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A 05 DE NOVIEMBRE DEL 2020

LICENCIATURA:
INGENIERIA ENERGETICA.

MATERIA:
ELECTRÓNICA

TEMA:
INVESTIGACIÓN UNIDAD 1
DIODOS

MAESTRO:
ING. NELSON JIMENEZ PÉREZ.

ALUMNO:
ABRAHAM RAYA GUTIERREZ.

CALIFICACIÓN:
Electrónica
Unidad 1: Diodos
1.1.- Materiales semiconductores (Tipo n y p).
1.2.- Diodo semiconductor.
1.3.- Aplicaciones (Compuertas AND/OR, Rectificadores,
Recortadores, Multiplicadores, Cambiadores de nivel).
1.4.- Tipos (Zener, Emisor de luz LED, Schottky, Varactores de
potencia, Túnel, Fotodiodos, Emisores infrarrojo, Termistores).

Introducción:
En esta investigación el alumno aprenderá y conocerá todo con
respecto a los diodos. iniciando desde su historia quienes fueron
los inventores, así como fue que se creó, como fue que se empezó
a estudiar para poder identificar cuales fueron los mejores
materiales conductores y semi conductores que existen y porque
fueron elegidos. El alumno aprenderá a reconocer ente los diodos
reales y diodos semiconductores, sus aplicaciones en toda la
electrónica y como los podemos escoger y diferenciar, así como
los tipos de diodos que llegan a existir entre los más comunes y
más extraños.
1.1.- Materiales semiconductores (Tipo n y p).
El amplio desarrollo de la electrónica y sus múltiples aplicaciones en diversos
equipos y aparatos de gran utilidad, se debe al estudio d la Física del estado sólido.
Ello ha permitido que enormes y complicados sistemas a base de tubos de vacío se
reduzcan y simplifiquen mediante el uso de los semiconductores. El nombre de
semiconductor se les da a aquellas sustancias de conductibilidad eléctrica
intermedia entre los conductores y los aislantes, y cuya resistencia eléctrica
disminuye al aumentar su temperatura.
Sabemos que los metales son buenos conductores de la electricidad, ello se debe
al alcance metálico. Dicho enlace está formado por electrones libres o por
electrones apareados en movimiento, que en momento dado pueden formar enlaces
iónicos o covalentes, o encontrarse enlazados y después ya no. Debido a su
inestabilidad electrónica y a lo débil de su enlace, los electrones de los átomos se
desprenden fácilmente, lo cual hace a los metales buenos conductores.
Un metal de cualquier metal tiene millones de átomos muy cerca de unos de otros
en una disposición ordenada. Como el número de niveles energéticos permitidos es
grande, conviene hablar de bandas de energía, en lugar de niveles discretos de
energía.

En la anterior figura vimos los diferentes niveles de valencia que forman la banda
de valencia y en la banda de conducción quedan comprendidos los niveles de
excitación de un átomo. Todas las sustancias pueden ser clasificadas en
conductores, aislantes y semiconductores en función de la energía que requiere un
electrón para pasar de la banda de valencia a la banda de conducción.
El diagrama de los niveles de energía de la siguiente imagen:

Muestra las posiciones relativas de las bandas de energía en los conductores,

semiconductores y aislantes.
Como se observó, en los conductores casi no hay separación entre la banda de
valencia y la de conducción, por tanto, un electrón requiere poca energía para
transitar la banda de valencia a la de conducción. En los semiconductores la
separación entre las dos bandas aumenta y un electrón requiere una mayor energía
para pasar a la banda de conducción. En un aislante la energía que requiere un
electrón para saltar de la banda de valencia a la banda de conducción es muy
grande, aproximadamente 6 x 106 Volts/ metro.
Los materiales semiconductores pertenecen al grupo IV A la de la tabla periódica y
sus propiedades están relacionados con su estructura atómica. Tienen cuatro
electrones en su última capa, por ejemplo: El Germanio tiene 32 electrones
distribuidos de la siguiente manera: 2 en el nivel de energía 1 o K; 8 em el nivel 2 o
L; 18 en el nivel energético 3 o M y 4 electrones en el último nivel 4 o N. En el Silicio
sus 14 electrones están repartidos de la siguiente manera: 2 en el 1; 8 en el 2 y 4
en el 3. Cuando los cristales del Germanio o del Silicio comparten sus 4 electrones
con otro átomo cercano, forman capas totalmente llenas con 8 electrones. Por eso,
cuando un semiconductor es totalmente puro su comportamiento es el de un
aislante. La estructura simplificada de un semiconductor puro, como es el caso del
Silicio.
Semiconductores de Tipos N y P

Un semiconductor totalmente puro no tiende a ceder o aceptar electrones como no

conduce la corriente eléctrica es por tanto un aislante. Sin embargo, un cristal puro,
ya sea de Germanio o Silicio, puede ser contaminado con pequeñas cantidades de
impurezas. Ejemplo: Cristales de Silicio son contaminados con Arsénico que tiene
33 electrones distribuidos de la siguiente forma: 2 en el nivel 1, 8 en el nivel 2, 18
en el nivel 3 y 5 en su último nivel; existirá un electrón libre sin enlazar por cada
átomo de arsénico, con libertad relativa para moverse dentro de la red cristalina,
comportándose como un electrón libre. Ello permitirá que el Silicio contaminado se
convierta en un conductor de la corriente eléctrica.
Las impurezas que proporcionan electrones suplementarios reciben el nombre de
donadores. Aquellos semiconductores contaminados con impurezas donadoras se
transforman en conductores por la presencia de electrones libres y se les llama
semiconductores de tipo N.
Cuando el Silicio o el Germanio son contaminados con una impureza como el
aluminio o el indio que tienen 3 electrones en su último nivel de energía, la impureza
deja al Silicio con un hueco en su estructura:

Los huecos pueden considerarse con carga positiva, pues significan diferencia de
electrones.
Las impurezas que contribuyen con huevos en la red cristalina de un semiconductor
reciben el nombre de aceptores. Cuando un semiconductor es contaminado con
impurezas aceptoras, dichas impurezas le dejan agujeros en su estructura cristalina,
por lo que se convierten en portadores y se les denomina semiconductores de tipo
P. Como de éstos tiene portadores positivos, en presencia de una diferencia de
potencial se desplazarán hacia el potencial negativo. Por el contrario, en un
semiconductor de tipo N, los electrones libres se moverán hacia el potencial positivo.
Así un semiconductor de tipo N y un semiconductor de tipo P son eléctricamente
opuestos.
Cuando se conecta un cristal de Silicio contaminado con aluminio a una batería, los
huecos pueden moverse dentro del cristal. Así un electrón saldrá al hueco y éste se
desplazará a otro lugar que posteriormente será ocupado por otro electrón, de
nueva cuenta el hueco se moverá y así sucesivamente.
Una unión o empalme PN se presenta al poner en contacto dos semiconductores
de los tipos P y N

En la zona de contacto los electrones libres en el cristal N se esparcen en los huecos

a través del límite, por lo cual se produce una diferencia de potencial entre los
cristales que antes se encontraban neutros. Como los electrones han dejado el
cristal N, esa parte tendrá un potencial negativo al llenarse algunos huecos.
Cuando la unión PN, mostrada anteriormente, está a una temperatura fija sin recibir
luz, el miliamperímetro no detectara ninguna corriente. Ello se debe a la formación
de potenciales inversos entre las extremidades del cristal, por tanto, no se presenta
diferencia de potencial entre el punto 1 y 2.
Al inducir un haz luminoso sobre la unión PN de la anterior figura, se registrará con
el multímetro una corriente eléctrica debido a que la luz al ser absorbida libera a los
electrones adicionales y produce huecos. En este principio se basa el
funcionamiento de una batería solar, la cual sólo trabaja al recibir energía luminosa.
Una unión o empalme de semiconductores PN puede funcionar como rectificador
de corriente, si ésta fluye en un solo sentido al igual que un diodo de vacío, por ello
se llama diodo de cristal o simplemente diodo.
Al observar la anterior imagen comprendimos el funcionamiento de dicho diodo
rectificador de corriente, mediante la unión NP de semiconductores.
Observamos también que se tiene un circuito en el que se encuentran en contacto
un semiconductor de Silicio de tipo N y uno de tipo P. El primero se conecta a la
terminal negativa de la pila y el segundo a la positiva. En estas condiciones los
electrones y los huecos son obligados a moverse hacia el punto de unión de los
semi conductores, y los electrones de la sección N saltan a los huecos de la sección
P, la cual genera una corriente eléctrica en un solo sentido. Cuando la unión NP se
sujeta a una polaridad eléctrica como la descrita, se dice que está polarizada hacia
adelante o con polarización directa.
Cuando la conexión con las terminales de la pila se cambia:
Los electrones y los huecos son obligados a alejarse de la unión NP; en
consecuencia, los electrones ya no cruzan el punto de unión, por lo que no se
produce la corriente eléctrica. Una unión NP sometida a esta polaridad eléctrica está
polarizada hacia atrás o con polarización inversa.
Toda vez que un diodo hecho con la unión NP permite el paso de la corriente sólo
cuando tiene polarización directa, éste se utiliza para convertir una corriente alterna
en directa lo que sustituye ventajosamente a un tubo rectificador o diodo vacío.

Transistor:
Un diodo semiconductor actúa como rectificador y un triodo semiconductor como
amplificador denominado transistor. Básicamente éste es una especie de doble
rectificador de contacto.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP. La estructura de un transistor
NPN se muestra a continuación:

Como se ve. Existen tres secciones unidas a la izquierda muy delgada que puede
ser de Silicio o Germanio de tipo N llamada emisor; en medio una sección aún mas
delgada de tipo P nombrada base; y a la derecha otra sección N denominada
Colector. In transistor puede tener el tamaño de la punta de un alfiler. Generalmente,
los transistores se fabrican incrustados en platico o en pasta. Para comprender el
funcionamiento de un transistor observe a continuación:
Donde se observa que el diodo de entrada emisor – base recibe una polarización
directa y el diodo de salida base – colector, una polarización inversa. En el diodo de
entrada los electrones del emisor se ven obligados a desplazarse hacia la base.
Ésta, que es muy delgada, permite que los electrones pasen en su mayoría (95%)
y lleguen al colector, el cual está influenciado por la atracción del polo positivo de la
batería. Soló un 5% de los electrones no llegan al colector y salen por la parte inferior
de la base. La intensidad de la corriente del colector dependerá de la que tenga el
emisor.
Si el transistor es del tipo PNP, la polaridad de las pilas se debe invertir a fin de
obtener los mismos efectos que el tipo NPN, aunque cabe señalar que el
movimiento de los huecos sustituye al de los electrones.
Un transistor puede desempeñar todas las funciones de un tubo electrónico o tubo
de vacío, pues sirve para rectificar o para amplificar la corriente. Para que un
transistor amplifique la corriente, el diodo de entrada es decir emisor base, debe
conectarse a un alternador. Cuando las polaridades del alternador quedan en fase
con las polaridades de la batería, la polarización directa del diodo de entrada será
mayor al igual que la corriente del diodo de salida, por tanto, se ha amplificado la
corriente.
Aunque los transistores y los tunos electrónicos tienen las mismas aplicaciones,
existen grandes diferencias en su construcción y funcionamiento. Por ejemplo:
Mientras el tubo electrónico requiere para funcionar de una fuente térmica que
caliente el cátodo, o sea, el emisor, y un tiempo para su calentamiento; el transistor
no lo necesita. Otra diferencia es el tamaño, los transistores son compactos, no se
calientan y son de baja potencia eléctrica; además, funcionan con bajos voltajes,
resisten golpes y vibraciones por lo que son de larga duración. Sin embargo, una
semejanza entre ambos es el comparar la función del emisor, base y colector de un
transistor, con el cátodo, rejilla y placa de un tubo electrónico respectivamente.

A pesar que el transistor está sustituyendo en forma notable al tubo electrónico por
sus múltiples ventajas, es difícil pensar que sea reemplazado en su totalidad, pues
en ocasiones el tubo electrónico supera a los transistores. Tal es el caso del uso de
las altas potencias eléctricas, en las que es necesario resistir altas temperaturas y
en donde las propiedades de los transistores se ven notablemente afectadas.
La parte activa de un transistor puede ser tan pequeña como la punta de un alfiler.
No obstante, necesita hilos de enlace con otras partes del circuito y una cubierta
que lo proteja del calor, motivo por el cual su tamaño aumenta. Mucho espacio es
ahorrado al diseñar circuitos en los cuales transistores y otros dispositivos se
encuentren integrados en un mismo bloque.
Qué es un diodo:
El diodo es un componente electrónico que solo permite el flujo de la electricidad en
un solo sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un interruptor el cual
abre o cierra los circuitos. Este dispositivo esta conformado por dos tipos de
materiales diferentes los cuales se traducen a dos terminales, un ánodo (+) y un
cátodo (-).
Composición de materiales de un diodo
El diodo está construido por dos tipos de materiales: un “P” y un “N”.

Material tipo P:
Este material se obtiene a través d un proceso de dopado, en el cual se añaden
átomos al semiconductor para aumentar el número de cargas positivas o huecos.

Material tipo N:
Este material también se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, en este
proceso también se añaden átomos al semiconductor, pero con la diferencia que se
aumenta el número de cargas negativas o electrones.

Como funciona un diodo:

Al tener dos terminales podemos polarizar de dos formas (directa e inversa),
diferentes a los diodos y su funcionamiento depende mucho del tipo de polarización
que le ponga.
Diodo ideal

Diodo real
Polarización Directa:
El ánodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje y el cátodo se conecta al
negativo, con esta configuración el diodo actúa como interruptor cerrado. Una
consideración importante dentro de esta configuración es que el diodo provoca una
caída de voltaje de 0.6 a 0.7v.

Polarización Inversa:
El ánodo se conecta al negativo de la fuente de voltaje y el cátodo al positivo, en
esta configuración la resistencia del diodo aumenta en grandes cantidades y esto
hace que actué como un interruptor abierto.
Tipos y aplicación de un diodo

Compuerta AND
Esta compuerta hace la función de la multiplicación S = (A) (B), la señal de salida
solo activa cuando todas sus entradas están activadas.
Compuerta OR

Se caracteriza por la ecuación S = X + Y. En esta compuerta activa su salida cuando

al menos una de sus entradas esta activa, no importando el estado de las otras
entradas.

Diodos rectificadores (grandes corrientes):

Los diodos rectificadores son utilizados en las fuentes de voltaje para poder
convertir la corriente alterna (CA) en corriente directa (CD). También son usados en
circuitos en los cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo.
Todos los diodos rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una
caída de tensión directa de 0.7 V.

Puentes rectificadores:
Dentro de los puentes rectificadores existen los de media y de onda completa, para
lograr construirlos necesitamos ya sea 1 o 4 diodos rectificadores según el tipo de
onda que se vaya a utilizar. Actualmente podemos encontrar encapsulados
especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Tienen cuatro pines o
terminales: Los dos de salida de DC son marcados con + y -, los de entrada de AC
están rotulados con el símbolo ~.
Circuitos recortadores
Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada que es más
negativa que VR + VY

Circuito recortador que transmite la parte de la señal de entrada más positiva que
VR - VY
Otros circuitos recortadores
Circuito recortador a 2 niveles (Circuito rebanador)

Multiplicación por avalancha (Creación por choque):

Este mecanismo es el utilizado en diodos poco impurificados y que tiene una tensión
Zener Vz mayor a 6 volts. La zona de carga especial es ancha. Tienen un coeficiente
de temperatura positivo, es decir, con el aumento de la temperatura aumenta la
tensión Zener.

Ruptura Zener:
Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen
una tensión Zener Vz menor a 6 volts. La zona de carga es estrecha. Tienen un
coeficiente de temperatura negativo, es decir con el aumento de la temperatura
disminuye la tensión Zener.
a) Tensiones de referencia inferiores a 2 V.

b) Pequeño coeficiente de temperatura:

Zener (multiplicación por avalancha): Coeficiente de temperatura positivo Diodo

(en directa): Coeficiente de temperatura negativo.
c) Tensiones de referencia altas:

• Menor disipación que con único Zener de Vz elevada.

• Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de Zener
• Menor resistencia que con diodos en directa.
El cambiador de nivel de continua
cambiador de nivel positivo
cambiador de nivel negativo
Como en el caso anterior hay dos tipos de cambiadores de nivel positivo y
negativo.
Cambiador de nivel positivo:
Lo veremos con un ejemplo:

Nota: La carga no tiene por qué ser solo una resistencia, puede ser el equivalente
de Thévenin de otro circuito, etc…
Truco: se empieza por el semiciclo en el que conduce un diodo y se carga un
condensador.
Seguimos con el ejemplo. Semiciclo negativo.

Suponemos que el diodo ideal. El condensador se carga en el semiciclo negativo.

Una vez cargado, el condensador se descarga en el semiciclo positivo:
Interesa que el condensador se descargue lo menos posible. Para que sea la
descarga sea prácticamente una horizontal se tiene que cumplir:

Si suponemos que el condensador se descarga muy poco, suponemos siempre

cargado a 10 V. el condensador.
Hemos subido 10V. el nivel de continua.

OFFSET = Nivel de continua

Este es el cambiador de nivel positivo. Si se quisiera cambiar hacia abajo sería el
cambiador de nivel negativo que es igual cambiando el diodo de sentido.
Cambiador de nivel negativo.

Como antes, el condensador siempre a 10V. Se le resta 10 a la entrada. es un

“OFFSET Negativo”.
Todo esto es cogiendo el diodo ideal. Si usamos 2ª aproximación, diodo a 0.7V.

1.4 Tipos (Zener, Emisor de luz LED, Schottky, Varactores de

potencia, Túnel, Fotodiodos, Emisores infrarrojo, Termistores).

Diodos de avalancha o Zener:

Los diodos Zener se usan para mantener un voltaje fijo. Están diseñados para
trabajar de forma confiable de manera que pueden ser utilizados en polarización
inversa para mantener fijo el voltaje entre sus terminales.
Se les puede distinguir de los diodos comunes por su símbolo y su código ya que
suelen ser BZX o BZY, su tensión inversa de ruptura está grabada con la letra V en
lugar del punto decimal 4V7 = 4.7V.

También son diodos con suficiente capacidad de disipación para trabajar en la zona
de conducción inversa. Se utilizan como estabilizadores de tensión.
Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicación
por avalancha y Ruptura Zener.

Referencia de voltaje de diodo Zener

Los diodos Zener están diseñados para mantener un voltaje fijo a través del diodo
cuando se polariza inversamente. Esta capacidad se utiliza para proporcionar
voltajes de referencia conocidos, una operación importante en las fuentes de
alimentación. Los diodos Zener también se usan para recortar o limitar las formas
de onda, lo cual evita que excedan los límites de voltaje.

El diodo Zener se fabrica utilizando uniones p-n altamente dopadas que dan como
resultado una capa de agotamiento muy delgada. El campo eléctrico resultante en
esta región es muy alto, incluso con bajos voltajes aplicados. En estas condiciones,
cualquiera de los dos mecanismos da como resultado una disrupción del diodo, lo
que provoca una alta corriente inversa:

• En una condición, la disrupción de Zener ocurre a voltajes menores que

5 voltios y es el resultado del túnel cuántico de electrones.
• El segundo mecanismo de disrupción es cuando los voltajes son superiores
a 5 voltios; la disrupción es el resultado de un colapso de avalancha o
ionización de impacto

En cualquier caso, la operación del diodo es similar (Figura 1).

Figura 1: Se muestra el símbolo esquemático para un diodo Zener, junto con su
curva característica de corriente-voltaje. La característica de corriente-voltaje de un
diodo Zener tiene una zona de conducción directa normal, pero cuando está
polarizada inversamente, se produce la disrupción con un voltaje constante a través
del diodo. (Fuente de la imagen: Digi-Key Electronics)

Cuando el diodo Zener tiene polarización directa, se comporta como un diodo

estándar. Bajo polarización inversa, exhibe una disrupción cuando el nivel de
polarización inversa excede el nivel de voltaje de Zener, VZ. En este punto, el diodo
mantiene un voltaje casi constante entre el cátodo y el ánodo. La corriente mínima
para mantener el diodo en la región de disrupción de Zener es I Zmin; la corriente
máxima determinada por la disipación de potencia nominal del diodo es I Zmax. La
corriente debe estar limitada por la resistencia externa para evitar el
sobrecalentamiento y las fallas. Esto se muestra en el diagrama esquemático de un
regulador de voltaje básico basado en Zener construido alrededor del
Zener 1N5229B de ON Semiconductor (Figura 2).
Figura 2: Diagrama esquemático de un regulador de voltaje básico que utiliza un
diodo Zener, junto con la respuesta de regulación de carga. (Fuente de la imagen:
Digi-Key Electronics)

El diodo Zener 1N5229B tiene una disipación máxima de 500 milivatios (mW) a un
voltaje Zener nominal de 4,3 voltios. La resistencia en serie (R1) de 75 ohmios (Ω)
limita la disipación de potencia a 455 mW sin carga. La disipación de potencia cae
con el aumento de la corriente de carga. La curva de regulación de carga se muestra
para valores de resistencia de carga de 200 Ω a 2.000 Ω.

Además de la regulación de voltaje, los diodos Zener pueden conectarse de forma

consecutiva para proporcionar un límite de voltaje controlado al voltaje de Zener,
más el valor de caída de voltaje directo. Un limitador Zener de 4,3 voltios limitaría a
±5 voltios. Las aplicaciones limitantes se pueden extender a circuitos de protección
contra sobretensiones más generales.
Diodo LED

Los diodos emiten una luz cuando la corriente eléctrica pasa a través de ellos. Pero
para que estos puedan encender deben de polarizarse de manera directa. Una
forma fácil de identificar el ánodo y el cátodo en un led es observar las terminales y
siempre la mas corta es el cátodo.

Diodos emisores de luz LED

• Uniones P – N polarizadas en sentido directo con elevada impurificación (Vγ
≈ 1 v)
• Materiales especiales para producir luz en la recombinación, como es el
AsGa
• Se denominan diodos LED (Ligth Emitting Diode)
• Tensiones inversas bajas > destrucción por sobretensión
• Corrientes reducidas (Típicas de 10, 20 mA) -> destrucción por sobre
corriente.
A continuación, se pueden ver dos montajes prácticos de este tipo de diodos:
Diodos Schottky

El Schottky, o diodo portador caliente, se basa en una unión de metal a

semiconductor (Figura 3). El lado metálico de la unión forma el electrodo anódico y
el lado semiconductor es el cátodo. Cuando está polarizado en la dirección directa,
la caída máxima de voltaje directo del diodo Schottky está en el rango de 0,2 a
0,5 voltios, dependiendo de la corriente directa y el tipo de diodo. Esta baja caída
de voltaje directo es extremadamente útil cuando el diodo Schottky se usa en serie
con una fuente de energía, como en los circuitos de protección de voltaje inverso,
ya que reduce las pérdidas de energía.

La otra característica importante de estos diodos es su tiempo de conmutación muy

rápido. A diferencia de los diodos estándar que tardan en eliminar la carga de la
capa de agotamiento cuando se cambia de una condición de encendido a apagado,
el diodo Schottky no tiene una capa de agotamiento asociada con la unión de metal-
semiconductor.

Los diodos Schottky tienen voltaje nominal inverso de pico limitado en comparación
con los diodos de unión de silicio. Esto generalmente limita su uso a fuentes de
alimentación conmutadas de bajo voltaje. El 1N5822RLG de ON Semiconductor
tiene una clasificación respetable de pico de voltaje inverso (PRV) de 40 voltios y
una corriente directa máxima de 3 A. Se puede aplicar en varias áreas de una fuente
de alimentación de modo conmutado.
Los diodos Schottky se pueden usar para proteger los circuitos reguladores contra
la aplicación accidental de polaridad invertida en la entrada. El diodo D1 cumple ese
propósito en el ejemplo. La principal ventaja del diodo en esta aplicación es su baja
caída de voltaje directo. Una función más importante para un diodo Schottky, en
este caso D2, es proporcionar una ruta de retorno para la corriente a través del
inductor, L1, cuando el interruptor se apaga. D2 tiene que ser un diodo rápido
conectado con un cableado corto de baja inductancia para realizar esta función. Los
diodos Schottky proporcionan el mejor rendimiento en esta aplicación para
suministros de bajo voltaje.

Los diodos Schottky también encuentran aplicaciones en diseños de RF donde su

conmutación rápida, bajas caídas de voltaje directo y baja capacitancia los hacen
útiles para detectores e interruptores de muestreo y retención.
Diodos varactores

El diodo varactor, a veces llamado diodo varicap, es un diodo de unión diseñado

para proporcionar capacitancia variable. La unión P-N está polarizada
inversamente, y la capacitancia del diodo puede variarse cambiando la polarización
de CC aplicada

Los fundamentos y la aplicación de los diodos Zener, PIN, Schottky y varactores

Si bien los diodos de silicio o germanio convencionales funcionan bien como

rectificadores y elementos interruptores en la mayoría de las aplicaciones
electrónicas, las funciones, como la sintonización electrónica, la atenuación
electrónica, la rectificación de baja pérdida y la generación de referencia de voltaje
están más allá de su capacidad. En sus orígenes, se utilizaban métodos de "fuerza
bruta" más primitivos, costosos y masivos para llevar a cabo estas tareas. Estos
métodos ahora han dado paso a diodos más elegantes y de propósito especial,
incluidos los diodos varactores (o de capacitancia variable), PIN, Schottky y Zener.

Cada uno de estos tipos de diodos se diseñó mejorando algunas características

únicas de los diodos para responder al segmento de aplicaciones con estructuras
de diodos de bajo costo. El uso de estos diodos de propósito especial reduce el
tamaño, el costo y la ineficiencia de las soluciones más convencionales en estas
aplicaciones. Los usos típicos incluyen fuentes de alimentación conmutadas,
atenuadores de microondas y RF, fuentes de señal de RF y transceptores.
Este artículo analiza el papel y el funcionamiento de los diodos para fines
especiales. Luego analiza sus características típicas usando ejemplos de Skyworks
Solutions y ON Semiconductor, antes de terminar con ejemplos de circuitos para
mostrar cómo usarlos de manera efectiva.

La capacitancia del varactor varía inversamente con la polarización de CC aplicada.

Cuanto mayor sea la polarización inversa, más ancha será la región de agotamiento
de diodos y, por lo tanto, menor será la capacitancia. Esta variación se puede ver
gráficamente en el gráfico de capacitancia frente al voltaje inverso para el diodo
varactor de unión hiperactiva SMV1801-079LF de Skyworks Solutions

Estos diodos ofrecen un alto voltaje disruptivo, voltajes de polarización de hasta

28 voltios y se pueden aplicar en un amplio rango de sintonización. El voltaje de
control debe aplicarse al varactor para no alterar la polarización de la siguiente
etapa; generalmente está acoplado capacitivamente como se muestra.
El varactor está acoplado a CA al circuito del tanque oscilador a través de un
condensador grande, C1. Esto aísla el varactor, D1, de los voltajes de polarización
del transistor, y viceversa. La tensión de control se aplica a través de la resistencia
de aislación, R1.

Los varactores pueden reemplazar condensadores variables en otras aplicaciones,

como sintonizar filtros de RF o microondas, en moduladores de frecuencia o fase,
en desplazadores de fase o en multiplicadores de frecuencia.
Diodo de potencia:
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y
cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

• Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
• Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 • Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
• Características térmicas.
• Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas:

Parámetros en bloqueo

• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por
el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10
ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.
• Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en
estado de bloqueo.
Parámetros en conducción

• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad

de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada
20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de
la cápsula (normalmente 25º).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa.
Características dinámicas
Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión
inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará
que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores
que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido
contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se
establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el
que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga
espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en
pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.

• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

• Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área

negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
• di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
 • Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Diodo de Túnel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Los diodos Túnel son
generalmente fabricados en Germanio, pero también en silicio y arseniuro de galio.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como

componente activo(amplificador/oscilador). Una característica importante del diodo
túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que
están relativamente libres de los efectos de la radiación.

Si durante su construcción a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado,

se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos
construidos de esta manera, se conocen como diodos túnel. Estos dispositivos
presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensión
aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminución de la
corriente (por lo menos en una buena parte de la curva característica del diodo).
Este fenómeno de resistencia negativa es útil para aplicaciones en circuitos de alta
frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una señal senoidal a
partir de la energía que entrega la fuente de alimentación.

Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más
rápido que los diodos Schottky.
Característica:
Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo túnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensión la corriente
aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente disminuye. La
corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un "valle" y
después volverá a incrementarse. esta ocasión la corriente continuará aumentando
conforme aumenta la tensión.

Los diodos túnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso
más rápido que los diodos Schottky.

Aplicaciones:
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa. Así estos diodos
sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta
frecuencia.
Fotodiodos semiconductores:

La respuesta espectral es la misma que las células fotoconductoras:

Diodos de señal
Los diodos de señal son usados para procesar señales eléctricas débiles, por lo que
son requeridos para pasar pequeñas corrientes de hasta 100mA.

Diodos de protección para relés

Esta aplicación se basa en la protección de transistores y circuitos integrados. La
bobina del relevador genera un campo magnético constante cundo esta energizada,
cuando deja de circular corriente el campo cae y se genera un breve pero alto
voltaje, el cual es muy probable que dañe los transistores y circuitos integrados.
Con la implementación de este diodo el campo magnético se desvanece mucho más
rápido ya que la corriente circula por la bobina y el diodo de protección. Esto
previene que el voltaje que se genera sea lo suficiente alto como para causar algún
daño a los dispositivos.
Termistores:
Un termistor es un tipo de resistencia (componente electrónico) cuyo valor varía en
función de la temperatura de una forma más acusada que una resistencia común.
Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta
un semiconductor con la temperatura. Este componente se usa frecuentemente
como sensor de temperatura1 o protector de circuitos contra excesos de corriente2.
El término proviene del inglés thermistor, el cual es un acrónimo de las
palabras Thermally Sensitive Resistor (resistencia sensible a la temperatura).
Existen dos tipos fundamentales de termistores:

• Los que tienen un coeficiente de temperatura negativo (en

inglés Negative Temperature Coefficient o NTC), los cuales decrementan
su resistencia a medida que aumenta la temperatura.
• Los que tienen un coeficiente de temperatura positivo (en inglés Positive
Temperature Coefficient o PTC), los cuales incrementan su resistencia a
medida que aumenta la temperatura.

El funcionamiento se basa en la variación de la resistencia del semiconductor debido

al cambio de la temperatura ambiente, creando una variación en la concentración
de portadores. Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentará
también la concentración de portadores, por lo que la resistencia será menor, de ahí
que el coeficiente sea negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un
semiconductor con un dopado muy intenso, este adquirirá propiedades metálicas,
tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente,
los termistores se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el óxido
férrico, el óxido de níquel, o el óxido de cobalto.
Sin embargo, a diferencia de los sensores RTD, la variación de la resistencia con la
temperatura no es lineal. Para un termistor NTC, la característica es exponencial
[e^(1/x)]. Para pequeños incrementos de temperatura, se darán grandes
incrementos de resistencia. Por ejemplo, el siguiente modelo caracteriza la relación
entre la temperatura y la resistencia mediante dos parámetros:

con

siendo:

o es la resistencia del termistor NTC a la temperatura T (K)

o es la resistencia del termistor NTC a la temperatura de

referencia (K)
o A es una constante que depende del termistor NTC utilizado y que se
debe de calcular. Se corresponde con la resistencia que presentaría
el termistor a una temperatura infinita.
o B es la resistencia característica del material, entre 2000 K y 5000 K.
▪ Por analogía a los sensores RTD, podría definirse un

coeficiente de temperatura equivalente , que para el

modelo de dos parámetros quedaría:

Puede observarse como el valor de este coeficiente varía con la temperatura. Por
ejemplo, para un termistor NTC con B = 4000 K y T = 25 °C, se tendrá un coeficiente

equivalente = -0.045 , que será diez veces superior a la sensibilidad de un

sensor Pt100 con = 0.00385 .

El error de este modelo en el margen de 0 a 50 °C es del orden de ±0.5 °C. Existen
modelos más sofisticados con más parámetros que dan un error de aproximación
aún menor.
En la siguiente figura se muestra la relación tensión–corriente de un termistor NTC,
en el que aparecen los efectos del autocalentamiento.

A partir del punto A, los efectos del autocalentamiento se hacen más evidentes. Un
aumento de la corriente implicará una mayor potencia disipada en el termistor,
aumentando la temperatura de este y disminuyendo su resistencia, dejando de
aumentar la tensión que cae en el termistor. A partir del punto B, la pendiente pasa
a ser negativa.

Aplicaciones:
Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC)
Algunas aplicaciones de estos componentes son:

• Como sensores de temperatura:

o Detector de temperatura resistivo para mediciones de baja
temperatura.
o Sensores en aplicaciones de automoción para medir la
temperatura del refrigerante del motor, la temperatura del
habitáculo, la temperatura exterior o la temperatura del aceite
del motor. Estas lecturas de temperatura con enviadas a
la unidad de control de motor o al cuadro de instrumentos.
o Sensor de los termostatos digitales.
• Limitadores de corriente de arranque: presentan una resistencia alta
inicialmente, lo que evita que fluyan grandes corrientes al inicio. Luego se
calientan y baja su resistencia para permitir un flujo de corriente más alto
durante el funcionamiento normal. Estos termistores suelen ser mucho
más grandes que los termistores usadores como sensores y son
diseñados específicamente para esta aplicación.
Termistores de coeficiente de temperatura positivo (PTC)
Algunas aplicaciones de estos componentes son:

• Protección contra condiciones de sobreintensidad de corriente (actuando

como fusibles rearmables).
• Temporizador para la desmagnetización de las pantallas de tubo de
rayos catódicos.
• Como la residencia calentador estufas eléctricas o planchas para el
Cabello tipo pastillas cerámica.
• Regulador de corriente en las bujías de precalentamiento de los motores
diésel.
Conclusión:

aprendimos al respecto de los semiconductores tipo N y P qué en el amplio

desarrollo de la electrónica y sus múltiples aplicaciones en diversos equipo y
aparatos de gran utilidad, se debe al estudio de la física del estado sólido.
aprendimos cuales son los buenos conductores de la electricidad, ello se
debe al alcance metálico y porque llega a estar formado de electrones libres o
por electrones apareados en movimiento. aprendimos a diferenciar entre los
tipos de semiconductores tipo N y P. y la combinación de los mismos. otra
parte de la investigación es con respecto a los diodos desde su inicio en la
historia y en que se dividen (ánodo y cátodo). los materiales que componen el
tipo P y N. hasta conocer el diodo ideal y el real que conocemos en la
actualidad. parte de la investigación nos enseño a conocer y aprender los
tipos y aplicaciones de los diodos más importantes. Estos diodos de
propósito especial se han convertido en pilares de los diseños de circuitos
electrónicos al proporcionar una solución elegante a las funciones clave que
antes se realizaban con tecnología ahora obsoleta. Los diodos Zener permiten
referencias de bajo voltaje; los diodos Schottky reducen las pérdidas de
potencia y proporcionan una conmutación rápida; los diodos varactores
permiten la sintonización electrónica y reemplazan los condensadores
variables mecánicos voluminosos; y los diodos PIN reemplazan los
interruptores de RF electromecánicos con interruptores de RF de acción
rápida.

Bibliografía:
Libro: Física General
Autor: Héctor Pérez Montiel.
Primera Edición Ebook México, 2014.
Grupo Editorial Patria
https://www.ingmecafenix.com/electronica/diodo-semiconductor/

https://www.digikey.com.mx/es/articles/the-fundamentals-application-of-zener-pin-schottky-
varactor-diodes

https://www.ecured.cu/Diodo_tunel

https://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/diodo.htm