Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de Ingeniería.

Ingeniería: Mecánica y Eléctrica

Dispositivos y circuitos electrónicos

Nombre de la evidencia:
Diodos
Contenido
Diodos ..................................................................................................................................... 3
Materiales ........................................................................................................................... 3
Material tipo p ................................................................................................................ 4
Material tipo n ................................................................................................................ 5
Conexión entre semiconductores tipo P y N ...................................................................... 6
Forma física del Diodo ....................................................................................................... 7
Voltaje y Corriente ............................................................................................................. 9
Diodos Ideales .............................................................................................................. 10
Relación Corriente-Voltaje ........................................................................................... 10
Variables eléctricas ....................................................................................................... 11
Referencias: .......................................................................................................................... 12
 Diodos
Con el paso del tiempo, la tecnología ha tomado un papel muy importante dentro del área de
los circuitos electrónicos. Actualmente, los dispositivos, sistemas y circuitos son más
pequeños y operan a una mayor velocidad, pero, en algunos dispositivos se siguen utilizando
las técnicas de diseño que datan de 1930 con ciertos tipos de mejoras continuas como lo son
las técnicas de construcción, las características generales y las técnicas de aplicación.
Un diodo se define como un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección y lo
impide en el opuesto, cualquiera sea su tipo. Fue descubierto en el año de 1939. Este elemento
se empezó a emplear para detectar ondas electromagnéticas generadas con chispas, con el
objetivo de usarlas para las comunicaciones sin la necesidad de cables.

Figura 1 Símbolo de un
diodo

Materiales
La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) o circuito
integrado, se inicia a partir de un material semiconductor de la más alta calidad posible. Se
define a un material semiconductor como aquella clase especial de elementos cuya
conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. Los tres
principales semiconductores utilizados frecuentemente en la construcción de dispositivos
electrónicos son el silicio (Si), el germanio (Ge) popularmente conocidos como
“semiconductores de un solo cristal” (cuentan con una estructura cristalina repetitiva) y el
arseniuro de galio (GaAs).
En principio, cuando apenas se había descubierto el diodo, se empleaba casi exclusivamente
germanio porque era fácil de encontrar, estaba disponible en grandes cantidades y a su vez,
relativamente cómodo de refinar para obtener mayores niveles de pureza.
Desafortunadamente, se descubrió que los diodos construidos con germanio como material
base no eran cien por ciento confiables debido a su sensibilidad a los cambios de temperatura,
y si bien los científicos conocían de la existencia del silicio el cual contaba con mejores
sensibilidades a la temperatura, su desventaja es que el proceso de refinación para conseguir
un mayor grado de pureza aún se encontraba en desarrollo. No fue hasta 1954 que se presentó
el primer diodo de silicio, y este material como el semiconductor por excelencia gracias a su
abundancia en nuestro planeta.
Sin embargo, la tecnología avanza y con ello se crean más y mayores mejores en la
electrónica, las computadoras trabajaban a mayores velocidades y los sistemas de
comunicación operaban con altos grados de desempeño, por lo que el Si no era suficiente y
se necesitaba otro material. Para 1970 se creó el primer diodo de GaAs el cual operaba cinco
veces más veloz que el diodo de silicio, pero, la desventaja existente era la dificultad para
obtener un alto nivel de pureza, era mas costoso y no era un material bien aceptado en esa
época. Actualmente es uno de los materiales más usados para los circuitos integrados a gran
escala.
A estos tres materiales se les denomina materiales intrínsecos dado que son elementos y
compuestos que han sido refinados para reducir el número de impurezas a un nivel bajo.
Existe otro tipo de materiales denominados materiales extrínsecos los cuales son
semiconductores que fueron sometidos al proceso de dopado (capacidad de cambiar las
características de un material). Los dos materiales extrínsecos para fabricar dispositivos
semiconductores son el material tipo p y el material tipo n.
Ambos materiales se crean a partir de agregar un número predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio.
Material tipo p
Se forma dopando un cristal de Ge o Si puro con átomos de impureza que cuentan con tres
electrones de valencia, generalmente el boro, galio e indio. En la siguiente imagen se ilustra
el efecto del boro en una base de silicio. A la insuficiencia de electrones en las bandas
covalentes de la estructura formada que provocan vacíos, se les llama hueco y se simbolizan
con un círculo o un signo “más” que indica la ausencia de una carga positiva, por lo que el
“vacío” acepta fácilmente a un electrón libre.

Figura 2. Impureza de boro en un material tipo p

El Material tipo p es eléctricamente neutro puesto que, de manera ideal, el número de

protones en los núcleos sigue siendo igual al de los electrones libres y en órbita en la
estructura.
Por tanto, este semiconductor con impurezas de Boro da lugar a una corriente eléctrica de
agujeros positivos que tiene sentido opuesto a la de una corriente de electrones. Los agujeros
se comportan como si fueran partículas. Lo que ocurre es algo similar a cuando se tiene un
ahilera de monedas con una faltante. Cuando cada monda se mueve para ocupar el espacio
vacío, el agujero se mueve a lo largo de la hilera en sentido opuesto a las monedas.

Figura 3. Al moverse las monedas hacia la izquierda, el agujero se mueve a la derecha .

Material tipo n
Se forma introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes) como lo son el antimonio, el arsénico y el fósforo.
La imagen muestra una impureza de antimonio en una base de silicio donde los cuatro enlaces
covalentes permanecen, sin embargo, el quinto electrón (átomo de impureza) no está
asociado, por lo que se enlaza al átomo de antimonio y permanece libre para moverse dentro
del material tipo n recién formado.

Figura 4. Impureza de antimonio en material tipo n .

Este material también es eléctricamente neutro por las mismas razones del material tipo p.
 Conexión entre semiconductores tipo P y N
En cualquiera de los dos casos, la conductividad eléctrica del semiconductor se aumenta
sustancialmente si se le añaden impurezas de cualquiera de los dos tipos en partes por millón.
Una consecuencia importante es que en un semiconductor con impurezas el número de
electrones que conducen electricidad puede ser controlado.
Supongamos que se unen dos bloques, uno de semiconductor P y otro N. La magnitud de la
corriente eléctrica que fluya depende del sentido del voltaje aplicado. Si el bloque P se
conecta a la terminal positiva de una batería y el N a la terminal negativa, entonces ocurre lo
siguiente: como en el bloque P hay agujeros positivos, éstos son repelidos hacia el bloque N
y atraídos hacia la terminal negativa B; por tanto, hay una corriente de agujeros de A a B, es
decir, a través del dispositivo y llegan a la batería. Por otro lado, en el bloque N hay electrones
negativos que son repelidos por B y atraídos por A-, en consecuencia, los electrones fluyen
de B a A cruzando el dispositivo y llegando a la batería, En resumen, hay una doble corriente
eléctrica: de electrones negativos de B a A y de agujeros positivos de A a B.

Figura 5. Un bloque N y otro P unidos permiten el paso de corriente eléctrica si están conectados a
la batería como se muestra.

Sin embargo, si se conectan los bloques de manera opuesta. En este caso, los agujeros de P
son atraídos hacia A y repelidos por B, con el resultado de que no cruzan el dispositivo. Por
otro lado, los electrones de N son atraídos por B y repelidos por A, por lo que ocasiona que
tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no hay corriente a través del dispositivo y
el circuito está, de hecho, abierto.
En resumen, en el dispositivo mostrado en la figura 5 solamente circula electricidad cuando
la polaridad de la batería es la adecuada, mientras que si se invierte la polaridad, no hay
corriente. Se puede también pensar que este fenómeno ocurre debido a que la resistencia del
dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en un sentido que cuando circula en el
opuesto. En un sentido la resistencia es muy pequeña y por lo tanto es fácil que circule
electricidad, mientras que en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo
la corriente eléctrica. De esta forma se consigue un dispositivo que funciona de manera
similar al diodo construido con un tubo al vacío, y recibe el nombre de diodo semiconductor;
debido a sus propiedades descritas se utiliza como rectificador de corriente.

Forma física del Diodo

En la figura 6.1a representa el símbolo esquemático de un diodo. El lado p se llama ánodo y
el lado n es el cátodo. El símbolo del diodo es similar a una flecha que apunta del lado p al
lado n, es decir, del ánodo al catado. La figura 3.1b muestra algunas de las muchas formas
de representar un diodo típico, aunque no todas las que existen.
En los diodos el cátodo (K) se identifica mediante una banda de color.

Figura 6. Diodo. (a) Símbolo esquemático. (b) Tipos de

encapsulados. (c) Polarización directa.

Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores

específicos en una de dos formas. Con más frecuencia, dan una descripción muy breve, tal
vez limitada a una página. En otras ocasiones proporcionan un examen completo de las
características mediante gráficas, material gráfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas
con datos específicos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen:
A. El voltaje en directa 𝑉𝐹 (a una corriente y temperatura especificadas).
B. La corriente máxima en directa 𝐼𝐹 (a una temperatura especificada).
C. La corriente de saturación en inversa 𝐼𝑅 (a un voltaje y temperatura especificados).
D. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del término
“breakdown” (ruptura, a una temperatura especificada)].

Figura 7. Caracterización de un diodo.

E. El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular.
F. Niveles de capacitancia.
G. Tiempo de recuperación en inversa 𝑡𝑟𝑟 .
H. Intervalo de temperatura de operación.
Según el tipo de diodo que se esté considerando, es posible que también se den más datos,
como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutación, niveles de resistencia
térmica y valores repetitivos pico.
La notación que con más frecuencia se utiliza para diodos semiconductores se da |en la figura
8. En la mayoría de los diodos cualquier marca, ya sea un punto o una banda, como se muestra
en la figura 8., aparece en el cátodo. La terminología ánodo y cátodo viene de la notación
para tubos de vacío. El ánodo se refiere al potencial positivo o más alto, y el cátodo a la
terminal negativa o más baja. Esta combinación de niveles de polarización produce una
condición de polarización en directa o de “encendido” en el diodo. En la figura 9 aparecen
varios diodos semiconductores comerciales.

Figura 8. Notación de diodo semiconductor.

Figura 9. Diodos comerciales.

 Voltaje y Corriente
Diodos Ideales
La función principal de un diodo ideal es controlar la dirección del flujo de corriente. La
corriente que pasa por un diodo solo puede ir en un sentido, que se llama la dirección hacia
adelante. La corriente que trate de fluir en sentido contrario es bloqueada. Son como las
electroválvulas de un sentido.
Si el voltaje en un diodo es negativo, no puede fluir corriente*, y el diodo ideal se comporta
como un circuito abierto. En esta situación, el diodo se dice que está apagado o en
polarización inversa.
Mientras el voltaje del diodo no sea negativo, el diodo se “encenderá” y conducirá corriente.
Idealmente* un diodo actuaría como un corto circuito (tendría 0V) si estuviese conduciendo
corriente. Cuando un diodo está conduciendo corriente esta polarizado (o en otras palabras
“encendido”).

Relación Corriente-Voltaje
La característica más importante de un diodo es la
relación corriente-voltaje (c-v). Esto define cual es la
corriente que fluye a través de un componente, dado el
voltaje que se encuentra en él. Las resistencias, por
ejemplo, tienen una relación c-v linear (Ley de Ohm). La
curva c-v de un diodo, sin embargo, es completamente
no-lineal. Se ve algo como esto:
Dependiendo de la tensión aplicada, un diodo operará en
una de las siguientes tres formas:

Polarizado: Cuando el voltaje en el diodo es positivo, el diodo esta “encendido” y la corriente

puede fluir a través del. El voltaje debería ser más grande que el voltaje directo (VF) para
que la corriente adquiera valores significativos.
Inversamente Polarizado: Este es el modo “apagado” del diodo, cuando el voltaje es menos
que VF pero más que VBR. En este modo el flujo de corriente esta (mayormente) bloqueada,
y el diodo está apagado. Una muy pequeña cantidad de corriente (de el orden de los nA), que
se llama corriente de saturación inversa, es capaz de fluir inversamente a través del diodo.
Ruptura: Cuando el voltaje aplicado en el diodo es muy grande y negativo, va a poder pasar
mucha corriente en sentido inverso, de cátodo a ánodo.

Variables eléctricas
Problema 6. Hallar la función de transferencia del circuito y dibujar
vout vs vin (R1 =10 k y Vr = 3V, el voltaje de activación del diodo
es 0,7 V).
En este circuito hay una única malla, por lo que no hace falta
simplificarlo más, es decir, no hace falta hallar Thévenin. Dado que
ahora Vin no toma un valor fijo, debemos estudiar por separado en qué
rango de Vin el diodo conduce, y en qué rango no conduce. Por ello:
Primero suponemos que el diodo está en zona de conducción, lo que implica que dada la
orientación del diodo (hacia arriba) la corriente atravesaría R1 de derecha a izquierda.
Aplicando la ley de Kirchhoff a la malla quedaría:
Si el diodo está en ON, lo sustituimos por una fuente de tensión a 0,7 V en el sentido correcto
(la tensión positiva en la zona P del diodo y la negativa en la N). Despejamos la corriente de
la ecuación anterior e imponemos la condición de que dicha corriente tiene que ser positiva
al estar en ON el diodo:

De esta forma hemos podido obtener la condición de conducción del diodo (que en realidad
podría haberse deducido directamente observando la malla y la orientación del diodo):

El voltaje de salida quedará fijado a 2,3 V:

 Referencias:

Boylestad, R. L., Nashelsky, L. & Salas, R. N. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. Pearson Educación.
Floyd, T. L. & Salas, R. N. (2008). Dispositivos electrónicos 8ED (8.a ed.). Pearson
Educación.
Malvino, A. P. & Bates, D. J. (2007). Principios de electrónica. McGraw-Hill Education.
Braun, E. (2019). Electromagnetismo: De La Ciencia A La Tecnologia (3.a ed.). Fondo de

Cultura Económica.

Deyán, M. F. J. (2022). ELECTRÓNICA: Teoría y aplicaciones prácticas de los

dispositivos más comunes (nueva impresión, 2022) (Spanish Edition).

Independently published.

Montero, Alfonso Carretero (2009). Electrónica. Editex.. Consultado el 10 de Enero del 2023
Miguel, Pablo Alcalde San (2014). Electrónica y Mecanismos. Ediciones Paraninfo, S.A.
Consultado el 10 de Enero del 2023