Info:

1. https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos-semiconductores/banda-prohibida
2. https://www.seas.es/blog/automatizacion/semiconductor-intrinseco-y-extrinseco-que-son-y-como-
funcionan/
3. https://material-properties.org/es/que-es-la-excitacion-optica-y-termica-en-semiconductores-definicion/
4. https://www.ucm.es/data/cont/media/www/pag-17833/Guiones%20Fisica%20del%20Estado
%20Solido.pdf
5. http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm

Punto 1.1.
Analice el párrafo en itálica. Amplíe la descripción de las características de los semiconductores en relación
a los aislantes y los metales. Explique a que se deben las diferencias de comportamiento, frente a la
temperatura, entre metales y semiconductores.

En relación a los aislantes y los conductores, un semiconductor tiene un gap intermedio. El de un aislante es
muy amplio al contrario del de un conductor que es severamente menor. Lo que significa que se requiere una
cantidad de energía “media” para lograr una conducción o el salto de un electrón de la BV a la BC.
Los metales en temperaturas muy bajas se convierten en conductores/súper conductores, a diferencia de los
semi que aumentan su conductividad en función del aumento de temperatura (los intrínsecos).

Punto 1.2.
Respecto del párrafo subrayado, justifique o critique lo que allí se dice. Amplíe respecto de las
consecuencias tecnológicas que tiene la posibilidad descrita.

Si bien es posible variar la conductividad, hay que tomar en cuenta que este proceso es costoso y a la vez
requiere de mucha tecnología para ser aplicado, lo cual termina siendo una limitación.

Punto 2.
Se ha dicho que el comportamiento de un semiconductor intrínseco frente a las variaciones de temperatura
constituye una limitación para posibles aplicaciones prácticas. ¿Es esto absoluto? ¿Se le ocurre algún
ejemplo de aplicación práctica de esta característica?

Esto es así debido a que el intrínseco, depende exclusivamente de la temperatura para poder conducir. Por
ejemplo un termómetro seria mas que inestable para este caso.

Punto 3.
Discuta la validez de las siguientes afirmaciones:
En un semiconductor intrínseco el número de electrones libres:
A) Es igual al número de huecos > Si es igual, no hay conducción alguna.
B) Es mayor que el número de huecos > Esto es así.
C) Es menor que el número de huecos >
D) Depende de la temperatura > Si, debido a que al aumentar la temperatura aumentan los huecos y los
electrones libres

Punto 4.
¿Cómo es posible que el agregado de cantidades tan pequeñas de impurezas como 1 parte en
100.000.000 altere tan profundamente las propiedades eléctricas de un semiconductor? ¿Qué
consecuencias tiene esto respecto de las características necesarias de los materiales de partida?

Dado que con la diferencia de electrones y portadores se logra una mayor conductividad. Se van
agrando muchos portadores (1 a la 5ta) por cada impureza. A demás se rompe la paridad hueco-
electrón.

Punto 6.
¿Cuál es el sentido de la corriente eléctrica transportada por los huecos, comparada con la de los
electrones de la banda de conducción?

La de los electrones se mueven en contra del campo.

La de los huecos es a favor del campo.

Punto 11.
Al dopar un SC intrínseco, aumenta fuertemente la concentración de uno de los portadores. ¿Qué sucede
con la concentración del otro? ¿Por qué?

Sucede que el número de portadores minoritarios disminuye a medida que aumenta el nivel de dopaje. Por
ejemplo, en materiales de tipo n, algunos de los electrones extra añadidos por dopaje del material ocupará los
espacios vacíos (es decir, huecos) en la banda de valencia, reduciendo así el número de agujeros.

Punto 12.
Banda de conducción
El nivel de energía en el que un electrón puede ser considerado libre se llama "banda de conducción" (EC).
Una vez que el electrón se excita a la banda de conducción, es libre para moverse sobre el semiconductor y
participar en la conducción. Sin embargo, la excitación de un electrón a la banda de conducción también
permitirá un proceso de conducción adicional para tomar su lugar dejado. La excitación de un electrón a la
banda de conducción deja tras de sí un espacio vacío para un electrón. Un electrón de un átomo vecino puede
moverse en este espacio vacío. Cuando este electrón se mueve, que deja tras de otro espacio.

Gap (Banda prohibida)

La banda prohibida de un semiconductor es la energía mínima necesaria para excitar un electrón desde su
estado ligado a un estado libre que le permita participar en la conducción.
El menor nivel de energía de un semiconductor se denomina "banda de valencia" (EV) y el nivel de energía
en el que un electrón puede ser considerado libre se llama "banda de conducción" (EC). La banda prohibida
(EG) es la diferencia de energía entre el estado ligado y el estado libre, entre la banda de valencia y la banda
de conducción. Por lo tanto, la banda prohibida es la energía mínima necesaria para excitar el electrón de
manera que pueda participar en la conducción.

Intrínseco/extrínseco
El semiconductor intrínseco (varia por temperatura) es aquel que está formado por un solo tipo de átomo.
Los más frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos, el silicio es el que
encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos, por ser el que más abunda en la naturaleza y el
que mejor se comporta a grandes temperaturas.
El semiconductor extrínseco (varia con las impurezas) es el resultado de introducir átomos de otros
elementos a fin de que el semiconductor primitivo pierda su pureza y gane en conductividad. Este proceso de
impurificación se conoce como “dopaje”. Según el tipo de impureza que se le añada al semiconductor
tendremos dos tipos de semiconductores extrínsecos.

Tipo p / tipo n
En el lado de tipo n, núcleos de iones positivos están expuestos. En el lado de tipo p, los núcleos de iones
negativos están expuestos. Se forma un campo eléctrico E entre los núcleos positivos en el material de tipo n
y núcleos negativos en el material de tipo p.
La región de tipo n tiene una concentración de electrones alta y la de tipo p tiene una concentración alta de
agujeros.

Par hueco-electrón
En el semiconductor, los portadores de carga libres son electrones y huecos de electrones (pares de
electrones-huecos). Los electrones y huecos se crean por excitación de electrones desde la banda de valencia
a la banda de conducción. Un agujero de electrones (a menudo llamado simplemente agujero) es la falta de
un electrón en una posición en la que podría existir en un átomo o red atómica. Es uno de los dos tipos de
portadores de carga que se encargan de crear corriente eléctrica en materiales semiconductores.

Recombinación
La recombinación es el proceso opuesto a la generación. Un electrón se recombina con un agujero y cede la
energía para producir calor o luz. Un dispositivo donde la recombinación está optimizada para emitir luz
también se llama diodo emisor de luz (LED).
Cualquiera de los electrones que existen en la banda de conducción están en un estado meta-estable y,
finalmente, se estabilizarán a una posición de menor energía en la banda de valencia. Cuando esto ocurre, se
debe mover a un estado vacío de la banda de valencia. Por lo tanto, cuando el electrón se estabiliza hacia
abajo en la banda de valencia, también elimina de manera efectiva un agujero. Este proceso se denomina
recombinación.

Excitación térmica
La excitación térmica de un portador de la banda de valencia a la banda de conducción crea portadores libres
en ambas bandas.
Los pares de agujeros de electrones también se generan constantemente a partir de energía térmica, en
ausencia de cualquier fuente de energía externa. La excitación térmica no requiere ninguna otra forma de
impulso de arranque. Este fenómeno ocurre también a temperatura ambiente. Es causada por impurezas,
irregularidades en la estructura reticular o por dopante. Depende en gran medida del espacio E (una distancia
entre la valencia y la banda de conducción), de modo que para un espacio E más bajo aumenta una cantidad
de portadores de carga excitados térmicamente.

Dopaje
1. El dopaje es una técnica utilizada para variar el número de electrones y huecos en semiconductores.
2. Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales semiconductores del grupo IV se dopan con los
átomos del grupo V . materiales de tipo P se crean cuando los materiales semiconductores del grupo IV se
dopan con los átomos del grupo III.
3. Materiales de tipo N aumentan la conductividad de un semiconductor mediante el aumento del número de
electrones disponibles; materiales de tipo P aumentar la conductividad al aumentar el número de orificios
presentes.

Concentración de portadores
La excitación térmica de un portador de la banda de valencia a la banda de conducción crea portadores libres
en ambas bandas. La concentración de estos portadores se llama la concentración de portadores intrínsecos.

Portador minoritario / mayoritario

Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Para portadores mayoritarios, la concentración de portadores en equilibrio es igual a la concentración de
portadores intrínsecos más el número de portadores libres añadidos por el dopaje de semiconductores. Bajo
la mayoría de condiciones, el dopaje del semiconductor es varios órdenes de magnitud mayor que la
concentración de portadores intrínsecos, de manera que el número de portadores mayoritarios es
aproximadamente igual a la de dopaje.
el número de portadores minoritarios disminuye a medida que aumenta el nivel de dopaje. Por ejemplo, en
materiales de tipo n, algunos de los electrones extra añadidos por dopaje del material ocupará los espacios
vacíos (es decir, huecos) en la banda de valencia, reduciendo así el número de agujeros.

Imagen de un diodo (esquema)