Introduccin
El presente ensayo trata sobre una lectura realizada del libro de Electronica Teoria
de Circuitos y Dispositivos Electronicos de Robert Boylestad y Louis Nashelsky, de
las primeras secciones del primer capitulo que se titula Diodos Semiconductores. En
este ensayo se describen algunas cosas puntuales sobre el uso de este elemento
de circuito tan importante y las razones por las que se fabrican de manera industrial
a partir del Germanio, Silicio y el Arseniuro de Galio. Adems se describe el diodo
semiconductor bsico, como esta constituido y brevemente se explica que es lo que
sucede en su interior con los materiales tipo n y tipo p. Tambien profundiza un poco
en algunas configuraciones de polarizacin de este elemento y, como se comporta.
Materiales semiconductores
Los semiconductores son unos elementos que no se encuentran clasificados ni
como conductores ni como aislantes debido a sus propiedades.
Los semiconductores los hay de dos clases: de un solo cristal y compuestos. Los de
un solo cristal son los construidos con germanio o silicio y, los compuestos son
aquellos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de
galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsnico (GaAsP) se componen de dos o ms
materiales semiconductores.
Sin embargo los tres materiales ms frecuentes son: el germanio, el silicio y
arseniuro de galio (GaAs).
El germanio se utiliz por algn tiempo ya que es un elemento de muy bajo costo
para refinar y obtener un alto grado de pureza sin embargo presenta una gran
desventaja porque son muy sensibles a los cambios de temperatura. Pero luego se
encontr que el Silicio es tambin un excelente material semiconductor y es ms
resistente a los cambios de temperatura. Pero hay otro material que es tambin
usado pero presenta la desventaja de que el costo de refinacin es mucho ms
elevado que el silicio pero es mucho mejor semiconductor que dicho material.
Enlace Covalente y Materiales Intrnsecos
La utilizacin de estos materiales como semiconductores se debe a que estos
elementos en sus ltimas capas de electrones tienen la facilidad de poder formar
enlaces con otros tomos ms de ellos mismos, a este enlace se le llama covalente.
El trmino intrnseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido
cuidadosamente refinado para reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo;
en esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnologa actual.
Se dice que los semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo
porque contrario a lo que sucede con la resistencia elctrica que al aumentar la
temperatura aumenta la resistencia, este permite con mayor facilidad el paso del
flujo de electrones.
Materiales extrnsecos: tipo P y tipo N
A los materiales semiconductores se les dopa con otros elementos para formar dos
tipos de materiales extrnsecos: tipo p y tipo n.
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de
valencia como el antimonio, el arsnico y el fsforo. A las impurezas con cinco
electrones de valencia se les conoce como tomos donadores.
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos
de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados
para este propsito son boro, galio e indio. A las impurezas con tres electrones se
les conoce como tomos aceptores.
Diodo Semiconductor
Un diodo es un elemento compuesto por la unin de una material tipo n y tipo p.
Hay tres tipos de polarizacin de un diodo: sin polarizacin, polarizacin inversa y
polarizacin directa.
En el modo de sin polarizacin quiere decir que no se aplica ninguna diferencia de
potencial al diodo. En esta configuracin el diodo no conduce ninguna corriente.
La polarizacin en inversa sucede cuando al diodo le aplicamos una diferencia de
potencial distinta de cero y la punta positiva la conectamos a la terminal n y la
terminal negativa a la terminal p. En esta configuracin aparece una corriente
llamada corriente de saturacin que por lo general no pasa del orden de los
microamperios, o sea, que es una corriente muy pequea y por eso se dice que
cuando lo polarizamos asi el diodo se abre.
La polarizacin en directa sucede cuando al diodo le aplicamos una diferencia de
potencial distinta de cero y la punta positiva la conectamos a la terminal p y, la punta
positiva a la terminal n. En esta configuracin aparece una corriente el diodo que se
modela matemticamente mediante la siguiente ecuacin:
Donde:
Is: es la corriente de saturacin en inversa
Vd: es el voltaje de polarizacin aplicado en directa
n: es un factor de idealidad
Vt es el voltaje trmico y esta determinado por:
Donde:
k: es la constante de Boltzmann
T: es la temperatura absolut en kelvin
q: magnitud de la carga del electron
Los diodos tambin tienen una zona donde cambiaran sus caractersticas y esto
ocurre cuando aplicamos una polarizacin inversa. A este punto se lo conoce como
zona zener. El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar
antes de entrar a la regin Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como valor
PIV) o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV).
Una de las diferencias entre el Ge, Si y GaAs es el voltaje de ruptura que es de 0.3,
0.7 y 1.2 V respectivamente. Tambin para GaAs, la corriente de saturacin en
inversa es por lo general de aproximadamente 1 pA, comparada con 10 pA para Si y
1 mA para Ge.
Conclusiones
Los
semiconductores
son
construidos
de
algunos
materiales
cuya
configuracin electrnica es idnea para funcionar de dicha manera. Los mas
comunes son Ge, Si, GaAs. El mas comn es el Silicio.
Un diodo esta construido por de la union un material intrnseco tipo p y uno
tipo n.
Un diodo se puede considerar que si esta polarizado directamente se cerrara
y ser como un corto circuito, aunque se necesita un determinado voltaje de
ruptura pero eso depende de que esta construido. Tambin se puede
considerar que se comportara como circuito abierto si esta polarizado
inversamente porque la corriente que atravesara a travs de el ser de un
orden muy cercano a cero.
