Diodos, Tipos y Aplicaciones

Andrs Morales, Camilo Hernndez, David Diaz C

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre

sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
contrario.En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-
intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es
de A a K.

Figura 1. Simbologa y comportamiento del diodo Ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula

al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica
el sentido permitido de la corriente.

Figura 2. Modelamiento del diodo ideal.

Diodo de unin P-N

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales

semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A
esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del
circuito. Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos
zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas
de tipo P y la otra de tipo N. La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene
introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N
dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En
ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una
concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada
hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos
elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin
de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este
fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es
que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se
instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P.

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la

regin de la zona P cercana a la unin:

1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula.
2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva
en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N.
En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es
positiva en la zona N y negativa en la zona P. (figura 3)

Figura 3. Formacin de la unin P-N

Polarizacin directa

El bloque PN, en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre

sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora. Sin embargo, si se
aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar"
los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin
(Figura 3). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin. Si la
tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo
conduce. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la
zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de
cargas mviles la zona de depleccin.

La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial.

Mover los portadores de carga.

Polarizacion inversa

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y

negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos
portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de
depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula.
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en
inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El
movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior
que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin. Al aumentar
la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de
depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan
elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de
silicio, originando un proceso de rotura por avalancha.

Caracterstica I vs V

La Figura 4 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de

funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).

o Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
o Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se
alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a
partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P
y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los
diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor

que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la
ruptura, en la que de nuevo aumenta.

Figura 4. Formacin de la unin P-N

Modelo real
El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:

=
( )

Donde:

n: Es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la
magnitud de la corriente directa y del valor de IS.
VT: Es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).
IS: Es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del
material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
Modelo de pequea seal
Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre ese
punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud.

Figura 1. a) Diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua, b)
Tensin y corriente en un diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una
continua

Las ecuaciones que describen el comportamiento del diodo en pequea seal son las
siguientes:

Tipos de diodos y aplicaciones

Diodo detector

Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual,

estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta.
Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por
ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin
se denomina deteccin.

Diodo Rectificador
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen
en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas
caractersticasson las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de
varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
pueden soportar. Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el
sistema americano, la referencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie,
por ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica
el nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o especificaciones exactas del
dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por
ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) y la Y el tipo
(rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por
ejemplo: ECG581.

Diodo Zener

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un

voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y
por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de
watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener
polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca
de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo:
1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y
la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ).

Diodo Emisor de luz (LED)

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha
polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul
dependiendo de su composicin. Los LEDs se especifican por el color o longitud de
onda de la luz emitida, la cada de voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR),
la mxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden
de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms
de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000
mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de
VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules.
Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima. Tambin deben
protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa
generalmente su destruccin inmediata del LED.

Diodo estabilizador
Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de
tensin correspondiente a su tensin umbral. Trabajan en polarizacin directa y
estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos Zner.

Diodo Tnel

Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una
zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin de
resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta
ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores, osciladores,
multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

Diodo Schottky

Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores

calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de voltaje
directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se emplean en
fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia. Una variante son los
diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conduccin prcticamente
igual a cero, pero tambin un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su
uso a aplicaciones muy especiales.

Fotodiodos

Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa
puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la
ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la
corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores
minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa,
sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de
comunicaciones pticas y otras aplicaciones.
REFERENCIAS

Miguel ngel Chiarena. Tipos de diodos .Disponible en :

https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos

Profesor Molina. El diodo y sus aplicaciones. Disponible en:

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm

DIODO DE UNIN P-N. Disponible en:

http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_5_-
_diodos_de_union_p-n.pdf

Sedra/Smith. Circuitos microelectrnicos. 4 edicin . Diodos . Capitulo 3 .

Paginas 122 - 199