Tecnología electrónica

Componente básico de la microelectrónica, tecnología, materiales y teoría

z
2

La miniaturización que ha ocurrido en años recientes hace que nos

preguntemos hasta dónde llegarán sus límites. Sistemas completos ahora
aparecen en obleas miles de veces más pequeñas que un elemento único
de las redes primitivas.

Hoy en día, el procesador cuádruple Intel Core 2 Extreme que se muestra

en la figura cuenta con 410 millones de transistores en cada chip de
doble núcleo.

La miniaturización adicional parece estar limitada por tres factores: la

calidad del material semiconductor, la técnica de diseño de redes y los
límites del equipo de fabricación y procesamiento.

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya

conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante.

Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la

construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs
3
 Gilbert Newton Lewis, dice que los iones de los elementos
4 del sistema periódico tienen la tendencia a completar sus
últimos niveles de energía con una cantidad de 8 electrones
El modelo de Bohr de tal forma que adquieren una configuración muy estable.
Regla del octeto

Silicio ocupa 28 % de la corteza terrestre

5
6

Como el GaAs es un semiconductor compuesto se comparten entre dos átomos diferentes, como se muestra
en la figura. Cada átomo está rodeado por átomos del tipo complementario. Sigue existiendo electrones
compartidos similares en la estructura de Ge y Si, pero ahora el átomo de As aporta cinco electrones y el
átomo de Ga tres.
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Las causas externas incluyen efectos como energía
luminosa en forma de fotones y energía térmica (calor)
del medio circundante. A temperatura ambiente hay
alrededor de 1.5 x 1010 portadores libres en un 1 cm3 de
material de silicio intrínseco, es decir, 15,000,000,000
(quince mil millones) de electrones en un espacio más
reducido que un cubo de 1 cm3.
El término intrínseco se aplica a
cualquier material semiconductor que
haya sido cuidadosamente refinado para
reducir el número de impurezas a un
nivel muy bajo; en esencia, lo más puro
posible que se pueda fabricar utilizando
tecnología actual.

Actualmente, los niveles de impurezas de 1 parte en 10 mil millones (109 ó ppbm) son comunes, siendo
mayores estos niveles de pureza para circuitos integrados a gran escala. Ante la duda, relacionada con los
elevados niveles de pureza, se puede afirmar que la adición de una parte de impureza (del tipo apropiado)
por millón en una oblea de material de silicio puede modificarlo de un conductor relativamente deficiente a
un buen conductor de electricidad.
8
Los materiales semiconductores incrementan la conductividad con la aplicación de calor. Conforme se eleva
la temperatura, un mayor número de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica para romper
el enlace covalente y, así contribuir al número de portadores libres. Por consiguiente:
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo

Representación de las bandas de conducción y valencia de un aislante, un semiconductor y un conductor

9 Un electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de
valencia de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda de valencia
de arseniuro de galio debe absorber más energía que uno en la de silicio o germanio para entrar a la
banda de conducción
La diferencia entre los requerimientos de niveles de energía entre valencia y conducción revela la
sensibilidad de cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura. Por ejemplo, al elevarse la
temperatura de una muestra de Ge, el número de electrones que pueden absorber energía térmica y saltar
a la banda de conducción se incrementa con rapidez porque la brecha de energía es mínima. Sin embargo,
el número de electrones que entran a la banda de conducción en Si o GaAs es mucho menor.
Esta sensibilidad a los cambios de nivel de energía puede tener efectos positivos y negativos. El diseño
de fotodetectores sensibles a la luz y los sistemas de seguridad sensibles al calor, parecen ser una
excelente área de aplicación de los dispositivos de Ge. No obstante, en el caso de redes de transistores, en
las que la estabilidad es de alta prioridad, esta sensibilidad a la temperatura o a la luz puede ser un factor
perjudicial.

39 % Si
53 % GaAs

https://www.youtube.com/watch?v=skRmyhSOu28
Misión Imposible
Tom Cruise (1996)
10
11 Material tipo n

Un material semiconductor se puede

modificar de manera significativa con
la adición de átomos de impureza
específicos al material semiconductor
relativamente puro. Estas impurezas,
aunque sólo se agregan en 1 parte en
10 millones, pueden alterar la
estructura de las bandas lo suficiente
para cambiar las propiedades eléctricas
del material.

Hay dos materiales extrínsecos de transcendental

importancia en la fabricación de dispositivos
semiconductores: materiales tipo n y tipo p.

Impureza de antimonio en un material tipo n

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen
cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.
Las impurezas difundidas con cinco electrones
de valencia se conocen como átomos donadores
12 Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen en este nivel de energía y absorben con
menos dificultad una cantidad suficiente de energía térmica para moverse en la banda de conducción a
temperatura ambiente. El resultado es que a temperatura ambiente, hay un gran número de portadores
(electrones) en el nivel de conducción y la conductividad del material se incrementa de manera significativa.
A temperatura ambiente en un material de Si intrínseco hay alrededor de un electrón libre por cada 1012
átomos. Si el nivel de dopado es de 1 en 10 millones (10 7), la razón 1012 /107 = 10 5 indica que la
concentración de portadores se ha incrementado en una razón de 100.000:1.

Efecto de las impurezas de un donador en la estructura de la banda de energía

13 Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de
silicio puro con átomos de impureza que tienen tres
electrones de valencia. Los elementos más utilizados
para este propósito son boro, galio e indio.

El vacío resultante se llama hueco y se denota con un

pequeño círculo o un signo más, para indicar la ausencia
de una carga positiva. Por lo tanto, el vacío resultante
aceptará con facilidad un electrón libre

Portadores mayoritarios y minoritarios

Impureza de boro en un material tipo n

Las impurezas difundidas con tres electrones

de valencia se llaman átomos aceptores

En un material tipo n el electrón se llama portador En un material tipo p, el hueco es el portador

mayoritario y el hueco portador minoritario. mayoritario y el electrón el minoritario
14
 https://www.youtube.com/watch?v=8QKzS_w_Ko0
15
Tecnología de fabricación diodo semiconductor
En un diodo semiconductor ambas regiones P ó N, están fabricadas a partir de un mismo elemento
semiconductor, por ejemplo el silicio (Si), pero tienen una diferencia en cuanto a su composición química. En
la zona N se ha introducido fósforo, o cualquier otro elemento de su familia, mientras que la P contiene boro
u otro elemento de su familia. Se dice que ambas zonas están dopadas, y analizaremos posteriormente, el tipo
e intensidad del dopado es determinante en las propiedades eléctricas del semiconductor y el dispositivo que
se elabore con él.
El primer paso antes de ser puestos en servicio, los materiales son sometidos a diversas operaciones de
refinado, que reducen el nivel de impurezas a contenidos < 10-6 %. El lingote obtenido, debe ser fundido y re
solidificado a muy baja velocidad con el fin de obtener una microestructura monocristalina, mucho más apta
para el comportamiento semiconductor. Dicha microestructura se obtiene cuando un germen precursor de
semiconductor monocristalino entra en contacto con el material fundido
Los átomos que entran en contacto con el germen pierden calor, solidifican sobre su superficie y adquieren su
orden cristalino. El germen está sometido a un movimiento de rotación, y al mismo tiempo a un
desplazamiento vertical, extrayendo el material ya solidificado. Dicho proceso se denomina de solidificación
dirigida
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El dopado se realiza durante el proceso de obtención del monocristal. Los dopantes se introducen con la
ayuda de gases: PH3, AsH3, SbH3, Al2H6, B2H6, cuya descomposición en atmósfera de argón proporciona la
concentración del elemento necesario para difundir penetrar en el material semiconductor y definir la zona
N o la P, según se desee fabricar. El elemento dopante entra en contacto con el semiconductor y se introduce
en su microestructura por difusión.

El lingote monocristalino obtenido se corta en secciones circulares, una de las cuales se pule hasta brillo
especular. El motivo es dejar esa zona libre de defectos cristalinos y mecánicos, que perjudicarían el
rendimiento eléctrico del material. Las secciones circulares se denominan obleas, suelen tener un espesor de
0,4 a 1 mm.
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Una vez obtenidas éstas, si son de naturaleza N, se procede a elaborar la zona P. Existen dos técnicas básicas
para crear la zona P sobre una ya existente N, aunque los métodos puedan variar: por crecimiento epitaxial o
por difusión. En la primera, se co-deposita sobre la oblea una capa de átomos de semiconductor y dopante,
procedentes generalmente de una mezcla gaseosa (SiCl4, B2H6 y argón) que entra en reacción química y
proporciona los elementos de dicha capa.

Do es factor pre exponencial

D 𝑥 = 𝐷𝑜. exp(−𝐸/𝑅𝑇 E energía de activación de la difusión
R constante de los gases
T temperatura ºC.
Tfusion (Si) = 1414 ºC, Tfusion (Ge) = 937,5 ºC

Otra forma es por medios físicos o químicos, se hace difundir el dopante de tipo P en la oblea de tipo N,
cambiando la naturaleza de la zona dopada por segunda vez. La fuente de dopante puede ser gaseosa, líquida,
sólida o plasmática, llamándose la técnica dopado por difusión. En la se presenta la estructura morfológica de
las zonas de un diodo elaborado con dichas técnicas.
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19 Hornos para tratamientos termoquímicos
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Oblea de silicio (Si) con zonas de dopado diferencial

21 DIODO SEMICONDUCTOR

Utilizando materiales tipo n y tipo p,

podemos construir nuestro primer
dispositivo electrónico de estado
sólido. El diodo semiconductor

Sin ninguna polarización aplicada

a través de un diodo semiconductor,
el flujo neto de carga en una
dirección es cero.

Unión tipo p–n con polarización interna: a) una distribución de carga interna;(b)
un símbolo de diodo, con la polaridad definida y la dirección de la corriente; c)
demostración de que el flujo de portadores neto es cero en la terminal externa del
dispositivo cuando VD = 0 V.
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Condición de polarización en inversa (VD < 0 V)

La corriente en condiciones de polarización

en inversa se llama corriente de saturación
en inversa y está representada por Is.

La corriente de saturación en inversa rara

vez es de más de algunos micro-amperes,
excepto en el caso de dispositivos de alta
potencia

El término saturación se deriva del hecho

de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera
significativa con los incrementos en el
potencial de polarización en inversa
Unión p-n polarizada en inversa: (a) distribución interna de la
carga en condiciones de polarización en inversa; (b) polaridad
de polarización en inversa y dirección de la corriente de
saturación en inversa.
23 Condición de polarización en directa (VD>0 V)
La aplicación de un potencial
de polarización en directa VD
“presionará” a los electrones
en el material tipo n y a los
huecos en el material tipo p
para que se recombinen con
los iones próximos al límite
y reducirá el ancho de la
región de empobrecimiento
La reducción del ancho de la
región de empobrecimiento
produce un intenso flujo de
portadores mayoritarios a
través de la unión. Un electrón
del material tipo p ahora “ve”
una barrera reducida en la
unión debido a la región de Unión p-n polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en
empobrecimiento reducida y a condiciones de polarización en directa; (b) polarización directa y
una fuerte atracción del dirección de la corriente resultante
potencial positivo aplicado al
material tipo p.
24 Un diodo semiconductor se
pueden definir mediante la
siguiente ecuación, conocida
como ecuación de Shockley, para
las regiones de polarización en
directa y en inversa

Voltaje térmico y está determinado

En cuanto se incrementa la
magnitud de la polarización
aplicada, el ancho de la región
de empobrecimiento
continuará reduciéndose hasta
que un flujo de electrones
pueda atravesar la unión, lo
que produce un crecimiento
exponencial de la corriente
como se muestra en la región
de polarización en directa
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El máximo potencial de polarización

en inversa que se puede aplicar antes
de entrar a la región Zener se llama
voltaje inverso pico (conocido como
valor PIV) o voltaje de reversa pico
(denotado como valor PRV).
Características del diodo semiconductor de silicio.
26 Resumen
27 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)
2. La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados)
4. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del
término “breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]

donde ID y VD son la corriente y el voltaje

en el diodo, respectivamente, en un punto
de operación particular
28
DIODOS EMISORES DE LUZ

El diodo emisor de luz (LED, por sus siglas en inglés) esta dentro de la familia de dispositivos de unión
p–n. El diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando recibe
energía. En cualquier unión p–n polarizada en directa se produce el fenómeno dentro de la estructura y
se localiza principalmente cerca de la unión, debido a una recombinación de huecos y electrones. En
todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta energía se libera en forma de calor y otra en
forma de fotones.
En diodos de Si y Ge el mayor
porcentaje de la energía
convertida durante la
recombinación en la unión se
disipa en forma de calor
dentro de la estructura y la
luz emitida es insignificante.

La longitud de onda y la frecuencia de la luz de un

color específico están directamente relacionadas con
la brecha de la banda de energía del material.
29

Es interesante señalar que la luz invisible

tiene un espectro de menor frecuencia que
la visible. En general, cuando hablamos
de la respuesta de dispositivos
electroluminiscentes, nos referimos
a sus longitudes de onda y no a su
frecuencia. Las dos cantidades están
relacionadas por la siguiente ecuación

(a) Proceso de electroluminiscencia en el LED; (b) símbolo gráfico.

La respuesta del ojo humano promedio se extiende desde aproximadamente 350 nm hasta 800 nm con un
valor pico cercano a 550 nm. Es interesante señalar que la respuesta pico (máxima) del ojo es al color verde,
con el rojo y el azul en los extremos inferiores. Por tal motivo un LED rojo o azul deben ser mucho más
eficientes que uno verde, para que sean visibles con la misma intensidad.
30
El GaAs con su brecha de energía más alta
de 1.43 eV es adecuado para radiación
electromagnética de luz visible
Para mover un electrón de un nivel de energía
discreto a otro, se requiere una cantidad específica
de energía. La cantidad de energía implicada
está dada por:
h = 6.6626 10-34 J.s es
la constante de Planck

Curva de respuesta estándar del ojo humano, que

869 nm muestra su respuesta a picos de energía luminosa
en el verde y se reduce para azul y rojo.
Este valor ciertamente coloca al GaAs en la zona de longitud de onda utilizada en dispositivos infrarrojos.
Para un material compuesto como el GaAsP con una brecha de 1.9 eV la longitud de onda resultante es de 654
nm, la cual se encuentra en el centro de la zona roja, lo que lo hace un semiconductor compuesto excelente
para producir los LED.
31
32 Transistor de unión bipolar, se construye
La estructura básica de un con tres regiones semiconductoras
transistor de unión bipolar separadas por dos uniones pn, como lo
muestra la estructura plana epitaxial

Transistor de unión
bipolar. Simbología

Las tres regiones se llaman emisor, base y colector

Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de
dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de
huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.
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34 El fototransistor
Un fototransistor es similar a un transistor de unión bipolar regular excepto porque la corriente en
la base es producida y controlada por luz en lugar de por una fuente de voltaje. El fototransistor
efectivamente convierte la energía luminosa en una señal eléctrica

Un fototransistor puede ser un

dispositivo de dos o de tres
terminales de conexión. En la
configuración de tres
terminales de conexión, la
terminal de conexión en la
base queda fuera, de modo
que el dispositivo puede ser
utilizado como un BJT
convencional con o sin la
característica de sensibilidad a
la luz adicional
Estructura de un
fototransistor típico
35 A continuación un fototransistor con un circuito de polarización y curvas características de
colector típicas. Observe que cada curva individual en la gráfica corresponde a un cierto valor de
intensidad de luz (en este caso, las unidades son mW/cm2) y que la corriente en el colector se
incrementa con la intensidad de la luz

Los fototransistores son sensibles a la

luz dentro de un cierto intervalo
de longitudes de onda. Sensibles a
longitudes de onda particulares en la
parte del espectro roja e infrarroja

Circuito fototransistor y curvas

características típicas del colector

Circuitos relevadores
controlados por un
fototransistor.
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