Taller N°1

Electrónica Analógica: El diodo en DC

Bohórquez, D1 Ferreira, U2
Introducción

Objetivo General
- Investigar, comprobar y verificar el uso correcto de los diodos junto con el
comportamiento en diferentes momentos, simulando practicas mediante el uso de
un software (OrCAD).

Objetivos Específicos
- Describir las diferencias en cada propiedad, característica y/o elemento del
cual esta compuesto un diodo.

Marco Teórico
Para entrar a definir la diferencia entre los dos semiconductores presentados de
tipo N y P, es necesario conocer primero sus características, ya que mediante
estas podemos inferir su comportamiento y evidenciar características únicas que
separan una de otra, para nuestro primer tipo (p), para el semiconductor de tipo p,
tenemos que los portadores mayoritarios de carga serán los huecos y los
portadores minoritarios de cargas serán los electrones, esto quiere decir que la
densidad de los huecos será mayor que la densidad de los electrones (nh>ne), por
otro lado para los semiconductores de tipo N, la mayoría de los portadores de
carga serán los electrones y no los huecos como en el tipo P, todo esto mientras
que los portadores de carga minoritarios son huecos, todo esto sucede en un
semiconductor intrínseco, dejando así que, el semiconductor de tipo N sus
electrones tienen una densidad mayor que los huecos (ne>nh), para este punto se
evidencia ya una primera diferencia, respecto a la densidad que hay entre los
huecos y los electrones, por otro lado se tiene que para los semiconductores de
tipo P es necesario que los átomos de impurezas sean trivalentes, y para el
semiconductor de tipo N es necesario que sean pentavalentes, haciendo que de
cumpla las densidades expuestas anteriormente. De tal forma para dar un
concepto mas claro se tiene que los electrones superan a los huecos en un
semiconductor de tipo N, recibiendo así el nombre de portadores mayoritarios,
mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios, los cuales se
evidencian en los semiconductores de tipo P

Para que se produzca los 2 tipos de polarización (inversa y directa) es necesario

que ocurran ciertas perturbaciones en un diodo, para generalizar un poco y no
extendernos, en el caso de la polarización directa esta se ve reflejada mediante la
conexión entre el positivo de la fuente y el semiconductor tipo P, de la misma
manera el terminal negativo de la fuente ir conectada al semiconductor de tipo N,
esta es la condición básica para obtener la polarización de forma directa, al ocurrir
dicho suceso la corriente puede circular con facilidad, esto se debe a que la fuente
obliga a los electrones fluyan a la unión con los huecos, creando así iones
positivos. Para el caso de la polarización inversa, se deben tener conectado el
negativo de la fuente hacia el semiconductor de tipo P, y el positivo de la fuente
conectado con la parte del semiconductor N, de esta forma el diodo empieza a
trabajar inversamente, en este caso sabemos que el terminal positivo atrae a los
electrones libres y el terminal negativo de la batería atrae a los huecos,
ensanchando así la zona de deplexión, al hacer esto es muy complicado que la
corriente atraviese este zona con lo cual esta corriente no fluye a través del diodo,
actuando así como un aislante, evitando el cierre del circuito.
Para la elaboración del semiconductor del tipo P, se realiza agregando los
elementos químicos del grupo iii de la tabla periódica química (B, Al, Ga, In, Ti)
para la elaboración del material semiconductor tipo N se logra agregando los
elementos químicos del grupo V de la tabla periódica química (N, P, As, Sb, Bl),
con lo cual se resume que, los donantes son del grupo V y los aceptores son los
elementos del grupo iii de la tabla periódica. La corriente que circula en la forma
inversa del diodo, se puede ver en dos momentos, al ensancharse la zona de
deplexión esta empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda,
creando así una corriente inversa de saturación (Is), por otro lado existe una
corriente superficial de fugas, esta es causada por la impurezas del cristal y las
imperfecciones en su estructura, esta corriente depende de la tensión en la fuente,
en definitiva la corriente en inversa será la suma de estas dos (I ó I R), para finalizar
la corriente inversa esta dada por un portador de tipo minoritario, ya que los
huecos superan a los electrones, para el caso de los portadores mayoritarios, es lo
contrario, los electrones superan a los huecos en un semiconductor.
Bibliografía
1) https://transistores.info/diferencias-entre-semiconductores-tipo-p-y-tipo-n/
2) http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/
Pagina8.htm
3)