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Semiconductor tipo p

¿Cómo puede contaminarse un cristal para tener huecos en exceso? Usando impurezas
trivalentes (las que tienen solo tres electrones en su órbita externa). Después de agregar
la impureza, se logra que cada átomo trivalente se encuentre entre cuatro vecinos como
se muestra en la figura 2-10a. Como cada átomo trivalente aporta solo tres electrones de
su órbita de valencia únicamente siete electrones se moverán en esta orbita. En otras
palabras, aparece un hueco en cada uno de estos átomos. Al controlar la cantidad de
impurezas que se agregan, se puede controlar también el número de huecos presentes
en el cristal contaminado.

Un semiconductor contaminado con impurezas trivalentes se conoce como semiconductor


tipo p, en donde p significa positivo. Como se muestra en la figura 2-10b, los huecos de
un semiconductor del tipo p exceden en mucho a los electrones de la banda de
conducción. Por este motivo, los huecos son los portadores mayoritarios en el
semiconductor tipo p, mientras que los electrones de la banda de conducción son los
portadores minoritarios.

Los átomos trivalentes son conocidos como átomos aceptantes, porque cada hueco con
que ellos contribuyen puede aceptar un electrón durante la recombinación. Algunos
ejemplos de impurezas aceptantes son el aluminio, el boro y el galio.

El diodo sin polarización


Es posible producir un cristal como el de la figura 2-11ª que tiene la mitad del tipo p y la
otra mitad del tipo n. la unión es donde se encuentran las regiones tipo p y tipo n. Un
cristal pn como este se le conoce comúnmente con el nombre de diodo.

La figura 2-11ª muestra el cristal pn en el instante de su formación. El lado p tiene muchos


huecos (portadores mayoritarios), y el lado n tiene muchos electrones libres (portadores
mayoritarios). El diodo de la figura 2-11ª no está polarizado, lo cual significa que no tiene
voltaje externo aplicado.

Polarización directa

La figura 2-12ª muestra una fuente de cc aplicada a un diodo. El terminal positivo de la


fuente está conectado al material tipo p, y el terminal negativo al material tipo n. Esta
conexión se llama polarización directa. Como recordatorio, debe notarse que el signo (+)
se conecta al lado p y el signo (-) al lado n.

Corriente elevada de polarización directa

La polarización directa produce una corriente elevada; ¿Por qué? El terminal negativo de
la fuente repele los electrones libres en la región n hacia la unión. Estos electrones
energizados deben cruzar la unión y caer en los huecos. La recombinación ocurre a
diferentes distancias de la unión, dependiendo del tiempo en que un electrón pueda evitar
la caída de un hueco. La probabilidad de que la recombinación ocurra cerca de la unión
es alta.

A medida que los electrones libres caen en los huecos, se convierten en electrones de
valencia. Luego, viajando como electrones de valencia, continúan hacia la izquierda a
través de los huecos en el material p. Cuando los electrones de valencia alcanzan el
terminal izquierdo del cristal, lo abandonan y fluyen hacia el terminal positivo de la fuente.
La secuencia de un solo electrón de la figura 2-12ª, desde el momento en que este se
mueve del terminal negativo de la batería al terminal positivo, es la siguiente:

1. Después de salir del terminal negativo, se introduce por el extremo derecho del
cristal.
2. Viaja a través de la región n como electrón libre.
3. Cerca de la unión se recombina y se convierte en electrón de valencia.
4. Este viaja a través de la región p como electrón de valencia.
5. Después de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la
fuente.

Bandas de energía

La figura 2-12b indica como visualizar el flujo en términos de las bandas de energía. Para
iniciar, el potencial de barrera da a las bandas p un poco más de energía que a las
bandas n; este es por qué las bandas p están más altas que las bandas n. La polarización
directa impulsa a los electrones de la banda de conducción dentro de la región n, hacia la
unión. Inmediatamente después de haber ingresado a la región p, todos los electrones
caen a un hueco (trayectoria A), y continúan el viaje hasta el extremo izquierdo del cristal
como electrones de valencia.

Algunas veces, un electrón de la banda de conducción puede caer en un hueco antes de


cruzar la unión. En la figura 2-12b, un electrón de valencia cruza la unión de derecha a
izquierda dejando un hueco del lado derecho de esta. Este hueco no dura mucho debido a
que un electrón de la banda de conducción pronto cae en este (trayectoria B).

Sin importar donde se produzca la recombinación, el resultado siempre es el mismo: un


flujo continuo de electrones de la banda de conducción se mueve hacia la unión y cae en
los huecos próximos a esta unión. Los electrones capturados (ahora electrones de
valencia) se mueven como flujo continuo a través de los huecos dentro de la región p. De
esta forma, se obtiene una circulación constante de electrones a través del diodo.

Al caer los electrones libres en las trayectorias A y B, caen de un nivel más alto de
energía a uno de menos energía. Conforme caen, irradian energía en forma de calor y luz.
Debe recordarse esto cuando se estudien los diodos emisores de luz (LED).

Polarización inversa

Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentación de cc, se le aplica polarización


inversa al diodo, como se indica en la figura 2-13ª. Ahora el signo (+) se conecta al lado n
y el signo (-) al lado p. ¿Cuál es el efecto de la polarización inversa?

Capa de agotamiento

La polarización inversa de la figura 2-13ª fuerza a los electrones de la región n a que se


alejen de la unión hacia el terminal positivo de la fuente; también los huecos de la región p
se mueven alejándose de la unión en dirección al terminal negativo. Los electrones
salientes dejan más iones positivos cerca de la unión, y los huecos salientes dejan más
iones negativos. Por lo tanto, la capa de agotamiento se ensancha. Cuanto mayor sea la
polarización inversa, más ancha es la capa de agotamiento; esta detiene su crecimiento
cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente.

La figura 2-13b es una forma de alternativa de ver la misma idea. Cuando inicialmente se
aplica la polarización inversa, los electrones y los huecos de la banda de conducción se
alejan de la unión. La capa de agotamiento se hace más ancha hasta que la diferencia de
potencial es igual al voltaje de la fuente. Cuando esto ocurre, los electrones y huecos
detienen su movimiento.
Pasivo como lo es un resistor. En el capítulo 5 se estudia el transistor, otro dispositivo
activo.

La gráfica del diodo

La figura 2-16ª muestra el símbolo esquemático de un diodo rectificador. El lado p se


llama ánodo, y el lado n se llama cátodo. Como se dijo anteriormente, la polarización
directa puede producir un flujo de electrones grande del lado n al lado p; esto es
equivalente a tener un flujo convencional grande del lado p al lado n. como recordatorio, la
flecha del símbolo del diodo indica la dirección más común, o sea, la de la corriente
convencional.

Si se prefiere el flujo de electrones deberá pensarse de manera diferente; la dirección del


flujo de electrones es en contra de la flecha, lo que nos ayuda a recordar rápidamente que
la flecha apunta en la dirección de donde vienen los electrones libres.

Datos experimentales

La figura 2-16b muestra un circuito que puede construirse en el laboratorio para la


medición de voltaje y corriente de un diodo. Con las polaridades de la fuente indicadas, el
diodo queda con la polarización directa; cuanto mayor es el voltaje aplicado de la fuente,
mayor es la corriente del diodo. Variando el voltaje de la fuente, se puede medir la
corriente del diodo (se conecta un amperímetro en serie) y el voltaje del diodo (se conecta
un voltímetro en paralelo con el diodo).
Diodo ideal

Aproximemos el funcionamiento del diodo. ¿Qué hace el diodo? Conduce bien en


polarización directa y mal en inversa. En esencia, un diodo ideal actúa exactamente igual
a un conductor perfecto (cero voltaje), cuando se encuentra polarizado directamente y
como un aislador perfecto (cero corriente) cuando esta polarizado inversamente, como se
indica en la figura 2-20ª.

En términos de circuitos, un diodo ideal actúa como un interruptor. Cuando el diodo esta
polarizado directamente, es como un interruptor cerrado (véase figura 2-20b). Si el diodo
esta polarizado inversamente, es como un interruptor abierto.

Aun cuando esta aproximación del diodo ideal parezca exagerada, esto es un buen
principio para saber cómo operan los circuitos con diodos; no deben preocupar los efectos
del voltaje de compensación ni la resistencia macroscópica. Habrá ocasiones en que la
aproximación ideal será demasiado inexacta; por esta razón se necesita una segunda y
una tercera aproximación.

Resistencia a cc de un diodo

Si toma la relación del voltaje total del diodo entre la corriente total del diodo, se obtiene la
resistencia a cc del diodo. En polarización directa, esta resistencia a cc se simboliza por
Rf.
Transistores bipolares

Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son bulbos con un
brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una válvula, al vacío
normal consumía un par de watts, por lo que el equipo requería una fuente de
alimentación voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual
preocupaba sobremanera a los diseñadores. El resultado era un equipo anticuado y
pesado en aquellos tiempos estaba ampliamente en uso.

En 1951 shockley invento el primer transistor de unión, que fue todo un acontecimiento
porque significo un gran cambio. Todo el mundo se entusiasmó y se predijeron grandes
cosas; el tiempo ha demostrado que esas predicciones se quedaron cortas, en
comparación con el desarrollo alcanzado por el transistor.

El impacto del transistor en la electrónica ha sido enorme, pues además de iniciar la


industria multimillonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos
como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrónicas y los
microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos
semiconductores.

Los cambios han sido más notables en la industria de las computadoras. El transistor no
se hizo para mejorar esta industria, el la creo. Antes de 1950, una computadora ocupaba
todo un salón y costaba millones de dólares; hoy, una computadora de las más
perfeccionadas puede colocarse sobre un escritorio y cuesta unos cuantos miles de
dólares.

Transistor no polarizado
La difusión de electrones libres a través de la unión produce dos capas de agotamiento
(véase figura 5-2ª). Para cada una de estas capas de agotamiento, el potencial de barrera
es aproximadamente igual a 0.7 V a 25°C, para un transistor de silicio (0.3 V para un
transistor de germanio). Como se hizo al hablar de los diodos, aquí también se hará
hincapié en los transistores de silicio porque son más utilizados que los transistores de
germanio. Los transistores de silicio proveen voltajes nominales más altos, corrientes
nominales más altas y son menos sensibles a la temperatura. En los párrafos siguientes
se presupone que los transistores mencionados serán de silicio, a menos que se indique
otra cosa.

Debido a que las tres regiones citadas tienen diferentes niveles de contaminación o
impurificación, estas capas de agotamiento no tienen el mismo ancho. Cuanto mayor es la
contaminación de la región, mayor será la concentración de iones cerca de la unión. Esto
significa que las capas de agotamiento penetran solo ligeramente en la región del emisor
(altamente contaminado), pero se profundizan en la base, donde la contaminación es
ligera. La otra capa de agotamiento se interna bastante en la base y penetra en la región
del colector en una proporción mucho menor. En la figura 5-2b se resume esta idea. La
capa de agotamiento del emisor es pequeña y la del colector es grande. Adviértase como
las capas de agotamiento están sombreadas para indicar la escasez de portadores
mayoritarios.

Polarización del transistor

En la figura 5-3ª, la batería de la izquierda proporciona polarización directa al diodo emisor


y la batería del lado derecho polariza directamente al diodo colector. Los electrones libres
(portadores mayoritarios), se introducen al emisor y colector del transistor, uniéndose en
la base y fluyen hacia abajo por un alambre común, según se indica. Las corrientes de
emisor y colector son grandes por estar polarizados directamente ambos diodos.
La figura 5-3b muestra otra forma de polarizar el transistor; ahora ambos están
polarizados inversamente. El flujo es pequeño y se reduce a solo dos tipos de portadores
minoritarios, producidos térmicamente y por fugas superficiales. El componente producido
térmicamente es dependiente de la temperatura y casi duplica por cada 10°C de
incremento en la temperatura ambiente. Los componentes de fuga superficial, por otra
parte, aumentan con el voltaje; estas corrientes inversas son normalmente despreciables.

En la figura 5-3ª y b, no ocurre nada diferente. Se obtiene ya sea una elevada corriente
(cuando ambos diodos están polarizados directamente) o casi nada (cuando ambos están
polarizados inversamente). En circuitos lineales, los transistores rara vez se polarizan en
esta forma.

Emisor entran en la región de la base como se muestra en la figura 5-4c. Estos


electrones, una vez que se encuentran en la base, pueden fluir en cualquiera de estas dos
direcciones: hacia abajo por la delgada base hasta el contacto externo, o bien a través de
la unión del colector hacia la región del colector. Este componente de la corriente de base
que fluye hacia abajo se llama corriente de recombinación. Es pequeña porque la base
está ligeramente contaminada con solo unos cuantos huecos.

Una segunda idea crucial de la operación del transistor es que la base es muy delgada.
En la figura 5-4c, la base se satura con los electrones de la banda de conducción
inyectados, lo cual provoca una difusión hacia la capa de agotamiento del colector. Una
vez dentro de esta capa, son empujados por el campo de la capa de agotamiento hacia la
región del colector (véase figura 5-4d). Estos electrones del colector pueden fluir hacia los
contactos externos del colector como se indica en esa figura.
En concreto, puede decirse lo siguiente: en la figura 5-4d se observa un paso constante
de electrones que dejan el terminal negativo de la fuente para ingresar en la región del
emisor. La polarización directa Veb, fuerza a estos electrones del emisor a entrar en la
región de base. Una vez que se encuentran en la base, delgada y poco contaminada,
permite a los electrones suficiente tiempo de vida para difundirse a la capa de
agotamiento del colector. El campo de la capa de agotamiento empuja a estos en una
corriente constante de electrones hacia la región del colector; estos abandonan al
colector, entran en los contactos externos de este y fluyen hacia el terminal positivo de la
fuente de voltaje. En la mayor parte de los transistores, más del 95% de electrones
inyectados en el emisor circulan hacia el colector; menos del 5% caen en los huecos de la
base y fluyen hacia afuera por los contactos externos de la base.

No se puede pensar en conectar dos diodos discretos ánodo con ánodo, como se indica
en la figura 5-4e, con el fin de tener un transistor. Cada diodo tiene dos regiones
contaminadas, por lo que el circuito completo tendrá cuatro regiones contaminadas. Esto
no funcionaría porque la región de base no es la misma que en un transistor. La clave
para el funcionamiento de un transistor es la base ligeramente contaminada entre el
emisor contaminado intensamente y la contaminación intermedia del colector. Los
electrones libres que pasan a través de la base hacia el colector tienen un corto tiempo de
vida. Debido a que la base es delgada, los electrones libres pueden llegar al colector. En
cambio, con dos diodos discretos ánodo con ánodo, se tienen 4 regiones contaminadas
en vez de tres, y no habrá nada que se asemeje a la región delgada de base que hay
entre un emisor y un colector.

Características del transistor

Una forma de visualizar como opera un transistor es a través de graficas que indiquen los
voltajes y corrientes del transistor. Estas curvas I-v serán más complicadas que aquellas
donde se estudió el diodo porque se tiene que incluir el efecto de la corriente de base.

Curvas de colector

Se puede obtener información para el trazado de curvas de colector en la configuración


CE haciendo un circuito como se indica en la figura 5-10ª, o por medio de un trazador de
curvas de transistores. De cualquier manera, la idea es hacer variar las fuentes Vbb y Vcc
para obtener diferentes voltajes y corrientes en el transistor. Para hacer todo en forma
ordenada, el procedimiento usual es establecer un valor de Ib y mantenerlo fijo mientras
se varia Vcc. Midiendo Ic y Vce, se puede obtener información para el trazado de la
gráfica Ic contra Vce. Por ejemplo, supóngase que se ajusta Ib a 10uA en la figura 5-10ª.
En seguida se varia Vcc y se miden los resultados de Ic y Vce. A continuación se trazan
los datos proporcionados en la figura 5-10b.

No hay nada de misterio en la figura 5-10b; es simplemente una representación de lo que


se ha explicado sobre la operación del transistor. Cuando Vce es cero, el diodo colector
no está polarizado inversamente, por lo cual, la corriente de colector es muy pequeña.
Para Vce, aproximadamente entre cero 1 V, la corriente de colector se eleva en forma
muy aguda y después se

Mantiene casi constante. Esto está relacionado con la idea de polarización inversa del
diodo colector. Toma aproximadamente 0.7 V la polarización inversa de este diodo; una
vez alcanzado este nivel, el colector recoge todos los electrones que llegan a su capa de
agotamiento.

Arriba del codo, el valor exacto de Vce no es tan importante porque aun haciendo más
elevada la colina de colector, no aumenta apreciablemente la corriente de colector. El
pequeño incremento de la corriente de colector que se tiene por el aumento de Vce, se
debe a que la capa de colector se extiende más adentro de la base y captura más
electrones antes que caigan en los huecos (menor recombinación). Teniendo el transistor
una Bcc, de aproximadamente 100, la corriente de colector es casi 100 veces la corriente
de base.

Si se aumenta Vce demasiado, el diodo colector pasa a ruptura y la acción normal del
transistor se pierde. Entonces el transistor cesa de actuar como una fuente de corriente.
La variación máxima de voltaje en un transistor es el intervalo de voltaje colector- emisor
sobre el cual el transistor actúa como una fuente de corriente. En la figura 5-10b, este
intervalo de voltaje Vce está entre 1 V y el voltaje de ruptura. Manténgase el transistor en
esta región activa y funcionara como fuente controlada de corriente. Si se mantiene fuera
de este intervalo, se pierde la acción normal del transistor.

Si se hacen las mediciones de Ic y Vce para Ib= 20uA, se puede hacer el trazado de la
gráfica como indica la figura 5-10c. La curva es similar, excepto que arriba del codo la
corriente colector es aproximadamente igual a 2mA. Una vez más, un incremento en Vce
produce un pequeño incremento en la corriente de colector porque el ensanchamiento de
las capas de agotamiento.

Permite capturar unos cuantos electrones adicionales de la base. Además, un voltaje


excesivo en el colector ocasionara la ruptura en este.

Si se reúnen varias curvas para diferentes Ib y se dibujan en la misma gráfica, se obtienen


curvas de colector como se indica en la figura 5-11. Como se ha usado un transistor como
una Bcc de aproximadamente 100, la corriente del colector es casi 100 veces mayor que
la corriente de base para para cualquier punto de la región activa. Estas curvas se llaman
comúnmente curvas estáticas de colector, porque se trazan los valores de voltajes y
corrientes de cc.
Observase la curva inferior, donde la corriente de base es cero; existe una corriente de
colector pequeña, debida a la corriente de fuga del diodo colector. Para transistores de
silicio esta corriente de fuga es normalmente muy pequeña, por lo que se desprecia en la
mayor parte de las aplicaciones. Por ejemplo, un transistor 2N3904 tiene una corriente de
fuga de solo 50 nA, lo cual hace por completo imposible observar la curva inferior de la
figura 5-11.

También deben observarse los voltajes de ruptura, que disminuyen cuando las corrientes
son mayores; esto significa que el voltaje permisible en un transistor decrece para
corrientes altas de colector. Lo importante es evitar la ruptura bajo todas las condiciones,
lo que garantiza que el transistor opere en la región activa.

La mayor parte de las hojas técnicas sobre transistores no indican las curvas de colector;
si se desea ver la curva de algún transistor en particular, se utiliza un trazador de curvas.
Este instrumento muestra las curvas de colector en forma similar a las que se tienen en la
figura 5-11. Si se prueban diferentes transistores, se notaran cambios en el voltaje de
codo, Bcc, en el voltaje de ruptura, etc. Como regla general, las curvas de un transistor
muestran una gran variación de un transistor a otro del mismo número.

Voltaje de saturación del colector

La figura 5-15 muestra una de las curvas de colector; los comentarios que siguen pueden
aplicarse a cualquier curva de colector. La parte inicial de la curva se llama región de
saturación, que comprende toda la curva entre el origen y el codo. La parte plana de la
curva es la región activa, que es donde el transistor debe operar si se desea que actúe
como una fuente controlada de corriente. La parte final de la curva es la región de
ruptura, la cual debe evitarse en toda costa.

En la región de saturación el diodo colector está en polarización directa, la acción normal


del transistor se pierde y el transistor actúa como resistencia óhmica pequeña en lugar de
fuente de corriente. Un aumento adicional en la
Corriente de base no puede producir un incremento adicional en la corriente de colector.
El voltaje colector- emisor en la región de saturación es generalmente de unos cuantos
decimos de volt, dependiendo de la cantidad de corriente de colector que haya.

Para que el transistor opere en la región activa, el diodo colector debe estar polarizado
inversamente; esto requiere un Vce mayor a 1 volt, aproximadamente. Como una guía,
muchas hojas de información técnica indican un Vce es de solo unos cuantos decimos de
volt, por lo que una operación normal requiere un Vce mayor que Vce.

Especificaciones del transistor

Los transistores de pequeña señal puden disipar medio watt. Cuando se consulten las
hojas de información técnica para cualquier tipo de transistor, debe principiarse con las
especificaciones nominales máximas porque estas delimitan las corrientes, los voltajes y
otros parámetros importantes del transistor.

Como ejemplo, las especificaciones nominales máximas para el transistor 2N3904 se


indican a continuación:

Vceo 40 V

Vcbo 60 V

Vebo 6V

Ic 200 mA cc

Pd 310 Mw
Todos los voltajes nominales son voltajes de ruptura inversa. El primer parámetro nominal
es Vceo, el cual indica el voltaje de colector a emisor con la base abierta, Vcbo es el
voltaje entre el colector y la base con el emisor abierto. Vebo es el voltaje del emisor a la
base con el colector abierto. Ic es la corriente máxima nominal de cc de colector; esto
significa que un transistor 2N3904 puede manejar hasta 200 mA de corriente estable.

El ultimo parámetro nominal, pd, es la máxima potencia nominal del dispositivo. Se puede
calcular la disposición de potencia de un transistor por medio de:

Pd = VceIc (5-6)

Por ejemplo, si un transistor 2N3904, tiene un V ce = 20 V y una Ic = 10mA, entonces

Pd = 20 V x 10mA = 200 mW

Esto es menor a la potencia nominal, que es de 310mW. Así como el voltaje de ruptura,
un buen diseño debe incluir un factor de seguridad para asegurar una duración más larga
del transistor. Un factor de seguridad de dos o más es normal. Por ejemplo, si 310mW es
la potencia máxima nominal, un factor de seguridad de dos requiere una disipación de
potencia menor a 115mW. (Algunos transistores necesitan un disipador de calor, que es
una pieza metálica colocada en la parte exterior del transistor para protegerlo de
calentamiento excesivo. El capítulo 10 explica mejor este tema.)

El transistor interruptor

La forma más fácil de utilizar un transistor es como un interruptor, significa que debe
operarse en el punto de saturación o de corte y no en alguna otra parte de la trayectoria
de la línea de carga. Cuando un transistor se satura, actúa como un interruptor cerrado
entre el colector y el emisor. Cuando un transistor esta en corte, actúa como un interruptor
abierto.

Corriente de base

La figura 5-17ª muestra el circuito que hemos analizado hasta ahora; la figura 5-17b es la
forma en que normalmente se dibujara el circuito. Sumando los voltajes alrededor de la
malla de entrada, se obtiene

Ib Rb + Vbe – Vbb = 0
Despejando Ib, se obtiene

Esta es la ley de Ohm para el resistor de base; por ejemplo, suponiendo que Vbb = 5 V y
Rb = 1MΩ, entonces,

Si la corriente de base es mayor o igual a Ib(sat), el punto de operación Q está en la parte


superior de la línea de carga (figura 5-17c). En este caso, el transistor actúa como un
interruptor cerrado. Por otra parte, si la corriente de base es cero, el transistor opera en la
parte inferior de la línea de carga y actúa como un interruptor abierto.