Materiales Tipo N, Tipo P y unión PN

En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de
semiconductores Estas impurezas se clasifican como aceptores de electrones o donantes de
electrones y los semiconductores dopados se conocen como semiconductores de tipo N y
semiconductores de tipo P.

Semiconductores de tipo N.

Las impurezas más comunes para dopar el silicio y formarlo como material tipo N son los
elementos del grupo V. pues estos elementos tienen cinco electrones de valencia y pueden
actuar como donantes.

Cuando se agregan dopantes para permitir el exceso de electrones, se forma un semiconductor

con propiedades de tipo N. Los materiales que permiten la formación de este exceso de
electrones son el fósforo, el arsénico y el antimonio. Cuando forman un enlace covalente con el
silicio o el germanio que tienen cuatro electrones en su orbital exterior ocasiona como resultado
un electrón extra por cada átomo de impureza adicional.

Características

• El semiconductor de tipo N normalmente se forman agregando impurezas pentavalentes,

es decir, elementos del grupo V.
• Debido a la concentración de electrones, este semiconductor llevará una carga
preferentemente negativa.
• La conductividad que poseen los del tipo N se deberá por la presencia que tienen los
portadores de carga mayoritarios ya que son electrones.
• En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, se obtendrán unos electrones
adicionales extras. El cual se nombrará como átomo donante.
• En el caso del tipo N; encontramos que el nivel de energía del donante está muy cerca
de la banda de conducción y ausente de la banda de valencia.

Semiconductores tipo P.
Las impurezas más comunes para dopar el silicio y formarlo como material tipo P son los
elementos del grupo III. pues estos elementos tienen tres electrones de valencia y pueden actuar
como donantes.

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de electrones se llama
semiconductor de tipo p, la adición de elementos dopantes trivalentes como boro, aluminio o
galio a un semiconductor intrínseco crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura.

El número de huecos de electrones está dominado por el número de sitios aceptores. Cuando la
impureza añadida da como resultado la pérdida de electrones, se forma un semiconductor con
propiedades de material tipo P. La impureza que forma enlaces covalentes y permite la pérdida
de electrones se denomina aceptadora. Los materiales que pueden aceptar electrones son el
indio, el boro, el aluminio y los elementos del grupo III en general, ya que cada uno tiene 3
electrones en su órbita exterior, y al formar enlaces covalentes con el silicio y el germanio que
tienen 4 electrones en su órbita exterior, ocasiona que falte un electrón por cada impureza. Esta
falta de electrones se llama huecos o lagunas.

Características

• El semiconductor de tipo P normalmente se forman agregando impurezas trivalentes, es

decir, elementos del grupo III.
• Debido a la concentración de agujeros es alta, este semiconductor llevará una carga
preferentemente positiva.
• Se denominan aceptadores debido a la formación de agujeros en este semiconductor.
• La conductividad que poseen los del tipo P se deberá por la presencia que tienen los
portadores de carga mayoritarios debido a los agujeros.
• En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, como resultado se obtendrán
huecos que se llamarán átomos aceptores.
• En el caso del tipo P; encontramos que el nivel de energía del aceptor está muy cerca de
la banda de valencia y ausente de la banda de conducción.

Unión PN

Las uniones PN se forman conectando materiales semiconductores de tipo n y tipo p.

Dado que la región de tipo n tiene una alta concentración de electrones y la región de tipo p tiene
una alta concentración de huecos, los electrones se transfieren del lado de tipo n al lado de tipo
p, viéndolo de esa manera se ve como algo muy sencillo, pero tiene un principio de
funcionamiento.

Se podría pensar que la unión se podría formar simplemente conectando un material

semiconductor N a otro P, pero no es así, además de unidos, deben estar en contacto eléctrico.

En la región N tenemos electrones libres y en la región P tenemos huecos que esperan ser
llenados con electrones. Ahora, cuando están conectados, los electrones del material de tipo N,
que está más cerca del borde de la unión, son atraídos por los agujeros en la región de tipo P,
que también está más cerca del borde de la unión. Estos electrones se usan para llenar los
agujeros en las impurezas cerca de la franja de unión. La impureza de región P que era neutra
ahora tiene un electrón adicional de la región N para formar un enlace en el hueco que tenía,
Este átomo de impureza ahora quedará cargado negativamente y se convertirá un anión o ion
negativo

De manera similar, una impureza en la región N se carga positivamente porque ha perdido un

electrón y se convierte en un catión o ion positivo. Esto lleva al hecho de que tenemos una carga
negativa en un lado y una carga positiva en el otro en el lado de la unión PN. Negativo en la
región P, que era neutra antes de la unión, y positivo en la región N, que también era neutra
antes de la unión. La franja existente entre ambas regiones se le denomina zona de agotamiento
o zona de difusión.

Llega un momento en que un nuevo electrón de la región N intenta ir a la región P y encuentra

una carga negativa en la zona de agotamiento en P, que le impide pasar, en este punto, la
recombinación electrón-hueco acabará y no habrá más conductividad eléctrica.

Para que más electrones pasen de la zona N a la zona P, debemos darles suficiente energía
para cruzar la región de agotamiento, es decir energía para que puedan saltar sobre esta barrera
o vencer la fuerza de repulsión de los iones negativos de la zona tipo P, de lo contrario no habrá
conductividad, para esto se le conecta la unión a una fuente de energía, como puede ser una
pila, a esto se le denomina polarización, y existen dos tipos:

Polarización Directa

En este caso, colocamos el polo positivo de la fuente en la zona P y el polo negativo en la zona
N. Los electrones del polo negativo de la batería repelen a los electrones de la zona N, dándoles
más poder para superar la barrera de agotamiento y esta disminuirá.
Hemos disminuido el potencial positivo de esta zona inyectando electrones y por lo tanto
habremos disminuido la zona de difusión, por lo que los electrones de N ya pueden pasar a la
zona P, al mismo tiempo en la región P, la carga positiva aleja los huecos, acercándolos a la
región de agotamiento y atrayendo aún más electrones de la región N. En este caso, insertamos
agujeros en la zona P, aumentando los portadores mayoritarios y reduciendo el potencial
negativo que tenía, e igualmente, en este caso hemos disminuido el potencial de la zona de
agotamiento

Resumiendo, esto, lo que ocurre es que disminuye la zona de agotamiento provocando que sea
más fácil pasar a los electrones de la zona N a la P para rellenar los huecos, haciendo que la
unión se comporte como un conductor de corriente en polarización directa.

Polarización Inversa

En este caso, al contrario de la polarización directa el polo positivo de la pila se conecta en la

zona N y el negativo en la zona P, y al inyectar electrones en la región P, estos llenan los huecos
de la región P, estos electrones forman más iones o aniones negativos al llenar los huecos de
enlace que aún no se han llenado, causando que la región de agotamiento aumente.
Consecuencia de esto los electrones en la zona N no pueden pasar a la zona P, ocasionando
que la unión se comporte como un aislante en polarización inversa.

Bibliografías
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SENSORICX. https://sensoricx.com/electronica-basica/electronica-basica-materiales-

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Union PN Semiconductores PN Aprende Facil. (s. f.).

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Formación de la unión-PN | PVEducation. (s. f.).

https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-

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