Universidad de Costa Rica

Escuela de Física
FS-0411 - Laboratorio de Física General III

Dispositivos no óhmicos-diodos semiconductores

Pre-reporte - práctica #1

Estudiante: Natalia González Moya, Carné: B02756

Estudiante: Diego Acuña Ruiz, Carné: A40065

Grupo 02

Agosto 16, 2020

Contenido

1. Objetivos ....................................................................................................................................................... 3
2. Marco teórico ............................................................................................................................................... 4
3. Trabajo previo .............................................................................................................................................. 7
3.1.Diagrama Semiconductor extrínseco Silicio – boro. ........................................................................ 7
3.2 Diagrama esquemático de la construcción de un diodo por unión p-n. ........................................ 8
3.3 Valor de la barrera de potencial para los diodos de silicio, gernamio, Schottky, Zener y LED. 9
3.4 Tres usos diferentes de los diodos,Tres tipos de diodos. ............................................................. 11
3.5 Curva I – V para un diodo ideal, y su ecuación de ajuste. ............................................................ 13
4. Lista de materiales, herramientas y equipo ........................................................................................... 14
5. Procedimiento ............................................................................................................................................ 14
5.1. Parte A: Observaciones cualitativas de un semiconductor ......................................................... 14
5.2. Parte B: Curvas características ....................................................................................................... 15
6. Tablas de resultados................................................................................................................................. 16
7. Bibliografía ................................................................................................................................................. 18

2
1. Objetivos

Objetivo general:

 Estudiar la no linealidad en diodos semiconductores

Objetivos específicos:

 Determinar las características no lineales en los componentes de un

circuito.

 Construir un circuito virtual a partir del diagrama esquemático

 Determinar las curvas características de elementos no lineales

3
2. Marco teórico

Semiconductor

Un semiconductor se define como un material que tiene la capacidad de comportarse como un conductor,

o como un aislante dependiendo de diferentes factores. Todos estos términos se relacionan con la

conductividad, es decir, con la capacidad de un material para dejar fluir corriente eléctrica a través de él

(medida del flujo de electrones). Comúnmente, los metales se conocen como materiales conductores con

valores de conductividad entre 106 y 104 (Ω cm)-1; mientras que los no metales se conocen como aislantes

con valores de conductividad menores a 10-10 (Ω cm)-1. Algunos sólidos tienen conductividades con

valores entre 104 y 10-10 (Ω cm)-1; por lo tanto, se clasifican como semiconductores. Éstos se dividen en

dos tipos: intrínsecos y extrínsecos. (Seeger, 2004)

Un material semiconductor en su forma más pura se considera del tipo intrínseco. El grado de impurezas

en este tipo es muy pequeño, y para que un material alcance este nivel de pureza debe ser

cuidadosamente refinado. Para entender la conducción en este tipo de semiconductor es importante

estudiar su estructura cristalina. Por ejemplo, en el caso de una red cristalina de silicio, los átomos forman

enlaces covalentes al aportar cada uno cuatro electrones de valencia; a una temperatura absoluta de cero

no hay electrones disponibles, de manera que, se comporta como un aislante. Sin embargo, a temperatura

ambiente los electrones absorben energía térmica, se rompen los enlaces covalentes, y los electrones

adquieren libertad de movimiento en el cristal. Cuando se da esta ruptura, el lugar vacante donde había

un electrón se llama hueco. De manera independiente los electrones y huecos no conducen electricidad,

pero al aplicar un voltaje se genera una corriente gracias al movimiento de electrones y huecos. (Godse

& Bakshi, 2007)

Se denomina dopaje a la acción de añadir una pequeña cantidad de otro material a un semiconductor

intrínseco, dando como resultado uno del tipo extrínseco. Se busca obtener esta impureza para aumentar

la conductividad del material; dependiendo de las impurezas se tienen dos tipos de semiconductores

extrínsecos: tipo n y tipo p. Cuando la impureza dona un electrón libre al material es del tipo n (arsénico,

bismuto y fósforo) y cuando tiende a aceptar electrones es del tipo p (galio, indio, boro). (Godse & Bakshi,

2007)

Diodo

Un diodo es un dispositivo que consiste en dos terminales que dan lugar a un comportamiento no lineal;

permite el paso de la corriente solamente en un sentido y bloquea su paso en sentido contrario. Está

principalmente constituido por dos materiales semiconductores, así que, se puede decir que están

formados por un cristal dopado con una parte del tipo p y otra del tipo n. Existe el modelo del diodo ideal

en el que uno de sus terminales se llama ánodo, y el otro terminal se conoce como cátodo. Cuando la

corriente que circula por este diodo lo hace en el sentido ánodo-cátodo, sin caída de tensión entre los

terminales, se dice que está directamente polarizado. En el caso en el que el ánodo es negativo con

respecto al cátodo, se bloquea la corriente y se dice que está inversamente polarizado. (Prat, 1999)

En los circuitos electrónicos, el diodo se simboliza con una flecha; la parte ancha es la parte p y la punta

es la parte n. Al aplicar una tensión constante (V) entre los terminales y al medir la corriente (I), se pueden

ir obteniendo diferentes medidas (V, I); las cuales, se pueden representar a través de una gráfica V-I

llamada característica estática del diodo. (Camps & López, 2006)

5
Hay muchos tipos de diodos, pero uno de los más utilizados es el diodo de Schottky. Éste se puede definir

a través de su curva característica con una expresión matemática (Ecuación 1), en donde Is es la corriente

de saturación; q es la carga del electrón; ŋ es el factor de idealidad; k es la constante de Boltzmann y T la

temperatura absoluta. (Moreno, Durán, Ávila, & Molina, 2009)

𝑞𝑣
𝐼 = 𝐼𝑠 (𝑒 ŋ𝑘𝑇 − 1) [1]

Corriente de saturación
La corriente de saturación o corriente inversa de saturación (Is) es la parte de la corriente inversa en un

diodo semiconductor que es causada por la difusión de portadores minoritarios (huecos) desde las

regiones neutrales a la región de agotamiento (región de la unión). (Cirovic, 1979)

Factor de idealidad

El factor de idealidad (ŋ) determina la desviación que se da en la forma de la curva característica de un

diodo con respecto a la forma que tendría la de un diodo ideal. Cuando se da una recombinación de los

pares de electrones en la región p-n neutra se obtiene un factor de 1,0; si se da en la brecha de p-n se

obtiene un factor de 2,0. Por lo tanto, se dice que este factor tiene un valor entre 1 y 2 dependiendo del

material, la corriente de saturación y las dimensiones del diodo. (Soga, 2006)

Barrera de potencial

La barrera de potencial en una unión p-n es una barrera que no permite el flujo normal de la carga a través

de la unión. Cuando se elimina o supera se logra el flujo de la corriente. El punto en donde se elimina se

denomina voltaje de ruptura (VBO). El silicio tiene un valor de 0,7 V y para el germanio de 0,3 V. (Singh &

Joshi, 20

6
3. Trabajo previo

3.1.Diagrama Semiconductor extrínseco Silicio – boro.

A continuación, la figura 1 muestra un diagrama esquemático de una sección de la configuración cristalina

de silicio con una impureza de boro, como representación de un semiconductor extrínseco, tipo P o
positivo.

Figura 1. Diagrama esquemático, configuración cristalina silicio -boro.

La siguiente página muestra la figura 2, la cual ilustra la construcción de un diodo por unión de
semiconductores extrínsecos del tipo p y n. Al contacto, se da una redistribución de los electrones
disponibles en el semiconductor tipo n, hacia el semiconductor tipo p, ocupando así los huecos disponibles.

El reacomodo de los electrones, resulta en la presencia de finas capaz en cada semiconductor. Una capa
de sobrecarga de electrones en el semiconductor p, y una capa de deficiencia de electrones en el
semiconductor n. Lo que genera un campo eléctrico con dirección n – p. (Madrigal, 2020)
3.2 Diagrama esquemático de la construcción de un diodo por unión p-n.

a)

b) c)

Figura 2. a) Diagrama esquemático de la construcción de un diodo p – n; b) al aplicarse una tensión mayor al

terminal p, que al terminal n, hay paso de corriente. c) si una tensión mayor se aplica al terminal n, que al terminal
p, la corriente es muy pequeña; despreciable. (Universidad de Granada, 2013)

8
3.3 Valor de la barrera de potencial para los diodos de silicio, gernamio, Schottky, Zener y LED.

La barrera de potencial representa el valor mínimo de energía requerida para que un electrón se libere de
su estado de enlace en un semiconductor. Cuando el valor de energía de la barrera de potencial es
alcanzado, los electrones excitados dan paso a la conducción, y dejan hueco en la configuración
electrónica del material, lo que a su vez permite la conducción. (PVeducation, 2019)

El valor de la barrera de potencial depende de la temperatura. El valor disminuye a como la temperatura

incrementa. Esto debe ser entendido como el incremento de los espacios interatómicos, cuando la
amplitud de las vibraciones atómicas se incrementa por el aumento de energía térmica. Este efecto es
cuantificado por el coeficiente de expansión lineal del material. Un incremento en el espacio interatómico
disminuye el potencial promedio, lo que reduce el tamaño de la barrera de potencial. (Zeghbroeck,2011).

Diodos de silicio, gernamio

La dependencia de temperatura de la barrera de potencial se ha determinado experimentalmente como

resultado de la siguiente expresión, ecuación 2.

𝛼 𝑇2
𝐸𝑔 (𝑇) = 𝐸𝑔 (0) − [2]
𝑇+𝛽

Donde los valores de α y β son contantes propias de cada material; y donde Eg (0), es el valor de la barrera
de potencial a una temperatura de 0 K. (Van Zeghbroeck, B.,2011)

Para Silicio, Eg (0) = 1.170 eV, α = 4.73x10-4 eV/K, y β = 636 K

Para germanio, Eg (0) = 0.74 eV, α = 4.8x10-4 eV/K, y β = 235 K

Diodos de Schottky

Un diodo Schottky, es la unión de un metal con un semiconductor extrínseco de tipo n. Y su barrera de

potencial es llamada la Barrera Schottky ( φB), y está dado por la siguiente forma, ecuación 3.
φ𝐵 = φ𝑚 − X𝑛−𝑠𝑒𝑚𝑖 [3]

Donde φ𝑚 , es la función de trabajo del metal; y X𝑛−𝑠𝑒𝑚𝑖 , corresponde a la afinidad electrónica del
semiconductor. (Parasuraman, 2014)

Para materiales sólidos, la función de trabajo corresponde al trabajo termodinámico mínimo necesario
para remover un electrón de la superficie del material a un vacío inmediato fuera del objeto. (Wikipedia®,
2020)

Para materiales sólidos, la afinidad electrónica se define como la cantidad de energía obtenida al mover
un electrón del vacío justo fuera del semiconductor, al fondo de la banda de conducción justo dentro del
semiconductor (Wikipedia®, 2020)

Diodo de Zener

Este tipo de diodo es del tipo unión p-n, con una mayor cantidad de impurezas en su configuración. Un
diodo Zener permite el flujo de corriente en ambos sentidos, conocido como efecto Zener. Para que el
diodo permita el flujo inverso de corriente, el voltaje aplicado al circuito debe superar el voltaje de ruptura
o tensión de ruptura del diodo, el cual es específico a la configuración de cada diodo. (Khan, 2015)

Un mayor número de impurezas resulta en una región de agotamiento o región de aislamiento de un

semiconductor, más angosta; y en un mayor campo eléctrico, el cual libera electrones de valencia que
resulta en la transferencia de corriente. (Shenoy, 2018)
Diodo de LED

Este tipo de diodo es del tipo unión p-n a partir de semiconductores extrínsecos. La barrera de potencial
puede ser determinada al medir el voltaje a través del LED al punto en el cual el LED apenas empieza a
encenderse. Es decir, el voltaje a través del LED corresponde al valor de la barrera de potencial. El voltaje
puede ser convertido a electro volts con simplemente multiplicar por la carga de un electrón. (Noorzad,
2020)

De tal manera, el valor de la barrera de potencial (𝐸𝑔 ) para un diodo LED, se estima al calcular la energía

emitida por un fotón mediante la siguiente ecuación, ecuación 4.

ℎ𝑐
𝐸𝑔 = ℎ𝑓 = [4]
λ

Donde ℎ es la constante de Planc (unidades en eV*s); 𝑐 es la velocidad de la luz en el vacío; 𝑓 es la

frecuencia del, y λ es la longitudes de onda del fotón. . (Noorzad, 2020)

3.4 Tres usos diferentes de los diodos,Tres tipos de diodos.

Entre los usos principales de los diodos semiconductores, está el suprimir picos de voltaje. Lo que permite
la protección de los componentes electrónicos de un circuito ante variaciones en el voltaje. Las variaciones
de voltaje pueden suceder por cargas inductivas inesperadas; o bien por la energía del campo eléctrico
almacenado durante una interrupción repentina de la fuente de poder. (Electronic Hub. 2019)

Los diodos son también utilizados como rectificadores de corriente alterna (AC) a corriente directa (DC).
Lo que permite el funcionamiento de la mayoría de los dispositivos electrónicos de uso diario. (Electronic
Hub. 2019)

Además, los diodos son utilizados como protección ante corriente inversa Lo cual protege los dispositivos
electrónicos de la corriente cuando las terminales de una batería son colocadas de manera incorrecta, o
cuando se revierte la polaridad de una fuente DC. (Electronic Hub. 2019).
Tres tipos de diodos son:

 La figura 3 muestra un Fotodiodo, el cual se usa para detectar luz. Normalmente, operan bajo
condiciones dirigidas inversas donde el más pequeño flujo de corriente resulta en luz que puede
ser observada. Este tipo de diodo también pueden ser usados para producir electricidad. (EL-PRO-
CUS, 2020)

Figura 3.

 La figura 4 corresponde a un Diodo PIN, funciona como interruptor. Se caracteriza por su

construcción, tiene regiones estándar del tipo p y n, pero la región intermedia del tipo
semiconductor intrínseco. La región del semiconductor intrínseco amplía la región de agotamiento
lo que lo hace ideal para aplicaciones de interruptor. (EL-PRO-CUS, 2020)

Figura 4.

 Figura 5 es un Diodo Gunn, es del tipo unión n-p, con dos terminales. Generalmente se usa para
producir señales de microondas en radio comunicaciones, y fuentes de radar militares y
comerciales. También se usan como sensores para identificar intrusos, y para evitar
descarrilamiento de trenes. Figura 5. (EL-PRO-CUS, 2020)

Figura 5.
3.5 Curva I – V para un diodo ideal, y su ecuación de ajuste.

La figura 6 corresponde a la gráfica Corriente vs Tensión, cuya curva representa el comportamiento

de un diodo ideal. (Schiavon, 2012)

Figura 6.

Ecuación de ajuste de corriente directa

[5]

Ecuación de ajuste de corriente inversa

[6]
4. Lista de materiales, herramientas y equipo

 Una computadora personal o de escritorio con Windows 8.1 o superior instalado

 El simulador PhET

 El simulador LTspice

5. Procedimiento

5.1. Parte A: Observaciones cualitativas de un semiconductor

a. Ingresar a la página del simulador PhET.

b. Seleccionar en la ventana el segmento 1 y arrastrar el dopante tipo p (color rojo) a la parte morada
del circuito; fijar el voltaje en 4,0 V.

c. Discutir y explicar las observaciones e indicar a qué energía ocurre la conducción.

d. Reducir el voltaje a -4.0 V. Discutir y justificar los cambios. Explicar qué pasa con la banda de
conducción.

e. Utilizar el botón “Vaciar dopante” y vaciar el dopante tipo p. Arrastrar el dopante tipo n (color verde)
y repetir el mismo procedimiento que para el dopante tipo p.

f. Vaciar el dopante tipo n y seleccionar el segmento 2.

g. Arrastrar el dopante tipo p a la parte izquierda morada del circuito y el dopante tipo n a la parte
derecha morada. Cambiar el voltaje lentamente de 4,0 V a -4,0 V. Describir y explicar lo que sucede.

h. Repetir la parte anterior con los dos dopantes, pero arrastrando el tipo p a la parte derecha y el tipo
n a la parte izquierda.
 5.2. Parte B: Curvas características

a. Ingresar a la página del simulador LTspice y descargar el programa.

b. Abrir el programa ya instalado e ir a la pestaña “File” en la barra de herramientas; seleccionar la

opción “New Schematic”.

c. Identificar el menú con los componentes eléctricos en la barra de herramientas LTspice.

d. Construir un circuito no lineal. Seleccionar una fuente de voltaje V1, un diodo D1 y la tierra.

e. Ajustar el valor de V1 como 12.0 V y para D1 seleccionar “Pick New Diode” y escoger “1N4148”.

f. Hacer click en la opción “Simulate” de la barra de herramientas y seleccionar “Run”. Luego,

seleccionar “DC Sweep”.

g. Ajustar los parámetros como: Name of 1st source to sweep: V1; Type of sweep: Linear; Start Value:
1; Increment: 0,001.

h. Hacer click en el gráfico (negro) y escoger “Plot Settings”. Seleccionar la opción “Add trace” y escoger
el parámetro I(D1).

i. Seleccionar “File” y luego “Export Data as text” para exportar el I(D1).

j. Abrir los datos .txt y copiar los mismos a Excel. Ya en Excel, eliminar el primer valor (cero) de las tres
columnas.

k. Graficar la curva característica I-V de un diodo (valores de corriente los de I(D1) y voltaje los de V1).

l. Comparar la ecuación de mejor ajuste con la ecuación teórica de un diodo y determinar la corriente
de saturación (Is) y el factor de idealidad para el diodo (ŋ)

m. Repetir el mismo procedimiento para los diodos 1N5817, PT-121-B y 1N5373B.

 5.3. Fórmula para cálculo porcentaje de error

|𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜−𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙|

% 𝑑𝑒 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜
𝑥 100 [7]

6. Tablas de resultados

Tabla 1. Datos de la simulación exportados para los diferentes tipos de diodos.

Tipo de
1N4148 1N5817 PT-121-B 1N5373B
diodo

V1 I[D1] I[V1] V1 I[D1] I[V1] V1 I[D1] I[V1] V1 I[D1] I[V1]

Parámetros
(V) (A) (A) (V) (A) (A) (V) (A) (A) (V) (A) (A)

Valores
Tabla 2. Voltaje (V), corriente de saturación (Is), factor de idealidad (ŋ) y barrera de potencial para los diferentes tipos de
diodos.

Voltaje V1 Corriente de saturación Factor de Barrera de

Tipo de diodo
(V) Is idealidad ŋ potencial

1N4148

1N5817

PT-121-B

1N5373B

Tabla 3. Porcentaje de error de la corriente de saturación (Is), factor de linealidad (ŋ) y barrera de potencial.

Corriente de saturación Factor de idealidad

Barrera de potencial
Tipo de Is ŋ
diodo Valor Valor % de Valor Valor % de Valor Valor % de
teórico experimental error teórico experimental error teórico experimental error

1N4148

1N5817

PT-121-B

1N5373B

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7. Bibliografía

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