facilidad a través de la unión (no tienen que adquirir energía adicional) y
temporalmente se convierten en electrones libres en la parte inferior de
la banda de conducción de la región P.
• Después de atravesar la unión, los electrones pierden energía con
rapidez y caen en los huecos de la banda de conducción de la región P,
como muestra la figura.
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO

• Polarización en directa.
• Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él.
• Polarización en directa es la condición que permite la circulación de corriente a través
de la unión PN.
• La figura muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un material
conductor a través de un diodo en la dirección que produce polarización en
directa.
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
• El resistor limita la corriente en condición de polarización en directa a un valor
que no dañe al diodo.
• Observe que el lado negativo de la fuente está conectado a la región N
del diodo y el lado positivo está conectado a la región P: éste es un
requisito para que se dé la polarización en directa.
• Un segundo requerimiento es que el voltaje de polarización, debe ser
más grande que el potencial de barrera
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
• Una imagen fundamental de lo que sucede cuando un diodo está en condición de polarización
directa se muestra en la figura.
• Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la fuente de voltaje de
polarización “empuja” a los electrones libres, los cuales son los portadores
mayoritarios en la región N, hacia la unión PN.
• Este flujo de electrones libre se llama corriente de electrones.
• El lado negativo de la fuente también genera un flujo continuo de electrones a través de
la conexión externa (conductor) y hacia la región N como muestra la figura
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
• La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente energía a los electrones libres
para que venzan el potencial de barrera de la región de agotamiento y continúen
moviéndose hacia la región P.
• Una vez que llegan a la región P, estos electrones de conducción han perdido suficiente
energía para combinarse de inmediato con los huecos presentes en la banda de
valencia.
• Entonces, los electrones quedan en la banda de valencia de la región P simplemente
porque perdieron demasiada energía al vencer el potencial de barrera y permanecer en
la banda de conducción.
• Como las cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de
polarización atrae los electrones de valencia hacia el extremo izquierdo de la región P.
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
• Los huecos en la región P proporcionan el medio o “ruta” para que estos electrones de
valencia se desplacen hacia la región P.
• Los electrones de valencia se desplazan de un hueco al siguiente hacia la izquierda.
• Los huecos, que son portadores mayoritarios en la región P, efectivamente (no en
realidad) se desplazan a la derecha hacia la unión, como ilustra la figura.
• Este flujo efectivo de huecos es la corriente de huecos.
• También se ve que el flujo de electrones de valencia a través de la región P crea la
corriente de huecos y los huecos son el único medio para que estos electrones fluyan
EFECTO DE LA POLARIZACIÓN EN DIRECTA EN LA REGIÓN
DE EMPOBRECIMIENTO

• A medida que fluyen más electrones hacia la región de empobrecimiento, el número de iones
se reduce.
• Conforme más huecos fluyen hacia la región de empobrecimiento del otro lado de la
unión PN, el número de iones negativos se reduce.
• Esta reducción de iones positivos y negativos durante la polarización en directa hace
que la región de empobrecimiento se redusca, como muestra la figura.
 EFECTO DEL POTENCIAL DE BARRERA DURANTE LA
POLARIZACIÓN EN DIRECTA

• Recuerde que el campo eléctrico entre los iones positivos y negativos de la región de
empobrecimiento a ambos lados de la unión crea una “colina de energía” que impide que
los electrones libres se difundan a través de la unión en equilibrio. Esto se conoce como
potencial de barrera.
• Cuando se aplica polarización en directa, los electrones libres reciben suficiente
energía de la fuente de voltaje de polarización para vencer el potencial de barrera
y “escalar la colina de energía”, atravesando así la región de empobrecimiento.
 EFECTO DEL POTENCIAL DE BARRERA DURANTE LA
POLARIZACIÓN EN DIRECTA

• Laenergía que requieren los electrones para pasar a través de la región de

empobrecimiento es igual al potencial de barrera.
• En otras palabras, los electrones ceden una cantidad de energía equivalente al
potencial de barrera cuando atraviesan la región de empobrecimiento.
• Esta pérdida de energía produce una caída de voltaje a través de la unión PN igual al
potencial de barrera (0.7 V)
 POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD<0 V)

• Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal

positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se
muestra en la figura a), el número de iones positivos revelados en la región de
empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran cantidad de electrones
libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado.
• Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados se
incrementará en el material tipo p.
 POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD<0 V)

• El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de empobrecimiento, la

cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como
se muestra en la figura a).
• Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la región de
empobrecimiento no cambia, y se producen vectores de flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud indicada en la figura c) como si el voltaje
aplicado fuera cero.
 POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD<0 V)

• La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación en

inversa y está representada por Is.

• La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos microamperes,

excepto en el caso de dispositivos de alta potencia.
• De hecho, en los últimos años su nivel, por lo general, se encuentra en el intervalo de
los nanoamperes en dispositivos de silicio.
• El término saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial
de polarización en inversa
 POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD<0 V)

• Las condiciones de polarización en inversa se ilustran en la figura para el símbolo de

diodo y unión p-n.
• Observe, en particular, que la dirección de Is se opone a la flecha del símbolo.
• Observe también que el lado negativo del voltaje aplicado está conectado al material
tipo p y el lado positivo al material tipo n.