Cap Ii Diodos 20B-2

Ma. Soledad Jiménez, MSc.
CAPÍTULO II
EL DIODO SEMICONDUCTOR
Capítulo 1: DIODOS
• 1.1 Estudio de los elementos semiconductores.
• 1.2 Construcción y principios de funcionamiento del
• diodo semiconductor.
• 1.3 Características y parámetros, circuito equivalente.
• 1.4 Aplicaciones, rectificadores y filtros pasivos.
• 1.5 Diodos para aplicaciones generales: Zener, diodos rápidos, aplicaciones.
2.1 CONSTRUCCIÓN Y PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Los materiales P y N son los bloques constitutivos fundamentales de diversos dispositivos

semiconductores que se utilizan actualmente. El diodo semiconductor se forma por la unión de una
capa N y una capa P.
A un diodo se lo representa de la siguiente manera:
El ánodo (A) o punta de la flecha corresponde a la región P, y la barra al cátodo (K) que
corresponde a la región N.
La unión PN constituye la frontera entre una capa de material tipo P y otra tipo N que se han
llevado a un contacto íntimo.
Un diodo es un dispositivo de dos terminales (ánodo y cátodo) por lo que la aplicación de voltaje
entre sus terminales implica que se podrían dar tres situaciones:
• No se aplica ningún voltaje al diodo, es decir NO se lo polariza al dispositivo (VD = 0V)

• Se aplica un voltaje al ánodo superior al del cátodo, es decir se polariza directamente al
dispositivo (VD > 0V)
• Se aplica un voltaje al ánodo inferior al del cátodo, es decir se polariza inversamente al
dispositivo (VD < 0V)
Estas tres situaciones serán analizadas y se determinará en cada escenario el comportamiento del
diodo.
1
Se asume la siguiente representación para las capas P y N: En la capa P los círculos con signo
menos (-) de la región P representan los iones negativos ligados de la impureza, estos iones se
generarán cuando los huecos de los átomos aceptores de P capturen electrones a fin de llenar dichos
huecos. Los signos mas (+) representan los huecos libres (portadores mayoritarios) desplazándose
a través de la región P, también habrá unos pocos electrones (portadores minoritarios de la capa
P).
Análogamente los círculos con signo mas (+) de la región N representan los iones positivos ligados
a la impureza que se generarán cuando el quinto electrón (débilmente ligado) del átomo donador
abandone dicho átomo. Los signos menos (-) representan los electrones libres (portadores
mayoritarios) desplazándose a través de la región N, también habrá unos pocos huecos (portadores
minoritarios de la capa N).
Fig.2.1 Representación (a) capa N y (b) capa P que forman una unión.
Tanto la región P como la región N son eléctricamente neutras, pues hay exactamente tantos
huecos libres como iones negativos en la región P y tantos electrones libres como iones positivos
en la región N.
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2.1.1 EL DIODO SEMICONDUCTOR SIN POLARIZACIÓN, (VD = 0V)
Si en un tiempo cero una capa de material tipo P se junta con una capa de material tipo N, es decir
supóngase que se acaba de formar la unión PN, que la temperatura es constante y que no se aplica
tensión alguna a través del diodo, en estas condiciones ocurre lo siguiente:
El lado P está cargado con huecos libres e iones negativos ligados, mientras que en el lado N
abundan los electrones y los iones positivos inmóviles. Como la concentración de huecos en el
lado P, en la vecindad de la unión, es muchísimo mayor que en el lado N, éstos se difundirán hacia
N; análogamente los electrones del lado N, en la vecindad de la unión, se difunden a través de la
unión hacia el lado P. Por cada hueco que atraviesa la unión de P a N queda un ión negativo inmóvil
sin neutralizar en el lado P, análogamente cada electrón que cruza desde N hacia P deja un ión
positivo sin neutralizar en N, lo que origina una carencia de portadores en la región cercana a la
unión, la misma que recibe el nombre de REGIÓN DE AGOTAMIENTO, VACÍA o DE
EMPOBRECIMIENTO.
Los iones inmóviles sin neutralizar en la vecindad de la unión se llaman CARGAS

DESCUBIERTAS y el campo eléctrico entre ellas puede representarse como una batería (color
rojo) colocada a través de la unión.
Fig.2.2 Formación de la región de agotamiento.
Los huecos, portadores mayoritarios de P, que cruzan desde la región P hasta N se recombinan
con electrones en el lado N, análogamente los electrones (portadores mayoritarios) que emigran
de la región N se recombinan con huecos del lado P. Este flujo de huecos del lado P al N y de
electrones del lado N al P constituye una CORRIENTE DE RECOMBINACIÓN a través de la
unión. Sin embargo, esta corriente de recombinación no persiste con un valor constante, sino más
bien disminuye por el hecho de que el proceso de recombinación continúa descubriendo cargas en
las proximidades de la unión. Los iones negativos descubiertos en el lado P comienzan a rechazar
a los electrones del lado N, mientras que los iones positivos descubiertos en el lado N rechazan a
los huecos del lado P. En consecuencia, la batería representa el potencial de barrera establecido
3
por las cargas descubiertas, la cual se opone a la corriente de recombinación.
ECUACIÓN DEL DIODO
Puede demostrarse que si Ir0 es la corriente de recombinación que representa el número neto de
portadores que inician el camino a través de la unión, el número real de los que sobrepasan la
barrera es Ir, por tanto la corriente de recombinación será:
−𝑉𝐵
𝐾𝑇
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟0 𝑒 𝑒
en donde:
VB = altura de la barrera en voltios en condiciones de equilibrio (0.3 para Ge y 0.7 para Si).
e = carga del electrón = 1.6*10-19 coulombios.
K = Constante de Boltzman = 1.38*10-23 J/ °K.
T = Temperatura absoluta en °K.
Sin embargo, la región P contendrá algunos electrones originados por la ruptura de enlaces
covalentes a causa de la agitación térmica, los cuales constituyen portadores minoritarios. Si este
electrón de la región P logra desplazarse hasta la proximidad de la unión caerá bajo la influencia
del campo eléctrico que en ella existe. La dirección del campo eléctrico es tal que el electrón será
arrastrado a través de la región vacía (región que contiene las cargas descubiertas), pues es atraído
por los iones positivos descubiertos en N. Análogamente, la región N tendrá portadores
minoritarios huecos que atravesarán la unión gracias a la dirección del campo eléctrico que en
ella existe, generándose en consecuencia una corriente de portadores minoritarios. A esta
corriente debida a los portadores minoritarios se le denomina CORRIENTE DE GENERACIÓN
TÉRMICA (depende sólo de la temperatura).
Cuando no existe tensión externa aplicada (diodo sin polarización), las condiciones de
equilibrio serían:
• Existirá una corriente neta de recombinación Ir a través de la unión constituida por los
huecos Irp que saltan la barrera del lado P al lado N y los electrones Irn que saltan la barrera
en dirección opuesta. Como un hueco que circula de izquierda a derecha es equivalente a
un electrón que circula de derecha a izquierda, las dos componentes de la corriente de
recombinación son aditivas1, entonces
I r = I rp + I rn
1
Se asume como sentido convencional de circulación de corriente aquel correspondiente al desplazamiento de
cargas positivas.
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• Así mismo existe una corriente neta generada térmicamente Ig debido a que los
portadores minoritarios son arrastrados a través de la barrera. Esta corriente generada
térmicamente tendrá también dos componentes, una componente de huecos Igp que circula
de N a P y una componente de electrones Ign que circula de P a N, por tanto:
I g = I gp + I gn
La corriente generada térmicamente Ig depende de la temperatura T, siendo a veces llamada

corriente de saturación Is. En condiciones de equilibrio, los portadores que cruzan la unión debido
a Ig anulan a los debidos a Ir. El resultado neto es que la corriente total en la unión es cero. La
altura de la barrera asumirá un potencial de valor tal que permita que la corriente de recombinación
iguale exactamente a la corriente generada térmicamente.
Si la corriente neta de la unión es cero, las corrientes netas de huecos y de electrones también serán
nulas, es decir se cumplirá:
𝐼𝑟𝑝 = 𝐼𝑔𝑝 ; 𝐼𝑟𝑛 = 𝐼𝑔𝑛
𝐼𝑟𝑝 + 𝐼𝑟𝑛 = 𝐼𝑔𝑝 + 𝐼𝑔𝑛 ⟶ 𝐼𝑟 = 𝐼𝑔 ⟶ 𝐼𝑟 − 𝐼𝑔 = 0
Cuando 𝐼𝑟 - 𝐼𝑔 = 0 se ha llegado a formar completamente la barrera de potencial y en ese instante

el sistema está en equilibrio. A temperatura ambiente, la altura de la barrera, VB (Voltaje de
barrera o codo), es de unos 0.2 - 0.3V para el Germanio y de unos 0.6 – 0.7 V para el Si.
Si no se aplica tensión, esto es VD = 0, la corriente de recombinación iguala a la de generación

térmica, de manera que la corriente de generación térmica o saturación vendrá dada por:
−𝑉𝐵
𝐾𝑇
𝐼𝑟 = 𝐼𝑔 ⟶ 𝐼𝑔 = 𝐼𝑟0 𝑒 𝑒
CONCLUSIÓN: Si no se aplica tensión al diodo, esto es VD = 0, la corriente exterior que circula

por el dispositivo es nula ID = 0.
2.1.2 EL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA, (VD > 0V)
Si una fuente de voltaje externa, VD, se conecta al diodo con el extremo de mayor potencial al
ánodo (capa P) y el de menor potencial al cátodo (capa N), el dispositivo se polariza directamente.
En estas condiciones, VD crea un campo eléctrico que se opone al establecido por el potencial de
barrera en el diodo, a esto se llama polarizar directamente al diodo, como consecuencia el
potencial de barrera se reduce.
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Fig.2.3 El diodo en polarización directa.
Al ir aumentando VD la corriente que circula por el diodo aumenta por efecto de reducir la altura
de la barrera, pues la corriente de recombinación aumenta grandemente debido a que un número
de huecos de la región P y electrones de la región N pueden ahora, gracias a la reducción de la
barrera de potencial, atravesar la unión y recombinarse, en consecuencia Ir aumenta; la corriente
generada térmicamente Ig no se incrementa pues es función únicamente de la temperatura y no de
la tensión. Por tanto, para polarización directa se tendrá:
I r  I g
Al aplicar una tensión directa VD, la altura neta de la barrera se reduce a un valor igual a VT - VD,
y la corriente de recombinación correspondiente es:
−(𝑉𝐵 −𝑉𝐷 )
𝐾𝑇
−𝑉𝐵 𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝐾𝑇 𝐾𝑇 𝐾𝑇
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟0 𝑒 𝑒 . 𝑒 𝑒 = 𝐼𝑔 𝑒 𝑒
La corriente neta en la unión será debido a la corriente de recombinación Ir y a la corriente
generada térmicamente Ig, la cual circula con dirección opuesta, por tanto la corriente total en la
unión, que es igual a la corriente exterior ID, es:
VD
ID = I r − I g  I D = I g ( e KT / e - 1)
como Ig por lo general se conoce como corriente de saturación Is, tendremos:

VD
I D = I s ( e KT / e - 1) ECUACION DEL DIODO en PD
A temperatura ambiente (27ͦ C o 300°K) se tiene KT/e = 26 mV.

Supóngase que se aumenta lentamente la tensión VD, en principio la corriente crece lentamente
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pues la tensión aplicada aún no ha reducido lo suficiente la barrera de potencial inherente. Si VD

sigue aumentando por arriba de unas décimas de voltio, por ejemplo, la corriente crece
rápidamente, debido a que VD es lo suficientemente grande como para reducir de modo
significativo el potencial interno de barrera y hacer que la corriente de recombinación sea bastante
grande; sin embargo, la corriente de saturación generada térmicamente permanecerá constante a
menos que se eleve la temperatura del diodo.
Una vez que el potencial interno de barrera se ha reducido grandemente, la corriente queda limitada
por la resistencia de la fuente VD, la resistencia de los conductores externos y la resistencia de masa
del cristal, la cual puede ser baja. Tal resistencia baja (de 1 a 200 Ω) puede hacer que circule una
corriente excesiva, por tanto, en condiciones de polarización directa debe colocarse en serie con el
diodo una resistencia limitadora de corriente.
CONCLUSIONES:
• Polarizar directamente al diodo implica conectar el positivo de la fuente DC al ánodo y el
negativo al cátodo.
• En un diodo semiconductor en PD, si el voltaje externo aplicado VD es menor que el voltaje
de barrera VT, VD < VB, la conducción es muy pobre.
• En un diodo semiconductor en PD, si VD > VB, la conducción es muy alta, por tanto para
que exista conducción en PD el voltaje de polarización debe ser mayor que el voltaje de
barrera.
• En PD la región de empobrecimiento se estrecha.
• En PD la corriente en el diodo es debida esencialmente a los portadores mayoritarios.
VK = VB, también llamado Voltaje codo (VK) o de barrera (VB), recuerde que VB = 0.3V para el
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Ge y VT =0.7 V para el Si.
2.1.3 EL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA, (VD < 0V)
Si invertimos la polaridad de la fuente externa DC (batería) el diodo se polariza inversamente, es

decir el terminal (-) de menor potencial de la batería se conectará al A y el terminal (+) de mayor
potencial al K. Este potencial de la fuente favorece al potencial de barrera de modo que impide
que los portadores mayoritarios crucen la unión, así cuanto más negativo se vuelve VD, más
aumenta la anchura de la región vacía o de empobrecimiento.
Fig.2.4 El diodo en polarización inversa.
Así cuando VD=0, ID=0 pues Ir = Ig. Cuando VD aumenta en dirección negativa, la corriente de
recombinación disminuye mientras Ig permanece invariable, esto explica la parte curvada de la
característica inversa en la vecindad del origen. Para valores de VD negativos, la corriente de
recombinación es despreciable y la corriente externa que circula por el diodo ID es esencialmente
igual a Ig.
Al aplicar una tensión inversa -VD, la altura neta de la barrera tiene un valor igual a VB + VD, y la
corriente de recombinación correspondiente es:
−(𝑉𝐵 +𝑉𝐷 )
𝐾𝑇
−𝑉𝐵 −𝑉𝐷 −𝑉𝐷

𝐾𝑇 𝐾𝑇 𝐾𝑇
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟0 𝑒 𝑒 . 𝑒 𝑒 = 𝐼𝑔 𝑒 𝑒
por tanto la corriente total en la unión, que es igual a la corriente exterior ID, es:
−VD
ID = I r − I g  I D = I g ( e KT / e - 1)
Por lo que la ecuación del diodo en PI será:
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−VD
I D = I s ( e KT / e - 1) ECUACION DEL DIODO en PI
Una gráfica que representa la variación de la corriente en función del voltaje aplicado al diodo se
denomina CURVA CARACTERÍSTICA, la cual para las tres condiciones analizadas sería:
Fig.2.5 Curva Característica del diodo
Sin embargo, al aumentar gradualmente la tensión inversa a través del diodo, se llega a un punto
en que la corriente inversa empieza a crecer abruptamente, el voltaje con el cual se produce tal
crecimiento de corriente se designa como VR (voltaje de ruptura), el cual permanece
esencialmente constante para variaciones grandes de corriente.
Esto es característico de una fuente de tensión constante y es el principio básico sobre el cual
operan los diodos reguladores de tensión o DIODOS ZENER.
El aumento brusco de ID en PI puede deberse a dos mecanismos:
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a) Efecto Zener: Si VD aumenta lo suficiente en la polarización inversa es posible que el

campo eléctrico interno en la proximidad en la unión se vuelva tan fuerte, como para
arrancar electrones de los enlaces covalentes cuando se llega a VR, y provocar por tanto la
presencia de portadores de carga, los mismos que por acción de este campo eléctrico se
verán obligados a movilizarse, creando así la corriente en sentido inverso.
La tensión a la cual sucede el efecto zener es conocida como voltaje zener y no puede ser
mayor que 5.5 VOLTIOS.
El proceso anotado es reversible, es decir existe intercambio de portadores más no
alteración del semiconductor, por tanto, no implica destrucción del diodo, naturalmente
dentro de ciertos límites.
b) Efecto Avalancha: La ruptura por avalancha es debida a un efecto de emisión

secundaria, donde los portadores minoritarios generados por la ruptura de los enlaces
covalentes son acelerados a través de la unión por la PI. Cuando VD en PI alcanza el valor
crítico los portadores minoritarios adquieren suficiente velocidad y energía como para
romper enlaces covalentes de los átomos con los que chocan, lo que a su vez provoca
ruptura de otros enlaces y así sucesivamente se desata un fenómeno en cadena. Este
fenómeno produce un tremendo incremento de los portadores de corriente luego de la
ruptura, de modo que bajo estas condiciones el diodo se presenta como un elemento de
baja resistencia.
La tensión a la cual sucede el efecto avalancha es mayor que 5.5 V aproximadamente.
El máximo voltaje que puede aplicarse a un diodo en PI antes de entrar en ruptura se denomina
VPI (Voltaje Pico Inverso). Para diodos de Si VPI ≈ 1000V, en tanto que para diodos de Ge VPI
≈ 400V.
CONCLUSIONES:
• Polarizar inversamente al diodo implica conectar el positivo de la fuente DC al cátodo y el
negativo al ánodo
• El voltaje de polarización inversa debe ser menor que el voltaje de ruptura VR, (VD < VR),
el diodo se presenta como un elemento de alta resistencia, alcanzándose una corriente
despreciable debida a portadores minoritarios igual a Ig. En esta parte de la característica
pueden operar todos los diodos sin destruirse.
• Si el voltaje en PI supera VR, (VD > VR), el diodo conduce y el voltaje en el dispositivo
permanece casi constante aun cuando la corriente crece abruptamente. En estas
condiciones sólo pueden operar los diodos Zener que están hechos para trabajar en ruptura,
los diodos que NO son Zener si operan en estas condiciones se destruyen.
• En PI la región de empobrecimiento se ensancha.
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Fig.2.6 Curva Característica del diodo en PD y PI (Si vs Ge)
2.1.3 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA CARACTERÍSTICA ID vs VD DEL

DIODO
La temperatura influye significativamente en la conductividad de los semiconductores. Al elevarse
la temperatura aumenta la generación de pares portadores de carga y la conductividad crece.
En diodos de Ge de tipo pequeño la corriente inversa generada térmicamente Is es, generalmente,

de unos pocos µA a la temperatura ordinaria (25 - 30 C) y se duplica aproximadamente por cada
10C con la elevación de la temperatura. En los diodos de Si Is puede ser tan pequeña como 100
pA a la temperatura ordinaria y se duplica aproximadamente cada 6C de elevación; aunque éste
es un crecimiento más rápido que para el Ge, el valor inicial de Is es tan bajo que se prefiere
generalmente el Si para trabajar a temperaturas elevadas hasta 200C, en tanto que el Ge se emplea
a temperaturas de hasta 100C.
En términos generales se considerará que para diodos comerciales Ig se duplica aproximadamente

por cada 10C de incremento de temperatura.
En PD por cada 1C de aumento en la temperatura, el voltaje que cae sobre el diodo disminuye 2
mV, en tanto que la corriente se incrementa en 7.5% aproximadamente. Consecuentemente, la
característica estática del diodo en PD con un aumento de la temperatura se desplaza hacia el eje
vertical.
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Fig.2.7. Influencia de la Temperatura en la característica del diodo
En PI la influencia de la temperatura es aún más predominante, incrementándose la corriente de

saturación inversa y, en relación al voltaje de ruptura deberán diferenciarse dos situaciones:
Cuando la ruptura se produce por efecto avalancha, el voltaje de ruptura aumenta cuando crece la
temperatura, en tanto que cuando se produce por efecto zener el voltaje de ruptura disminuye con
aumentos de temperatura.
2.2 CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS, CIRCUITO EQUIVALENTE
2.2.1 NIVELES DE RESISTENCIA DEL DIODO
A medida que el punto operación (punto de trabajo) del diodo se mueve de una zona a otra de la
característica, la resistencia del diodo cambiará debido a la forma NO lineal de la curva
característica. El tipo de señal aplicado al diodo determinará el nivel de resistencia a considerar,
así se define:
a) Resistencia estática o de DC (RD)

Cuando aplicamos un voltaje continuo DC a un circuito que incluye un diodo, resultará en un punto
de operación (punto de trabajo) sobre la curva característica que permanece constante con el
tiempo, pues no varía la tensión aplicada al elemento y consecuentemente tampoco variará la
corriente que por él circula.
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La resistencia del diodo en ese punto de trabajo, se denomina resistencia estática o de DC y se

determina encontrando el voltaje aplicado al diodo, VD, y la correspondiente corriente, ID, esto es:
RD = VD / ID
Fig.2.8. Determinación gráfica de RD
Así, si en la curva del diodo para el punto de trabajo se tiene VD = 0.5V e ID = 1mA, la resistencia
estática será 500Ω. Si se cambia el voltaje DC aplicado al diodo a 0.8V y la nueva corriente que
por él circula es 50 mA, la nueva resistencia estática será 16 Ω.
La resistencia estática en PD y antes del codo de la curva será grande comparada con aquella
después del codo; en tanto que en PI dicha resistencia será mucho más alta.
Nótese que RD es un valor puntual, así pues, cualquier cambio en el voltaje DC aplicado al diodo
se traducirá en una resistencia RD distinta. Es decir, esta resistencia proporciona información
puntual del comportamiento del diodo, y no es muy extendido su uso como parámetro
característico del diodo.
b) Resistencia dinámica o de AC (rd)

La RD del diodo es independiente de l forma de la característica en la región que rodea al punto de
interés. Cuando aplicamos un voltaje alterno AC (por ejemplo, sinusoidal como en la figura 2.9) a
un circuito que incluye un diodo, la resistencia estática ya no resulta adecuada como parámetro,
pues el punto de trabajo u operación del diodo variará con el tiempo, dado que cambia la tensión
aplicada al elemento y consecuentemente también variará la corriente que por él circula.
El interés ahora está centrado NO en un punto de la característica sino en una región determinada
por el nivel de la señal de AC que apliquemos al diodo. En estas condiciones se define un nuevo
parámetro, la denominada resistencia dinámica o incremental del diodo. Tal resistencia se
determina gráficamente ubicando un punto Q2 en la zona de interés y trazando una línea tangente
2
Q: Punto Quiescente, de reposo o punto de operación (DC) del diodo, alrededor del cual se producirán las
variaciones del voltaje y corriente en el diodo.
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a dicho punto, la que definirá los cambios en voltaje y corriente alrededor de dicho punto Q. Así,
la resistencia dinámica se determina como:
rd = ∆Vd / ∆Id
Fig.2.9. Determinación gráfica de rd
Sin embargo, es posible determinar la resistencia dinámica de manera matemática, considerando

que la derivada de la función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente trazada en
dicho punto. Así, partiendo de la conductancia del diodo tendremos:
𝛥𝐼
gd = ∂ID/∂VD =𝛥𝑉𝐷
𝐷
La conductancia dinámica para un punto específico de funcionamiento en polarización directa

considerando incrementos pequeños, se obtiene diferenciando la ecuación anterior:
VD
I D I D I s e KT / e 1
 = = gd =
VD VD KT / e rd
Mas allá del codo de la curva en PD, esto es para valores Ir >>Is, se tiene que ID (despreciando Is)
es aproximadamente:
𝑉𝐷
⁄𝐾𝑇/𝑒
𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑆 𝑒
A temperatura ambiente KT/e es 26 mV, por tanto:
26mV
rd =
ID
Es decir que la resistencia dinámica del diodo depende de la corriente de polarización ID, por ello
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dicha resistencia puede evaluarse simplemente reemplazando el valor quiescente (DC) de la

corriente del diodo en la ecuación anterior.
Si ID = 5 mA → rd = 5. 2 ohm.
Si ID = 26mA → rd = 1 ohm, es decir que para una corriente directa "ID" elevada rd puede ser
bastante pequeña.
Sin embargo, la rd determinada gráficamente incluye de manera implícita el efecto de la resistencia

de contacto, resistencia de terminales a través de los cuales se accede a la masa del semiconductor,
en tanto que la ecuación de rd no incluye dichos parámetros. A fin de tomar en consideración el
nivel de resistencia adicional, se incorpora en la ecuación anterior un factor de corrección rB, así:
𝟐𝟔𝒎𝑽
𝒓𝒅 = + 𝒓𝑩
𝑰𝑫
rB = 0.1 Ω para diodos de alta potencia
rB = 2 Ω para diodos de baja potencia y propósitos generales.
Un factor de corrección de 1 Ω es adecuado.
c) Resistencia average, equivalente o resistencia dinámica promedio (rav)

Denominada así porque representa una resistencia equivalente al promedio de cada una de las
resistencias dinámicas en una zona amplia de operación del diodo. Es una resistencia adecuada
para representar el comportamiento del diodo en condiciones de una señal de entrada de alterna
AC suficientemente grande como para producir excursiones importantes dentro de la característica
del diodo.
La resistencia average se determina como el inverso de la pendiente de una línea recta trazada
entre las dos intersecciones que establecen los valores máximo y mínimo del voltaje de entrada
aplicado al diodo. De manera entonces que su valor corresponde a una resistencia que resulta de
linealizar un tramo de la curva característica del diodo, como se observa en la figura siguiente:
𝜟𝑽𝑫
𝒓𝒂𝒗 = ⎸𝒑𝒖𝒏𝒕𝒐 𝒂 𝒑𝒖𝒏𝒕𝒐
𝜟𝑰𝑫
• Para diodos de propósitos generales, el fabricante proporciona como 𝑟𝑎𝑣 la resistencia

promedio de la zona de conducción (PD más allá del voltaje codo VB).
• Para diodos Zener se incluye también como dato del fabricante la resistencia promedio en
la zona de ruptura (PI más allá del voltaje de ruptura VR).
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Fig.2.10. Determinación gráfica de rav

Para el caso de la figura rav sería:
ΔId = 17 mA - 2 mA = 15 mA
ΔVd = 0.725 V - 0.65 V = 0.075 V
rav = ΔVd / ΔId = 0.075 V/15 mA = 5 Ω
Para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia del diodo, se incluye el
siguiente resumen (Boylestad):
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2.2.2 EL DIODO IDEAL
Es el resultado de idealizar al máximo el comportamiento del diodo, lo que implica que un

diodo ideal actúa como un interruptor, es decir tiene una curva característica como la de la
fig. 2.11.
Esto implica que un diodo ideal se comporta:
• En PD como un cortocircuito (interruptor cerrado, VD= 0, ID ≠ 0), rav = 0 Ω y VD =VB= 0V.
• En PI como un circuito abierto (interruptor abierto, VD ≠ 0, ID = 0), ID = 0 mA y rav = ∞ Ω
• Si es un diodo Zener en PI más allá de la ruptura, rav = 0 Ω y VD = VR = VZ
Fig.2.11. Diodo ideal. Característica (a) PD, (b) PI
2.2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO
Un circuito equivalente constituye una combinación de elementos convenientemente

seleccionados de tal manera que representen de la forma más cercana posible el comportamiento
real de un dispositivo en una región particular de operación. Conocido el circuito equivalente, el
dispositivo puede ser reemplazado por dicho circuito equivalente y de esta forma facilitar el
análisis de circuitos que contengan tal dispositivo.
El circuito equivalente del diodo se obtiene aproximando su curva característica por segmentos
de rectas. Ésta constituye una técnica muy útil para analizar circuitos no lineales. Dependiendo
del número de segmentos de rectas seleccionados, la aproximación puede representar la curva
característica real del diodo con el grado de precisión deseada.
a) Modelo de segmentos lineales
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Esta aproximación es útil cuando el voltaje que cae en los terminales del diodo, VB = VK, es
comparable al resto de voltajes del circuito (red, Vred) y, además la resistencia del diodo cuando
éste conduce (rav = rprom) es también comparable con el resto de resistencias del circuito o red
(Rred). Este modelo considera por tanto:
rav = rprom ≠ 0 Ω y VB = VK ≠ 0V
El circuito equivalente corresponde a un circuito serie formado por: un diodo ideal, una fuente de
voltaje (no independiente) de valor VB y una resistencia de valor rav. El diodo ideal establece que
sólo hay una dirección de conducción a través del dispositivo (cuando éste está en PD), la fuente
VB indica que el voltaje en PD del diodo real debe superar al voltaje umbral o de barrera para que
se dé la conducción (en la dirección indicada por el diodo ideal); y, la resistencia rav es la
resistencia promedio característica del diodo real en conducción.
Es decir,
• En PD si no se supera el voltaje de barrera, el diodo no conduce.
• En PD y una vez que se supera el voltaje umbral el diodo empieza a conducir y a medida
que aumenta la corriente que circula por el dispositivo el voltaje que cae en el diodo es
ligeramente superior al voltaje de barrera, pues dicho voltaje será VB más el voltaje
adicional que cae en rav.
b) Modelo simplificado
Esta aproximación es útil cuando el voltaje que cae en los terminales del diodo, VB, es comparable
al resto de voltajes del circuito Vred, pero la resistencia promedio del diodo cuando éste conduce
(rav) es despreciable frente al resto de resistencias del circuito Rred (rav << Rred). Este modelo
considera:
rav = rprom = 0 Ω y VK = VB ≠ 0V
El circuito equivalente en este caso corresponde a un circuito serie formado por: un diodo ideal y
una fuente de voltaje (no independiente) de valor VB.
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Es decir, en PD y una vez que se supera el voltaje umbral el diodo empieza a conducir y a medida
que aumenta la corriente que circula por el dispositivo el voltaje que cae en el diodo es igual al
voltaje umbral o de barrera.
c) Modelo Ideal (diodo ideal)
Esta aproximación es útil cuando el voltaje que cae en los terminales del diodo, VB, es
despreciable frente al resto de voltajes del circuito (VB << Vred), y la resistencia del diodo cuando
éste conduce (rav) también es despreciable frente al resto de resistencias del circuito (rav << Rred).
Este modelo considera:
rav = rprom = 0 Ω y VB = 0V
El circuito equivalente corresponde a un diodo ideal.
Es decir, en PD el diodo empieza a conducir y a medida que aumenta la corriente que circula por
el dispositivo el voltaje que cae en el diodo es cero (despreciable).
En resumen (Boylestad):
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Fig.2.11. Circuitos equivalentes del Diodo (ver Boylestad)
2.3 APLICACIONES DEL DIODO
Consideraremos dos campos de aplicación para el diodo: Los circuitos conformadores de onda
y los circuitos rectificadores.
2.3.1 CONFORMADORES DE ONDA
2.3.1.1 RECORTADORES
La salida de tales circuitos es como si una porción de la señal de entrada fuese recortada, de ahí
su denominación.
Un circuito recortador utiliza diodos y resistencias, opcionalmente fuentes de DC. La forma de

onda de salida puede recortarse a niveles diferentes intercambiando la posición del diodo y
cambiando la magnitud de la fuente DC.
En el análisis de los circuitos recortadores consideraremos diodos ideales.
a) Recortadores simple serie: Denominados así porque el diodo está dispuesto en serie con la
carga (R) y porque no incluyen fuentes de DC.
Si consideramos en el análisis de estos circuitos al diodo ideal y aplicamos un voltaje de entrada
sinusoidal, tendremos que el voltaje de salida es:
20
b) Recortadores Simple Paralelo: Denominados así porque el diodo está dispuesto en paralelo
con la carga (R) y no tienen fuentes DC. Si consideramos en el análisis de estos circuitos al
diodo ideal y aplicamos un voltaje de entrada sinusoidal, tendremos:
c) Recortadores serie polarizados: Incluyen fuentes de DC y el diodo en serie con R.

sinusoidal, tendremos:
• Semiciclo positivo de la tensión de entrada: Si VinV, entonces el diodo está polarizado

inversamente, esto es, actúa como circuito abierto, consecuentemente la corriente es
nula y también lo es la caída de voltaje en la resistencia R. Por tanto, el voltaje de salida
será Vo = 0V.
• Semiciclo positivo de la tensión de entrada: Si Vin V, entonces el diodo se polariza
directamente, es decir actúa como cortocircuito. Consecuentemente el voltaje de salida
será Vo = Vin – V.
• Semiciclo negativo de la tensión de entrada: Si Vin < 0V, entonces el diodo se polariza
inversamente, esto es, actúa como circuito abierto, consecuentemente la corriente es
21
nula y también lo es la caída de voltaje en la resistencia R. Por tanto, el voltaje de salida

será Vo = 0V.
Ejercicio: Para el circuito recortador serie polarizado de la figura, encuentre la forma de onda
de salida Vo, considerando al diodo ideal y las siguientes formas de onda para el voltaje de
entrada Vin. (caso a: entrada sinusoidal, caso b: entrada rectangular)
Caso a: Tensión de entrada Vin sinusoidal

a) Semiciclo positivo de la tensión de entrada: Si Vin 10V, entonces el diodo se polariza
inversamente, esto es, actúa como circuito abierto, consecuentemente la corriente es nula
y también lo es la caída de voltaje en la resistencia R. Por tanto, el voltaje de salida será
Vo = 0V.
b) Semiciclo positivo de la tensión de entrada: Si Vin  10V, entonces el diodo se polariza

directamente, es decir actúa como cortocircuito. Consecuentemente el voltaje de salida
será Vo = Vin – 10V.
22
c) Semiciclo negativo de la tensión de entrada: Si Vin < 0V, entonces el diodo se polariza
inversamente, esto es, actúa como circuito abierto, consecuentemente la corriente es nula
y también lo es la caída de voltaje en la resistencia R. Por tanto, el voltaje de salida será
Vo = 0V.
De manera que la respuesta completa del circuito sería:
Caso b: Tensión de entrada Vin rectangular
a) Sí Vin=15V, entonces el diodo se polariza directamente, por lo tanto Vo=(15-10)V 

Vo=5V
b) Sí Vin=-30V, entonces el diodo se polariza inversamente, por lo tanto Vo=0V
d) Recortadores paralelo polarizados: Denominados así porque el diodo está dispuesto en la

rama paralela y utilizan fuentes de DC. Si consideramos en el análisis de estos circuitos al diodo
ideal y aplicamos un voltaje de entrada sinusoidal, tendremos:
23
e) Recortadores en los dos sentidos: Utilizan dos diodos y dos fuentes. Cada diodo realiza el
recorte en un sentido.
sinusoidal, tendremos:
2.3.1.2 SUJETADORES O FIJADORES
Son aquellos circuitos que sujetan a un determinado nivel de DC, es decir el voltaje de salida
de estos circuitos es equivalente al de entrada desplazado un cierto valor DC. Utilizan como
mínimo tres elementos: un diodo, un condensador, y una resistencia, pudiendo también incluirse
una fuente de DC. Es conveniente en este tipo de circuitos iniciar el análisis en aquella parte de
la señal de entrada que posibilita la conducción del diodo.
Las magnitudes de R y C se eligen de modo tal que la constante de tiempo del circuito,  = RC,
sea lo suficientemente grande para garantizar que el voltaje a través del condensador se
mantenga durante el intervalo de tiempo en el que el diodo no conduce.
Supondremos en toda discusión que el condensador requiere 5 (5 constantes de tiempo) para
descargarse totalmente.
1) Para el circuito dado, considerando que se aplica una tensión de entrada rectangular que varía
entre 5V y -10V, con una frecuencia de 1000 Hz, determine y dibuje la forma de onda de salida
Vo del circuito.
24
a) 0 ≤ t ≤ t1: Si Vin = 5V, el diodo se PD (actúa como cc) y el circuito quedará como:
La entrada permanecerá en +5V por un tiempo igual a 0.5 ms (el período de la señal de entrada
es T= 1ms), con una tensión de entrada de esta forma el diodo se polarizará directamente como
lo muestra la figura anterior. Puesto que la salida Vo se toma directamente a través del diodo,
ésta será de 0V para este intervalo de tiempo. El condensador entonces se cargará rápidamente,
alcanzando el voltaje3 entre sus terminales 5V con la polaridad señalada, pues la constante de
tiempo de la red es:  = rav *C  0 * C = 0 (considerando rav despreciable).
b) t1 ≤ t ≤ t2: Si Vin = -10V, el diodo se PI (actúa como circuito abierto) y el circuito

quedará:
El diodo ahora se polariza inversamente  c.a., el condensador podría empezar a

descargarse a través de R, sin embargo la constante  para este intervalo será:
 = R*C = (100x 103) (0.1x10-6) = 10 ms
Puesto que se requiere 5 o 50ms para que el condensador se descargue y la entrada

solamente permanece en este valor por 5ms, el voltaje en los terminales del condensador
permanecerá prácticamente constante durante este tiempo. De modo que la salida será:
Vo = -5V – 10V = -15V
Una vez cargado el condensador, y si éste mantiene su carga, el diodo no vuelve a conducir,
el voltaje de salida será Vo = -5V+ Vin. La forma de onda de salida resultante será:
3
Para un capacitor V = Q/C; V:voltaje, Q:carga y C:capacitancia
25
2) Comprobar que la salida del siguiente circuito sujetador es: Vo = V+ Vin
• si Vin = -V, el diodo se PD y Vo = 0, C se carga con la polaridad indicada a un

voltaje V
• si Vin = V, el diodo se PI y Vo = 2V
• Si consideramos que C NO se descarga, de ahí en adelante el diodo permanece
PI
• Consecuentemente en estado estable la salida del circuito es: Vo = V+ Vin
3) Determinar la salida del siguiente circuito sujetador, considerando la condición V1 < V.
• si Vin = V, como V1<V entonces el diodo se PD y Vo = V1, C se carga con la

polaridad indicada a un voltaje V-V1
• si Vin = -V, el diodo se PI y Vo = V1 – 2V
• Si consideramos que C NO se descarga, de ahí en adelante el diodo permanece
PI, de manera que la salida Vo del circuito sería la señal dibujada en rojo.
4)
26
• si Vin = V, el diodo se PD, Vo = -V1 y C se carga con la polaridad indicada a un

voltaje V+V1.
• si Vin = -V, el diodo se PI y Vo = -V1- 2V
• Si consideramos que C NO se descarga, de ahí en adelante el diodo permanece PI.
5)
6)
Es importante señalar que la excursión del voltaje de salida es igual a la excursión del voltaje
de la señal de entrada, pero desplazado hacia arriba o hacia abajo.
A continuación analizaremos el comportamiento de los circuitos sujetadores con excitaciones

sinusoidales.
7) Determinar la respuesta del circuito sujetador de la figura con entrada sinusoidal
Vin = Vm Sen(wt)
Si R =  y D ideal
π ≤ wt ≤ 3π/2, Semiciclo negativo:

Empezamos el análisis considerando el semiciclo negativo de la señal de entrada que es
27
donde el diodo conduce. Si originalmente el condensador está descargado, como el diodo

está en PD conduciendo, empezará a cargarse siguiendo a la señal de entrada y lo hará
rápidamente puesto que la constante de tiempo para este intervalo es:  = R *C = rav C  0,
llegando a un voltaje Vm (máximo voltaje de la señal de entrada) entre sus terminales, con
la polaridad indicada en el circuito, hasta ese momento que el diodo condujo el voltaje de
salida será Vo = 0V.
3π/2 ≤ wt ≤ 2π, Semiciclo negativo:
A partir de este instante de tiempo el condensador ya no se carga más y permanece con un
voltaje Vc = Vm, con la polaridad señalada, por el resto del semiciclo negativo. Nótese que
la magnitud de la señal de entrada durante este intervalo de tiempo será siempre menor que
Vm, por tanto el diodo se polarizará inversamente, actuando como circuito abierto, el
condensador no tiene camino de descarga, por lo que Vo = Vin + Vm.
2π ≤ wt ≤ 3π, Semiciclo positivo:
El diodo se polariza más inversamente aún, llegando su voltaje en PI hasta 2Vm de modo
que no puede conducir, en este intervalo el voltaje a la salida, puesto que el condensador no
puede descargarse, será: Vo = Vin + Vm
En el siguiente semiciclo negativo 3π ≤ wt ≤ 4π el diodo, debido a la carga del condensador,
no puede polarizarse directamente y en consecuencia conducir, de modo que Vo sigue
siendo: Vo = Vin + Vm
De ahí en adelante el diodo no vuelve a conducir, de modo que en estado estable la respuesta
del circuito será Vo = Vin + Vm:
8) Determinar la respuesta del circuito sujetador siguiente, considerar Vin = 10 Senwt =

Vm Senwt
28
a) 0< t </2 (primera mitad del semiciclo positivo)

a.1) Si Vin < V = 3V D en P.I., C no se carga  Vo = Vin
a.2) Si Vin > V = 3V D en P.D.  Vo = V = 3V
y el condensador se carga con Vc = Vin – V hasta un voltaje Vm – V = 10 – 3 V = 7V
b) /2<t < (segunda mitad del semiciclo positivo)

Vin < Vm = 10V VAK = V – Vm + Vin – V = Vin – Vm = Vin – 10V
D se P.I , C no tiene por donde descargarse  Vo = V – Vm + Vin = Vin – 7V
c) <t <2 (semiciclo negativo)
D en P.I.  C no tiene camino de descarga, permanece por tanto cargado y
Vo = V – Vm – Vin = 3 – 10 + Vin = Vin - 7V
El voltaje de salida corresponde entonces al voltaje de entrada desplazado hacia abajo 7V,
que es el valor al que se cargó el condensador.
2.3.1.3 MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Denominados así porque el voltaje de salida de estos circuitos es Vo = mVm, siendo m el
orden del multiplicador y, Vm el valor pico de la tensión de entrada sinusoidal de la forma:
Vin = Vm Senwt.
a) Doblador de Onda Completa: Vin = Vm Sen(wt)
Si consideramos RL → y tanto C1 como C2 descargados originalmente

a) Semiciclo positivo de Vin D1 PD, posibilita que C1 se cargue hasta Vm
D2 PI, no permite que C2 se cargue
b) Semiciclo negativo de Vin D1 PI, C1 no se descarga

D2 PD, C2 se carga hasta Vm, ver figura siguiente.
29
De ahí en adelante los diodos no vuelven a conducir, los condensadores no tienen camino de
descarga, de manera que si tomamos el voltaje de salida en los extremos de los dos
condensadores, éste será: Vo = 2 Vm
b) Doblador de media Onda: Vin = Vm Sen(wt)
En los gráficos siguientes se puede observar la conducción en cada semiciclo de la señal de

entrada
Vo = - 2 Vm
En los multiplicadores de Onda Completa todos los C soportan igual voltaje.
Los multiplicadores de media onda facilitan la formación de multiplicadores de orden n, los
condensadores soportan voltajes diferentes y los voltajes que soportan los diodos en PI son
mayores que para el de onda completa.
c) Triplicador de media onda: Vin = Vm Sen(wt)
Vo = 3 Vm
d) Cuadriplicador de media onda: Vin = Vm Sen(wt)
30
Vo = 4 Vm
2.3.2 RECTIFICACIÓN
Casi todos los circuitos electrónicos necesitan para su operación una fuente de alimentación de
corriente continua, para sistemas portátiles de baja potencia pueden emplearse baterías. Lo
más frecuente sin embargo es alimentar un equipo electrónico a través de una fuente de
alimentación, que constituye parte del equipo y que convierte la onda alterna (AC) de redes
industriales de potencia a onda continua (DC).
El proceso de conversión AC/DC involucra tres etapas secuenciales que deben aplicarse en el
orden en que se señalan: rectificación, filtrado y regulación. A continuación estudiaremos la
primera de ellas.
El rectificador es un sistema capaz de convertir una onda senoidal de entrada (cuyo valor medio
o DC es cero) en una onda unidireccional (aunque no constante) con una componente media no
nula. El rectificador constituye entonces el primer paso hacia la conversión de una señal AC en
DC.
31
2.3.2.1RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
El circuito elemental de este rectificador incluye un transformador, diodo (que lo

consideraremos ideal) y una resistencia de carga RL:
El primario del transformador típicamente se alimenta desde la red eléctrica, es decir a él

ingresa un voltaje de 110 Vrms, frecuencia 60 Hz.
𝑖𝑖 = 𝑟𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓.
𝑉𝑝 𝑁𝑝
𝑖𝑖 = =
𝑉𝑠 𝑁𝑠
𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
Supondremos que 𝑉𝑚 es grande comparado con la tensión umbral VB del diodo, por lo tanto se
asumirá que VB = 0 (Diodo ideal).
a) Analicemos para 0 ≤ 𝜔 𝑡 ≤ 𝜋 : (0≤t≤T/2). En este intervalo el diodo está polarizado

directamente entonces se comporta como un corto circuito y tendremos:
𝑣𝑖𝑛 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛𝜔𝑡
𝑖= = = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛𝜔𝑡 ; 𝑣0 = 𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡
𝑅𝐿 𝑅𝐿
32
b) Para 𝜋 ≤ 𝜔𝑡 ≤ 2𝜋 : (T/2≤t≤T). En este intervalo el diodo está polarizado inversamente

entonces se comporta como circuito abierto, tendremos:
𝑖=0 ; 𝑣0 = 0
Graficando:
Obsérvese entonces la corriente de salida es unidireccional, vamos a calcular ahora el valor NO

nulo del voltaje medio de salida (lectura DC del voltímetro) y la corriente media que circula
por la carga (lectura DC del amperímetro).
Corrientes y Voltajes Medios o Continuos de la onda rectificada (IDCo, VDCo)
El valor medio o continuo de una función periódica4, i, viene dado por la ecuación:
T
1
T 0
I DC i d t T = período
2 
1 1 1  Im I
I DC o =
2  I m .sen  t .d t =
0

2 0
I m . sen  t. dt = −
2
I m cos t
0
=
2
(1 + 1) = m

Im
 I DCo =

Im I m RL Vm
VDC0 = I DCo .RL = .RL  VDCO = =
  
4
Considerar una función periódica i, de período T
33
La tensión continua en el diodo deberá ser igual y de signo contrario a la tensión continua en la
resistencia de carga, ya que la suma de las tensiones continuas alrededor del circuito completo
debe valer cero.
−𝐼𝑚 𝑅𝐿
𝑉𝐷𝐶𝑑 =
𝜋
Corrientes y Voltajes rms de la onda rectificada (Irmso, Vrmso)
Por definición el valor rms o eficaz de una función periódica, i, viene dado por:
1⁄
1 𝑇 2
𝐼𝑟𝑚𝑠𝑜 = [ ∫ 𝑖 2 . 𝑑𝜔𝑡]
𝑇 0
De donde:
1⁄
1 2𝜋 2 2 𝐼𝑚 1 − 𝑐𝑜𝑠 2 𝜔𝑡
𝐼𝑟𝑚𝑠𝑜 = [ ∫ 𝐼𝑚 . 𝑠𝑒𝑛2 𝜔𝑡. 𝑑𝜔𝑡] = , sen2 𝜔𝑡 = ⇒
2𝜋 0 2 2
𝑰𝒎
𝑰𝒓𝒎𝒔 𝒐 =
𝟐
𝐼𝑚 . 𝑅𝐿
𝑉𝑟𝑚𝑠𝑜 = 𝐼𝑟𝑚𝑠𝑜 .R 𝐿 ⇒ Vrms𝑂 =
2
𝑽𝒎
Vrms𝑶 =
𝟐
Si consideramos VB = 0 y rav despreciable frente a RL tendremos entonces:

𝑰 𝑽𝒎
𝑰𝑫𝑪𝒐 = 𝝅𝒎 𝑽𝑫𝑪𝟎 = = 𝟎, 𝟑𝟏𝟖𝑽𝒎
𝝅
𝑰𝒎 𝑽𝒎
𝑰𝒓𝒎𝒔𝒐 = 𝑽𝒓𝒎𝒔𝒐 = = 𝟎, 𝟓𝑽𝒎
𝟐 𝟐
OJO: 𝑉𝐷𝐶𝑂  𝑉𝑟𝑚𝑠𝑂 
Factor de Rizado
Es un criterio que se emplea a menudo para especificar la cantidad de tensión alterna (rizado)
presente a la salida de la fuente de alimentación, y se define por:
34
𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑟𝑚𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑛𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑎𝑙𝑡𝑒𝑟𝑛𝑎𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐 𝑎𝑟𝑔 𝑎
𝛾 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑜 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐 𝑎𝑟𝑔 𝑎
𝑣𝑟𝑚𝑠𝑂 (𝐴𝐶)
𝛾 𝑉𝐷𝐶𝑂
Nótese que 𝑉𝑟𝑚𝑠𝑂 tiene tanto componentes de alterna como de continua, en tanto que 𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜 es
el valor eficaz pero sólo de las componentes alternas. Existe una relación entre estas
componentes:
𝑽𝒓𝒎𝒔𝑶 𝟐 = 𝝂𝒓𝒎𝒔𝑶 𝟐
+ 𝑽𝑫𝑪𝑶 𝟐 ⇒ PARSEVAL
(𝑨𝑪)
𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜 (𝐴𝐶) 2 = 𝑉𝑟𝑚𝑠𝑜 2 − 𝑉𝐷𝐶 𝑜 2
√𝑉𝑟𝑚𝑠𝑂 2 − 𝑉𝐷𝐶𝑂 2 𝑉𝑟𝑚𝑠𝑂 2 (𝐼𝑚 𝑅𝐿 /2)2

𝛾= =√ −1=√ −1
𝑉𝐷𝐶𝑂 𝑉𝐷𝐶𝑂 2 (𝐼𝑚 𝑅𝐿 /𝜋)2
𝜋2
= √ − 1 = 1.21 ⇒ 𝜸 = 121%
4
Es válido para cualquier rectificador de media onda. Un factor de rizado de este orden refleja
que las componentes alternas, en la carga son significativas (aún mayores) frente a las
componentes continuas. Un valor de 𝛾 conveniente está en el orden de 0.001.
Eficiencia de Rectificación. (r)

𝑃𝐷𝐶𝑂
𝜂𝑟 = 𝑃 ∗ 100 (en %)
𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿
𝑃𝐷𝐶𝑂 : potencia debida a la corriente continua en la carga.
𝑃𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 : potencia media total de entrada5.
La potencia disipada en el diodo, al considerarlo ideal es nula. De modo que la potencia total
será:
𝑃𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = 𝐼𝑟𝑚𝑠 2 ∗ 𝑅𝐿
𝐼𝐷𝐶 𝑜 2 ∗ 𝑅𝐿 𝐼𝑚 2 ∗ 𝑅𝐿 /𝜋 2
𝜂𝑟 = = ∗ 100
𝐼𝑟𝑚𝑠 2 ∗ 𝑅𝐿 𝐼𝑚 2 ∗ 𝑅𝐿 /4
𝜼𝒓 = 𝟒𝟎. 𝟓%
Voltaje Pico Inverso (VPI): El VPI nominal es un dato del diodo proporcionado por el
fabricante y es el valor en PI que provoca la ruptura del diodo, constituye por tanto un parámetro
de suma importancia en el diseño de rectificadores. Este valor nominal de voltaje no debe
= I rm s RL
2
5
Sobre una carga resistiva la potencia media es P
35
excederse cuando el diodo está en PI, a fin de evitar que el dispositivo entre en la región de
ruptura. Por tanto, en los rectificadores se debe determinar el máximo voltaje pico que soporta
el diodo polarizado inversamente y asegurar que el VPI del diodo sea superior.
Para el rectificador de media onda, cuando el diodo no conduce cae sobre éste todo el voltaje
de la fuente, siendo por tanto el voltaje máximo en PI que cae en el diodo igual a Vm, de modo
que Si 𝑣𝑖𝑛 = 10 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 ⇒ el máximo voltaje en PI que cae en el diodo es 10V, por
consiguiente debo usar un diodo con VPI>10V, es decir se debe cumplir para el rectificador de
media onda que:
𝒗𝒂𝒍𝒐𝒓 𝒏𝒐 𝒎𝒊𝒏 𝒂 𝒍 𝑽𝑷𝑰 ≥ 𝑽𝒎
Angulo de Conducción: 
Es el valor del ángulo durante el cual el diodo se encuentra en conducción. Si se considera al

diodo ideal el ángulo de conducción sería 180ᵒ, pero si no se desprecia el voltaje de barrera este
ángulo sería ligeramente menor a 180 grados.
𝑆𝑖 𝑉𝐵 = 0, 𝜽=𝝅
𝑉𝐵
𝑆𝑖 𝑉𝐵 ≠ 0 ; 𝜽 = 𝝅 − 𝟐𝜶 𝑐𝑜𝑛 𝛼 = 𝑠𝑒𝑛−1 ( )
𝑉𝑚
Si Diodo no ideal (VB ≠ 0V), la señal de entrada debe ser en este caso al menos VB para que el
diodo pueda entrar en conducción. Si vin < VB el diodo está abierto y consecuentemente vo =
0V. Si vin > VB el diodo entra en conducción y vo = vin – VB.
36
Para los casos en que Vm >> VB, y se desea trabaja sin despreciar el VB, se pueden aplicar las
siguientes relaciones aproximadas con un nivel relativamente alto de precisión:
𝑉𝑚 − 𝑉𝐵 𝑉𝑚 − 𝑉𝐵
𝑉𝐷𝐶𝑜 = ; 𝑉𝑟𝑚𝑠𝑜 = ; 𝑉𝑃𝐼 ≥ 𝑉𝑚 ; 𝜃 =𝜋−𝛼
𝜋 2
2.3.2.2 RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
En los rectificadores de onda completa se aprovecha aquellos semiciclos donde el diodo del
rectificador de media onda NO conducía para, introduciendo más diodos lograr conducción, de
tal manera que la tensión de salida sea de la forma como se indica en la siguiente figura.
Se tiene dos tipos de rectificadores de onda completa, que los estudiaremos a continuación:
a) RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TOMA CENTRAL
Este rectificador requiere un transformador con derivación central para establecer la señal de
entrada entre cada sección del secundario del transformador.
Este circuito comprende dos rectificadores de media onda actuando sobre la misma carga RL en
forma alternada, pues están conectados de tal forma que la conducción la realiza un diodo
durante la mitad del ciclo de la alimentación y el otro diodo durante la segunda mitad. En el
semiciclo positivo del voltaje de entrada conduce D1 y en el semiciclo negativo lo hace D2,
como se aprecia en las siguientes figuras.
37
De tal manera que las formas de onda para el voltaje y corriente serían:
Corrientes y Voltajes Medios (IDCo, VDCo) y rms (Irmso, Vrmso) de la onda rectificada
𝐷1 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑒 𝑣𝑖𝑛 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑉𝑚

0 ≤ 𝜔𝑡 ≤ 𝜋 { } ⇒ 𝑖𝐷 1 = = = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝐼𝑚 =
𝐷2 𝑐. 𝑎 𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝐷 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑒 𝑣𝑖𝑛
𝜋 ≤ 𝜔𝑡 ≤ 2𝜋 { 2 } ⇒ 𝑖𝐷 2 = = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝐷1 𝑐. 𝑎 𝑅𝐿
1 𝜋 2𝐼𝑚
𝐼𝐷𝐶𝑂 = ∫ 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝜔𝑡 =
𝜋 0 𝜋
𝟐𝑰𝒎 𝟐𝑰𝒎 𝑹𝑳 𝟐𝑽𝒎

𝑰𝑫𝑪𝑶 = ; 𝑽𝑫𝑪𝑶 = =
𝝅 𝝅 𝝅
2 1 𝜋 2 2
𝐼𝑚 2 𝜋 𝐼𝑚 2 𝑠𝑒𝑛 2𝜔𝑡 𝜋
𝐼𝑟𝑚𝑠𝑂 = ∫ 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡𝑑𝜔𝑡 = ∫ (1 − 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 = (𝜋 − )
𝜋 0 2𝜋 0 2𝜋 2 0
38
𝑰𝒎 𝑰𝒎 𝑹 𝑳 𝑽𝒎
𝑰𝒓𝒎𝒔𝒐 = ; 𝑽𝒓𝒎𝒔𝑶 = =
√𝟐 √𝟐 √𝟐
Factor de rizado
𝑉𝑟𝑚𝑠𝑂 2 (𝑉𝑚 /√2)2 𝜋2
𝛾=√ −1=√ −1 = √ −1 ⇒ 𝜸 = 0.48
𝑉𝐷𝐶𝑂 2 (2𝑉𝑚 /𝜋)2 8
Eficiencia de Rectificación
𝐼𝐷𝐶𝑂 2 𝑅𝐿 (2𝐼𝑚 /𝜋)2 𝑅𝐿

𝜂𝑟 = ∗ 100 = ∗ 100 = 81.1% ⇒ 𝜼𝒓 = 𝟖𝟏. 𝟏%
𝐼𝑟𝑚𝑠𝑂 2 𝑅𝐿 (𝐼𝑚 /√2)2 (𝑅𝐿 )
Voltaje Pico Inverso
VPI ≥ 2 Vm
Angulo de conducción
𝑺𝒊 𝑽𝑩 = 𝟎 ⇒ 𝜽=𝝅
𝑽𝑩
𝑺𝒊 𝑽𝑩 ≠ 𝟎 𝜽 = 𝝅 − 𝟐𝒔𝒆𝒏−𝟏 ( )
𝑽𝒎
b) RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
El rectificador de onda completa tipo puente consiste de 4 diodos en una configuración puente,
donde los 4 diodos deben ser de las mismas características, es decir:
𝐷1 = 𝐷2 = 𝐷3 = 𝐷4 = 𝐷
39
a) 𝟎 ≤ 𝝎 𝒕 ≤ 𝝅
En el semiciclo positivo de vin:𝐷1 𝑦 𝐷2 están en PD, en tanto que 𝐷3 𝑦 𝐷4 están en PI,
de modo que la corriente circula a través de la carga en sentido C-B.
b) 𝝅 ≤ 𝝎 𝒕 ≤ 𝟐𝝅
En el semiciclo negativo de vin: 𝐷3 𝑦 𝐷4 en PD en tanto que 𝐷1 𝑦 𝐷2 en PI, de modo que
la corriente circula a través de la carga en sentido C-B.
En los dos semiciclos fluye la corriente en la carga en la misma dirección (de C hacia B), lo que
permite conseguir la rectificación en onda completa de la señal alterna.
Nótese que en este caso son 2 diodos los que están conduciendo durante cada semiciclo, de
modo que adaptando las relaciones anteriormente estudiadas para el rectificador de onda
completa toma central, con las correspondientes particularidades del tipo puente, tendremos:
𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑣𝑖𝑛 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑉𝑚
∴ 𝑖1 = = ⇒ 𝐼𝑚 =
𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝟐𝑰𝒎 𝟐𝑰𝒎 𝑹𝑳 𝟐𝑽𝒎

𝑰𝑫𝑪𝑶 = VDC𝑶 = =
𝝅 𝝅 𝝅
𝑰𝒎 𝑰𝒎 𝑹𝑳 𝑽𝒎
Irms𝑶 = Vrms𝑶 = =
√𝟐 √𝟐 √𝟐
𝜸 = 0.48
40
𝜼𝒓 = 𝟖𝟏. 𝟏%
si V𝐵 = 0 ⇒ 𝜽=𝝅
𝟐𝑽𝑩
si V𝐵 ≠ 0 ⇒ 𝜽 = 𝝅 - 2sen-1 ( ) como 2 diodos están funcionando, cada pareja
𝑽𝒎
en un semiperiodo, por lo tanto la caída de tensión es el doble.
Si V𝐵 = 0 ⇒ VPI ≥ 𝑽m Si V𝐵 ≠ 0 ⇒ 𝑽𝑷𝑰 ≥ 𝑽𝒎 − 𝑽𝑩
2.3.3 FILTRADO
En las fuentes de alimentación para circuitos electrónicos, se requiere tener un alto contenido de
componente continua, con lo menos posible de componentes alternas, es decir, un factor de rizado
sumamente pequeño. La rectificación por sí sola no cumple con esta condición, por lo que es
necesario utilizar adicionalmente filtros que reduzcan al mínimo las componentes alternas
presentes en la carga, mejorando de esta manera el rendimiento de la rectificación.
El filtro tiene elementos en serie y en paralelo. Por tanto, los elementos en serie deben ser tales
que las componentes alternas se atenúen, en tanto que los elementos en paralelo deben mandar a
tierra la alterna; es decir los elementos en serie deber ser cortocircuito para DC y circuito
abierto para AC, en tanto que los elementos en paralelo deben ser circuito abierto para DC y
cortocircuito para AC.
Los filtros pueden ser de diversos tipos, así: filtro por condensador o filtro C, filtro bobina-
condensador o filtro LC, filtro C-L-C o filtro π, filtro RC, etc. Todos estos filtros se denominan
41
pasivos, porque utilizan para acción de filtrado elementos pasivos como bobinas, condensadores
y resistencias.
De todos estos filtros el más utilizado es el filtro C, por tanto es el filtro que estudiaremos a
continuación. La presencia del condensador modifica radicalmente las condiciones de operación
del rectificador dada la característica del condensador de oponerse a la variación de tensión.
2.3.3.1 FILTRO POR CONDENSADOR CON RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Una forma simple de reducir las componentes alternas que entrega el rectificador es empleando
un condensador en paralelo con la carga.
Si la reactancia del condensador es /Xc/ << 𝑹𝑳 para las componentes alternas, éstas encontrarán
un mejor camino (de menor resistencia) y se derivarán por el condensador sin pasar por la carga
sino tan solo una pequeña cantidad.
El circuito rectificador de media onda-filtro C sería:

𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡
El principio de funcionamiento del filtro se basa en el hecho de que C almacena carga durante
el período de conducción del diodo y entrega dicha energía luego a la carga (𝑅𝐿 ) durante el
período de no conducción. De modo entonces que se prolongue el tiempo durante el cual circula
corriente por la carga.
Estudiaremos primero el caso de una carga 𝑅𝐿 infinita y luego el caso de una carga 𝑅𝐿 finita.
42
a) Caso RL = ∞
A fin de poder analizar cómo funciona el circuito consideramos primero el caso de una carga RL
= ∞, entonces ésta será un circuito abierto. El voltaje de entrada será de la forma: 𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡
En el semiciclo positivo de 𝑣𝑖𝑛 :
a) 0 ≤ 𝑤𝑡 ≤ π/2
El diodo se polariza directamente produciéndose por tanto circulación de corriente por el diodo,
el condensador en consecuencia se carga siguiendo a la señal de entrada hasta el valor máximo
de dicha señal (𝑉𝑚 , despreciando la caída en el diodo) en el sentido indicado, la señal de salida
será igual al voltaje en el condensador, esto es:
𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑑 + Vc
𝑦𝑖𝑒𝑙𝑑𝑠
𝑆𝑖 𝑉𝑑 = 0 → 𝑉𝑜 = 𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡
b) π/2≤ 𝑤𝑡 ≤ π
En el momento en que la señal de entrada 𝑣𝑖𝑛 empieza a ser menor que 𝑉𝑚 , el D se polariza
inversamente y se abre, puesto que el condensador no tiene por donde descargarse permanecerá
cargado a 𝑉𝑚 , de modo que el voltaje de salida será igual a 𝑉𝑚 .
𝑽𝒐 = 𝑉𝑐 = 𝑽𝒎
En el semiciclo negativo de 𝑣𝑖𝑛 :
c) π ≤ 𝑤𝑡 ≤ 2π
El diodo sigue polarizado inversamente, alcanzando el voltaje en PI hasta 2𝑉𝑚 , por tanto C no se
descarga (no existe camino de descarga), y Vo será igual a 𝑉𝑚 .
𝑽𝒐 = 𝑽𝒄 = 𝑽𝒎
Las formas de onda presentes en el filtro serán entonces.
A partir del instante en que el condensador se carga, el diodo ya no conduce, la señal de salida
43
será entonces 𝑉𝑚 . En estado estable la salida será:
La señal de voltaje en el diodo es siempre negativa, la presencia del condensador provoca que el
VPI aumente de 𝑉𝑚 sin C a 2𝑉𝑚 con C.
Conclusión: El filtrado sin carga (en vacío) es perfecto, no existe componente alterna en el voltaje
de salida del filtro, sólo continua.
𝑽𝒐 = 𝑽𝑫𝑪𝒐 = 𝑽𝒎
El voltaje en el diodo será:

𝑽𝒅 = 𝒗𝒊𝒏 - 𝐕𝐜 = 𝒗𝒊𝒏 - 𝑽𝒎
b) Caso 𝑹𝑳 finita
En el semiciclo (+) de 𝑣𝑖𝑛 el diodo se polariza directamente, el condensador entonces se carga

hasta 𝑉𝑚 , pero en el momento en que 𝑣𝑖𝑛 es menor que Vc =𝑉𝑚 el diodo se polariza inversamente
dejando de conducir, el condensador ahora tiene un camino de descarga a través de 𝑅𝐿 y lo hace
hasta que nuevamente 𝑣𝑖𝑛 es mayor que el voltaje en los terminales del condensador, al producirse
tal hecho el diodo nuevamente empieza a conducir y el condensador se carga nuevamente hasta
𝑉𝑚 .
El condensador se descarga más lentamente respecto a la tensión de entrada, consecuentemente

si 𝑉𝐶 > 𝑣𝑖𝑛 entonces diodo no conduce.
En el semiciclo (+) la carga del condensador sigue al 𝑣𝑖𝑛 , cargándose hasta el valor 𝑉𝑚 ; en el
semiciclo (-) se descarga el C a través de 𝑅𝐿 .
El filtrado ahora con 𝑅𝐿 finita ya no es perfecto y después del primer ciclo, las formas de onda
serán entonces:
44
a) Si 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 ⟶entonces el diodo conduce y la corriente en el diodo será:

𝑖𝑑 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅 𝐿
b) Si 𝜃2  𝑤𝑡  2𝜋 + 𝜃1 ⟶entonces el diodo NO conduce y la corriente en el diodo será:

𝑖𝑑 = 0, 𝑖𝐶 = - 𝑖𝑅𝐿
Como C almacena energía durante el período de conducción del diodo y entrega esta energía a
RL en el período de no conducción, consecuentemente se prolonga el tiempo durante el cual
circula corriente por 𝑅𝐿 , entonces disminuye el rizado y consecuentemente el factor de rizado.
Si RL alta entonces C se descarga más lentamente

Si RL baja entonces C se descarga más rápidamente
(a) RL alta (b) RL baja
Nos conviene RL alta, para que el C entregue corriente a la carga mientras el D no conduce.
A causa del diodo, C no puede descargarse sino a través de 𝑅𝐿 . Cuando 𝑤𝑡=π/2 la tensión en la
carga será 𝑉𝑅𝐿 = 𝑉𝑚 . Cuando 𝑣𝑖𝑛 disminuye, 𝑉𝑅𝐿 disminuye con 𝑣𝑖𝑛 durante cierto tiempo; sin
embargo, la velocidad de caída de 𝑒 −𝑡/𝑅𝐿𝐶 llegará a ser menor que la de la función sin 𝑤𝑡,
entonces 𝑉𝑅𝐿 tenderá a ser mayor que 𝑣𝑖𝑛 , en ese momento el diodo se abrirá, esto ocurre cuando
wt = θ2, de tal manera que la tensión 𝑉𝑜 =𝑉𝑅𝐿 en este intervalo tiene la forma:
𝑽𝑹 𝑳 = 𝑽𝒎 𝐬𝐢𝐧 𝛉𝟐 𝒆−𝒕/𝑹𝑳𝑪 𝜃2  𝑤𝑡  2𝜋 + 𝜃1 ⟶diodo no conduce y C se descarga de forma exponencial
Durante el ciclo siguiente, 𝑣𝑖𝑛 llegará eventualmente a ser igual a 𝑉𝑅 𝐿 y el diodo se polarizará
directamente y conducirá permitiendo nuevamente cargarse a C, la tensión en la carga será:
45
𝑽𝑹 𝑳 = 𝒗𝒊𝒏 = 𝑽𝒎 𝐬𝐢𝐧 𝒘𝒕 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 ⟶ diodo conduce y C se carga siguiendo a la tensión de entrada

(de forma sinusoidal)
Esta onda se repite periódicamente. Por tanto las corrientes serán:
a) Cuando el diodo conduce, 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 , la corriente que pasa por C es justamente la que

sería si C estuviese conectado directamente a 𝑣𝑖𝑛 , pues el diodo actúa como corto circuito,
por lo tanto:
𝑑𝑉𝐶
𝑖𝐶 = 𝐶
𝑑𝑡
𝑑𝑉𝑅𝐿 𝑑(𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑤𝑡)

𝑖𝐶 = 𝐶 = 𝐶 = 𝑤𝐶 𝑉𝑚 𝐶𝑜𝑠𝑤𝑡
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑉𝑅𝐿 𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑤𝑡
𝑖𝐶 = 𝑤𝐶 𝑉𝑚 𝐶𝑜𝑠𝑤𝑡 𝑖𝑅𝐿 = =
𝑅𝐿 𝑅𝐿
La corriente en el diodo cuando éste conduce será:

𝑆𝑒𝑛 𝑤𝑡
𝑖𝑑 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅𝐿 = 𝑉𝑚 (𝑤𝐶 𝐶𝑜𝑠𝑤𝑡 + 𝑅𝐿
) ⟶ 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2
b) Durante el tiempo en que el diodo no conduce, 𝜃2  𝑤𝑡  2𝜋 + 𝜃1 , la corriente en la carga,
𝑖𝑅𝐿 tendrá la misma forma que la tensión en la carga 𝑉𝑅𝐿 , y se cumplirá:
𝑉 𝑅𝐿 𝑉𝑚 sin 𝜃2 𝑒 −𝑡/𝑅𝐿 𝐶
𝑖𝐶 = −𝑖𝑅𝐿 = − 𝑅𝐿
= − 𝑅𝐿
⟶ θ2 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 2π+ θ1
La corriente en el diodo cuando éste no conduce será:
𝑖𝑑 = 0
El pico de la corriente que circula por el diodo cuando este conduce se produce cuando 𝑤𝑡 = 𝜃1
por tanto será igual a:
𝑆𝑒𝑛 𝑤𝑡
𝐼𝑑𝑚 = 𝑉𝑚 (𝑤𝐶 𝐶𝑜𝑠𝑤𝑡 + ) ⎹ 𝑤𝑡=𝛳1
𝑅𝐿
𝑺𝒆𝒏𝜽𝟏
𝑰𝒅𝒎 = 𝑽𝒎 (𝒘𝑪 𝑪𝒐𝒔𝜽𝟏 + )
𝑹𝑳
El diodo debe ser capaz de soportar esta corriente de pico. Si el valor de C se aumenta éste
mantiene su carga y el descenso de 𝑉𝑅𝐿 en el período 𝜃2  𝑤𝑡  2𝜋 + 𝜃1 disminuirá. En el límite
cuando C tiende al infinito 𝑉𝑅𝐿 tenderá a una tensión continua pura; sin embargo, el aumento de
C implica un aumento de la 𝐼𝑑𝑚 .
Para obtener la tensión continua en la carga y el factor de rizado, se deben conocer los valores de
𝜃2 y 𝜃1 , para obtenerlos debe resolverse las ecuaciones planteadas, lo cual es dificultoso; sin
embargo, haciendo algunas aproximaciones es posible simplificar los cálculos.
Supondremos que la carga y descarga de C no son de forma sinusoidal y exponencial

respectivamente, sino lineales, esto es:
46
En este gráfico:
𝑉𝑚 = voltaje máximo en el condensador y en la carga

𝑉𝑟𝑝𝑝 = valor pico a pico del voltaje alterno o de rizado (superpuesto a la componente continua)
𝑉𝐷𝐶𝑜 = voltaje medio o continuo de salida (en la carga)
T3 = tiempo de carga de C
T2 = Tiempo de descarga de C
T = Período (tiempo de un ciclo)
Voltaje DC, 𝑽𝑫𝑪𝒐 : El valor medio de acuerdo a la figura es:

𝑽𝒓𝒑𝒑
𝑽𝑫𝑪𝒐 = 𝑽𝒎 −
𝟐
En el intervalo de descarga de C se supone que este pierde carga con velocidad constante, es
decir:
𝑑𝑞
𝑖𝐶 = = 𝐾𝑡𝑒
𝑑𝑡
Para el condensador se tiene: q = CVc
De modo que
𝐶𝑑(Vc)
𝑖𝐶 = = 𝐾𝑡𝑒
𝑑𝑡
Como se trata de una función lineal podemos sustituir: 𝑑𝑉𝑐 = Δ𝑉𝐶 y dt = Δt y como Δ𝑉𝐶 = 𝑉𝑟𝑝𝑝 y
Δt = T2 tendremos:
𝐶𝑑(Vc) 𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑖𝐶 = =𝐶
𝑑𝑡 𝑇2
Durante el tiempo de descarga de C, la corriente que circula por éste es la misma que circula por
la carga, entonces:
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑖𝑅𝐿 = 𝐶
𝑇2
Nótese que esta relación no es función del tiempo (T2 constante) por tanto es constante y
corresponde al valor medio o DC, entonces:
47
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝐼𝐷𝐶𝑜 = 𝐶
𝑇2
Por lo que el voltaje de rizado pico pico será:
𝐼𝐷𝐶𝑜 𝑇2
𝑉𝑟𝑝𝑝 =
𝐶
Observación: T2 = T – T3, donde T3 es el tiempo de carga de C, pero T3 ⟶0 puesto que la carga

es instantánea, por lo tanto T2 ⟶T, por lo que haciendo esta consideración resulta:
𝐼𝐷𝐶𝑜 𝑇 𝐼𝐷𝐶𝑜 𝑽𝑫𝑪𝒐

𝑉𝑟𝑝𝑝 = = ⟶ 𝑽𝒓𝒑𝒑 =
𝐶 𝑓𝐶 𝒇𝑪𝑹𝑳
En consecuencia:
𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝐷𝐶𝑜
𝑉𝐷𝐶𝑜 = 𝑉𝑚 − = 𝑉𝑚 −
2 2𝑓𝐶𝑅𝐿
𝑽𝑫𝑪𝒐 𝑽𝒎
𝑽𝑫𝑪𝒐 = 𝑽𝒎 − =
𝟐𝒇𝑪𝑹𝑳 𝟏
𝟏+( )
𝟐𝒇𝑪𝑹𝑳
Voltaje eficaz, 𝒗𝒓𝒎𝒔𝒐 : El valor eficaz de la componente alterna es independiente de la longitud

de los tramos, dependiendo únicamente del valor pico puesto que se trata de una onda triangular
que varía desde -𝑉𝑟𝑝𝑝 /2 hasta 𝑉𝑟𝑝𝑝 /2, por tanto el valor rms de la componente alterna o de rizado
(que corresponde a una onda triangular) es:
𝑽𝒓𝒑𝒑
𝒗𝒓𝒎𝒔𝒐 =
𝟐√𝟑
Factor de rizado, 𝜸:
𝑽𝒓𝒑𝒑
𝟐√𝟑 𝟏
𝛾= =
𝑽𝒓𝒑𝒑𝒇𝑪𝑹𝑳 𝟐√𝟑𝒇𝑪𝑹𝑳
Por tanto:
𝑽𝒎
𝑽𝑫𝑪𝒐 =
𝟏 + √𝟑𝜸
Cálculo de 𝜽𝟏 :
Para calcular la corriente de pico de un diodo debemos determinar el valor de 𝜃1 , el cual puede
obtenerse aproximadamente suponiendo que el diodo comienza a conducir cuando 𝒗𝒊𝒏 = 𝑉𝑚 −
𝑉𝑟𝑝𝑝, por tanto:
𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝜃1 = 𝑉𝑚 − 𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑉𝑚 − 𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝐷𝐶𝑜 /𝑓𝐶𝑅𝐿

𝑆𝑒𝑛 𝜃1 = =1− =1−
𝑉𝑚 𝑉𝑚 𝑉𝑚
De donde resulta:
𝟐𝒇𝑪𝑹 −𝟏 𝟏− √𝟑𝜸
𝜽𝟏 = 𝐬𝐢𝐧−𝟏 𝟐𝒇𝑪𝑹𝑳 +𝟏 = 𝐬𝐢𝐧−𝟏
𝑳 𝟏+ √𝟑𝜸
La corriente pico del diodo se determina entonces de la ecuación:
48
𝑺𝒆𝒏𝜽𝟏
𝑰𝒅𝒎 = 𝑽𝒎 (𝒘𝑪 𝑪𝒐𝒔𝜽𝟏 + )
𝑹𝑳
Si se aumenta el valor de C y 𝑅𝐿 el valor de 𝑉𝐷𝐶𝑜 se aproxima a 𝑉𝑚 , el factor de rizado se reduce

pero la corriente pico del diodo aumenta.
La figura siguiente muestra, para un filtro C con rectificador de media onda, la corriente que
circula por los diodos en función del valor del condensador (Figura (a) filtro de menor C respecto
de la figura (b)), es decir a mayor valor de C mayor será el pico de corriente que circula por el
diodo.
donde T1 = tiempo de conducción del diodo

T = 1/f para el caso de onda completa
2.3.3.2 FILTRO POR CONDENSADOR CON RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Consideraremos el caso del rectificador de onda completa con toma central. Las formas de onda
presentes en este circuito rectificador y en el filtro, haciendo un análisis similar al realizado para
el filtro por condensador con rectificador de media onda, serán:
La señal de voltaje en los terminales de la carga varía en los límites 𝑉𝑚 y Vmin y constituye la
denominada señal de rizado 𝑉𝑟𝑝𝑝 (voltaje de rizado pico-pico)
49
Cuando se utiliza un filtro por C con rectificador de onda completa, los resultados son bastante
similares a los del caso del rectificador de media onda. El valor del voltaje de continua o 𝑉𝐷𝐶𝑜 en
la carga, pasará justamente por la mitad de la onda de rizado. Así, la tensión aproximada de salida
es de la forma:
Donde:
𝑉𝑚 corresponde al voltaje máximo en el condensador, descontando la caída tensión en el diodo y
en el transformador,
𝑉𝑟𝑝𝑝 : es el voltaje alterno o de rizado pico - pico superpuesto a la componente continua
𝑉𝐷𝐶𝑜 : es el valor medio o voltaje continuo.
T1: es el tiempo durante el cual se carga el condensador (ver gráfico anterior)
T2: es el tiempo durante el cual se descarga el condensador (ver gráfico anterior)
T: es el tiempo de un ciclo de la señal de entrada (período de la señal de entrada al rectificador)
El condensador procura mantener el voltaje constante sobre la carga, para lo cual debe recibir
energía durante el tiempo de conducción del diodo comprendido entre 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 adquiriendo
un máximo voltaje en sus terminales de valor 𝑉𝑚 . Luego en el intervalo 𝜃2  𝑤𝑡  𝜋 + 𝜃1 el
condensador se descarga a través de 𝑅𝐿 hasta alcanzar el voltaje Vmin.
Los diodos del rectificador conducen solo en el intervalo [𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 ] pues fuera de él los diodos
se polarizan inversamente, y tan solo cuando 𝒗𝒊𝒏 es igual o mayor que 𝑉𝐶 es posible la conducción.
Así:
a) Si 𝜃1  𝑤𝑡  𝜃2 → diodo conduce, siendo su corriente: 𝑖𝑑 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝑅𝐿
b) Si 𝜃2  𝑤𝑡  2𝜋 + 𝜃1 → diodo NO conduce: 𝑖𝑑 = 0, pues 𝑖𝐶 = - 𝑖𝑅𝐿
Para la corriente de carga del condensador, debido a que las resistencias de los diodos y del
transformador son muy pequeñas, la constante de tiempo para la carga es también muy pequeña,
de ahí que la corriente sea muy grande.
Para la corriente de descarga del condensador, como 𝑅𝐿 tiene normalmente valores grandes
comparados con las otras resistencias del circuito, la constante de tiempo es grande y por ende la
descarga es lenta.
Justamente por efecto de las constantes anotadas, la forma de onda en la carga sería: una función
50
sinusoidal para cuando C se carga y una función netamente exponencial cuando C se descarga.
Sin embargo, debido a que en este tipo de rectificadores el mayor voltaje corresponde a la
componente continua y la componente alterna es muy pequeña, la variación de la misma puede
ser considerada sin mayor error como si estuviera formada por funciones lineales tanto para la
carga como para la descarga, como se aprecia en la figura anterior:
Voltaje DC, 𝑽𝑫𝑪𝒐 :

𝑽𝒓𝒑𝒑
𝑽𝑫𝑪𝒐 = 𝑽𝒎 −
𝟐
Voltaje eficaz de alterna, 𝒗𝒓𝒎𝒔𝒐(𝑨𝑪):
El valor eficaz de la componente alterna, considerando un rizado triangular, es:

𝑽𝒓𝒑𝒑
𝒗𝒓𝒎𝒔𝒐(𝑨𝑪) =
𝟐√𝟑
Voltaje de rizado pico pico, 𝑽𝒓𝒑𝒑 :
Como se vio para el rectificador de media onda, en el intervalo de descarga del condensador, se
supone que éste pierde carga (se descarga) con velocidad constante, es decir la corriente de
descarga es constante, esto es:
𝑑𝑞 𝑑𝑉𝑐
= 𝐾𝑡𝑒 ; 𝑖𝐶 = 𝐶 = 𝑘𝑡𝑒 ; 𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑟𝑑𝑒𝑠𝑒 𝑞 = 𝐶𝑉𝑐
𝑑𝑡 𝑑𝑡
como se trata de una función lineal podemos tener: 𝑑𝑉𝑐 = 𝛥𝑉𝑐 ; 𝑑𝑡 = 𝛥𝑡

y como 𝛥𝑉𝑐 = 𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑦 𝛥𝑡 = 𝑇𝑑𝑒𝑠𝑐 𝑎𝑟𝑔 𝑎 , tendremos:
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑖𝐶 = 𝐶
𝑇𝑑𝑒𝑠𝑐 𝑎𝑟𝑔 𝑎
Durante el tiempo de descarga del condensador, la corriente que circula por éste es la misma que
la que circula por RL, de modo que tendremos:
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑖𝐶 = 𝐶 = 𝑖𝑅𝐿
Nótese que esta relación no es función del tiempo (Tdescarga = constante), por tanto es constante y
en este caso corresponde al valor medio o DC de la corriente en la carga, esto es:
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝐼𝐷𝐶𝑜 = 𝐶
Para todo fin práctico se puede considerar que la carga del condensador es instantánea (tiempo de
carga = 0) y que el tiempo de descarga es igual a T/2, siendo T el período de la señal de entrada
al rectificador, esto es 𝑇𝑑𝑒𝑠𝑐 𝑎𝑟𝑔 𝑎 = T/2. De modo que:
𝐼𝐷𝐶𝑜 = 𝐶 ⇒ 𝑉𝑟𝑝𝑝 = ; 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑓 = 1/𝑇
𝑇/2 2𝑓𝐶𝑅𝐿
Por tanto:
𝐼𝐷𝐶𝑜 𝑇
𝐼𝐷𝐶𝑜 𝑽𝑫𝑪𝒐
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 2 = ⟶ 𝑽𝒓𝒑𝒑 =
𝐶 2𝑓𝐶 𝟐𝒇𝑪𝑹𝑳
51
𝑉𝐷𝐶𝑜 = 𝑉𝑚 − = 𝑉𝑚 −
2 4𝑓𝐶𝑅𝐿
𝑉𝐷𝐶𝑜 𝑽𝒎
𝑉𝐷𝐶𝑜 = 𝑉𝑚 − ⟶ 𝑽𝑫𝑪𝒐 =
4𝑓𝐶𝑅𝐿 𝟏
𝟏+( )
𝟒𝒇𝑪𝑹𝑳
Factor de rizado, γ:
𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜(𝐴𝐶) 𝑉𝛾 /2√3 𝟏
𝛾= = ⇒ 𝜸=
𝑉𝐷𝐶𝑜 2𝑓𝐶𝑅𝐿 𝑉𝛾 𝟒√𝟑𝒇𝑪𝑹𝑳
𝑽𝒎
𝑽𝑫𝑪𝒐 =
𝟏 + √𝟑𝜸
Nótese que el factor de rizado es inversamente proporcional al valor de 𝑅𝐿 , de modo que:

Si 𝑅𝐿 es menor entonces tiempo de descarga es menor, entonces el rizado es mayor y el filtrado
empeora. Así mismo, mientras mayor es el valor del condensador, menor será el rizado y mayor
el voltaje DC de salida, es decir mejor la acción de filtrado. Sin embargo, a medida que aumenta
el valor del condensador también aumenta el valor de la corriente pico que circula por los diodos.
Para un filtro C con rectificador de onda completa, la corriente máxima que circula por los diodos,
que ocurre cuando éste empieza a conducir (𝑤t=𝜃1 ), viene dada por:
𝑺𝒆𝒏𝜽𝟏 𝟒𝒇𝑪𝑹𝑳 − 𝟏
𝑰𝒅𝒎 = 𝑽𝒎 [𝒘𝑪𝑪𝒐𝒔𝜽𝟏 + ] ; 𝜽𝟏 = 𝑺𝒆𝒏−𝟏 [ ]
𝑹𝑳 𝟒𝒇𝑪𝑹𝑳 + 𝟏
En 𝐼𝑑𝑚 se debe trabajar con f y no con 2f, es decir 𝑤 = 2πf, puesto que cada diodo conduce en
un semiperíodo alternado.
Problema 1
Para el circuito rectificador de onda completa de la figura con un filtro capacitivo con 𝐶 =
100𝜇𝐹, una carga que absorbe 50mA de corriente DC y un voltaje pico rectificado de 30[V].
Calcule:
a) El voltaje de rizado pico pico
b) El voltaje continuo en la carga
c) El valor de la resistencia de carga
d) El porcentaje de rizado si
𝐼𝐷𝑐𝑜
52
DATOS
𝐶 = 100𝜇𝐹
𝐼𝐷𝑐𝑜 = 50[𝑚𝐴]
𝑉𝑚 = 30V
a) Como el rectificador es de onda completa, el valor de 𝑉𝑟𝑝𝑝 está dado por:

𝑉𝐷𝐶𝑜
𝑉𝑟𝑝𝑝 =
2𝑓𝐶𝑅𝐿
Pero:
𝑉𝐷𝐶𝑜
= 𝐼𝐷𝐶𝑜
𝑅𝐿
Entonces:
𝐼𝐷𝐶𝑜 50[𝑚𝐴]
𝑉𝑟𝑝𝑝 = =
2𝑓𝐶 2 ∗ 60𝐻𝑧 ∗ 100𝜇𝐹
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 4.16[𝑉]
b) Los 30[V] corresponden al voltaje máximo 𝑉𝑚

𝑉𝐷𝐶𝑜 = 𝑉𝑚 − = 30[𝑉] − = 27.92[𝑉]
4∗𝑓∗𝐶 4 ∗ 60𝐻𝑧 ∗ 100𝜇𝐹
c) Pero:
𝑉𝐷𝐶𝑜 = 𝐼𝐷𝐶𝑜 ∗ 𝑅𝐿
Entonces:
𝑉𝐷𝐶𝑜 27.92[𝑉]
𝑅𝐿 = = = 558.33[Ω]
d) Lo que permite calcular γ como:
1
𝛾= ∗ 100
4√3 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿
1 1
𝛾= = ∗ 100
4√3 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿 4√3 ∗ 60𝐻𝑧 ∗ 100𝜇𝐹 ∗ 558.33[𝛺]
𝛾 = 4.31%
Problema 2
Un rectificador de onda completa con filtro capacitivo entrega 50𝑉𝐷𝐶𝑜 y 0.8V eficaces de
rizado a una carga de 200 𝛺. Determinar:
a) El voltaje pico en el secundario del transformador

b) El factor de rizado
c) El ángulo al que empiezan a conducir los diodos
d) La corriente pico que deben soportar los diodos.
53
DATOS:
𝑉𝐶𝐷0 = 50 𝑉
𝑣𝑟𝑚𝑠0 = 0.8 𝑉
𝑅𝐿 = 200𝛺
a)
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜 = ⟹ 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜 ∗ 2√3
2√3
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 0.8𝑉 ∗ 2√3 = 2.77𝑉
𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑉𝐷𝐶𝑂 = 𝑉𝑚 − ⟹ 𝑉𝑚 = 𝑉𝐷𝐶𝑂 +
2 2
2.77𝑉
𝑉𝑚 = 50𝑉 +
2
⟹ 𝑉𝑚 = 51.385 𝑉
b)
𝑉𝑟𝑝𝑝 0.8𝑉
𝛾= =
𝑉𝐷𝐶𝑂 50𝑉
𝛾 = 0.016
c)
4 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿 − 1 1 − √3𝛾
𝜃1 = 𝑆𝑒𝑛−1 ( ) = 𝑆𝑒𝑛−1 ( )
4 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿 + 1 1 + √3𝛾
1 − √3(0.016)
𝜃1 = 𝑆𝑒𝑛−1 ( ) = 𝑆𝑒𝑛−1 (0.946) = 71°
1 + √3(0.016)
d)
𝑆𝑒𝑛𝜃1
𝐼𝑑𝑚 = 𝑉𝑚 (𝜔 ∗ 𝐶 ∗ 𝐶𝑜𝑠𝜃1 + )
𝑅𝐿
Ya que 𝜔 = 2𝜋𝑓
1 2𝜋
𝛾= =
4√3 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿 4√3 ∗ 𝜔 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿
2𝜋 2𝜋
⟹ 𝜔𝐶 = = = 0.283
4√3 ∗ 𝑅𝐿 ∗ 𝛾 4√3 ∗ 200 𝛺 ∗ 0.016
𝑆𝑒𝑛𝜃1
𝐼𝑑𝑚 = 51.385𝑉 (0.283 ∗ 𝐶𝑜𝑠𝜃1 + )
200 𝛺
°)
𝑆𝑒𝑛(71° )
𝐼𝑑𝑚 = 51.385𝑉 (0.283 ∗ 𝐶𝑜𝑠(71 + )
200 𝛺
𝐼𝑑𝑚 = 498𝑚𝐴
Problema 3
Se tiene un rectificador de onda completa con filtro C ¿Qué valor de resistencia de carga y
capacitor se requiere para obtener un voltaje filtrado con un rizado máximo de 0,1 sobre una
carga que absorbe 100 mA de corriente DC, si el voltaje pico rectificado es 50V?
54
DATOS:
𝛾 = 0.1
𝐼𝐷𝐶𝑜 = 100 𝑚𝐴
𝑉𝑚 = 50 𝑉
𝐶 =?
𝑉𝑚 𝑉𝑚
= 1 + √3 ⇒ 𝑉𝐷𝐶𝑜 =
𝑉𝐷𝐶𝑜 1 + √3 ∗ 𝛾
50 𝑉
𝑉𝐷𝐶𝑜 = = 42.61 𝑉
1 + √3 ∗ 𝛾
𝑉𝐷𝐶𝑜
𝑅𝐿 =
𝐼𝐷𝐶𝑜
42.61 𝑉
𝑅𝐿 = = 426.18 Ω
100𝑥10−1 𝐴
1
𝛾=
4√3 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐿
1
𝐶=
4√3 ∗ 𝑓 ∗ 𝛾 ∗ 𝑅𝐿
1
𝐶=
4√3 ∗ 60𝐻𝑧 ∗ 0.1 ∗ 426.18Ω
∴ 𝐶 = 5.64 𝜇𝐹
2.4 REGULACIÓN CON ZENER
2.4.1 DIODO ZENER
Es un dispositivo diseñado para trabajar en la región de ruptura, dicha ruptura se puede producir
bien sea por efecto zener o por efecto avalancha, en cualquier caso representa a un potencial de
polarización inversa VZ. La característica estática de un diodo de esta naturaleza es como se
muestra:
Polarización Directa
VZmax VZT VZmin VB

IZ VZ
IZmin
IZT
-
IZmax
Polarización Inversa 55
𝑉𝑍 : (3 − 200)𝑉
𝑃𝑍 : 50𝑚𝑊 − 50𝑊
Donde se observa que para condiciones de polarización directa el diodo zener se comporta
como un diodo de señal común y corriente. En cambio que para polarización inversa presenta
algunas particularidades, así:
a) Si el voltaje de polarización inversa es menor que VZmin, entonces el diodo zener se

comporta como un circuito abierto.
b) Si el voltaje de polarización inversa es igual a VZmin, entonces la corriente empieza a

crecer bruscamente y el voltaje prácticamente se mantiene constante. Esta es la
denominada región de ruptura del zener y en la que debe trabajar el diodo zener cuando
actúe como regulador de voltaje, donde el voltaje permanece constante para cualquier
cambio de corriente.
Circuito Equivalente del Zener:
La simbología y el circuito equivalente del diodo zener en la región zener es:
+ VZ
-
rZ
Este comprende una pequeña resistencia average (rZ) en serie con una fuente de continua de
valor igual al voltaje zener (VZ). Cuando el zener no entra en ruptura su circuito equivalente
corresponde a un circuito abierto; en tanto que cuando está el dispositivo en polarización directa
se comporta como un diodo común, siendo su circuito equivalente una fuente de continua de
valor VB en serie con la resistencia rav.
En la mayoría de casos se tendrá que las resistencias externas son mucho mayores que la
resistencia zener, por lo que en el circuito se considera despreciable esta rZ.
Un dibujo ampliado de la región zener refleja lo siguiente:
56
IZmin: También llamada corriente de sustentación. Es la corriente mínima que es necesario

circule para que el diodo trabaje en la zona de ruptura, con una corriente inferior a este valor
circulando por el elemento éste se abre.
IZT: Es la corriente con que comúnmente se hace trabajar al elemento, este es un valor típico
de operación, a esta corriente se asocia un Voltaje VZ nominal o promedio.
IZmax: Es la máxima corriente que puede circular por el zener, determinada en base a la máxima
potencia que puede disipar el diodo.
2.4.2 EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE
El diodo zener se puede utilizar para mantener un voltaje fijo a través de una carga variable o
de un voltaje de entrada variable, es decir el zener actúa como elemento regulador de voltaje.
El regulador zener básico es de la forma:
RS
IR S
IR L
IZ
𝑣𝐼𝑁
RL 𝑣𝑂
VZ
𝑣𝐼𝑁 = 𝑉𝐼𝑁 + 𝑣𝑖𝑛

. ↓ . ↓
. 𝐷𝐶 . 𝐴𝐶
𝑣𝑂 = 𝑉𝑂 + 𝑣𝑜
Donde para cumplir con su cometido el diodo debe trabajar en la región de ruptura. En este caso
la tensión del diodo, que es también la de la carga RL, es aproximadamente VZ, y la corriente
por el diodo es IZ; el diodo regulará la tensión en la carga oponiéndose a las variaciones de
las corrientes de la carga y de la tensión de alimentación 𝑣𝐼𝑁 , porque en la región de ruptura
grandes variaciones en la corriente del diodo producen solamente cambios pequeños en su
tensión. Mas aun conforme varia la corriente de carga ó la tensión de alimentación, la corriente
del diodo se acomoda por si misma a estos cambios, manteniendo una tensión casi constante
en la carga.
El diodo regulará hasta que la corriente del diodo sea inferior a IZmin, en la proximidad del codo
de la curva V-I. El límite superior de la corriente, IZmax, se determina por la máxima potencia,
PZM, que es capaz de disipar el diodo zener y que es un dato del fabricante, esto es:
PZM = VZ IZmax
Análisis para AC: El objetivo al utilizar un regulador zener es que las variaciones de la señal
que se tiene a la entrada (que corresponde a la señal que entrega el filtro) sean atenuadas al
mínimo a la salida. El circuito equivalente para AC para el regulador zener seria:
57
RS
𝑣𝑖𝑛 =𝑣𝑖𝑛 r 𝑣𝑜 =𝑣𝑜 r

rZ RL
La resistencia Rs tiene una doble función, así:
a) Limita la corriente DC en el diodo zener a un valor de seguridad que evite una disipación
excesiva de potencia.
b) Tiende a estabilizar 𝑣𝑂 frente a las variaciones de 𝑣𝐼𝑁 , así pues si 𝑣𝑖𝑛 representa un
cambio en 𝑣𝐼𝑁 , sea el rizado, la fluctuación de tensión de línea o ambos, como 𝑣𝑜
representa un cambio en 𝑣𝑂 , estamos interesados en la relación que debe existir entre
RS, rZ y RL, para que 𝑣𝑜 sea mínimo; así:
𝑟𝑍 ‖𝑅𝐿
𝑣𝑜𝑟 = 𝑣𝑖𝑛𝑟 ∗
𝑟𝑍 ‖𝑅𝐿 + 𝑅𝑆
De donde se observa que 𝑣𝑜𝑟 será la menor posible cuando RS sea la mayor y rz la menor
posible. Naturalmente también se puede hacer pequeña RL, pero la carga no siempre es
controlable. Además RL es casi siempre mucho mayor que rz por lo que:
𝑟𝑍 ‖𝑅𝐿 ≈ 𝑟𝑍
𝑣𝑜𝑟 𝑟𝑍 𝑟𝑍
𝑦 ≈ ≈
𝑣𝑖𝑛𝑟 𝑟𝑍 + 𝑅𝑆 𝑅𝑆
𝑟𝑍
≤ 1 ⇒ 𝑣𝑜𝑟 ≤ 𝜈𝑖𝑛𝑟
𝑅𝑆
A fin de que el rizado sea mínimo se deberá cumplir que RS sea grande y rz pequeña. El
diodo zener justamente garantiza tal hecho porque tiene una rz pequeña y aparece por
tanto como una fuente de voltaje constante igual a VZ.
Por lo general el voltaje está fluctuando a la entrada del transformador, por lo que luego de éste
también habrá fluctuaciones, y por lo tanto a la salida del filtro (VLDC) también variará:
R F
I
110Vrms L
O RL
T
R
C O
58
Así para un filtro C se tendrá:

Rizado (AC)
VLDC
En muchas aplicaciones es necesario que a pesar de que el voltaje de red fluctúe, a la salida (en
la carga) tener VLDC fijo, para lo cual se hace lo siguiente:
R F R
I E
O L G
U
RL 𝑣𝑂
T L
R A
C O D
O
R
𝑣𝐼𝑁 VDC
VLDC cte
VZ
Con lo que se consigue una salida fija: 𝑣𝑂 =VZ=VLDC. Es necesario que las fluctuaciones de
voltaje luego del filtro no sean menores que Vz a fin de que el zener se mantenga en regulación.
Sea 𝑣𝐼𝑁 el voltaje que entrega el filtro C, por fluctuaciones en el voltaje de la red eléctrica o por
el rizado presente en la tensión que entrega el filtro se tendrá:
Rizado
𝑣𝐼𝑁 max
fluctuaciones de
la red
𝑣𝐼𝑁 min
VZ
La tensión de entrada al regulador varía entre:

𝑣𝐼𝑁 max
𝑣𝐼𝑁
𝑣𝐼𝑁 min 59
En condiciones de trabajo, la corriente que circula por Rs es:

𝐼𝑅𝑆 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝑅𝐿
• RS sirve para limitar la corriente que circula por el zener de tal forma que sea menor
que la máxima (𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ) que soporta dicho elemento.
𝑣𝐼𝑁 − 𝑉𝑍
𝑅𝑆 =
𝐼𝑍 + 𝐼𝑅𝐿
𝑣𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥− 𝑉𝑍
𝑅𝑆 ≥
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛
En estas circunstancias si desconectamos RL la corriente que circula por la carga será

𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 0, por tanto la corriente que pasa por el zener será la máxima (𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ) que éste
puede soportar.
• Cuando la tensión de entrada sea la menor, 𝑣𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 , la peor condición se tendrá

cuando toda la corriente se vaya por la carga sin dejar nada para el zener entonces
éste no regula, por lo que debe tenerse en cuenta que por lo menos circule por el
zener la corriente de sustentación IZmin.
𝑣𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛−𝑉𝑍
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = − 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
𝑅𝑆
𝑉𝑍 𝑉𝑍
∴ 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = = 𝑣
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛−𝑉𝑍
− 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
𝑅𝑆
Cualquier RL mayor que RLmin asegurará que el diodo zener se encuentre en el estado de
conducción (región de ruptura).
Problema:
A la entrada del circuito regulador con Zener de la figura se tienen 2V de rizado sobre 36VDC.
El Zener tiene VZ=8v; rz=10𝛺. Determinar:
a) la tensión de salida VLDC y el rizado respectivo
b) la potencia nominal disipada por el zener.
c) la corriente máxima que puede entregar el regulador, regulándola.
d) En qué condiciones de carga disipa el diodo la máxima potencia?
𝑣𝑖𝑛 = 2𝑉
𝑣𝐼𝑁 = {
RS 𝑉𝐼𝑁 = 36𝑉
𝑅𝑆 = 0.6𝐾𝛺
𝑣𝑖𝑛 𝑅𝐿 = 0.3𝐾𝛺
-
+ RL
𝑣𝐼𝑁
VIN
60
a) Tomando en consideración el circuito equivalente del zener tendremos:
RS
rZ
2V RL
D. ideal
36V VZ=8V
Este circuito es equivalente al anterior:
RS
rZ
RL D.
ideal
VZ=8V
VDC=36V
RTH
RTH=0.2K
rZ=10
VTH=12V
D. ideal
VZ=8
V
Para DC: 𝑣𝑖𝑛 = 0

𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝑆 ‖𝑅𝐿
𝑅𝑇𝐻 = 0.6𝐾𝛺‖0.3𝐾𝛺
𝑅𝑇𝐻 = 0.2𝐾𝛺
𝑉𝐷𝐶 ∗ 𝑅𝐿 36𝑉 ∗ 0.3𝐾𝛺

𝑉𝑇𝐻 = = = 12𝑉
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿 0.9𝐾𝛺
𝑉𝑇𝐻 = 12𝑉 (Zener si regula)

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑍 12 − 8
𝑉𝐿𝐷𝐶 = −𝑉𝑍 − ∗ 𝑟𝑍 = −8𝑉 − ∗ 10
𝑟𝑍 + 𝑅𝑇𝐻 10 + 200
61
𝑉𝐿𝐷𝐶 = −8.19𝑉
𝑣𝑖𝑛𝑟 ∗ 𝑟𝑍
𝑣𝑜𝑟 = ← 𝑝𝑢𝑒𝑠 𝑅𝐿 >> 𝑟𝑍
𝑅𝑆 + 𝑟𝑍
2 ∗ 10
𝑣𝑜𝑟 = = 0.033𝑉
610
b) La corriente zener nominal estática (DC) es:
𝑉𝐿𝐷𝐶 − 𝑉𝑍 8.19 − 8
𝐼𝑍 = =
𝑟𝑍 10
𝐼𝑍 ≈ 19𝑚𝐴
La potencia nominal disipada por el zener es:
𝑃𝑍 = 𝐼𝑍 ∗ 𝑉𝑍 + 𝐼𝑍 2 ∗ 𝑟𝑍 = 19𝑚𝐴(8𝑉) + (19𝑚𝐴)2 10𝛺

𝑃𝑍 = 156𝑚𝑊
(ojo: se requiere entonces un zener de ¼ W)
c) La 𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 que puede entregar el regulador, considerando la caída en 𝑟𝑍 es:
𝑣𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛−( 𝑉𝑍 + 𝐼𝑍 ∗ 𝑟𝑍)
𝑅𝑆
Si consideramos 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 0𝑚𝐴, no despreciamos la caída en 𝑟𝑍 y como 𝑣𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 = 36 − 2 =
34𝑉, tendremos:
34 − 8.19 [𝑉]
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = = 43 𝑚𝐴
0.6𝐾𝛺
d) El zener disipa la máxima potencia cuando 𝐼𝑅𝐿 =0 mA, en cuyo caso por el zener circula
la máxima corriente 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 .
A continuación se estudiarán algunas situaciones que pueden presentarse en los circuitos

reguladores con Zener:
Caso 1:𝒗𝑰𝑵 𝑭𝒊𝒋𝒐 𝒚 𝑹𝑳 𝑭𝒊𝒋𝒂
En este caso se considera que el voltaje de entrada al regulador es fijo, es decir es un voltaje
DC, 𝑣𝐼𝑁 = 𝑉𝐼𝑁 , así también la carga es fija.
En estas condiciones tanto la corriente que circula por el zener como la que circula por la carga
y por RS son constantes
62
𝐼𝑅𝑆 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝑅𝐿
𝑉𝑍
𝐼𝑅𝐿 = , si el zener regula
𝑅𝐿
𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝑍
𝐼𝑅𝑆 =
𝑅𝑆
𝐼𝑍 = 𝐼𝑅𝑆 − 𝐼𝑅𝐿
• Para que el zener regule: 𝑰𝒁 > 𝑰𝒁𝒎𝒊𝒏
𝑰𝑹𝑺 − 𝑰𝑹𝑳 > 𝑰𝒁𝒎𝒊𝒏
𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝑍 𝑉𝑍
− > 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
𝑅𝑆 𝑅𝐿
𝑽𝑰𝑵 𝑹𝑳 − 𝑽𝒁 (𝑹𝑳 + 𝑹𝑺 )
> 𝑰𝒁𝒎𝒊𝒏
𝑹𝑳 𝑹𝑺
La potencia disipada por el diodo zener es: 𝑃𝑍 = 𝑉𝑍 𝐼𝑍 y se debe cumplir que 𝑃𝑍 ≤ 𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 =
𝑃𝑍𝑀 , es decir la potencia disipada por el zener debe ser menor que la potencia máxima
especificada para el dispositivo.
Caso 2: 𝒗𝑰𝑵 𝑭𝒊𝒋𝒐 𝒚 𝑹𝑳 𝑽𝒂𝒓𝒊𝒂𝒃𝒍𝒆
En este caso como el voltaje de entrada es fijo, se tendrá 𝑣𝐼𝑁 = 𝑉𝐼𝑁 .
Como RL es variable, existirá un rango específico de valores de 𝑅𝐿 (y por tanto de 𝐼𝑅𝐿 ) que
aseguran que el zener regule.
63
Si 𝑅𝐿 es muy baja entonces 𝐼𝑅𝐿 sube su valor, entonces 𝐼𝑍 baja, entonces el zener puede abrirse
(dejar de regular). Si 𝑅𝐿 es muy alta entonces 𝐼𝑅𝐿 baja su valor, entonces 𝐼𝑍 sube, entonces el
zener puede quemarse.
Considerando estas dos condiciones extremas se debe determinar el rango de valores de carga
que aseguren el correcto funcionamiento del Zener, por tanto tendremos:
• Determinación de 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 (𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 ): Si el zener regula, entonces 𝑉𝑅𝑆 permanece fijo,

entonces 𝐼𝑅𝑆 también permanece fijo. Pero si 𝐼𝑅𝑆 es fija e 𝐼𝑅𝐿 varía entonces 𝐼𝑍 también
varía. Para la 𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 la corriente por el zener será la mínima 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 .
(IZmin si se tiene IRLmax)
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅𝑆 − 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
𝑅𝑆
𝑉𝑍
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛
𝑽𝒁
𝑹𝑳𝒎𝒊𝒏 =
𝑰𝑹𝑳𝒎𝒂𝒙
• Determinación de 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 (𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 ): Para la 𝐼RL min la corriente por el zener será la máxima
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 .
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑅𝑆 − 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = − 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑅𝑆
𝑉𝑍
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 =
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑽𝒁
𝑹𝑳𝒎𝒂𝒙 =
𝑰𝑹𝑳𝒎𝒊𝒏
Si la resistencia de carga se mantiene dentro de este rango [𝑹𝑳𝒎𝒊𝒏 , 𝑹𝑳𝒎𝒂𝒙 ], el Zener opera
adecuadamente.
Caso 3: 𝒗𝑰𝑵 𝑽𝒂𝒓𝒊𝒂𝒃𝒍𝒆 𝒚 𝑹𝑳 𝑭𝒊𝒋𝒂
Cuando RL es fija, la corriente que por ella circula también lo es. Pero si el voltaje de entrada al
regulador varía entre:𝑉𝐼𝑵𝑚𝑎𝑥 y 𝑉𝐼𝑵𝑚𝑖𝑛 , deberá determinarse las condiciones que garanticen que
el zener no se queme y regule, esto es: el 𝑉𝐼𝑵𝑚𝑖𝑛 que garantice que por el zener circulará al
menos la corriente de sustentación; y, el 𝑉𝐼𝑵𝑚𝑎𝑥 que garantice que el zener no se queme.
Al ser el voltaje de entrada variable tendremos:
𝑉𝐼𝑁 max
𝑣𝐼𝑁
64
𝑉𝐼𝑁 min
• Determinación de 𝑉𝐼𝑵𝑚𝑖𝑛 (para que el Zener regule)
𝐼𝑅𝐿 = 𝐼𝑅𝑆 − 𝐼𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛 − 𝐼𝑅𝐿 (como 𝑣𝐼𝑁 varía y 𝑉𝑍 es constante, entonces 𝐼𝑅𝑆 varía)
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = − 𝐼𝑅𝐿
𝑅𝑆
𝑉
𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑅𝐿 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝑅𝑍
𝐿
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 + 𝑉𝑍 = 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 𝑅𝑆 + 𝑉𝑍

Reemplazando 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 :
𝑽𝒁
𝑽𝑰𝑵𝒎𝒊𝒏 = 𝑹𝑺 (𝑰𝒁𝒎𝒊𝒏 + ) + 𝑽𝒁
𝑹𝑳
• Determinación de 𝑉𝐼𝑵𝑚𝑎𝑥 (para que el Zener no se queme)

𝑉
𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝑅𝐿 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝑅𝑍
𝐿
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑅𝑆 𝑚𝑎𝑥 + 𝑉𝑍 = 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑎𝑥 𝑅𝑆 + 𝑉𝑍
𝑽𝒁
𝑽𝑰𝑵𝒎𝒂𝒙 = 𝑹𝑺 (𝑰𝒁𝒎𝒂𝒙 + ) + 𝑽𝒁
𝑹𝑳
Caso 4: 𝒗𝑰𝑵 𝑽𝒂𝒓𝒊𝒂𝒃𝒍𝒆 𝒚 𝑹𝑳 𝑽𝒂𝒓𝒊𝒂𝒃𝒍𝒆
Rango del voltaje de entrada:𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑎𝑥 y 𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛

Rango de 𝑅𝐿 : 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 y 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛
𝑉𝐼𝑁 max
𝑣𝐼𝑁
𝑉𝐼𝑁 min
65
• Condiciones Críticas por Arriba (para que el Zener NO se queme)
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑍
𝐼𝑅𝑠𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝑆
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑅𝑆𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛
𝑠𝑖 𝑅𝐿 ↓ 𝑝𝑜𝑟 𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑑𝑒 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 ⇒ 𝐼𝑅𝐿 ↑⇒ 𝐼𝑍 ↓ < 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ⇒ 𝑂𝐾
𝑠𝑖 𝑅𝐿 ↑ 𝑝𝑜𝑟 𝑎𝑟𝑟𝑖𝑏𝑎 𝑑𝑒 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 ⇒ 𝐼𝑅𝐿 ↓⇒ 𝐼𝑍 ↑> 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ⇒ zener se quema
• Condiciones Críticas por Abajo (para que el Zener NO salga de regulación)
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍
𝐼𝑅𝑠𝑚𝑖𝑛 =
𝑅𝑆
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 − 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 =
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑠𝑖 𝑅𝐿 ↓ 𝑝𝑜𝑟 𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑑𝑒 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 ⇒ 𝐼𝑅𝐿 ↑⇒ 𝐼𝑍 < 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ⇒ zener sale de regulación.
Problema:
Para el circuito de la figura, encontrar los rangos de valores de resistencia de carga, con los
que se mantendrá las condiciones de trabajo del zener.
Caso 𝒗IN variable y 𝑹𝑳 variable .
𝑉𝑍 =6.8V
𝑟𝑍 =0
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 80mA.
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 2mA
20
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 = 12 − ∗ 12 = 9.6𝑉.
100
20
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥 = 12 + ∗ 12 = 14.4𝑉
100
a) Condiciones críticas por arriba, 𝑣IN = 𝑉𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥 = 14.4𝑉.

Por 𝑅𝑆 circula:
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑧 14.4 − 6.8[𝑉]
𝐼𝑅𝑠𝑚𝑎𝑥 = = = 111.76𝑚𝐴
𝑅𝑠 68𝛺
66
Por 𝑅𝐿 debe circular una corriente mayor a 𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 , donde:
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 111.76mA – 80mA = 31.76mA
Nótese, si 𝐼RL  31.76 mA, entonces Iz >𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 y el zener se quema, por tanto la mínima corriente
que debe circular por la carga es 31.76mA.
𝑉𝑍 6.8𝑉
∴ 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = = = 214.07𝛺
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 31.76𝑚𝐴
b) Condiciones críticas por abajo, 𝑣IN = 𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 = 9.6𝑉.
Por 𝑅𝑆 circula:
𝑉𝐼𝑁𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑧 9.6 − 6.8[𝑉]

𝐼𝑅𝑠𝑚𝑖𝑛 = = = 41.17𝑚𝐴
𝑅𝑠 68𝛺
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅𝑆 𝑚𝑖𝑛 − 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 41.17mA – 2mA = 39.17mA
Nótese, si por RL circula 𝐼RL 𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 , entonces: Iz 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 y el zener se abre.
𝑉𝑍 6.8𝑉
∴ 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = = = 173.6𝛺
𝐼𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 39.17𝑚𝐴
173.6𝛺 < 𝑅𝐿 < 214.07𝛺
Regulación de carga.
Cuando la corriente que circula por la carga varía debido a variaciones de la resistencia de carga,
RL, el regulador debe mantener un voltaje de salida aproximadamente constante a través de la
carga.
El porcentaje de regulación se define como: la variación de la tensión continua de salida en

función de la corriente continua en la carga. Es decir, representa la cantidad de cambio del voltaje
DC de salida sobre el rango de operación del circuito (vacío a RL)
𝑉𝐷𝐶𝑂 vacío −𝑉𝐷𝐶𝑂 carga
% regulación = ∗100 (%)
𝑉𝐷𝐶𝑂 carga
donde vacío significa RL =∞ (corriente por la carga nula) y carga indica la corriente nominal o
corriente con RL≠ ∞ (corriente por la carga no nula).
Para una fuente de alimentación ideal la tensión de salida es independiente de la carga y en

consecuencia el porcentaje de regulación es cero.
2.4.3 REGULADORES DE VOLTAJE INTEGRADOS
Los reguladores de voltaje integrados permiten entregar a su salida un voltaje fijo (positivo o
negativo) o ajustable (dentro de un determinado rango). El regulador integrado se lo conecta luego
del filtro y en lugar del regulador con Zener.
67
Se disponen de reguladores integrados comerciales que pueden entregar corrientes de carga desde
cientos de mA hasta decenas de A, esto es potencias desde mW hasta decenas de W.
Reguladores de voltaje de 3 terminales:
En el terminal de entrada de dicho CI se aplica el voltaje NO regulado, al terminal de salida se

conecta la carga sobre la que se espera obtener un voltaje continuo de salida regulado; y, el tercer
terminal común se conecta a tierra.
El fabricante especifica el rango de voltajes de entrada dentro del cual el CI opera entregando un
voltaje de salida regulado sobre un rango de corriente de carga. Las especificaciones
adicionalmente proporcionan el cambio del voltaje de salida producido por un cambio en la
corriente de carga (regulación de carga) o en el voltaje de entrada.
La hoja de especificaciones de reguladores de voltaje positivo de la serie 7800 (p.e. 7812), es

como se muestra a continuación, donde se destacan algunos parámetros de importancia:
Voltaje de salida: El voltaje de salida nominal (típico) es de 12 V pero podría estar en el rango
entre 11.5 V y 12.5 V.
68
Regulación de salida: La regulación del voltaje de salida típica es de 4 mV y máximo de 100

mV (a corrientes de salida de 0.25 a 0.75 A). Es decir que el voltaje de salida puede variar 4 mV
con respecto al valor nominal de 12 V DC.
Corriente de salida en cortocircuito: La corriente se limita a 0.35A si la salida se pone en
cortocircuito (por accidente o por otro componente defectuoso).
Corriente de salida pico: Aunque la corriente máxima nominal es de 1.5 A para esta serie de
circuitos integrados, la corriente de salida pico típica que podría ser absorbida por una carga es
de 2.2 A. Es decir que aunque el fabricante indica que el CI es capaz de entregar 1.5 A, se podría
extraer hasta 2.2A de corriente durante un período de tiempo corto.
Reguladores de voltaje positivo fijo
Los reguladores integrados de la serie 78XX son reguladores de 3 terminales de voltaje positivo
dentro de un rango que va de 5 a 24V, siendo XX el valor del voltaje de salida que entrega el
dispositivo.
El dispositivo requiere para su operación de dos capacitares (C1 a la entrada y C2 a la salida). C1

actúa como filtro, así el voltaje de entrada NO regulado es previamente filtrado por este
condensador; adicionalmente C2 actúa como filtro para bloquear cualquier ruido de alta
frecuencia presente a la salida del regulador.
Si el voltaje de entrada y la carga de salida varíen dentro de un rango permitido, el voltaje de

salida permanecerá constante dentro de los límites especificados, los cuales se proporcionan en
las hojas de especificaciones del fabricante.
69
La siguiente tabla muestra algunos reguladores de voltaje positivo de la serie 7800.
Reguladores de voltaje negativo fijo
Los reguladores integrados de la serie 79XX son reguladores de 3 terminales de voltaje negativo
dentro de un rango que va de -5 a -24V, siendo XX el valor del voltaje de salida que entrega el
dispositivo.
La siguiente tabla muestra algunos reguladores de voltaje negativo de la serie 7900.
70
Corrección ej. 15.13:

De acuerdo a las ecuaciones derivadas para el filtro C con rectificador de onda completa se tiene:
𝐼𝐷𝐶𝑜 400mA
𝑉𝑟𝑝𝑝 = = = 13.33𝑉 ⟶ 𝑉𝑟𝑝 = 6.67𝑉
2𝑓𝐶 2(60)(250𝜇𝐹)
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑉𝐷𝐶𝑂 = 𝑉𝑚 − = 15 − 6.67 = 8.33𝑉
2
𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐷𝐶𝑂 − 𝑉𝑟𝑝 = 8.33 − 6.67 = 1.66𝑉
Como este voltaje es menor que el mínimo requerido para el regulador de circuito integrado 7805
(según la tabla correspondiente, Vi = 7.3 V), el circuito integrado NO regula.
NOTA: La consideración de Boylestad sería correcta si el rizado a la salida del filtro C fuese
sumamente pequeño, en cuyo caso 𝑉𝐷𝐶𝑂 ≅ 𝑉𝑚 .
Solución:
Una solución sería elevar el valor de C, pues el valor de la carga está dado. Así si usamos un C
= 470 𝜇𝐹, tendríamos:
71
𝐼𝐷𝐶𝑜 400mA
𝑉𝑟𝑝𝑝 = = = 7.1𝑉 ⟶ 𝑉𝑟𝑝 = 3.55𝑉
2𝑓𝐶 2(60)(470𝜇𝐹)
𝑉𝑟𝑝𝑝
𝑉𝐷𝐶𝑂 = 𝑉𝑚 − = 15 − 3.55 = 11.45𝑉
2
𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐷𝐶𝑂 − 𝑉𝑟𝑝 = 11.45 − 3.55 = 7.9𝑉
Como este voltaje es mayor que el mínimo requerido para el regulador de circuito integrado 7805
(según la tabla correspondiente, Vi = 7.3 V), el circuito integrado SI regula.
Corrección ej. 15.14: Considerando C = 470𝜇𝐹
Para tener un 𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛 ≥ 7.3V se debería cumplir:
𝑉𝑟𝑝𝑝 ≤ 𝑉𝑚 − 𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛 = 15 – 7.3V = 7.7V⟶ 𝑉𝑟𝑝 = 3.85𝑉 (máximo)
𝑉𝑟𝑝𝑝 7.7𝑉
𝑣𝑟𝑚𝑠𝑜 = = 2√3 = 2.22𝑉 (máximo)
2√3
Por consiguiente el valor de la corriente de carga (DC) máxima será:
𝐼𝐷𝐶𝑜
𝑉𝑟𝑝𝑝 = ⟶ 𝐼𝐷𝐶𝑜 = 2(60)(470𝜇𝐹)(7.7) = 434.3 𝑚𝐴
2𝑓𝐶
Una corriente superior a esta sería demasiado grande para que el CI regule y entregue un voltaje
de 5V regulado a la carga.
Reguladores de voltaje ajustable
Los reguladores integrados ajustables posibilitan escoger el voltaje de salida deseado según los
requerimientos del usuario. Por ejemplo, el CI LM317 permite un rango de voltaje de salida
regulado ajustable de 1.2 a 37V. Los terminales de este dispositivo son: IN, OUT y AJUS
(ajustable). La siguiente figura muestra la forma de conexión del CI recomendada por el
fabricante.
72
R1 y R2 permiten fijar el voltaje de salida al valor deseado (dentro del rango). El voltaje de salida
deseado puede determinarse como:
𝑉𝑜 = 𝑉𝑟𝑒𝑓 + (𝐼1 + 𝐼𝑎𝑗𝑢𝑠 )𝑅2 con 𝐼1 = 𝑉𝑟𝑒𝑓 /𝑅1
𝑅2
𝑉𝑜 = 𝑉𝑟𝑒𝑓 (1 + ) + 𝐼𝑎𝑗𝑢𝑠 𝑅2
𝑅1
Siendo los valores típicos de 𝑉𝑟𝑒𝑓 = 1.25V e 𝐼𝑎𝑗𝑢𝑠 = 100 μA
2.5 DIODOS EMISORES DE LUZ (LED, Light Emitting Diode)
El diodo de unión PN puede emitir luz. La luz emitida cuando se polariza directamente al LED en
este caso procede de la recombinación de electrones y huecos, así pues cuando un electrón se
recombina, cae desde un nivel de alta energía (banda de conducción, sin ligadura) a su estado
neutro de menor energía (banda de valencia) emite energía en forma de fotones y, se obtiene luz
de una longitud de onda correspondiente a la diferencia de niveles de energía asociados con esa
transición.
73
Cuando nos referimos a dispositivos emisores de luz se suele hacer en términos de longitud de
onda λ en lugar de frecuencia f, estos parámetros se relacionan a través de:
Al polarizar directamente la unión, electrones de la capa n se difunden hacia la capa p para

recombinarse con los huecos que en ella existen y viceversa.
En este proceso de recombinación se libera energía, esta energía es liberada como un fotón de luz,
la cual puede emerger del área activa del dispositivo semiconductor.
La energía liberada corresponde a la energía de la banda prohibida, Eg, y consecuentemente la
longitud de onda emitida dependen de la composición del semiconductor.
Eg = h.f = h.c/
h constante de Planck = 6.63×10-34J.s o 4.14x10-15 eV.s
Los LEDs liberan energía en el espectro visible (400 THz – 750 nm a 750 THz – 400 nm) o en el
infrarrojo (invisible de 100 a 400 THz), dependiendo del material que se utilice para la fabricación
de los LEDs se tiene luz de diferente longitud de onda. Así por ejemplo existen LEDs de GaAs,
GaP, GaAsP, etc.
Para diodos de Ge o Si la radiación emitida por efecto de la recombinación cae en la banda del
infrarrojo y por tanto no es visible. Los diodos de GaAs emiten luz infrarroja.
74
Este tipo de diodos se los utiliza fundamentalmente como indicadores, controles remotos o como
fuentes de luz (conversores electro ópticos en sistemas de comunicación por fibra óptica). El
voltaje umbral o de barrera para estos diodos típicamente es de ≈ 2 V y el voltaje de ruptura de
unos 20 V.
75
76

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Ma. Soledad Jiménez, MSc.

2.1 CONSTRUCCIÓN Y PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Los materiales P y N son los bloques constitutivos fundamentales de diversos dispositivos

• No se aplica ningún voltaje al diodo, es decir NO se lo polariza al dispositivo (VD = 0V)

2.1.1 EL DIODO SEMICONDUCTOR SIN POLARIZACIÓN, (VD = 0V)

Los iones inmóviles sin neutralizar en la vecindad de la unión se llaman CARGAS

Fig.2.2 Formación de la región de agotamiento.

por las cargas descubiertas, la cual se opone a la corriente de recombinación.

ECUACIÓN DEL DIODO

La corriente generada térmicamente Ig depende de la temperatura T, siendo a veces llamada

𝐼𝑟𝑝 + 𝐼𝑟𝑛 = 𝐼𝑔𝑝 + 𝐼𝑔𝑛 ⟶ 𝐼𝑟 = 𝐼𝑔 ⟶ 𝐼𝑟 − 𝐼𝑔 = 0

Cuando 𝐼𝑟 - 𝐼𝑔 = 0 se ha llegado a formar completamente la barrera de potencial y en ese instante

Si no se aplica tensión, esto es VD = 0, la corriente de recombinación iguala a la de generación

CONCLUSIÓN: Si no se aplica tensión al diodo, esto es VD = 0, la corriente exterior que circula

2.1.2 EL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA, (VD > 0V)

Fig.2.3 El diodo en polarización directa.

como Ig por lo general se conoce como corriente de saturación Is, tendremos:

A temperatura ambiente (27ͦ C o 300°K) se tiene KT/e = 26 mV.

pues la tensión aplicada aún no ha reducido lo suficiente la barrera de potencial inherente. Si VD

Ge y VT =0.7 V para el Si.

2.1.3 EL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA, (VD < 0V)

Si invertimos la polaridad de la fuente externa DC (batería) el diodo se polariza inversamente, es

Fig.2.4 El diodo en polarización inversa.

−𝑉𝐵 −𝑉𝐷 −𝑉𝐷

Por lo que la ecuación del diodo en PI será:

Fig.2.5 Curva Característica del diodo

El aumento brusco de ID en PI puede deberse a dos mecanismos:

a) Efecto Zener: Si VD aumenta lo suficiente en la polarización inversa es posible que el

b) Efecto Avalancha: La ruptura por avalancha es debida a un efecto de emisión

Fig.2.6 Curva Característica del diodo en PD y PI (Si vs Ge)

2.1.3 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA CARACTERÍSTICA ID vs VD DEL

En diodos de Ge de tipo pequeño la corriente inversa generada térmicamente Is es, generalmente,

En términos generales se considerará que para diodos comerciales Ig se duplica aproximadamente

Fig.2.7. Influencia de la Temperatura en la característica del diodo

En PI la influencia de la temperatura es aún más predominante, incrementándose la corriente de

2.2 CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS, CIRCUITO EQUIVALENTE

2.2.1 NIVELES DE RESISTENCIA DEL DIODO

a) Resistencia estática o de DC (RD)

La resistencia del diodo en ese punto de trabajo, se denomina resistencia estática o de DC y se

Fig.2.8. Determinación gráfica de RD

b) Resistencia dinámica o de AC (rd)

Fig.2.9. Determinación gráfica de rd

Sin embargo, es posible determinar la resistencia dinámica de manera matemática, considerando

La conductancia dinámica para un punto específico de funcionamiento en polarización directa

dicha resistencia puede evaluarse simplemente reemplazando el valor quiescente (DC) de la

Sin embargo, la rd determinada gráficamente incluye de manera implícita el efecto de la resistencia

Un factor de corrección de 1 Ω es adecuado.

c) Resistencia average, equivalente o resistencia dinámica promedio (rav)

• Para diodos de propósitos generales, el fabricante proporciona como 𝑟𝑎𝑣 la resistencia

Fig.2.10. Determinación gráfica de rav

2.2.2 EL DIODO IDEAL

Es el resultado de idealizar al máximo el comportamiento del diodo, lo que implica que un

Fig.2.11. Diodo ideal. Característica (a) PD, (b) PI

2.2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO

Un circuito equivalente constituye una combinación de elementos convenientemente

c) Modelo Ideal (diodo ideal)

El circuito equivalente corresponde a un diodo ideal.

Fig.2.11. Circuitos equivalentes del Diodo (ver Boylestad)

2.3 APLICACIONES DEL DIODO

2.3.1 CONFORMADORES DE ONDA

Un circuito recortador utiliza diodos y resistencias, opcionalmente fuentes de DC. La forma de

En el análisis de los circuitos recortadores consideraremos diodos ideales.

c) Recortadores serie polarizados: Incluyen fuentes de DC y el diodo en serie con R.