2.

Operación del Diodo

Electrónica Analógica
 Operación del Diodo
Temas:
• Operación de un diodo
• Característica de voltaje-corriente de un diodo
• Modelos del diodo
• Ideal
• Práctico
• Completo
• Exponencial
• Pequeña señal a baja frecuencia
• Pspice/Spice
• AC a alta frecuencia
 Operación del Diodo
Objetivos
• Utilizar un diodo en aplicaciones comunes
• Analizar la característica de voltaje-corriente de un diodo
• Explicar cómo difieren los modelos de diodos
• Explicar y analizar la operación de rectificadores de media onda
• Explicar y analizar la operación de rectificadores de onda completa
• Explicar y analizar la operación y las características de filtros y reguladores de fuentes de
alimentación
• Explicar y analizar la operación de circuitos limitadores y sujetadores con diodos
• Explicar y analizar la operación de multiplicadores de voltaje con diodos
• Interpretar y utilizar una hoja de datos de un diodo
• Solución de fallas de fuentes de potencia y circuitos de diodo
 Operación de un Diodo
El Diodo
• Como se ha mencionado, un diodo está hecho de una pequeña pieza de material
semiconductor, usualmente Silicio, en el que una mitad está dopada con una región p y la
otra mitad está dopada con una región n teniendo una unión pn con una región de
empobrecimiento.

• La región p se denomina ánodo y está conectada a un terminal conductor.

• La región n se denomina cátodo y está conectada a un segundo terminal conductor

 Operación de un Diodo
El Diodo
 Operación de un Diodo
Polarización de un Diodo
• Como ya se aprendió, en el punto de equilibrio ningún electrón se mueve a través de la
unión pn.

• En general el término polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer

ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico.

• En relación con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa.

• Cualquiera de estas condiciones de polarización se establece conectando un voltaje de cc

suficiente y con la polaridad apropiada a través de la unión pn.
 Operación de un Diodo
Polarización en directa
 Operación de un Diodo
Polarización en directa

Un diodo polarizado en directa que muestra el flujo de portadores mayoritarios y el

voltaje debido al potencial de barrera a través de la región de empobrecimiento.
 Operación de un Diodo
Polarización en directa
• Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la fuente de voltaje de polarización
“empuja” a los electrones libres, los cuales son los portadores mayoritarios en la región n,
hacia la unión pn.
• Este flujo de electrones libre se llama corriente de electrones. El lado negativo de la fuente
también genera un flujo continuo de electrones a través de la conexión externa (conductor)
y hacia la región n como muestra la figura.
• La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente energía a los electrones libres
para que venzan el potencial de barrera de la región de empobrecimiento y continúen
moviéndose hacia la región p.
• Una vez que llegan a la región p, estos electrones de conducción han perdido suficiente
energía para combinarse de inmediato con los huecos presentes en la banda de valencia.
 Operación de un Diodo
Polarización en directa
• Entonces, los electrones quedan en la banda de valencia de la región p simplemente porque
perdieron demasiada energía al vencer el potencial de barrera y permanecer en la banda de
conducción.
• Como las cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de polarización
atrae los electrones de valencia hacia el extremo izquierdo de la región p.
• Los huecos en la región p proporcionan el medio o “ruta” para que estos electrones de
valencia se desplacen hacia la región p.
• Los electrones de valencia se desplazan de un hueco al siguiente hacia la izquierda. Los
huecos, que son portadores mayoritarios en la región p, efectivamente (no en realidad) se
desplazan a la derecha hacia la unión, como ilustra la figura.
• Este flujo efectivo de huecos es la corriente de huecos. También se ve que el flujo de
electrones de valencia a través de la región p crea la corriente de huecos y los huecos son el
único medio para que estos electrones fluyan.
 Operación de un Diodo
Polarización en directa
• A medida que los electrones salen de la región p a través de la conexión externa (conductor)
en dirección al lado positivo de la fuente de voltaje de polarización, dejan huecos en la
región p; al mismo tiempo, estos electrones se convierten en electrones de conducción en el
conductor metálico.
• Recuerde que la banda de conducción de un conductor se traslapa con la banda de valencia
de modo que se requiere mucho menos energía para que un electrón sea un electrón libre
en un conductor que en un semiconductor, y que los conductores metálicos no tienen
huecos en su estructura.
• Existe disponibilidad continua de huecos que efectivamente se mueven hacia la unión pn
para combinarse con la corriente continua de electrones cuando atraviesan la unión pn hacia
la unión p.
 Operación de un Diodo
Efecto de la polarización en directa en la región de empobrecimiento
• A medida que fluyen más electrones hacia la región de empobrecimiento, el número de
iones se reduce.

• Conforme más huecos fluyen hacia la región de empobrecimiento del otro lado de la unión
pn, el número de iones negativos se reduce.

• Esta reducción de iones positivos y negativos durante la polarización en directa hace que la
región de empobrecimiento se estreche.
 Operación de un Diodo
Efecto de la polarización en directa en la región de empobrecimiento

La región de empobrecimiento se estrecha y se produce una caída de voltaje a través de la

unión pn cuando el diodo está polarizado en directa.
 Operación de un Diodo
Efecto del potencial de barrera durante la polarización en directa
• Cuando se aplica polarización en directa, los electrones libres reciben suficiente energía de
la fuente de voltaje de polarización para vencer el potencial de barrera y “escalar la colina de
energía”, atravesando así la región de empobrecimiento.
• La energía que requieren los electrones para pasar a través de la región de empobrecimiento
es igual al potencial de barrera. En otras palabras, los electrones ceden una cantidad de
energía equivalente al potencial de barrera cuando atraviesan la región de
empobrecimiento.
• Esta pérdida de energía produce una caída de voltaje a través de la unión pn igual al
potencial de barrera (0.7 V. Ocurre una caída de voltaje adicional a través de las regiones p y
n debido a la resistencia interna del material.
• En el caso de un material semiconductor dopado, esta resistencia, llamada resistencia
dinámica, es muy pequeña y casi siempre se puede despreciar.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• La polarización inversa es la condición que en escencia evita la circulación de corriente a
través del diodo.
• En la figura se muestra una fuente de voltaje de cc conectada a través de un diodo en la
dirección que produce polarización en inversa.
• Este voltaje de polarización externo se designa como VPOLARIZACIÓN, como en el caso de
polarización en directa.
• Observe que el lado positivo de VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el
lado negativo está conectado a la región p.
• Observe también que la región de empobrecimiento se muestra mucho más ancha que la
condición de polarización en directa o equilibrio.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa

El diodo durante el corto tiempo de transición inmediatamente después de

que se aplica el voltaje de polarización en inversa
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• La figura ilustra lo que sucede cuando un diodo se polariza en inversa. Como las cargas
diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de polarización “jala” los
electrones libres, los cuales son los portadores mayoritarios en la región n, lejos de la unión
pn.
• A medida que los electrones fluyen hacia el lado positivo de la fuente de voltaje, se crean
iones positivos adicionales. Esto produce el ensanchamiento de la región de
empobrecimiento y el consecuente empobrecimiento de los portadores mayoritarios.
• En la región p, los electrones procedentes del lado negativo de la fuente de voltaje entran
como electrones de valencia y se desplazan de hueco en hueco hacia la región de
empobrecimiento, donde crean iones negativos adicionales.
• Esto ensancha la región de empobrecimiento y agota los portadores mayoritarios. El flujo de
electrones de valencia puede ser considerado como huecos que están siendo “jalados” hacia
el lado positivo.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• El flujo inicial de portadores de carga es transitorio y subsiste sólo durante un lapso muy
corto después de que se aplica el voltaje de polarización en inversa.
• Conforme la región de empobrecimiento se ensancha, la disponibilidad de portadores
mayoritarios se reduce. A medida que más regiones n y p se quedan sin portadores
mayoritarios, la intensidad del campo eléctrico entre los iones positivos y negativos se
incrementa hasta que el potencial a través de la región de empobrecimiento es igual al
voltaje de polarización, VPOLARIZACIÓN.
• En ese momento, la corriente de transición en esencia cesa, excepto por una muy pequeña
corriente en inversa que casi siempre se puede despreciar.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• Corriente en inversa. La corriente extremadamente pequeña que existe en la condición de
polarización en inversa después de que la corriente de transición se disipa es provocada por
los portadores minoritarios en las regiones n y p producidos por pares de electrón-hueco
generados térmicamente.
• El pequeño número de electrones minoritarios libres en la región p son “empujados” hacia la
unión pn por el voltaje de polarización negativo. Cuando estos electrones llegan a la región
de empobrecimiento ancha, “descienden la colina de energía”, se combinan con huecos
minoritarios presentes en la región n como electrones de valencia, fluyen hacia el voltaje de
polarización positivo y se crea una pequeña corriente de huecos.
• La banda de conducción de la región p está a un nivel de energía mucho más alto que la
banda de conducción en la región n. Así pues, los portadores minoritarios pasan con
facilidad a través de la región de empobrecimiento porque no requieren energía adicional.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• Corriente en Inversa.

La extremadamente pequeña corriente en inversa en un diodo polarizado en inversa

se debe a los portadores minoritarios provenientes de pares de electrón-hueco
térmicamente generados.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• Ruptura en inversa. Normalmente, la corriente en inversa es tan pequeña que se puede
despreciar. No obstante, si el voltaje de polarización en inversa externo se incrementa a un
valor llamado voltaje de ruptura, la corriente en inversa se incrementará drásticamente.
• Esto es lo que sucede. El alto voltaje de polarización en inversa proporciona energía a los
electrones minoritarios, así que a medida que adquieren velocidad a través de la región p
chocan con átomos con suficiente energía para sacar a los electrones de valencia de su
órbita para enviarlos hacia la banda de conducción.
• Los electrones de conducción recién creados también contienen mucha energía y repiten el
proceso. Si un electrón expulsa a sólo otros dos electrones de su órbita de valencia durante
su recorrido a través de la región p, los números se multiplican con rapidez.
• A medida que estos electrones de alta energía pasan a través de la región de
empobrecimiento, su energía es suficiente para atravesar la región n como electrones de
conducción en lugar de combinarse con huecos.
 Operación de un Diodo
Polarización Inversa
• Ruptura en inversa. La multiplicación de los electrones de conducción recién descrita se
conoce como efecto avalancha y la corriente en inversa puede incrementarse
dramáticamente si no se toman las medidas pertinentes para limitar la corriente.
• Cuando no se limita la corriente en inversa, el calentamiento resultante daña
permanentemente el diodo.
• La mayoría de los diodos no son operados en condición de ruptura en inversa, pero si se
limita la corriente (por ejemplo mediante la adición de un resistor limitador en serie), el
diodo no sufre daños permanentes.
 Operación de un Diodo
Efectos Capacitivos de la unión PN
• Hay dos mecanismos de almacenamiento de carga en la unión PN.
• Uno está asociado con la carga almacenada en la región de agotamiento, y el otro está
asociado con la carga almacenada en los portadores minoritarios en materiales tipo p y n
como un resultado de la concentración de perfiles establecidos por la inyección de
portadores.
• Si bien la primera es más fácil de ver cuando la función está polarizada inversamente, la
segunda es efectiva sólo cuando la unión está polarizada en directa.
• Los diodos polarizados en directa y en inversa tienen una capacitancia asociada con la unión
pn.
• Esta capacitancia es importante en condiciones de señal dinámica porque evita que el
voltaje a través del diodo cambie instantáneamente.
 Operación de un Diodo
Efectos Capacitivos de la unión PN
• Capacitancia de Unión o de Empobrecimiento (Agotamiento). CJ
• Bajo polarización inversa, el ancho de la región de empobrecimiento aumenta más allá de su
valor de polarización cero, por lo tanto la cantidad de carga en la región de agotamiento
también aumenta.
• Dado que la carga en el diodo está cambiando con voltaje, resulta una capacitancia.
 Operación de un Diodo
Efectos Capacitivos de la unión PN
• Capacitancia de Unión o de Empobrecimiento (Agotamiento). CJ
• La ecuación muestra que la capacitancia del diodo cambia con la tensión aplicada.
• La capacitancia disminuye a medida que aumenta la polarización inversa, exhibiendo una
relación inversa de raíz cuadrada.
• Esta capacitancia controlada por voltaje puede ser muy útil en ciertos circuitos electrónicos.
Los diodos se pueden diseñar con perfiles de impureza (llamados perfiles hiper-abruptos)
optimizados específicamente para el funcionamiento como condensadores controlados por
voltaje.
• Como en el caso de los diodos Zener, existe un símbolo especial para el diodo de
capacitancia variable.
• Enlaces a hojas de datos para una serie de diodos de capacitancia variable se pueden
encontrar en el sitio web de MCD.
 Operación de un Diodo
Efectos Capacitivos de la unión PN
• Capacitancia de Difusión. Cd
• Cuando la unión está polarizada en directa, la región de agotamiento se hace más estrecha y
la capacidad de agotamiento aumenta porque la tensión de polarización vD es positiva.
• Sin embargo, un gran número de portadores minoritarios son inyectados en la unión bajo la
condición de polarización directa.
• Habrá un exceso de portadores de carga minoritaria cerca de la capa de agotamiento, y esto
causará un gran efecto de almacenamiento de carga.
• El exceso de concentración será más alto cerca del borde de la capa de agotamiento y
disminuirá exponencialmente hacia cero con la distancia desde la unión.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Característica V-I en condición de polarización en directa

Las mediciones de polarización en directa muestran cambios generales en VF e IF a medida

que se incrementa el VPOLARIZACIÓN.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Característica V-I en condición de polarización en directa

Relación de voltaje y corriente en un

diodo polarizado en directa.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Característica V-I en condición de polarización en directa
• Resistencia dinámica. A diferencia de la resistencia lineal, la resistencia del diodo polarizado
en directa no es constante a lo largo de toda la curva. Como la resistencia cambia al ir
recorriendo la curva V-I, se llama resistencia dinámica o de ca.
• Las resistencias internas de los dispositivos electrónicos en general se expresan mediante la
letra r minúscula cursiva con un apóstrofo, en lugar de la R estándar.
• La resistencia dinámica de un diodo se expresa como r ’D.
• Debajo de la inflexión de la curva, la resistencia es más grande porque la corriente se
incrementa muy poco con un cambio dado del voltaje

• La resistencia comienza a disminuir en la región de la inflexión de la curva y se vuelve

pequeña por encima de la inflexión donde la corriente sufre un gran cambio con un cambio
dado del voltaje.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Característica V-I en condición de polarización en inversa
• Cuando se aplica un voltaje de polarización en inversa a través de un diodo, existe sólo una
corriente en inversa extremadamente pequeña (IR) a través de la unión pn.
• Con 0 V a través del diodo, no existe corriente en inversa. A medida que se incrementa
gradualmente el voltaje de polarización en inversa, existe una corriente en inversa muy
pequeña y el voltaje a través del diodo se incrementa.
• Cuando el voltaje de polarización aplicado se incrementa a un valor en el que el voltaje en
inversa a través del diodo (VR) alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente en inversa
comienza a incrementarse con rapidez.
• A medida que continúa incrementándose el voltaje de polarización, la corriente continúa
incrementándose muy rápido, pero el voltaje a través del diodo se incrementa muy poco por
encima de VBR.
• La ruptura, con excepciones, no es un modo normal de operación de la mayoría de los
dispositivos con unión pn.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Característica V-I en condición de polarización
en inversa
• Trazo de la curva V-I. El voltaje en inversa en
el diodo (VR) se incrementa a la izquierda a lo
largo del eje horizontal y la corriente en
inversa (IR) se incrementa hacia abajo a lo
largo del eje vertical.
• Existe muy poca corriente en inversa (casi
siempre mAo nA) hasta que el voltaje en
inversa a través del diodo alcanza
aproximadamente el valor de ruptura (VBR) en
la inflexión de la curva.
• Después de este punto, el voltaje en inversa
permanece a aproximadamente VBR, pero IR
se incrementa muy rápido y el resultado es
un sobrecalentamiento y posibles daños si la
corriente no se limita a un nivel seguro.
Curva de característica V-I para un
diodo polarizado en inversa
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Curva Característica V-I Completa

La curva de la característica
V-I para un diodo
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Efectos de la Temperatura
• Para un diodo polarizado en directa, a
medida que se incrementa la temperatura, la
corriente de polarización en directa se
incrementa para un valor dado del voltaje de
polarización en directa.
• Además, con un valor dado de la corriente de
polarización en directa, el voltaje de
polarización en directa se reduce.
• El potencial de barrera se reduce 2 mV por
cada grado de incremento de la temperatura.
• Para un diodo polarizado en inversa, a
medida que se incrementa la temperatura la
corriente de polarización en inversa se
incrementa.
 Característica de voltaje-corriente de un diodo
Efectos de la Temperatura

Figure 4.9 Temperature dependence of the diode forward characteristic. At a

constant current, the voltage drop decreases by approximately 2 mV for every 1°C
increase in temperature.
 Modelos del diodo
Conexiones de Polarización
 Modelos del diodo
El Modelo Ideal del diodo. Polarización Directa
 Modelos del diodo
El Modelo Ideal del diodo. Polarización Inversa
 Modelos del diodo
Modelo Práctico de un diodo. Polarización Directa
 Modelos del diodo
Modelo Práctico de un diodo. Polarización Inversa
 Modelos del diodo
Modelo Completo del diodo. Polarización Directa
 Modelos del diodo
Modelo Completo del diodo. Polarización Inversa
 Modelos del diodo
Modelo Completo del diodo. Ejercicios
 Modelos del Diodo
Modelo Exponencial
 Modelos del Diodo
Modelo Exponencial

• El coeficiente de emisión n depende del material y de la construcción física del diodo. Para
los diodos de germanio, n se considera 1.
• Para diodos de silicio, el valor predicho de n es 2 con corrientes muy pequeñas o grandes;
Pero para la mayoría de los diodos de silicio prácticos, el valor de n se sitúa en el intervalo de
1,1 a 1,8.
 Modelos del Diodo
Modelo Exponencial
 Modelos del Diodo
Modelo Exponencial
• Polarización Directa

• Polarización Inversa
 Modelos del Diodo
Análisis gráfico usando el modelo exponencial
 Modelos del Diodo
Modelo de Pequeña Señal a Baja Frecuencia
• En los circuitos electrónicos, una fuente de corriente continua establece normalmente el
punto de funcionamiento de la corriente continua de los dispositivos electrónicos, incluidos
los diodos, y una señal de corriente alterna se suele entonces superponer en el punto de
funcionamiento.
• De este modo, el punto de funcionamiento, que consta tanto de una componente de CC
como de una señal de CA, variará con la magnitud de la señal de CA
• Dado que la característica iD-vD de un diodo es no lineal, la corriente de diodo iD también
variará de forma no lineal con la tensión de señal de CA.
• La magnitud de la señal de CA es generalmente pequeña, sin embargo, por lo que el punto
de funcionamiento cambia sólo por una pequeña cantidad.
• Por lo tanto, la pendiente de la característica (DiD frente a DvD) puede aproximarse
linealmente. Bajo esta condición, podemos representar el diodo como una resistencia para
determinar la respuesta del circuito a esta pequeña señal AC. Es decir, la característica de
diodo no lineal puede linealizarse en el punto de funcionamiento.
 Modelos del Diodo
Modelo de Pequeña Señal a Baja Frecuencia
 Modelos del Diodo
Modelo de Pequeña Señal a Baja Frecuencia
 Modelos del Diodo
Modelo del Diodo en Pspice/Spice
 Modelos del Diodo
Modelo del Diodo AC a alta frecuencia
• Un diodo práctico, exhibe algunos efectos capacitivos que necesitan ser incorporados en
cualquier modelo de alta frecuencia con el fin de obtener la respuesta dependiente del
tiempo de un circuito de diodo.
• Hemos visto que existe una capa de agotamiento en la unión pn polarizada inversamente de
diodos. Es decir, hay una región empobrecida de portadores, que separa dos regiones de
conductividad relativamente buena. Así tenemos en esencia un condensador de placa
paralela, con silicio como el dieléctrico (Capacitancia de Unión Cj).
• Además, hay una inyección de un gran número de portadores minoritarios bajo condiciones
de polarización directa. Por lo tanto, existen dos tipos de capacitancia: agotamiento y
difusión (Capacitancia de Difusión Cd).
 Modelos del Diodo
Modelo del Diodo AC a alta frecuencia