CIRCUITOS BASICOS Y LABORATORIO

Semiconductores
SEMICONDUCTOR

Un semiconductor es un material aislante que,

cuando se le añaden ciertas sustancias o en un
determinado contexto, se vuelve conductor. Esto
quiere decir que, de acuerdo a determinados
factores, el semiconductor actúa a modo de
aislante o como conductor.

Los semiconductores pueden ser intrínsecos o

extrínsecos.
 Semiconductor Intrínsecos

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,

algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica.
 Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los semiconductores
el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio
(Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta

solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como se
puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen
cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así
un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.

VICERRECTORÍA DE INNOVACIÓN
 Semiconductor Extrínsenco

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros
elementos o "impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores

que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio
(In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el
arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores
“extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio
tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida
como un espejo.
 A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal
semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricación de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la
cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minúsculos dados o
“chips”, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que
después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en.
transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la
oblea y colocados dentro. de una cápsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.

El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el silicio, es el
cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de
placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la
corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además del silicio y el germanio, se emplean también
combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por

el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener
arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la
fabricación de diodos láser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.
Búsqueda

Semiconductor Extrínsenco Tipo N y Tipo P

Los semiconductores extrínsecos del tipo N están formados por
átomos de material semiconductor, Silicio o Germanio, al que se le
añade impurezas con átomos de otro material con 5 electrones de
valencia. Como los átomos del material semiconductor tienen 4
electrones de valencia y los átomos de la impurezas 5, se pueden
formar 4 enlaces covalentes y sobrará un electrón por cada átomo de
impureza que quedará libre. Este electrón libre será el portador de
electricidad. En los semiconductores del tipo N los electrones son los
portadores de electricidad. Portadores mayoritarios = electrones.

Los semiconductores extrínsecos del tipo P son material

semiconductor a los que se les añade átomos de impurezas con 3
electrones de valencia. En este caso cada átomo del material
semiconductor solo podrá formar 3 enlaces con los átomos de
impurezas. Los átomos semiconductores tienen un hueco esperando a
que llegue un electrón para formar el enlace que le faltará. En este tipo
de semiconductores los huecos serán los portadores para la
conducción. Portadores mayoritarios = huecos.
 Unión P-N

En una unión entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusión
hacia la zona n y los electrones de la zona n pasan a la zona p.

En la zona de la unión, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transición con una
distribución de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones.

Se crea, entonces un campo eléctrico que produce

corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de
difusión. A la diferencia de potencial correspondiente a
este campo eléctrico se le llama potencial de contacto V0
 Polarización Directa e Inversa
Existen dos formas de conectar una batería a una unión P-N. Primero conectar el borne
positivo de la batería con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la
otra conectar el borne positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo P. A la
primera de ellas se la denomina polarización directa y a la segunda polarización inversa.
Veamos qué ocurre en cada una de ellas. Al polarizar directamente una unión P-N el polo
negativo de la batería está inyectando electrones al material N, mientras que el polo
positivo recibe electrones del lado P creándose así una corriente eléctrica. Con esta batería
hemos conseguido vencer el obstáculo que se había creado debido a la barrera de
potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden
pasar libremente a través de la frontera.

Sin embargo, al polarizar inversamente una unión P-N no se crea una corriente en sentido
opuesto sino que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los huecos
libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de
la batería, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por ésta, alejándose
tanto huecos como electrones de la unión, en vez de vencer nuestra barrera de potencial
ésta se ha hecho más grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, sí existe una
corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequeña e
inapreciable.
Transistor

En esta figura podemos observar que el

transistor viene siendo como una especie de
Diodo Doble, con dos uniones una entre base
emisor y otra entre base colector.

Como el cristal base es extremadamente

delgado, una pequeña corriente de control ,
entre base y emisor puede regular una
corriente mucho mas alta entre colector y
emisor.
GRACIAS