Asignatura: Generación de Energía

Curso y División: 5to 3ra

Número del Vídeo: Semiconductores 02: Unión PN

Alumno: Manuel Santiago Peñaloza

Establecimiento: Escuela de Educación Técnica N1

“Escolastico Zegada”
Año: 2023

TP: Unión PN
• Consignas:
1. ¿Qué es polarizar? ¿Cómo se comporta un semiconductor tipo P cuando es polarizado?
Justifique su explicación.
2. ¿Cómo se comporta un semiconductor tipo N cuando es polarizado? Justifique su
explicación.
3. ¿Qué es o que entiende por unión PN? ¿Qué son los portadores mayoritarios y minoritarios?
4. Explicar el comportamiento de la unión PN sin polarizar.
5. ¿Cuáles son las características de la zona de empobrecimiento?
6. ¿Qué es el potencial de barrera? ¿Cómo interviene las impurezas para formar el potencial de
barrera? ¿De que dependen?
7. ¿Cuál es el valor de potencial de barrera?

Desarrollo

1- Polarizar es conectar dos placas en los extremos del semiconductor y hacemos pasar por ella
una corriente eléctrica. El semiconductor del tipo P cuando se lo polariza actúa como un
conductor de la corriente eléctrica. Esto sucede porque contiene huecos en su estructura que son
atraídos hacia la placa negativa y cada electrón entrara fácilmente recombinándose con cada uno
de los huecos de las impurezas, una vez dentro los electrones de la placa son atraídos por el lado
positivo que son ayudados a circular gracias a los huecos de las impurezas y asi permite el paso
de la corriente y sea un material conductor
2- Un semiconductor del tipo N cuando es polarizado actúa como material aislante. Esto sucede
porque los electrones que se encuentran libres en el semiconductor son atraídos hacia la placa
positiva y los huecos que están libres son atraídos por la placa negativa y al pasar la corriente
eléctrica estos huecos se llenan y nos dejan lugar al paso de más electrones y lo convierten en
un material del tipo aislante
3- La unión PN es cuando se unen dos materiales semiconductores extrínsecos del tipo P y del
tipo N
4- El comportamiento de la unión PN sin polarizar es que los electrones libres del
semiconductor del tipo N se unen a los huecos del cristal tipo P formándose un ion positivo en
N y uno negativo en P. Esto origina una tensión de difusión que se opone al flujo de electrones a
través de la unión.
5- La zona de empobrecimiento se refiere a que la región cercana a la unión se queda sin
portadores de carga, en síntesis, electrones del lado n y huecos del lado p debido a que se
combinaron uno con los otros
6- Es la barrera en la que la carga requiere fuerza adicional para cruzar la región. Las cargas del
lado N cruzan la región y comienzan a combinarse con los orificios, dejando atrás los iones
positivos inmóviles del donante, los orificios de la región P se combinan con los electrones de la
región N y dejan atrás los iones aceptores negativos.
7- El valor de esta región del potencial de barrera es de 0.3 y 0.7v dependiendo del tipo de
material utilizado