Unidad 1

UNIDAD 1.
DIODO
SEMICONDUCTOR
La Unidad 1, enseña el diodo como el elemento semiconductor más sencillo,
muestra su funcionamiento en circuitos alimentados en DC y AC, aplicaciones,
importancia, hoja de especificaciones de datos, limitaciones de funcionamiento entre
otras características de interés.

Al finalizar esta unidad el estudiante estará en capacidad de:

• Interpretar las características de los semiconductores, conductores y aislantes a

nivel atómico.

• Describir el comportamiento de los dos tipos de portadores y sus impurezas.

• Explicar las condiciones que se dan en la unión pn sin polarizar, polarizada en

directa y polarizada en inversa.

• Dibujar la curva característica del diodo con sus elementos más importantes.

• Reconocer las terminales del diodo y su símbolo esquemático en cualquier

aplicación.

• Buscar en la hoja de características de un catálogo los parámetros

característicos del diodo.

• Explicar el funcionamiento del diodo ideal y del diodo semiconductor.

• Evaluar los circuitos con diodos a través de distintos tipos aproximaciones que
existen y para que casos se utilizan.

• Dibujar el esquema de un circuito rectificador de media onda, un rectificador de

onda completa y de un puente rectificador y explicar su funcionamiento.

• Saber utilizar el diodo Zener y calcular algunos valores relacionados con su uso.

• Armar circuitos con diodos en DC y AC en la Protoboard.

• Tomar mediciones de voltaje, corriente y la forma de onda de las señales de

salida y entrada en circuitos con diodos.

• Identificar las terminales del diodo con la ayuda de un multímetro.

1.1 MATERIALES SEMICONDUCTORES

En la naturaleza, existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor

que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia
al paso de la corriente eléctrica son conductores. Analógicamente, los que ofrecen
mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante
perfecto y prácticamente tampoco el conductor perfecto. Existe un tercer grupo de
materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, no es
directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.

Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son,

generalmente metales, esto se debe a que poseen pocos electrones en su última
órbita (menos de 4) y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De
esta forma, cuando varios átomos de un metal, se acercan los electrones de su
última órbita se desprenden y circulan desordenadamente entre la red de átomos.
Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la
corriente eléctrica. Se destacan dentro de este grupo: la plata, el oro y el cobre.

Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en su
última órbita (cinco a ocho), por lo que no tienen tendencia a perderlos fácilmente,
evitando así establecer una corriente de electrones. De ahí su alta resistencia. Como
ejemplo de materiales aislantes tenemos: los plásticos, vidrio, madera, etc.

Los semiconductores, por su parte, se caracterizan principalmente por conducir la

corriente sólo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es,
precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida
está basada. La estructura atómica de dichos materiales presenta una característica
común: está formada por átomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su
última órbita), por lo que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.
Dentro de los semiconductores se encuentran elementos pertenecientes al grupo IV
de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, selenio, etc).

Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros

átomos vecinos para así formar un cristal, que es la forma en la que se encuentran
en la naturaleza, tal como se muestra la Figura. Si esta estructura se encuentra a
una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendrá tan poca energía
que no será posible la conducción eléctrica. Al aumentar la temperatura (a
temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energía
para romper el enlace del que forman parte y "saltar" a la siguiente orbita. Esto
provoca la formación de un espacio vacío, que por carencia de electrones, posee
carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco. El aumento de temperatura
rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de electrones y
disminuyendo la resistencia del material.

Figura 1. Enlace covalente para el átomo de Silicio

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal

intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal
100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es
aquél al que se han adicionado átomos de otra sustancia. Al proceso de adición se
le llama dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de
transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Dentro de los materiales
extrínsecos se encuentran el tipo n y tipo p.

El material tipo n surgen cuando a una red cristalina de silicio (átomos de silicio
enlazados entre sí), se sustituye uno de sus átomos por un átomo de otro elemento
que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos
electrones sirven para enlazarse con el resto de los átomos de la red y el quinto
queda libre, como lo muestra la Figura 2.

Figura 2. Semiconductor dopado tipo N

En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos
últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los
electrones. Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el
arsénico, el antimonio y el fósforo.

Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus bornes, las
posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del
caso de la aplicación de la misma tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro.

El material tipo p surge cuando a una red cristalina de silicio (átomos de silicio
enlazados entre sí), se sustituye uno de sus átomos por un átomo de otro elemento
que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones
llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo de silicio, pero como son
cuatro, quedará un hueco por ocupar, ahora la sustitución de un átomo por otros
provoca la aparición de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores
mayoritarios" serán los huecos y los electrones los portadores minoritarios.

Figura 3. Semiconductor dopado tipo P

1.2 DIODO IDEAL

El primer dispositivo electrónico que se presentará se denomina diodo. Es el más

sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los
sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a
las de un sencillo interruptor. Se encontrará en una amplia gama de aplicaciones,
que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los
detalles de su construcción y características, los datos y gráficas muy importantes
que se encontrarán en las hojas de especificaciones también se estudiarán para
asegurar el entendimiento de la terminología empleada y para poner de manifiesto la
abundancia de información de la que por lo general se dispone y que proviene de los
fabricantes. El diodo posee dos terminales, una denominada ánodo (A) y la otra
cátodo (K), y se representa, tal como, lo muestra la Figura 4.

Figura 4. Símbolo del diodo

El funcionamiento del diodo ideal es semejante a un interruptor, que solo permite la
conducción de corriente en una sola dirección, ésta dirección se indica con el
sentido de la flecha de su símbolo.

Para conducir el diodo, debe encontrarse polarizado directamente, es decir, el

ánodo debe ser más positivo que el cátodo, cuando esto se cumple el diodo se
comporta como un circuito cerrado en la región de conducción, permitiendo el paso
de la corriente y presentando una caída de voltaje entre sus terminales igual a 0 V,
debido a la baja resistencia que ofrece. Esto se puede observar en la siguiente
Figura 5.

Figura 5. Diodo polarización directa

Cuando el diodo se encuentra polarizado inversamente, es decir, el cátodo es más

positivo que el ánodo, el diodo se comporta como un circuito abierto, no permitiendo
el paso de la corriente y almacenando entre sus terminales voltaje, por presentar
una resistencia alta.

Figura 6. Diodo polarización inversa

1.3 DIODO SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor, se forma al unir un material tipo p y uno n, construidos a

partir de la misma base, sea de Silicio o Germanio. En el momento de la unión, los
electrones y huecos de esta región, se combinarán y como consecuencia se
originará una carencia de portadores en la región cercana a la unión, ésta región se
denomina, región de agotamiento.

Ahora conoceremos lo que ocurre en la estructura interna del diodo, a partir de la

aplicación de voltaje en sus terminales (VD), para lo cual, se presentan tres casos:
VD = 0V sin polarización, VD < 0V polarización inversa, VD >0V polarización directa.

1.3.1 Diodo semiconductor sin polarización, VD = 0V

Se forma la región de agotamiento, los portadores minoritarios de cada tipo de

material se colocan cerca de la unión.

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga en

cualquier dirección para el diodo es cero.

Figura 7. Unión p-n sin polarización externa

1.3.2 Diodo semiconductor con polarización inversa, VD <

0V

Con el positivo conectado al material tipo n, los huecos (positivos) se repelen y se

van al lado de la unión y el negativo conectado al material tipo p, los electrones se
dirigen al polo opuesto, es decir, la unión, de esta manera se fortalece la región de
agotamiento.

Se presenta una corriente de saturación inversa, denominada Is, que es de unos

cuantos microamperios, ésta fluye en sentido inverso a la flecha y es provocada por
el movimiento de los portadores minoritarios.
 Figura 8. Unión p-n bajo polarización inversa.

1.3.3 Diodo semiconductor en polarización directa, VD

>0V

Un diodo esta polarizado directamente cuando se establece una asociación tipo p

con positivo y tipo n con negativo.

La aplicación de un potencial con polarización directa VD, presionará a los electrones

del material tipo n y a los huecos del material tipo p para que se recombinen con los
iones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la región de agotamiento
como se muestra en la Figura 9. El flujo resultante de portadores minoritarios del
material tipo p hacia el tipo n, no varió en magnitud; sin embargo, la reducción en el
ancho de la región de agotamiento provoca un flujo de portadores mayoritarios sobre
la unión.

Figura 9. Unión p-n bajo polarización directa

A medida que la magnitud de polarización aplicada se incrementa, la región de

agotamiento seguirá disminuyendo hasta que un grupo de electrones pueda
atravesar la unión, con un incremento exponencial de la corriente como resultado.
La gráfica de la curva de transferencia del diodo de Si así lo muestra.
 Figura 10. Características del diodo semiconductor de Si y Ge

Observe que para polarización directa, el eje vertical de la corriente se expresa en

miliamperios (aunque existen algunos diodos semiconductores que poseen ejes
verticales expresados en Amperios) y el voltaje en polarización directa del diodo,
será normalmente menor que 1. Observe también la rapidez con que aumenta la
corriente una vez que se pasa el punto de inflexión de la curva, que será de 0.3V
para un diodo de Ge y 0.7V para el de Si.

Observe que para polarización inversa, el eje vertical de la corriente se expresa en

microamperios o quizás nanoamperios, que corresponde al valor de Is = corriente de
saturación inversa y el voltaje en polarización inversa del diodo, será normalmente
decenas de Voltios. Es entonces cuando podemos hablar de Vz, es decir, voltaje de
ruptura en inversa PIV, que podemos definir como el máximo potencial de
polarización inversa que puede aplicarse antes de ingresar a la región Zener.

Si el diodo es alimentado en inversa con un voltaje igual o mayor que PIV, entraría
en la región Zener permitiendo el paso se la corriente en inversa, tal como lo
muestra la curva característica del diodo. En el trabajo normal de un diodo la región
Zener debe evitarse.

Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente

más alto e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
Es posible demostrar mediante el empleo de la física de estado sólido que las
características generales del diodo semiconductor se pueden definir con la siguiente
ecuación, tanto para la región de polarización inversa como para la directa:

La ecuación anterior puede verse compleja y alguien podría temer que su utilización
fuera necesaria para todas las aplicaciones de diodos; sin embargo mas adelante
veremos aproximaciones, que evitarán el uso de esta.

1.4 APROXIMACIONES Y CIRCUITOS EQUIVALENTES

PARA DIODOS

Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio y germanio, y
cada una de ellas es útil en ciertas condiciones.

1.4.1 Aproximación: Diodo ideal

La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen
de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por
eso es ideal.
 Figura 11. Curva de transferencia del diodo ideal

Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Figura 12. Diodo ideal polarizado directamente

Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

Figura 13. Diodo ideal polarizado inversamente

Como se ha visto, el diodo actúa como un interruptor abriéndose o cerrándose

dependiendo si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que
cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada
aproximación.
EJEMPLO 1.4.1.1

Figura 14. Circuito analizado con la aproximación diodo ideal

En polarización directa:

1.4.2 Aproximación: MODELO SIMPLIFICADO

La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V
(este valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el
diodo es de silicio, si fuera de Ge se tomaría el valor de 0,3 V).

Figura 15. Curva de transferencia simplificada del diodo

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a
efectos prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda
aproximación el error es menor que en la aproximación anterior.

Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

Figura 16. Circuito analizado mediante el modelo simplificado

Polarización inversa: Es un interruptor abierto.

EJEMPLO 1.4.2.1 Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la

segunda aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo
analizamos en polarización directa:
Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta
segunda aproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más exacta,
esto es, se parece más al valor que tendría en la práctica ese circuito.

1.4.3 Aproximación: SEGMENTOS LINEALES

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

Figura 17. Curva de transferencia por segmento lineales del diodo

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza

la polarización directa:

Figura 18. Reemplazo del diodo en segmentos lineales

EJEMPLO 1: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, tomamos 0,23 W

como valor de la resistencia interna.
Esta tercera aproximación no merece la pena usarla porque el error que se comete,
con respecto a la segunda aproximación, es mínimo. Por ello se usará la segunda
aproximación en lugar de la tercera excepto en algún caso especial.

1.5 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

La hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el

usuario, es de particular importancia que la información proporcionada sea
reconocida y correctamente comprendida. Dentro de los parámetros más
importantes de diodos podemos destacar:

1. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura específica). Es el voltaje que

necesita el diodo para entrar en conducción.

2. Máxima Corriente Directa IF (Temp. específica). La máxima corriente que puede

fluir entre ánodo y cátodo.

3. Corriente de Saturación Inversa IR (voltaje y temperatura específicos). Es la

corriente de fuga del diodo, debido al flujo de portadores minoritarios.

4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura). Es el voltaje que no debe

excederse en polarización inversa porque el diodo entraría a trabajar en la región
Zener.

5. Máximo nivel de disipación de Potencia PDmáx (Temperatura), es la máxima

potencia que el diodo puede disipar y está dada por la expresión:

Pdmáx=VD.ID,
Donde, VD e ID son puntos de operación del diodo.

6. Capacitancias parásitas.

7. Tiempo de recuperación en sentido inverso trr.

8. Intervalo de temperatura de operación.

1.6 CAPACITANCIA DE TRANSICIÒN Y DIFUSIÓN

Los dispositivos electrónicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a

frecuencias muy elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a
altas frecuencias:

1. Capacitancias parásitas de Transición y de Difusión.

2. Tiempo de recuperación en Sentido Inverso.

En la región de polarización inversa se presenta principalmente la capacitancia de la

región de agotamiento (CT), en tanto que en la de polarización directa se presenta
principalmente la capacitancia de difusión o de almacenamiento (CD).

Figura 19. Capacitancia de difusión del diodo

7 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO

El tiempo de recuperación en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo

está polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente,
idealmente se debería observar que el diodo cambia en forma instantánea del
estado de conducción al de no conducción. Sin embargo, debido a un número
considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportará
como se muestra en la Figura 20.
 Figura 20. Definición de tiempo de recuperación inversa

Ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores

minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.

Tt - Intervalo de Transición. Tiempo requerido para que la corriente inversa se

reduzca al nivel asociado con el estado de no conducción.

5ns ≤ ?trr?≤ ?
1 µs en diodos de recuperación muy rápida.
1.8 CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON
ENTRADAS DC

ESTRATEGIAS CIRCUITOS DIODOS EN SERIE

DC
• Observar si el diodo está polarizado directa o inversamente para
determinar si hay o no flujo de corriente.

• Utilizar el circuito equivalente del diodo, teniendo en cuenta que

la caída del diodo de Si es 0.7 V y el de Ge 0.3V, a no ser que se
diga que los diodos son ideales.

• Los circuitos en serie tienen una sola corriente y diferentes

caídas de voltaje que se pueden hallar con la corriente total y la
ley Ohm.

• La ley de voltaje de kirchoff permite sumar y restar voltajes

dentro de un lazo cerrado e igualar la ecuación a 0.

Ejemplos de circuitos serie:

Ejemplo 1.8.1 Para una fuente de 12V, halle la corriente de la malla y la caída de
voltaje en la resistencia.

Figura 21. Circuito Ejemplo 1.8.1

Realizando la malla: V - VT - VR = 0

12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuación anterior:

I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

La caída de voltaje en la resistencia de 1.2K es:

V - VT = VR = 11.3V

Ejemplo 1.8.2. Para el siguiente circuito la corriente de la maya, la caída de voltaje

en la resistencia y el voltaje en las terminales del diodo.

Figura 22. Circuito Ejemplo 1.8.2

Con el diodo invertido la corriente por él será cero, ya que se comporta como un
circuito abierto, por lo tanto I = 0.

La caída de voltaje en la resistencia es IR = 0

El voltaje en las terminales del diodo, se podría hallar realizando la malla:

12 - VD - VR = 0

Reemplazando el valor de VR que ya se halló, resulta que:

VD = 12 volts I = ID = 0 A

Ejemplo 1.8.3 Para el siguiente circuito la caída de voltaje en la resistencia y el

voltaje en las terminales del diodo.
 Figura23. Circuito Ejemplo 1.8.3

En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la fuente es adecuada para

polarizar el diodo, el nivel de voltaje es insuficiente para activar al diodo de silicio y
ponerlo en el estado de conducción. Por lo tanto la corriente de la malla será cero, al
igual que la caída en la resistencia y el voltaje en el diodo será el 0.4V de la fuente.

Figura 24. Curva de transferencia modelo simplificado

Ejemplo 1.8.4. Para la red mostrada a continuación, hallar la corriente y el voltaje

Vo.

Figura 25. Circuito Ejemplo 1.8.4

Se realiza la malla del circuito cerrado o LVK:

12 - VTSi - VTGe - IR = 0 ,

Reemplazamos el valor de R:

12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0

Se despeja el valor de I: I = 11V / 5.6k = 1.96 mA

El valor de la caída en la resistencia de 5.6 k = Vo, entonces:

VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11

EJEMPLO 1.8.5. Hallar la corriente y la salida Vo

Figura 26. Circuito Ejemplo 1.8.5

El segundo diodo de Si se encuentra inversamente polarizado, por lo que su

comportamiento se asemeja con un circuito abierto, como lo muestra la figura a
continuación:

Figura 27. Circuito equivalente ejemplo 1.8.5.

I = 0, si no hay flujo de corriente Vo = 0

1.9 CONFIGURACIONES DE DIODOS EN PARALELO Y
SERIE-PARALELO DC

ESTRATEGIAS CIRCUITOS DE DIODOS EN

PARALELO Y SERIE-PARALELO DC
• Identificar los diodos que se encuentran en paralelo y observar sus
características (Si, Ge, ideal) y polarización (directa o inversa)

• Si los dos diodos o números de diodos que se encuentren en paralelo

directamente polarizados, la I que pasará por cada uno de ellos será la
corriente del nodo dividida entre el número de diodos.

• Si en paralelo se encuentran diferentes tipos de diodos polarizados

directamente, la corriente seguirá el camino del diodo que presente la
menor caída.

• El voltaje de todos los elementos que se encuentren en paralelo será el

mismo.

• Si hay en paralelo un diodo polarizado directamente y otro de manera

inversa, el directamente polarizado marcará la dirección de la I y el
inversamente polarizado será un circuito abierto.

Ejemplos de circuitos serie-paralelo:

Ejemplo 1.9.1. Para el siguiente circuito, hallar las corrientes i, i1 e i2 y la caída en

R

Figura 28. Circuito Ejemplo 1.9.1.

La malla del circuito quedaría así:

10 - VR - 0.7 = 0

Solo se tiene en cuenta una caída de diodo, porque están en paralelo y si aseguro
un 0.7V, los dos diodos están en conducción, porque tienen el voltaje adecuado y
están directamente polarizados.

10 - (I)(R) - 0.7 = 0

Despejamos la corriente:

I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA

La caída en R es:

VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

Las corrientes i1 e i2 son iguales, ya que presentan la misma oposición al flujo de

corriente, es decir:

i1=i2=i/2

Ejemplo 1.9. 2. Para el circuito de la gráfica, hallar la corriente que pasa por R.

Figura 29. Circuito Ejemplo 1.9.2.

el diodo de silicio de arriba está polarizado directamente, mientras que el de abajo lo

está de manera inversa, por lo se comporta como un circuito abierto.

Este circuito produce una corriente única que inicia en la fuente de 20V, recorre
2.2K, el diodo de arriba y termina en la fuente de 4V. Quedando un circuito serie de
fácil solución.
1.10 RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA

El análisis del diodo hasta el momento ha sido en fuente de corriente directa, ahora
se ampliará el estudio a fuentes con variaciones en el tiempo, tales como la onda
senoidal y la onda cuadrada.

La corriente y voltaje que las compañías distribuyen a nuestras casas, comercios u

otros es alterna. Para que algunos artefactos electrónicos que allí tenemos puedan
funcionar adecuadamente, la corriente alterna debe de convertirse en corriente
continua.

Para realizar esta operación se utilizan diodos semiconductores que conforman

circuitos rectificadores. Inicialmente se reduce el voltaje de la red (110 / 220 voltios u
otro) a uno más bajo como 12 o 15 Voltios con ayuda de un transformador. A la
salida del transformador se pone el circuito rectificador.

La tensión en el secundario del transformador es alterna, y tendrá un semiciclo

positivo y uno negativo.

1.10.1 Rectificador de media onda

El rectificador de media onda que muestra, está conformado por un diodo ideal, un
transformador y una resistencia de carga conectada en serie. En el semiciclo
positivo el diodo queda directamente polarizado (corto circuito), permitiendo el paso
de la corriente a través de él y entregando todo el voltaje a la resistencia de carga
RL. Ver Figura 30.

Figura 30. Rectificador de media onda y su funcionamiento en el semiciclo positivo

Sin embargo durante el semiciclo negativo el arrollamiento secundario presenta una

onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo se encuentra polarizado de manera
inversa, provocando que este se comporte como un circuito abierto, no dejando
pasar el flujo de corriente y acumulando entre sus terminales todo el voltaje de la
fuente.
 Figura 31. Rectificador de media onda semiciclo negativo

La onda que más interesa es VL, que es la que alimenta a RL. Esta tensión no tiene
partes negativas y utiliza solo el semiciclo positivo de la fuente de alimentación. Ver
Figura 32.

Figura 32. Señal de salida de un rectificador de media onda

El nivel de dc de un rectificador de media onda es:

Vdc = 0.318 Vm

Donde Vm, es el voltaje pico de la señal.

Para el caso del diodo real, este no comenzará a conducir hasta que en sus
terminales no haya el voltaje de umbral para que entre en conducción, por lo tanto
su nivel de dc será:

Vdc = 0.318 (Vm – VT)

La tensión de salida del rectificador de 1/2 onda anterior es una onda pulsante, que
no muestra con claridad un voltaje en corriente continua que se pueda aprovechar.
Pero si incluimos a la salida de este un condensador, este ayudará a tener una
salida más constante, filtrando la señal. Ver Figura 33.
 Figura 33. Rectificador de media con filtrado

Cuando el diodo conduce, el capacitor se carga al valor pico del voltaje de entrada.
En el siguiente semiciclo, cuando el diodo está polarizado en inversa y no hay flujo
de corriente hacia la carga, es el condensador el que entrega corriente a la carga, es
decir, este se descarga a través de la resistencia de carga.

La Figura 34 muestra la modificación que sufre la señal de salida del rectificador de

media onda con el proceso de filtrado. La variación del voltaje ( ?v ) en los
terminales del condensador debido a la descarga de este en la resistencia de carga
se le llama tensión de rizado. La magnitud de este rizado dependerá del valor de la
resistencia de carga y al valor del capacitor.

Figura 34. Señal de salida del rectificador de media onda filtrada

Si el capacitor es grande significa menos rizado, pero aún cumpliéndose esta

condición el rizado podría ser grande si la resistencia de carga es muy pequeña,
debido a que la corriente en la carga es grande.

1.10.2 Rectificador de onda completa con puente de

diodos

El circuito rectificador de onda completa de la Figura 35, es el que se utiliza si se

desea utilizar todo el voltaje del secundario del transformador.
 Figura 35. Circuito rectificador tipo puente

Durante el semiciclo positivo, los diodos que entran en conducción son: D1 y D3,
pues son los que quedan directamente polarizados, mientras que D2 y D4 quedan
abiertos pues están polarizados de manera inversa. La carga es atravesada por una
corriente de más a menos.

En el semiciclo negativo, la polaridad del transformador es inversa al caso anterior y

los diodos D1 y D3 son polarizados en sentido inverso y D2 y D4 en sentido directo.
La corriente pasa por la carga RL en el mismo sentido que en el semiciclo positivo.

La salida tiene la forma de una onda rectificada completa, donde la carga aprovecha
tanto el ciclo positivo como el negativo del transformador pero viéndolo en un mismo
sentido para los dos semiciclos, Figura 36.

Figura 36. Señal de salida para un rectificador de tipo puente

Esta salida es pulsante y para convertirla en un nivel más constante, se filtra,

colocando un condensador en paralelo con la carga. Este capacitor se carga a la
tensión máxima y se descargará en RL mientras que la tensión de salida del
secundario del transformador disminuye a cero voltios, y el ciclo se repite. Ver las
Figuras 37 y 38.

Figura 37. Circuito rectificador tipo puente con capacitor.

 Figura 38. Señal filtrada del rectificador tipo puente

La gráfica anterior tiene un comportamiento similar al descrito en el proceso de

filtrado del rectificador de media onda.

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-2VT)

Para cada diodo: VPI ≥ Vm

1.10.3 Rectificador de onda completa utilizando

Transformador con Derivación Central

Figura 39. Rectificador de onda completa con derivación central

El comportamiento del circuito anterior puede resumirse así:

Para el semiciclo positivo, conduce el diodo que se encuentra en la parte superior

mientras que el de abajo se encuentra inversamente polarizado. La carga recibe el
voltaje de la fuente.

En el semiciclo negativo, el diodo de abajo esta directamente polarizado y el de

arriba inversamente polarizado, la carga nuevamente ve el voltaje de la fuente de
mas a menos por lo que el ciclo negativo la carga lo ve como positivo. La carga
utilizará los dos semiciclos, el positivo y el negativo rectificado.
 Figura 40. Resumen del comportamiento del rectificador con tap central

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)

Para cada diodo: VPI ≥ 2Vm

1.11 RECORTADORES

Hoy en día existen gran variedad de circuitos denominados recortadores, que como
su nombre lo indica recortan una señal de entrada sin distorsionar la parte de la
señal restante. Dentro de este tipo de circuitos clasifican los rectificadores de media
onda que ya se han estudiado previamente pero este es el más sencillo de los que
se pueden encontrar ensamblados en circuitos.

Los recortadores se crean con el fin de crear un nuevo tipo de señal o para limitar el
voltaje que puede ser aplicado a una red.

Para estudiar los circuitos recortadores se destacan dos grandes grupos que son:

Recortadores en Serie: reciben este nombre por que el diodo se encuentra en serie
con la carga.

Recortadores en Paralelo: en este tipo de recortadores la carga se encentra en un

rama paralela a la del diodo.

A continuación se muestran ejemplos de circuitos recortadores, mostrando el

análisis adecuado para hallar la señal de salida:
Ejemplo 1.11.1. Para el circuito de la Figura 41, hallar Vo:

Vm
+ +

Vi R VO

-Vm - -

Figura 41. Ejemplo 1.11.1

En el semiciclo positivo el diodo se comporta como un circuito abierto obstruyendo el

paso de la corriente por lo tanto el voltaje en el punto indicado es cero.

En el semiciclo negativo el diodo se comporta como un circuito cerrado permitiendo

el flujo de la corriente, por lo tanto el voltaje en el punto indicado Vo será todo el
voltaje de entrada Vm.

El voltaje de salida se verá de la siguiente forma:

Ejemplo 1.11.2. Para la Figura 42, hallar la señal de salida tomada en la resistencia
de carga.

Vm + +

Vi R VO

-
-Vm

Figura 42. Ejemplo 1.11.2.

En el semiciclo positivo, el diodo se encuentra inversamente polarizado por lo que

no permite la conducción de la corriente, entonces el voltaje es cero.

+ +

Vi R VO = 0

- -

Durante el semiciclo negativo, el diodo se encuentra polarizado directamente

permitiendo el flujo de corriente, el voltaje de la batería se suma al voltaje pico del
generador.

- +

Vi R VO = -Vm-V

+ -
El voltaje de salida toma la siguiente forma:

Ejemplo 1.11.3. Para la siguiente red, determine Vo

Vm + +
V

Vi R VO

- -
-Vm
Figura 43. Ejemplo 1.11.3.

El semiciclo positivo, no aparece voltaje en la salida hasta que el voltaje de entrada

positivo no supere el voltaje de la batería.

+ +
V
Vi
R
VO = Vi-V
-
-

Durante el semiciclo negativo el voltaje es cero ya que no hay conducción en el

diodo, pues esta inversamente polarizado.
 - +

Vi R VO = 0

+- -

Teniendo en cuenta lo anterior, la salida Vo es tal como lo muestra la gráfica.

Ejemplo 1.11.4. Para el siguiente circuito halle la señal de salida tomada en el diodo.

+
Vm +
R
Vi
VO

-
-
-Vm
Figura 44. Ejemplo 1.11.4

Haciendo el análisis en el semiciclo positivo, podemos ver que el diodo se encuentra

directamente polarizado, comportándose como un corto circuito, por lo tanto, el
voltaje entre sus terminales es cero.
En el semiciclo negativo, el diodo se comporta como un circuito abierto y aparece
entonces en la salida del semiciclo negativo de la entrada.

-
+
R
VO = -Vm

+ -

La salida sería, así:

Ejemplo 1.11.5. Analice el circuito de la Figura 45, halle Vo:

Figura 45. Ejemplo 1.11.5.

En el semiciclo positivo, el diodo está en inversa por lo tanto se comporta como
circuito abierto, llevándose el voltaje de entrada el diodo. En el punto de Vo el voltaje
encontrado será el producido por la fuente V y el voltaje de entrada Vm.

En el semiciclo negativo, el diodo se encuentra en directa por lo tanto es un corto

circuito permitiendo el paso de la corriente, el voltaje en el punto indicado será la
fuente –V.

Por todo lo anterior podemos concluir que la señal de salida es como se muestra a
continuación:
1.12 DIODO ZENER

El efecto Zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan, debido

a la característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos que causan
la rotura de los enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de
establecer la conducción. Su característica es tal que una vez alcanzado el valor de
su tensión inversa nominal y superando la corriente a su través un determinado valor
mínimo, la tensión en las terminales del diodo se mantiene constante e
independiente de la corriente que circula por él.

El símbolo del diodo Zener es:

Figura 46. Símbolo del diodo Zener

Y su polarización para las diversas aplicaciones es casi siempre en inversa debido

a que polarizado directamente se comporta como un diodo normal, tal como lo
muestra en su curva característica en donde se indica su zona de trabajo.

Figura 47. Curva característica Zener

Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:

• Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión Zener.- Es la tensión

que el Zener va a mantener constante.
• Corriente mínima de funcionamiento: Si la corriente a través del Zener es menor,
no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus
terminales.

• Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el

máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante

la tensión en sus terminales a un valor llamado tensión de Zener, mientras que se
puede variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos
entre el valor mínimo de funcionamiento y un máximo que se encuentra limitado por
la potencia que puede disipar el diodo. Si se supera el valor de esta corriente el
Zener se destruye.

Es importante mencionar que la región Zener, en este tipo de diodo se controla

manipulando los niveles de dopado, a mayor impurezas se disminuye el potencial o
voltaje de Zener VZ.

Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde 1.8 V a 200
V y potencias de 1/4 a 50 W.

El diodo Zener se comporta como un corto cuando ha alcanzado su potencial VZ, en

otras palabras, es un switch o interruptor que se activa con VZ volts.

Por las características mencionadas anteriormente se aplica principalmente en

reguladores de voltaje o en fuentes.

Figura 48. Circuito aplicación del diodo Zener

El circuito que se observa en la gráfica anterior, desea proteger la carga contra

sobrevoltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige
un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el voltaje en
la carga sea 4.8 volts. El estar conectado en paralelo la carga y el diodo Zener
tendrá por resultado que los dos dispositivos tengan el mismo voltaje entre sus
terminales.