Tema 1.

Características voltaje-corriente de los diodos semiconductores

Introducción

La historia de la electrónica se remonta a principios del siglo

XX cuando se fabricaron por primera vez los dispositivos de tubos al vacío conocidos como
bulbos. Durante varias décadas, este tipo de dispositivos formaba la parte fundamental de los
equipos electrónicos, como radio transmisores y receptores, televisores para el hogar y las
primeras computadoras electrónicas.

Fue en 1940 cuando por primera vez se construyó un diodo semiconductor, inventado por el
ingeniero estadounidense Russell Ohl (1898-1987), miembro de los laboratorios Bell, quien por
casualidad descubrió la unión p-n, fundamento físico de todos los dispositivos
semiconductores. Ohl se dio cuenta que el cristal de silicio con 99.8% de pureza que había
construido tenía una grieta hacia la mitad del material que, ante la presencia de una fuente
luminosa, se elevaba significativamente el nivel de corriente que circulaba por la pieza. Esto dio
origen al estudio del efecto fotoeléctrico y a la experimentación con diodos semiconductores,
ya que observó también que los niveles de pureza en cada lado de la grieta eran diferentes, lo
cual producía que la corriente circulara solo en una dirección. Así nació el primer diodo
semiconductor.

Explicación

1.1 Materiales semiconductores

Hoy en día se conocen varios compuestos semiconductores que se pueden utilizar para
construir elementos discretos (individuales) o circuitos integrados. El arseniuro de galio (GaAs),
el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) son
ejemplos de la clase de semiconductores compuestos, mientras que el silicio (Si) y el germanio
(Ge) son de la clase de un solo cristal.
Los semiconductores comerciales están construidos principalmente de Ge, Si y GaAs, siendo los
de silicio los que más se usan debido a sus características superiores en cuanto a sensibilidad a
la temperatura. Para usos en optoelectrónica, se utiliza el arseniuro de galio.

Desde el punto de vista eléctrico, todos los materiales de la naturaleza y los creados por el
hombre se pueden clasificar en tres categorías de acuerdo con su conductividad (característica
del material que permite el flujo de electrones): aislante, semiconductor y conductor.

Los materiales aislantes, como la madera, el corcho, el hule, los plásticos, etc., no presentan
circulación de electrones al aplicarles un campo eléctrico a través de una fuente de voltaje, o al
menos no a los niveles de voltajes que utilizamos en nuestros equipos.

Los materiales conductores oponen muy poca resistencia a la circulación de electrones

cuando se les somete a un campo eléctrico. Ejemplos de estos materiales son los metales como
el oro, la plata y el cobre. Este último es el material que más se utiliza debido a sus
características de costo-beneficio. Hay mejores conductores eléctricos, como el oro, pero su
alto costo lo hace poco práctico para uso comercial en cables eléctricos. Se utiliza en ciertos
circuitos integrados y en algunos conectores donde es necesario contar con sus características.

Los materiales semiconductores se comportan como aislantes o como conductores de

acuerdo con las condiciones del campo eléctrico al que se someten y a otros factores como
temperatura y la corriente eléctrica que circula a través de sus terminales. Esta característica es
lo que los hace tan útiles en la construcción de los equipos electrónicos que hoy utilizamos.

1.2 Niveles de energía de los electrones

El modelo atómico de Bohr establece que el átomo está compuesto principalmente de tres
partículas básicas: neutrones, protones y electrones. Los dos primeros conforman el núcleo,
mientras que los electrones se encuentran en órbitas fijas alrededor de dicho núcleo. En la
órbita más alejada del núcleo del átomo se encuentran los electrones de valencia, término que
indica que para remover estos electrones de la estructura atómica se requiere un nivel de
potencial de ionización significativo más bajo que para cualquier otro electrón en otros niveles.

Consultando en una tabla periódica de elementos podemos observar que el silicio (Si) tiene un
número atómico 14, el germanio (Ge) 32, el galio (Ga) 31 y el arsénico (As) 33. Este número nos
indica la cantidad de protones que existen en el núcleo del átomo, pero también el número de
electrones que circulan en sus órbitas. De estos electrones, los que están en la órbita más
alejada del núcleo se les conoce como electrones de valencia, de los cuales el germanio tiene
4, el silicio 4, el galio 3 y el arsénico 5.

Cuando los átomos de silicio o de germanio se unen cada uno a otros cuatro átomos del mismo
elemento, compartiendo los electrones de valencia mediante enlaces covalentes, forman una
estructura cristalina pura.

Al material semiconductor que se fabrica refinándolo para reducir al mínimo el número de

impurezas se le llama intrínseco.

Materiales extrínsecos
Las características eléctricas de los semiconductores se pueden modificar significativamente
con la adición de impurezas específicas en el material intrínseco. El material extrínseco es el
que se le ha sometido a un proceso de dopado agregando tales impurezas. Existen dos tipos de
materiales extrínsecos para fabricar dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p.

El proceso de dopado se lleva a cabo mediante el uso de un sustrato de material intrínseco

para someterlo a procesos químicos en los que se agregan las impurezas específicas para
convertir parte de ese material del sustrato en un material tipo n y otra parte en material tipo p.

Material tipo n

Como ejemplo del proceso de dopado, se utilizará un sustrato de silicio. Sin embargo, la
explicación puede extenderse fácilmente a los materiales de germanio y de arseniuro de galio.
Para construir un material de tipo n se utilizan impurezas específicas con elementos que
contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes). Por ejemplo: el antimonio (Sb), el
arsénico (As) o el fósforo (P). A este tipo de materiales se les conoce como átomos donadores,
ya que aportan un electrón libre al material tipo n que no está enlazado a ningún otro átomo
de la estructura cristalina del sustrato original; estos átomos construyen enlaces covalentes con
cuatro electrones de silicio, quedando el electrón mencionado libre para circular por el material
tipo n.

Material tipo p

Para formar un material de tipo p se utiliza un material de sustrato, como de silicio, dopándolo
con impurezas de átomos que tienen tres electrones de valencia, como el boro (B), el galio (Ga)
y el indio (In). La introducción de estas impurezas produce un número insuficiente de
electrones para completar los cuatro enlaces covalentes originales del sustrato. A esta falta de
un electrón se le llama hueco. Se representa con un signo más (+) para indicar la ausencia de
una carga eléctrica negativa (-), no para representar la existencia de una carga positiva
verdadera. Cuando un electrón de valencia adquiere suficiente energía como para separarse
del enlace covalente, llena el hueco que existe en el átomo de impureza, creando un flujo de
electrones y huecos en sentido contrario. Cabe notar que la corriente convencional se
considera el flujo de cargas positivas (en realidad lo que circula son cargas negativas;
electrones).

En un material tipo n, a los electrones libres aportados por el material de dopado se les
llama portadores mayoritarios y a los huecos que pudieran surgir por las impurezas no
deseadas en el material intrínseco se les llama portadores minoritarios. Por el contrario, en el
material tipo p los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones generados por
impurezas no deseadas se les llama portadores minoritarios.

1.3 Diodo semiconductor

La construcción de un diodo semiconductor se realiza dopando una parte del sustrato de

material con impurezas para convertirlo en material tipo n. Luego, se realiza un nuevo dopado
con impurezas para generar material tipo p. Estas dos regiones del material se construyen una
al lado de la otra para lograr una unión de los dos materiales llamada unión np. Después de
hacer los cortes necesarios, se conectan terminales conductoras en cada uno de los extremos
de los materiales n y p.
El símbolo del diodo semiconductor, su polarización directa y la relación que tiene con los
materiales n y p se muestran en la siguiente figura:

Figura 1.1 El símbolo del diodo semiconductor, con la polaridad del voltaje, la dirección de la
corriente definida (positiva) y la relación con los materiales n y p.

En la condición de polarización inversa (VD < 0), como se muestra en la Figura 1.4, con una
fuente de voltaje que tiene conectada su terminal positiva al material tipo n y la terminal
negativa al material tipo p, el número de iones en la región de agotamiento se incrementa por
la cantidad importante de electrones que son atraídos por el potencial positivo de la fuente de
voltaje, así como los huecos son atraídos hacia el potencial negativo de la fuente. Como
consecuencia, la región de agotamiento crece provocando que no exista corriente en el sentido
convencional del diodo. Sin embargo, debido al número limitado de portadores minoritarios,
produce una corriente llamada de saturación inversa Is que es muy pequeña.

Figura 1.2 Diodo en polarización inversa.

Cuando se aplica un voltaje con polarización inversa a la convencional en el diodo, la corriente

que circula también es inversa a lo convencional, pero con una magnitud muy pequeña que se
puede considerar cercana a cero.

Cuando el diodo está conectado con polarización directa (ID > 0), como se muestra en la Figura
1.3, se le ha aplicado un voltaje positivo con respecto a la polarización convencional. Es decir, el
potencial positivo del voltaje está conectado al material tipo p y el potencial negativo está
conectado al material tipo n. Esta polarización impulsa a los electrones libres del material
tipo n y a los huecos del material tipo p, recombinándose con los iones que están cercanos a la
zona de agotamiento, reduciendo esta en tamaño y provocando un flujo intenso de portadores
mayoritarios a través de la unión.

Figura 1.3 Diodo en polarización directa.

Cuando se aplica un voltaje con polarización directa de acuerdo con la convencional en el

diodo, la corriente que circula también es directa correspondiendo con la convencional y cuya
magnitud depende de las condiciones externas del circuito.

Existen varias características más del diodo semiconductor que están fuera del alcance de este
curso (sin duda su estudio sería interesante para las personas que desean profundizar en el
tema de la física de los semiconductores). La Figura 1.4 resume los modelos que podemos
utilizar para los diodos semiconductores de acuerdo con las condiciones del circuito al que está
conectado el diodo.

Figura 1.4 Modelos del diodo.

Podemos observar que las características de un diodo ideal son las siguientes:

1. Cuando tiene polarización directa el voltaje de diodo VD = 0 y la corriente está dada por
el circuito externo. Para la polarización inversa con voltajes de diodo negativos, la
corriente de diodo es ID = 0. Este modelo lo podemos usar siempre que se cumplan las
 condiciones Rred >> rprom y Ered >> VK, las cuales indican que la resistencia
equivalente del circuito externo es mucho mayor que la resistencia promedio del diodo
y que el voltaje de la fuente que se está aplicando al diodo es mucho mayor que el
voltaje de rodilla.
2. Cuando el voltaje de la fuente aplicada al diodo es comparable al voltaje de rodilla del
diodo, debemos utilizar el modelo simplificado, lo que indica que sí se cumple la
condición de que la resistencia equivalente del circuito externo es mucho mayor que la
resistencia promedio del diodo.
3. Si ninguna de las condiciones se cumple, ya sea que el voltaje de la fuente es mucho
mayor que el voltaje de rodilla del diodo o que la resistencia equivalente del circuito
externo es mucho mayor que la resistencia promedio del diodo, entonces debemos
utilizar el modelo por segmentos para tomar en cuenta las características completas
del modelo del diodo.

Puedes emplear el siguiente simulador http://www.falstad.com/circuit/e-diodevar.html para

comprender el concepto de operación. Realiza cambios en el nivel de voltaje aplicado al diodo y
observa cómo se comporta el flujo de la corriente.
Encapsulado de diodos

Una vez construidos, los diodos se hospedan en cápsulas plásticas o metálicas. La cápsula
protege al diodo de la humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor,
proporciona los pines de acceso y facilita su manipulación e identificación.

Consulta la siguiente liga del Tema 3: El diodo de unión, donde podrás conocer más sobre la
operación y características del diodo:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/TEMA3.htm

1.4 Circuitos con diodo

Una de las principales aplicaciones del diodo es como rectificador en las fuentes de
alimentación. Esta se detalla en el tema 4 de este primer módulo. A continuación, revisaremos
algunas otras aplicaciones comunes en donde utilizaremos el modelo simplificado (se
considerará que la resistencia del diodo en conducción es muy pequeña en comparación con
las resistencias presentes en el circuito).

Así, consideramos que un diodo está en conducción si la corriente que circula por él coincide
con la flecha de su símbolo y el voltaje de umbral es mayor o igual a 0.7 V para silicio (Si), 0.3 V
para germanio (Ge) o 1.2 V para arseniuro de galio (GaAs).

Diodo en serie
Considera el circuito de la figura y determina V1, V2, Vo e I.
 Figura 1.5 Circuito con diodo en serie (valor de las resistencias en Ohm).

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla indicada, tenemos lo siguiente:

Con este dato, podemos calcular los voltajes V1 y V2.

Observando la malla de salida del circuito, tenemos que . Entonces, .

Diodo en paralelo
Considera los diodos en paralelo de la figura (ambos del tipo de silicio). Calcula I, V0, I1 e I2.

Figura 1.6 Circuito con diodos en paralelo.

Como ambos diodos son de silicio, se pueden reemplazar por su

equivalente ya que está en paralelo con la salida. Así, el voltaje en R es el
siguiente:

Entonces,
Dado que ambos diodos son iguales, , así se limita la cantidad de
corriente que circula por ellos, manteniendo una caída de potencial idéntica de 0.7 V

Recortador en serie
Considera que al siguiente circuito se le aplica una señal senoidal cuyo voltaje máximo es de 20
V. Utilizando el modelo ideal del diodo, determina el voltaje de salida.

Figura 1.7 Circuito recortador en serie.

En la figura, se observa que el voltaje de salida es la caída de potencial presente en R. A

continuación, se describen los posibles casos que ocurren en la señal de entrada:

 Si v(t)= 0 V, D conduce debido a E1 y V0= 5V.

 Si v(t)= 20 V, D sigue conduciendo y V0= v(t)+ 5V= 25 V.
 Si v(t)= -20 V, D no conduce y V0= 0 V.

El momento de transición de un estado a otro cuando el semiciclo positivo cruza el eje de 0 V y

que V0= 0 V es Entonces, v(t)= -5 V. La siguiente figura muestra la forma de onda
de v0:

Figura 1.8 Forma de onda resultante

Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2018). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (11ª
ed.). México: Pearson Educación.

Recortador en paralelo

Al circuito de la figura se aplica una señal triangular con Vm= 20 V. Determina v0.
 Figura 1.9 Circuito recortador en paralelo.

En este circuito, el voltaje de salida se define como la combinación en serie del diodo y la fuente
de 5 V.

 Cuando el diodo conduce (durante el semiciclo negativo de la entrada), V0 = 5 V.

 Cuando el diodo no conduce (durante el semiciclo positivo de la entrada), V0 = v(t).

La siguiente figura muestra la forma de onda del voltaje de salida:

Figura 1.10 Forma de onda de salida del recortador en paralelo.

Conclusión

En este tema, hemos abordado la física de los componentes semiconductores con los que
están construidos todos los equipos electrónicos actuales; sin duda serán de mucha
importancia en el diseño de los equipos en el futuro en el desarrollo de nuevos componentes,
más rápidos, más pequeños y con menor consumo de energía. Sin embargo, todos estos
estarán basados en los principios de operación vistos aquí.

En cuanto a la simulación de un diodo, podemos representarlo en un circuito con su modelo

simplificado en la gran mayoría de los análisis en los que interviene. En este modelo
representamos al diodo común con una fuente de voltaje de 0.7 V (en el caso de diodo de
silicio). Un diodo ideal que conduce en polarización directa se comporta como corto circuito y
uno que no conduce en polarización inversa se comporta como un circuito abierto.

Tema 2. Principios de operación de los transistores bipolares

Introducción

Fue en 1947 cuando la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo campo de

interés y desarrollo (Boylestad y Nashelsky, 2009). El 23 de diciembre de 1947, Walter H.
Brattain y John Bardeen demostraron la función amplificadora del primer transistor en los
laboratorios Bell. En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, dispositivo
semiconductor que puede amplificar señales eléctricas.

Explicación

2.1 Configuraciones básicas

Una vez estudiado el diodo, que es el dispositivo semiconductor de dos terminales más
elemental, centraremos nuestra atención en el estudio de los dispositivos semiconductores de
tres terminales.

El transistor de unión bipolar (BJT = Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo que se

compone de tres capas alternas de material semiconductor. Las capas alternas proporcionan el
nombre comercial común de cada uno: NPN y PNP. Este dispositivo tiene características que lo
hacen particularmente útil en circuitos de conmutación y procesamiento de señal.
 Figura 2.1 Geometría simple de transistores bipolares y su símbolo de circuito

La estructura real del transistor bipolar es considerablemente más complicada que los
diagrama de bloque de la figura. Un punto importante es que el dispositivo no es
eléctricamente simétrico. Esta asimetría ocurre debido a que las geometrías de las regiones
del emisor (E) y del colector (C) no son las mismas, ya que las concentraciones de las
impurezas agregadas en las tres regiones son sustancialmente diferentes. Las capas externas,
colector y emisor tienen un grosor mucho mayor que el de la base (B) con una relación
aproximada de 150:1.

Transistor npn: operación en modo activo directo

Puesto que el transistor tiene dos uniones PN, pueden

aplicarse cuatro combinaciones de polarización posibles al dispositivo, dependiendo de si se
aplica una polarización directa o inversa en cada unión.
Para su correcta operación, el BJT deberá polarizarse de la siguiente manera:

Para un transistor tipo NPN:

 La unión NP de entrada (Emisor-Base) debe polarizarse de manera directa, VBE.

 La unión PN de salida (Base-Colector) debe polarizarse de manera inversa, VCB

Para un transistor tipo PNP

 La unión PN de entrada (Emisor-Base) se polariza de forma directa, VEB.

 La unión NP de salida (Base-Colector) se polariza de forma inversa, VBC.
 (a) (b)

Figura 2.2 Polarización del transistor tipo (a) NPN, (b) PNP

Si el transistor se emplea como un dispositivo amplificador, la unión base-emisor (B-E) se

polariza directamente y la unión base-colector (B-C) se polariza inversamente, en una
configuración llamada modo de operación activo directo, o simplemente región activa. La razón
de esta combinación de polarización se ilustrará cuando consideremos la operación de tales
transistores y las características de los circuitos que los usan.

 Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación de un

transistor NPN:
Falstad. (2016, 7 de diciembre). NPN Transistor. Archivo recuperado
de: http://www.falstad.com/circuit/e-npn.html
 Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación de un
transistor PNP:
Falstad. (2016, 7 de diciembre). PNP Transistor. Archivo recuperado
de: http://www.falstad.com/circuit/e-pnp.html
 Realiza cambios en el voltaje de la base y del colector para evaluar su efecto.

Corrientes del transistor

La figura muestra un transistor bipolar NPN ideal polarizado en el modo activo directo. Puesto
que la unión B-E está polarizada directamente, los electrones del emisor se inyectan a través de
la unión B-E hacia la base, creando una concentración de portadores minoritarios en exceso en
la base. En vista de que la unión B-C está polarizada inversamente, la concentración de
electrones en el borde de la unión es aproximadamente cero.
 Figura 2.3 Corriente en el transistor tipo NPN

Si la concentración de electrones en el emisor tipo n es mucho mayor que la concentración de

huecos en la base tipo p, entonces el número de electrones inyectados en la base será mucho
mayor que el número de huecos inyectados en el emisor. Esto significa que la componente I B de
la corriente de base será mucho más pequeña que la corriente de colector. Además, si el ancho
de la base es pequeño, entonces el número de electrones que se recombina en la base será
pequeño, y la componente de la corriente de la base resultará mucho más pequeña que la
corriente de colector.

Configuraciones del transistor

Los parámetros fundamentales de las tres configuraciones del BJT se muestran en la siguiente
tabla;

B común E común C común

Parámetro
Entrada IE y VBE IB y VBE IB y VBC

Salida IC y VCB IC y VCE IE y VCE

Ganancia

Principal No aporta ganancia Es la configuración Se utiliza para

característica de corriente ( más comúnmente acoplamiento de
). usada. Se utiliza impedancia, ya
Es utilizado como conmutador que tiene una alta
principalmente en (corte-saturación) impedancia de
su región de corte y o como entrada y baja
saturación. amplificador impedancia de
(región activa). salida.

Ganancia de corriente del emisor común

En el transistor, la razón de flujo de electrones y la corriente de colector resultante son una
función exponencial del voltaje B-E, como lo es la corriente de base resultante. Esto significa
que la corriente de colector (IC ) y la corriente de base (IB ) se relacionan linealmente. En
consecuencia, es posible escribir, lo siguiente:

El parámetro es la ganancia de corriente del emisor común y es un parámetro clave del

transistor bipolar. En una situación idealizada, se considera constante para cualquier
transistor dado. El valor de suele estar en el intervalo de 50 < < 300, aunque puede ser más
pequeño o más grande en dispositivos especiales.

La figura muestra un transistor bipolar NPN en un circuito.

Debido a que el emisor es la conexión común, entre la malla de entrada y la malla de salida,
este circuito se conoce como una configuración de emisor común. Cuando el transistor está
polarizado en el modo activo directo, la unión B-E está polarizada directamente y la unión B-C
inversamente. Mediante el uso del modelo lineal por secciones de una unión PN, suponemos
que el voltaje B-E es igual al VBE (activado), el voltaje de encendido de la unión, esto es 0.7 V.

Puesto que el voltaje de la fuente de alimentación debe ser

suficientemente grande para mantener la unión B-C polarizada inversamente. La corriente de
la base es establecida por VBB y RB, y la corriente de colector resultante es
 Características de salida de un transistor de silicio en configuración emisor común.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2018). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

Cuando un transistor se polariza en el modo activo directo, las relaciones fundamentales entre
las diferentes corrientes de las terminales del transistor bipolar son las siguientes:

Antes de pasar a las tareas de análisis, es conveniente introducir los equivalentes circuitales de
los transistores NPN y PNP. Favor de seleccionar los circuitos equivalentes aquí.
2.2 Análisis en CD de circuitos transistorizados

El modelo lineal por secciones de una unión PN puede emplearse para el análisis en CD de
circuitos con transistores bipolares. La figura muestra un circuito de emisor común con un
transistor NPN y la figura b muestra el circuito equivalente en CD.

Aplicando la LVK en la malla de entrada, la corriente de base es la siguiente:

Implícito en la ecuación, se encuentra el hecho de que VBB > VBE, lo cual significa que IB > 0.
Para efectos de análisis se considera que VBE=0.7

 Cuando VBB < VBE, el transistor está en corte e IB = 0.

 Cuando VCE = 0, el transistor entra en saturación e IC=ICMAX.

En la malla de salida (porción de colector-emisor), podemos escribir lo siguiente:

De donde se obtiene:

Recordando que
Estamos asumiendo implícitamente que VCE > VBE, lo cual significa que la unión B-C está
polarizada inversamente y el transistor está polarizado en el modo activo directo.

Ejemplo:

Si RB = 470 kΩ, VBB = 3 V, Rc = 10 kΩ, β = 100 y VCC = 12 V, calcula las corrientes y los voltajes.

Solución

De la malla de entrada
La corriente de colector será entonces:
De la malla de salida :

Encapsulado

Los transistores se fabrican en serie, formando simultáneamente varios cientos o millares de

unidades sobre una oblea semiconductora y luego cortándolos uno por uno. Las técnicas de
fabricación más utilizadas son la aleación, la difusión, el proceso planar y el crecimiento
epitaxial. Una vez construidos los transistores, se encierran en cápsulas plásticas o
metálicas. La cápsula protege el transistor de la humedad y los contaminantes, sirve como
disipador de calor, proporciona los pines de acceso, y facilita su manipulación e identificación.

2.3 Aplicaciones básicas del transistor

Los transistores pueden emplearse para conmutar corrientes, voltajes y potencia, efectuar
funciones lógicas digitales y amplificar señales que varían en el tiempo.

A) Transistor en conmutación
Con el interruptor en la posición abierta, y, en consecuencia, , el
transistor no conduce y se encuentra en estado
de corte, donde .

Cuando el interruptor se cierra, el transistor conduce y se encuentra en estado

de saturación:

Malla de entrada

Malla de salida
B) Aplicación. Si tenemos en la entrada una onda cuadrada:

Como se observa, la señal de salida es invertida con respecto a su polaridad, sin embargo, el
nivel de voltaje de entrada a la base puede ser significativamente más pequeña que el voltaje
VCC que se maneja; así, este circuito permite manejar voltajes mayores (por ejemplo, 24 V) con
voltajes de control pequeños (por ejemplo, 5 V).

C) Acción amplificadora del transistor

Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, podemos introducir la acción amplificadora
del transistor a un nivel superficial utilizando la red de la figura.

Aplicando LVK a la malla de entrada:

Ahora aplicando LVK a la malla de salida:

La amplificación del voltaje es entonces:

La acción amplificadora básica se produjo al transferir la corriente de la fuente de un circuito de

baja resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos produce la etiqueta
transistor, es decir:

Puedes conocer más sobre los transistores consultando la siguiente página:

Universidad del país vasco. (2016). Campus Gipuzkoa-El transistor de unión bipolar BJT. Archivo
recuperado de http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/TEMA6.htm
Las pantalla o imágenes se obtuvo directamente del software que se está explicando en la computadora, para fines
educativos.

Conclusión

Con lo visto hasta ahora sobre el transistor BJT, podríamos ubicarlo como un dispositivo que
representa una fuente de corriente controlada en el colector, por otra corriente de entrada en
la base. Sus características lo hacen uno de los componentes con más usos en la electrónica,
porque casi todos los equipos electrónicos que tenemos en la actualidad funcionan con
componentes eléctricos y con presencia de transistores.

Tema 3. Transistores de efecto de campo

Introducción

El transistor de efecto de campo (FET = Field Effect

Transistor) deriva su nombre de la esencia de su operación física. El FET es un dispositivo de
tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran
parte, con aquellas correspondientes al transistor bipolar. En esta sección consideraremos la
operación y características del transistor de unión de efecto de campo (JFET = Junction Field
Effect Transistor). Al igual que otros tipos de FET, el JFET se fabrica en dos polaridades: canal-n y
canal-p.

El MOSFET (MOSFET = Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) se ha convertido en uno

de los dispositivos más importantes en los chips procesadores y de memoria para
computadores digitales. En comparación con los BJT, los MOSFET pueden ser muy pequeños y
su proceso de manufactura es relativamente sencillo. Los MOSFET se desglosan en tipo
empobrecimiento (depletion-type) y en tipo enriquecimiento (enhancement-type), y después cada
uno en canal-n y canal-p.

Explicación

3.1 Características de los JFET’s

En un transistor de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) la acción de control de la

corriente entre dos de sus terminales se establece mediante la creación de un campo eléctrico
a partir de la tercera terminal, controlando el paso de los electrones libres o los huecos. Al igual
que en los transistores BJT existen las configuraciones NPN y PNP, para los FET existen los
transistores de canal n y los de canal p.

Figura 3.1 Construcción del JFET

En el caso del JFET de canal n, que es el más usado de los dos, el voltaje VGS de entrada que se
aplica es negativo, mientras que el voltaje VDS es positivo; la corriente ID es positiva en el
sentido convencional de la corriente. Por otro lado, en un JFET de canal p el voltaje VGS de
entrada es positivo, mientras que el voltaje VDS es negativo; la corriente ID es positiva en el
sentido convencional de la corriente.

El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras para dar lugar a
configuraciones de amplificadores de señal, interruptores controlados, etcétera. Sin embargo,
no son las únicas aplicaciones.

JFET canal n

El FET se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal Drenador (Drain) se

polariza positivamente con respecto a la terminal del Surtidor (Source), y la Compuerta (Gate)
se polariza negativamente con respecto al Surtidor.
 Figura 3.2 Polarización del JFET canal N

La región en que la corriente del ID es constante se llama región de saturación o región de

estrangulamiento o región activa.

Característica de transferencia

No existe una relación lineal entre la entrada y la salida en un JFET, la relación entre I D y VGS se
define por la ecuación de Shockley:

Donde VGS es la variable de control y Vp e IDSS son constantes especificadas por el fabricante. La
forma gráfica de esta función recibe el nombre de curva de transferencia. El término
cuadrático dará por resultado una relación no lineal entre ID y VGS produciendo una curva que
crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS. La curva más ampliamente
usada para el análisis de circuitos con FET es precisamente la curva de I D en función de VGS, por
lo tanto, solo dando valores de IDSS y Vpen la ecuación de Shockley se definen los límites de la
curva de transferencia y solo resta encontrar unos cuantos puntos intermedios para completar
la curva de transferencia.
 Figura 3.3 Características de un JFET canal n con IDSS= 8mA y Vp= -4V.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: Pearson
Educación.

A continuación, visualiza unos gráficos de resumen aquí.

3.2 Características del MOSFET’s

El nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico

(Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) y, ya que hay diferencias en las características y
operación de los diferentes tipos de MOSFET, se abordan en secciones distintas.
La característica principal del MOSFET de empobrecimiento es que su funcionamiento es
muy parecido al de un JFET, solo que es más rápido y permite valores de voltaje VGS, tanto
positivos como negativos.
 Figura 3.4 Construcción y característica de transferencia para un MOSFET tipo empobrecimiento canal N

A continuación, visualiza unos gráficos del MOSFET de empobrecimientoaquí.

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los MOSFET
tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET tipo
enriquecimiento son muy diferentes a los anteriores. La curva de transferencia no está
definida por la ecuación de Shockley y el control de corriente en un dispositivo de canal N
ahora se ve afectado por un voltaje positivo VGS en lugar de por los voltajes negativos
encontrados en los JFET de canal N y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal N.
 Figura 3.5 Construcción y característica de transferencia para un MOSFET tipo enriquecimiento canal N.

Por su parte, los MOSFETS de enriquecimiento tienen características muy semejantes a los
de empobrecimiento, solo que estos funcionan con voltajes VGS positivos.

A continuación, visualiza unos gráficos del MOSFET de enriquecimiento aquí.

Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación del MOSFET canal n,
realiza cambios en el voltaje de compuerta (Gate Voltage) para evaluar su efecto:

Falstad. (2016, 7 de diciembre). n-MOSFET. Archivo recuperado

de: http://www.falstad.com/circuit/e-nmosfet.html
 Esta pantalla se obtuvo directamente del software que se está explicando en la computadora,
para fines educativos.

También puedes experimentar con la simulación de la operación del MOSFET canal p, realiza
cambios en el voltaje de compuerta (Gate Voltage) para evaluar su efecto

Falstad. (2016, 7 de diciembre). p-MOSFET. Archivo recuperado

de http://www.falstad.com/circuit/e-pmosfet.html

Los símbolos gráficos para el JFET, MOSFET tipo empobrecimiento y MOSFET tipo
enriquecimiento de canales n y p se proporcionan en la siguiente figura.
 Figura 3.6 Símbolos de JFET y MOSFET

3.3 Configuraciones para JFET y MOSFET

Cuando un FET se polariza en la región activa, las relaciones fundamentales entre las diferentes

corrientes de las terminales del transistor son

La ecuación de Schockley se aplica a los JFET y a los MOSFET tipo empobrecimiento:

Para los MOSFET tipo enriquecimiento, la siguiente ecuación es aplicable:

Para visualizar las configuraciones de polarización de los FET, haz clic aquí.
Ejemplo:

Si el JFET se caracteriza por IDSS = 12 mA y Vp = - 4 V. Encontrar el valor de VDD tal que el JFET
opere en la región activa (o de corriente constante).

El valor mínimo de VDS para que el JFET opere en región activa es VDS = VGS – Vp = 4 V

Como VGS = 0

Para aprender sobre FET y MOSFET, visualiza el siguiente video:

Haz clic en el ícono para ver el video

TutoElectro (2009,28 de julio). Tutorial de Electrónica Básica 7: Transistores (FET y MOSFET) [Archivo de video].
Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=2kvajfSCMd0
Encapsulado

Al igual que los BJT, los FET se fabrican en serie, formando simultáneamente varios cientos o
millares de unidades sobre una oblea semiconductora y luego cortándolos uno por uno. Las
técnicas de fabricación más utilizadas son la aleación, la difusión, el proceso planar y el
crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores, se hospedan en cápsulas plásticas o
metálicas. La cápsula protege al transistor de la humedad y los contaminantes, también sirve
como disipador de calor, proporciona los pines de acceso y facilita su manipulación e
identificación.

Las pantallas o imágenes se obtuvo directamente del software que se está explicando en
la computadora, para fines educativos.

Conclusión

Con lo visto hasta ahora sobre el transistor de efecto de campo o FET, podríamos decir que se
denominan así porque durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico
que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. En comparación con los
transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de entrada muy elevada y además
consumen muy poca potencia al operar como interruptor, por lo que su uso se ha extendido
sobre todo en los circuitos integrados. También se puede aplicar su uso en circuitos de alta
frecuencia (microondas).

Tema 4. Introducción a la electrónica de potencia

Introducción

Se denomina electrónica de potencia a la rama de la ingeniería electrónica que se refiere a la

aplicación de dispositivos electrónicos (principalmente semiconductores) al control y
transformación de potencia eléctrica.

La electrónica de potencia tiene muchos usos variados, desde los diodos presentes en todas las
fuentes de poder de los equipos electrónicos, hasta el control de la corriente en los equipos de
radar y máquinas soldadoras. Otra rama de la electrónica de potencia es el amplificador
electrónico para mover actuadores de todo tipo, equipos de audio y video que se usan muy
extensamente en nuestros días.

Haz clic en el ícono para ver el video.

biWy Mecatrónica. (2016, 8 de julio). Introducción a la Electrónica de Potencia [Archivo de video]. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=obWB5-agrX8
Explicación

De todo este ámbito de la electrónica de potencia, nos concentraremos solo en dos temas de
suma importancia: las fuentes de poder y los amplificadores de potencia.

Figura 4.1 Diagrama de bloque de una fuente de poder.

4.1 Circuitos rectificadores

Haz clic en el ícono para ver el video.

Juan D. Aguilar Peña. (2011, 16 de febrero). Introducción a las fuentes de alimentación [Archivo de video]. Recuperado
de https://www.youtube.com/watch?v=z5w37WA9eMM

La rectificación es el proceso de convertir un voltaje alterno (CA) en uno que está limitado a
una polaridad. El diodo es útil para esta función debido a sus características no lineales; la
corriente existe para una polaridad de voltaje, pero es esencialmente cero para la polaridad
opuesta.

La rectificación se clasifica como de media onda u onda completa, siendo la de media onda la
más simple. Una aplicación importante de los diodos en los circuitos electrónicos es la
conversión de un voltaje de CA a un voltaje de CD, tal como el correspondiente al de una fuente
de alimentación de CD, la cual se usa para polarizar circuitos y sistemas electrónicos. Los
circuitos rectificadores que contienen diodos efectúan esta conversión.

Rectificador de media onda

En la Figura 4.2, se puede observar el circuito más simple para alimentar una carga que
necesita solo valores de voltaje positivos, así que es necesario dejar pasar la corriente que
provoque un voltaje positivo en la carga, bloqueando la corriente que pudiera producir un
voltaje negativo.

Como se puede ver en la Figura 4.2 (a), el diodo tiene polarización directa cuando el voltaje de
la fuente es positivo, por lo que deja circular la corriente a través de este y provoca una
corriente en la carga, como se muestra en la Figura 4.2 (b). Sin embargo, cuando el voltaje de la
fuente toma valores negativos, el diodo está polarizado inversamente y bloquea el paso de
corriente en el sentido inverso al anterior, como se muestra en la Figura 4.2 (c). El resultado
final es que solo la corriente positiva circulará por la carga.

Figura 4.2 Rectificador de media onda.

(a) El circuito rectificador de media onda se compone solamente de la fuente de CA, un diodo
rectificador y la carga que se va a alimentar.
(b) El diodo está polarizado directamente durante el medio ciclo positivo de la fuente de voltaje,
por lo tanto permite el paso de corriente y provoca un voltaje positivo en la carga.
(c) El diodo tiene polarización inversa durante el medio ciclo negativo de la fuente de voltaje,
bloqueando el paso de corriente en el sentido inverso.

El voltaje de salidavO se muestra en la Figura 4.3.

Figura 4.3 Señal rectificada de media onda

En esta señal, se puede observar que el voltaje de salida V0 es igual a la señal de entrada para
el medio ciclo positivo, mientras que la salida es igual a 0 (cero) para el medio ciclo negativo.
Aunque el valor del voltaje de salida todavía es cambiante, solo toma valores positivos (eso ya
se considera una señal de CD).

El valor promedio de la señal de CD está dado por Vcd = 0.318Vm para un diodo ideal.

Rectificador de onda completa de puente

El circuito rectificador de onda completa de puente se puede observar en la Figura 4.4.

 Figura 4.4 Rectificador de onda completa de puente.

Nota: el circuito puede simplificarse dibujando la resistencia RL dentro del puente de diodos.

Cuando el voltaje de la fuente Vi se encuentra en el medio ciclo positivo, la unión entre los
diodos D1 y D2 está conectada a ese potencial positivo de la fuente, mientras que la unión
entre los diodos D3 y D4 está en el potencial negativo de la fuente. En este caso, el diodo D1
bloquea la corriente porque tiene polarización inversa, pero el diodo D2 deja pasar la corriente
porque tiene polarización directa.

Cuando la corriente llega a la unión de los diodos D2, D4 y la resistencia RL, el diodo D4
bloquea la corriente debido a su polarización inversa. Por lo tanto, la corriente circula por RL,
provocando un voltaje positivo en Vo con la polaridad indicada en la figura.

Cuando la corriente llega a la unión de D1, D3 y RL, D1 está en polarización inversa. Por lo
tanto, no conduce la corriente. En cambio, D3 se encuentra en polarización directa y la
corriente circula a través de este, llegando a su destino en la terminal negativa de la fuente.
Se puede hacer un análisis similar cuando la fuente Vi se encuentra en el medio ciclo negativo.
D3 no conduce, pero D4 sí; D2 no conduce, pero RL sí. Esto provoca nuevamente un voltaje
positivo en Vo. Luego, D3 no conduce, pero D1 sí. Así se llega al potencial negativo que tiene
ahora la fuente en ese punto.

Figura 4.5 Señal rectificada de onda completa.

En la gráfica de la Figura 4.5, se puede observar que el voltaje de salida Vo es igual a la señal de
entrada para cada medio ciclo tanto positivo como negativo. Aunque el valor del voltaje de
salida todavía es cambiante, solo toma valores positivos (eso ya se considera una señal de CD).

El valor promedio de la señal de CD está dado por Vcd = 0.636Vm para un diodo ideal.

Para mayor información sobre este tema, te sugerimos consultar Tema 4. Circuitos con diodos
disponible en http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/TEMA4.htm

4.2 Otros diodos

Los diodos rectificadores son los tipos más comunes, pero la rectificación no es todo lo que un
diodo puede hacer.

Diodo Zener

Es un diodo de silicio que el fabricante ha optimizado para trabajar en la zona de disrupción. El

diodo Zener es la columna vertebral de los reguladores de voltaje y los circuitos que mantienen
prácticamente constante el voltaje en la carga a pesar de las variaciones de voltaje en la red y
en la resistencia de carga.

Diodo Schottky
A medida que aumenta la frecuencia, el funcionamiento de los diodos rectificadores de
pequeña señal comienza a deteriorarse. Ya no pueden conmutar tan rápidamente para generar
una señal de media onda bien definida. La solución al problema se encuentra en los
diodos Schottky, los cuales son dispositivos de alta corriente capaces de conmutar
rápidamente, a la vez que proporcionan corrientes en directa en el orden de los 50 A.
Presentan voltajes de disrupción bajos comparados con los diodos rectificadores de unión pn.

El varactor
También denominado condensador controlado por tensión, varicap, epicap y diodo de
sintonización. Se emplea en receptores de televisión, receptores FM y equipos de
comunicación.

Diodo emisor de luz (LED)

Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o invisible
(infrarroja) cuando se energiza.

Haz clic en el ícono para ver el video

Daniel Aguilar. (2016, 11 de abril). Diodos: tipos y aplicaciones. [Archivo de video]. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=ZeQfz6jIEbk

4.3 Amplificadores de potencia

Cuando utilizamos un equipo electrónico, generalmente no reflexionamos de dónde viene la

potencia que hace que ese equipo trabaje. Una buena pista es que todos los equipos necesitan
una fuente de energía o alimentación de voltaje, ya sea a través de un arreglo de pilas, una
batería o la fuente de suministro eléctrico de la compañía. Otro indicio lo podemos encontrar
en la fuente de la información que utiliza el equipo electrónico. Por ejemplo, los bits
almacenados en una unidad de disco duro.

Uniendo esos dos conceptos, podemos concluir que la mayoría de los equipos electrónicos
utilizan una fuente de información cuyo origen físico es un dispositivo transductor que
convierte una señal física de baja potencia en una señal electrónica con potencia aún más baja.
Luego, esta señal la toman las etapas de amplificación para hacerla más adecuada para su
utilización y, sobre todo, más potente para manejar los dispositivos de salida que generalmente
utilizan mucha potencia para operar.

En términos generales, la señal que se lee con la cabeza lectora de un disco duro necesita ser
amplificada para utilizarse en el CPU de una computadora, mientras que la señal que recibe
una antena de TV debe ser amplificada para poder reproducirse en la pantalla.
Los amplificadores de potencia o de señal grande proporcionan la suficiente potencia a una
carga (usualmente de baja impedancia), por lo general desde algunos watts hasta decenas de
watts.

Las características principales de un amplificador de potencia son la eficiencia de potencia

del circuito, la máxima potencia que el circuito es capaz de manejar y el acoplamiento de
impedancias con el dispositivo de salida. Un método utilizado para categorizar amplificadores
es por clase. Básicamente, las clases de amplificadores representan la cantidad de variación
de la señal de salida en un ciclo de operación durante el ciclo completo de la señal de entrada.
A continuación, veremos una descripción breve de las clases de amplificadores de potencia.

Clasificación de los amplificadores de potencia

Amplificadores clase A
En este tipo de amplificadores, un solo transistor de potencia maneja toda la señal de entrada,
tanto la parte de valores positivos como los negativos. Para estos amplificadores, el punto de
operación o polarización de CD, el valor de ICQ, se encuentra aproximadamente a la mitad de
la zona activa del transistor.

Amplificadores clase B
Un circuito clase B proporciona una señal que varía durante la mitad del ciclo de la señal de
entrada o durante 180° de la señal. El punto de polarización de CD de la clase B es, por
consiguiente, de 0 V. Obviamente, la salida no es una reproducción fiel de la entrada si solo hay
un semiciclo.

Amplificadores clase AB
El punto de operación de este tipo de amplificadores está entre los de la clase A y la clase B,con
un valor de la corriente de colector ICQ sobre un valor superior a cero, pero menor que la
mitad de la recta de carga. Esta configuración se utiliza para optimizar la distribución de
potencia alrededor de la zona donde ocurre la mayor parte del trabajo de amplificación y para
evitar la distorsión de cruce generada por una configuración de clase B.

Amplificadores clase C
Este tipo de amplificador no está diseñado para uso en potencia. Es un circuito que se
comporta casi como clase B para la mayoría de las frecuencias de entrada, pero funciona como
un amplificador de clase A para una frecuencia específica. Por lo tanto, este es un circuito
sintonizado para uso en telecomunicaciones.
Conclusión

Es muy importante verificar la capacidad de voltaje inverso pico de un diodo cuando se elige
uno para una aplicación particular. Basta determinar el voltaje máximo a través del diodo en
condiciones de polarización inversa y compararlo con la capacidad indicada en la placa del
fabricante. Para los rectificadores de onda completa y media onda, es el valor pico de la señal
aplicada.

Tema 5. Tiristores bidireccionales

Introducción

Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados

estables y cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa de una estructura
PNPN. Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el más empleado es
el rectificador controlado de silicio (SCR). Se usa principalmente en la rama de electrónica de
potencia y en el ámbito de control. Por ejemplo, para controlar la velocidad de motores, para
variar la intensidad de la luminosidad de las lámparas, para controlar los dispositivos de alta
corriente como soldadoras de puntos, sistemas de encendido de motores de combustión
interna, circuitos de alarma, control de alumbrado de emergencia, entre otros. Existen también
algunas otras aplicaciones de baja potencia, como los generadores de señal de diente de sierra
y otras.

Explicación

5.1 El SCR
Existen varios dispositivos construidos con tres uniones np. Entre estos destaca el rectificador
controlado de silicio SCR (Silicon Controlled Rectifier). En la Figura 5.1 podemos ver algunas de
sus características.

Figura 5.1. SCR (a) construcción, (b) símbolo, (c) circuito equivalente de dos transistores.

El SCR es un tiristor unidireccional. Es decir, solo conduce en el sentido del ánodo al cátodo
(dirección de la corriente IA). Por lo tanto, solo conduce en los semiciclos positivos (de ahí su
nombre de rectificador).

Sin embargo, este dispositivo es controlado por la corriente IGT. Si esta corriente es igual a 0
(cero), el SCR no conduce, pero cuando esta corriente alcanza un nivel suficiente, el SCR
conduce. Así que, controlando la corriente IGT, se puede controlar la porción de cada medio ciclo
en el que se conduce la corriente (por ello su nombre de rectificador controlado).

En la gráfica de la figura siguiente, se puede observar la curva característica del SCR y sus
características típicas. Cuando el voltaje VF aumenta, el tiristor no conduce mucha corriente,
pero al llegar al valor de voltaje en conducción en directa V(BR)F el tiristor conduce la corriente de
mantenimiento.
 Figura 5.2 Características del SCR.

Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: Pearson
Educación.

Para aprender sobre las partes de un SCR empleando un multímetro, revisa el siguiente video:

Haz clic en el ícono para ver el video.

Angie Marian. (2013, 12 de octubre). Cómo identificar pines en un SCR (rectificador controlado de silicio) [Archivo de
video]. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?
v=zTB88aQE534&feature=youtu.be&list=PLTMIJSjDaObYCOXTP_-d84L2pzBw10g0b

5.2 El DIAC

El DIAC es un tiristor de cuatro uniones np que puede conducir en cualquier dirección de la

corriente. No tiene compuerta de control y se usa fundamentalmente en los circuitos de control
de los SCR y de otros tiristores. En la Figura 5.3, podemos ver las características del DIAC.
 Figura 5.3 El DIAC, símbolo, circuito equivalente y estructura interna.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: Pearson
Educación.

Como se observa, las terminales no indican un cátodo, sino el ánodo 1 y 2 (en ocasiones se
nombran como electrodo 1 y 2).

 Cuando el ánodo 1 es positivo (respecto al ánodo 2), las capas que se polarizan son p1,
n2, p2 y n3.
 Cuando el ánodo 2 es positivo (respecto al ánodo 1), las capas que se polarizan son p2,
n2, p1 y n1.

En la siguiente figura, se observa la curva característica del DIAC. Como ya se mencionó, los
tiristores tienen curvas características en las que hay una región de bloqueo en directo y, al
llegar al voltaje de conducción en directa, el dispositivo conduce la corriente de mantenimiento.
Este dispositivo, a diferencia del SCR, puede conducir la corriente en cualquier sentido.
Además, no cuenta con una compuerta de control. Por lo tanto, se usa la característica en
forma estática.
 Figura 5.4 Curva característica de IDIAC.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

5.3 El TRIAC

El TRIAC tiene una construcción muy parecida a un DIAC, ya que cuenta con seis
uniones np que agregan un material n en cada extremo del dispositivo. Este tiristor
es bidireccional y cuenta con una compuerta de control que controla la conducción en
cualquier dirección de la corriente, estableciendo cuáles ciclos, medios ciclos o porciones de
medios ciclos se conducen.

La Figura 5.5 muestra el símbolo, la estructura interna de las capas y la curva característica del
TRIAC.
 Figura 5.5 TRIAC (a) símbolo, (b) construcción básica, (c) características.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: Pearson
Educación.

Para aprender sobre los tiristores, revisa el siguiente video:

Haz clic en el ícono para ver el video.

Terrazocultor jose manuel. (2014, 4 de abril). Tutorial #Electrónica Básica. Cap 08. Tiristores, el Diac, el Triac [Archivo de
video]. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=I1JWTs1652c

Conclusión

El rectificador controlado de silicio (SCR) es un dispositivo rectificador cuyo estado lo controla la

magnitud de la corriente de compuerta. El voltaje aplicado en directa entre ánodo y cátodo
determinará el valor de corriente de compuerta necesario para encender el dispositivo. Cuanto
más alto sea el nivel de voltaje entre ánodo y cátodo, menor será la corriente de compuerta
requerida. El DIAC es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
bidireccional disparable que conduce la corriente solo tras haberse superado su voltaje de
disparo, mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo. El TRIAC es bidireccional; su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes
alternas. Una de ellas es su utilización como interruptor estático, ofreciendo muchas ventajas
sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
Tema 6. Amplificadores operacionales y sus características de operación

Introducción

El amplificador operacional (op-amp) es un dispositivo electrónico importante que sirve como

un bloque constitutivo para circuitos relativamente más complejos. La mayor parte de los
amplificadores operacionales se componen de una serie de transistores, resistores y
capacitores, los cuales forman un sistema completo en un solo chip. Los amplificadores
operacionales que se disponen en la actualidad son confiables, de tamaño pequeño y de muy
bajo consumo de potencia.

En la siguiente liga encontrarás un simulador del amplificador diferencial:

http://www.falstad.com/circuit/e-trans-diffamp.html
Realiza diversas pruebas cambiando la amplitud y frecuencia de las señales de entrada para
verificar su funcionamiento.

Explicación

Para comprender el funcionamiento de un op-amp, veremos de manera elemental el

funcionamiento de un amplificador diferencial. Como cualquier circuito electrónico analógico,
podemos analizar este amplificador en modo de corriente directa CD (punto de operación) por
separado del modo de corriente alterna CA (amplificador). El amplificador diferencial está
compuesto por dos transistores idénticos. En su salida se obtendrá una señal proporcional a la
diferencia de las señales aplicadas en sus entradas. La característica principal del amplificador
diferencial es la ganancia tan grande cuando se aplican señales opuestas a las entradas, en
comparación con la muy pequeña ganancia obtenida con entradas comunes. La relación de
esta diferencia con la ganancia común se llama rechazo en modo común (CMRR).

En la Figura 6.1(a) podemos observar la construcción básica del amplificador diferencial básico,
y en la Figura 6.1(b), su módulo equivalente.

Figura 6.1 Amplificador diferencial. (a) Circuito básico. (b) módulo equivalente.

Como podemos observar en la Figura 6.1, este circuito tiene dos entradas llamadas Vi1 o
entrada no inversora (+) y Vi2 o entrada inversora (-), así como dos salidas Vo1 y Vo2 que son
iguales en magnitud y opuestas en polaridad o desfasadas 180°.

6.1 Fundamentos del amplificador operacional

Un amplificador operacional es un amplificador de muy alta ganancia que cuenta con una
impedancia de entrada muy alta (por lo general de algunos megaohms) e impedancia de salida
baja (menor a 100 Ω).
 Figura 6.2 Amplificador operacional básico.

La Figura 6.2 muestra un diagrama con la configuración interna y el símbolo para el

amplificador operacional. El circuito básico se construye mediante el empleo de un
amplificador diferencial que tenga dos entradas (de signo positivo y de signo negativo) y al
menos una salida. La entrada de signo positivo (+) produce una salida que se encuentra en fase
con la señal aplicada, mientras que la entrada del signo negativo (-) ocasiona una salida con
polaridad opuesta. Las conexiones de las fuentes de potencia están en las terminales VCC y –
VEE (cada una referenciada al nodo de referencia o tierra). Las conexiones de las fuentes de
potencia suelen omitirse de los diagramas esquemáticos.
El valor del voltaje de salida está limitado por VCC y –VEE, puesto que estos son los voltajes más
positivos y más negativos en el circuito. El circuito equivalente de ac del op-amp se presenta en
la Figura 6.3, como se muestra la señal de entrada aplicada entre las terminales de entrada Ri
que, por lo general, es muy alta.

El voltaje de salida se muestra como la ganancia del amplificador multiplicada por la señal de
entrada tomada a través de una impedancia Ro, que comúnmente es muy baja. Un circuito op-
amp ideal, como el que se muestra en la Figura 6.3, tendría una impedancia de entrada infinita,
una impedancia de salida cero y una ganancia de voltaje infinita.

Figura 6.3 Equivalente de CA de un circuito op-amp.

Un amplificador ideal se caracteriza del modo siguiente:

 Resistencia de entrada Ri -> infinita.

 Resistencia de salida Ro -> cero.
 Ganancia de voltaje Ad -> infinita.

Estas suelen ser buenas aproximaciones a los parámetros de los amplificadores operacionales
reales. Los parámetros típicos de los amplificadores operacionales reales son:

 Resistencia de entrada Ri del orden de 1 MΩ.

 Resistencia de salida Ro del orden de 100 Ω o menos.
 Ganancia de voltaje Ad típicamente de 100,000 a bajas frecuencias.

En la siguiente liga encontrarás un simulador del amplificador diferencial:

http://www.falstad.com/circuit/e-opamp.html
Realiza diversas pruebas cambiando la amplitud del voltaje de entrada para verificar su
funcionamiento.
Método de análisis

Los circuitos se analizan empleando las dos propiedades importantes del amplificador
operacional ideal:

 El voltaje entre V + y V- es cero o V+ = V-.

 La corriente, tanto en la terminal V+ como en la V-, es cero.

Estas simples observaciones conducen a un procedimiento para analizar cualquier circuito

amplificador operacional ideal del modo siguiente:

 Escribe la ecuación de nodo de la ley de corriente de Kirchhoff en la terminal no

inversora V+.
 Escribe la ecuación de nodo de la ley de corriente de Kirchhoff en la terminal inversora
V-.
 Haz V+ = V- y resuelve para las ganancias deseadas.

6.2 Circuitos de aplicaciones básicas del amplificador operacional

El amplificador inversor

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra. Es decir, V+ = 0.

 V+ = V- = 0; la terminal negativa es tierra virtual.
 La corriente I1 se calcula empleando la ley de Ohm. La corriente I1 solo puede pasar a
través de R2. Por lo tanto, I1 = I2.
 Figura 6.4 Amplificador inversor.

El amplificador no inversor

 La terminal V+ del op-amp está conectada a Vi.

 V+ = V- = Vi.
 La corriente I1 se calcula empleando la Ley de Ohm. La corriente I1 solo puede pasar a
través de R2 por lo que I1 = I2.

Figura 6.5 Amplificador no inversor

El seguidor de voltaje (buffer)

 La terminal V+ del op-amp está conectada a Vi.

 Como V+ = V-, la terminal negativa tiene el mismo voltaje de Vi.
 V- = V+. Por lo tanto, Vo = Vi.
 Figura 6.6 Seguidor de voltaje.

El sumador inversor

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra, por lo tanto V+ = 0.

 Como V- = V+ la terminal negativa tiene voltaje cero, lo que se llama tierra virtual.
 Las corrientes I1, I2 e I3 se calculan empleando la Ley de Ohm.

El amplificador diferencial

 El voltaje V+ se obtiene aplicando la regla del divisor de voltaje. V+ = [R2/(R2 + R1)]V2.

 Las corrientes IA e IB se calculan empleando la Ley de Ohm.
 IA = IB y V+ = V-.
 Se despeja Vo.
Integrador

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra, osea V+ = 0.

 Como V- = V+ la terminal negativa tiene voltaje cero.
 La corriente IR se calcula empleando la Ley de Ohm. La corriente IR solo puede pasar a
través de C. Osea IR = Ic.

Empaque
Los circuitos de amplificadores operacionales se colocan en empaques de CI estándar, que
incluyen el metálico, el empaque en línea doble y el empaque plano. La cápsula protege el
amplificador de la humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor, proporciona
los pines de acceso, y facilita su manipulación e identificación.

Amplificador operacional de circuito integrado típico uA741

Imagen obtenida de: http://electronica.webcindario.com Solo para fines educativos.

En la siguiente liga, encontrarás diversos simuladores para configuraciones con amplificadores

operacionales:
http://www.falstad.com/circuit/e-index.html
Se sugiere revisar op-amps - amplifiers. Puedes modificar los valores de voltaje y resistencia y
analizar sus efectos.

6.2 Respuesta a la frecuencia del amplificador operacional

El rango de frecuencia en el que se diseña un amplificador para aumentar las señales de

entrada con una ganancia constante se llama ancho de banda del amplificador. Esta cantidad
se define formalmente como el intervalo entre aquellas frecuencias donde la ganancia de
potencia del amplificador ha caído a la mitad de su valor de la frecuencia central.

En muchos casos, se especifica la ganancia de voltaje de un amplificador en lugar de la

ganancia de potencia. Sin embargo, el ancho de banda no es el intervalo entre las dos
frecuencias a las cuales la ganancia de voltaje cae a la mitad de su valor de la frecuencia
central. En lugar de ello, como el valor del voltaje para los puntos de media potencia es 0.707
Vm (siendo Vm el valor de voltaje a la frecuencia central), se define el ancho de banda como el
intervalo de frecuencia entre los puntos donde la ganancia de voltaje cae a 0.707 de su valor de
media banda.

La especificación del ancho de banda (Figura 7.1) describe el rango de frecuencias en las que
un amplificador puede procesar la señal de entrada con fidelidad adecuada. Esto es, parece
razonable suponer que, si los componentes de frecuencia de una señal quedan dentro del
ancho de banda de un amplificador, la señal de entrada se amplificará sin distorsión.

Figura 6.7 Ancho de banda de un amplificador.

Debido a la circuitería de compensación interna incluida en un amplificador operacional, la

ganancia de voltaje se reduce a medida que se incrementa la frecuencia. Las especificaciones
del amplificador operacional describen la ganancia contra el ancho de banda. La Figura 6.8
incluye una gráfica de ganancia contra frecuencia para un amplificador operacional típico.
 Figura 6.8 Gráfica de ganancia contra frecuencia.

6.3 Impedancia de entrada del amplificador operacional

La impedancia de entrada del amplificador operacional ideal es infinita. Sin embargo, la

resistencia de entrada para un circuito compuesto de un amplificador operacional ideal
conectado a componentes externos no lo es; depende de la forma del circuito externo.

Considera primero el amplificador operacional inversor.

Figura 6.9 Impedancia de entrada de un amplificador inversor.

Así, la impedancia de entrada vista por la fuente es igual al valor de la resistencia externa R1.

La impedancia de entrada para el amplificador no inversor se determina al referirse a la

configuración de circuito siguiente:
 Figura 6.10 Impedancia de entrada de un amplificador no inversor.

La impedancia de entrada vista por la fuente es infinita.

Empaque

Los circuitos de amplificadores operacionales se colocan en empaques de CI estándar, que

incluyen el metálico, el empaque en línea doble y el empaque plano. La cápsula protege el
amplificador de la humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor, proporciona
los pines de acceso, y facilita su manipulación e identificación.
 Amplificador operacional de circuito integrado típico uA741

Conclusión

El amplificador operacional es un bloque constitutivo muy útil en sistemas electrónicos. Opera

casi como un amplificador ideal, con muy alta ganancia e impedancia de entrada casi infinita.
Aunque el amplificador operacional es un circuito electrónico disponible como circuito
integrado, sus características y propiedades lo convierten en un elemento capaz de intervenir
en la conformación de circuitos analógicos de mayor complejidad.

Cuando se analizan las configuraciones inversora y no inversora, se debe comprender que,

aunque la resistencia de entrada del amplificador operacional ideal es infinita, la resistencia de
entrada para un circuito compuesto de un amplificador operacional ideal conectado a
componentes externos depende de la forma del circuito externo.

Tema 7. Configuraciones básicas del amplificador operacional

Introducción
Un amplificador operacional está diseñado para que funcione como un amplificador
configurable para realizar diversas funciones y operaciones matemáticas (de ahí su nombre).
En este tema se exponen algunas de estas configuraciones considerando las más comunes. Sin
embargo, se deja al lector que realice una investigación exploratoria sobre la diversidad de
usos y aplicaciones de los operacionales.

7.1 Operaciones matemáticas básicas

El sumador inversor

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra. Por lo tanto, V+ = 0.

 Como V- = V+, la terminal negativa tiene voltaje cero, lo que se llama tierra virtual.
 Las corrientes I1, I2 e I3 se calculan empleando la ley de Ohm.

Sumador no inversor
El amplificador diferencial

 El voltaje V+ se obtiene aplicando la regla del divisor de voltaje V+ = [R2/(R2 + R1)]V2.

 Las corrientes IA e IB se calculan empleando la ley de Ohm.
 IA = IB y V+ = V-.
 Se despeja Vo.
Integrador

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra. Es decir, V+ = 0.

 Como V- = V+, la terminal negativa tiene voltaje cero.
 La corriente IR se calcula empleando la ley de Ohm. La corriente IR solo puede pasar a
través de C. O sea, IR = Ic.
Diferenciador

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra. Es decir, V+ = 0.

 Como V- = V+, la terminal negativa tiene voltaje cero.
 La corriente Ic se calcula empleando la ley de Ohm. La corriente IR solo puede pasar a
través de C, tal que IR = Ic.

7.2 Acondicionamiento de señal con amplificadores operacionales.

Convertidor de I-V

 La terminal V+ del op-amp está conectada a tierra. Así, V+ = V- = 0.

 La corriente de entrada a la terminal inversora es cero.
 La corriente de entrada (IS) circula por la resistencia de retroalimentación (R).
Convertidor de V-I

 La terminal V+ del op-amp está conectada a Vs. Así, V+ = V- = Vs.

 La corriente de entrada a la terminal inversora es cero.
 La corriente de la carga es la misma corriente que circula por la resistencia (R).

Amplificador de instrumentación

 Su impedancia de entrada es infinita, ya que las señales de entrada se colocan a la

entrada no inversora de los op-amp de entrada.
 La ganancia se puede controlar con solo Rg.
Conclusiones

El amplificador operacional es un dispositivo muy versátil para realizar diversas operaciones

matemáticas, tal como se muestran a través de los circuitos de esta sección. También nos
permite realizar conversiones entre parámetros (corriente a voltaje y voltaje a corriente) de
manera controlada. El amplificador de instrumentación es el amplificador más usado con
sensores debido a que se pueden alcanzar altos niveles de ganancia. Además, su impedancia
de entrada es grande, lo que permite un adecuado acoplamiento con los sensores.

Tema 8. Comparadores básicos y con histéresis

Introducción

Frecuentemente queremos comparar un voltaje con otro para ver cuál es el mayor. En esta
situación un comparador puede ser la solución perfecta. Este circuito tiene dos terminales de
entrada (inversor y no inversor) y una terminal de salida. Cuando el voltaje de la entrada no
inversora es mayor que la de la entrada inversora, el comparador produce un voltaje de salida
de nivel alto. Cuando el voltaje de la entrada no inversora es menor que la de la entrada
inversora, el comparador produce un voltaje de salida bajo.

Explicación

Una de las operaciones más usadas del amplificador operacional en configuración de lazo
abierto es en un comparador, tanto básico como con histéresis. En la siguiente figura, se
muestra el amplificador operacional con sus fuentes de alimentación:

Figura 8.1 Representación de un amplificador operacional incluyendo los voltajes de alimentación +V CC y – VEE.

Su operación se basa en el hecho de que, ante la aplicación de un voltaje entre las terminales
de entrada Vddel op-amp, el voltaje de salida Vose satura y toma el valor aproximado de la
fuente de alimentación. Si Vd > 0, la salida se satura al valor +VCC. Si Vd< 0, la salida se satura al
valor de –VEE, como se muestra en la siguiente figura:

Figura 8.2 Gráfica de voltaje de salida con respecto al voltaje de entrada en configuración de lazo abierto de un
amplificador operacional.

8.1 Comparador simple con un amplificador operacional

El comparador simple utiliza un amplificador operacional que tiene conectadas las dos fuentes
+VCC y – VEE. En las entradas, se aplica el voltaje que se va a comparar Vd(ver Figura 8.1). Esta
configuración da como resultado que en la salida se tengan las siguientes condiciones (ver
Figura 8.2):
 Si Vd > 0, Vo = +VCC
Si Vd < 0, Vo = -VEE

También se pueden comparar dos voltajes diferentes aplicando cada uno a cada entrada del
amplificador operacional (los resultados son los mismos). Con estas condiciones, la función del
comparador se completa.

Variación del punto de conmutación

En la Figura 8.3 se muestra el circuito de un comparador con voltaje de referencia que utiliza un
amplificador operacional. El punto de conmutación (también llamado umbral) de un
comparador es el voltaje de entrada con el cual los estados de la salida conmutan (de nivel bajo
a alto o viceversa).

Figura 8.3 Circuito de un comparador con voltaje de referencia de un amplificador operacional.

8.2 Comparador con histéresis

Si la señal de entrada de un comparador contiene ruido, la salida puede ser errática cuando Vin
está cerca del punto de conmutación. El ruido causa que la salida oscile bruscamente hacia
arriba y hacia abajo entre sus estados alto y bajo. Podemos evitar que la salida oscile utilizando
histéresis. El circuito para el comparador con histéresis se muestra a continuación:

Figura 8.4 Circuito comparador de amplificador operacional con histéresis.

En este circuito, el voltaje de comparación es el siguiente:

Estando Vo en +Vsat, para que Vo cambie a –Vsat, se requiere que Vd < 0:

Estando Vo en -Vsat, para que Vo cambie a +Vsat, se requiere que Vd > 0:

La respuesta de la gráfica de los voltajes de entrada y salida se muestra a continuación en la

Figura 8.5:
 Figura 8.5 Gráfica del voltaje de salida contra el voltaje de entrada incluyendo el efecto de histéresis.

8.3 Comparador con histéresis no inversor

En la Figura 8.6 aparece un comparador con histéresis no inversor.

Figura 8.6 Circuito comparador de amplificador operacional con histéresis no inversor.

Estando Vo en +Vsat, para que Vo cambie a –Vsat, se requiere que Vd < 0:

Estando Vo en -Vsat, para que Vo cambie a +Vsat, se requiere que Vd > 0:

 Figura 8.7 Gráfica del voltaje de salida contra el voltaje de entrada incluyendo el efecto de histéresis.

Conclusión

Un comparador es un circuito de salida a nivel bajo o a nivel alto que indica cuando el voltaje
de entrada es mayor que el punto de conmutación. Un comparador se puede hacer con
amplificadores operacionales, pero generalmente el comparador es un circuito integrado que
se ha optimizado para esta aplicación.

Tema 9. Filtros activos pasa bajos y pasa altos

Introducción

Un filtro es un sistema diseñado para lograr una característica de transferencia deseada, esto
es, que opera sobre una señal de entrada de una manera predeterminada. Los filtros lineales
pasivos se consideran normalmente como parte de un estudio de circuitos, redes o sistemas
lineales. Se componen de combinaciones de resistencias, inductancias y capacitancias. Si bien
es posible alcanzar una amplia variedad de características de transferencia empleando solo
estos elementos, se requiere a menudo de un gran número de componentes.

Los filtros activos contienen amplificadores, que permiten el diseño de una amplia gama de
funciones de transferencia.

Explicación

Los filtros eléctricos se utilizan ampliamente para el procesamiento de señales en circuitos

electrónicos. La palabra filtro se refiere a la eliminación de una parte indeseable del espectro
de frecuencia. Se aplicó originalmente en sistemas que eliminaban componentes de frecuencia
indeseables de una forma de onda de tiempo.

Se usa en la actualidad, de una manera mucho más general, para incluir sistemas que
ponderan simplemente los distintos componentes de frecuencia de una función de forma
deseada. En base a cómo afecta al comportamiento de una señal respecto a la frecuencia, los
filtros pueden tomar una de las formas siguientes: paso-bajo, paso-alto, paso-banda y supresor
de banda.

9.1 Filtro activo pasa bajos

Los filtros activos pasa bajos (paso bajo) se utilizan para suprimir señales de alta frecuencia
no deseadas. La respuesta ideal de un filtro paso-bajo se muestra en la figura:

Figura 9.1 Respuesta de un filtro paso-bajo ideal

Un filtro pasa bajos RC activo se muestra en la figura 9.2. La ganancia de voltaje por debajo de
la frecuencia de corte se mantiene constante en:

Y la frecuencia de corte ocurre en:

 Figura 9.2 Filtro activo paso-bajo de primer orden

Conectando dos secciones de filtro como en la figura 9.3, se obtiene un segundo filtro paso-
bajo de segundo orden, más cerca de la característica ideal de la figura. La ganancia de voltaje
del circuito y la frecuencia de corte son las mismas para el circuito de segundo orden que para
el de primer orden; excepto que la respuesta del filtro de segundo orden se reduce más rápido.
 Figura 9.3 Filtro activo paso-bajo de segundo orden

9.2 Filtro activo pasa altos

Los filtros activos pasa altos (paso-alto) se utilizan para suprimir señales de baja frecuencia no
deseadas. La respuesta ideal de un filtro paso-alto se muestra en la figura 9.4:

Figura 9.4 Respuesta de un filtro paso-alto ideal

Se pueden construir filtros activos paso alto de primer orden como se muestra en la figura 9.5.
La ganancia de voltaje por encima de la frecuencia de corte se mantiene constante en:
Y la frecuencia de corte ocurre en:

Figura 9.5 Filtro activo paso-alto de primer orden

Conclusión

Los filtros activos producen ganancia y suelen estar compuestos solo de resistencias y
capacitores, junto con circuitos integrados. El amplificador operacional, cuando se combina con
resistencias y capacitores, simula el desempeño de filtros inductivo-capacitivo pasivos. En filtros
de orden superior, las configuraciones activas son más simples que las pasivas.

Tema 10. Filtros de paso banda y de rechazo de banda

Introducción
Un amplificador sintonizado es un amplificador selector de frecuencia diseñado para ampliar
señales eléctricas de rangos específicos de frecuencia. Su uso se encuentra en sistemas de
comunicaciones que trabajan con señales de radio frecuencia (por ejemplo: un receptor de
radio FM). Esta técnica requiere una respuesta paso banda que examinaremos en este tema.

Explicación

Los filtros paso banda y rechazo de banda se forma cada uno a partir de filtros paso bajo y
paso alto.

10.1 Filtros de paso banda

La respuesta de frecuencia en el filtro paso banda se presenta en la figura 10.1.

Figura 10.1 Filtro paso de banda

Se puede diseñar un filtro paso de banda sencillo al conectar en cascada un filtro paso alto y un
filtro paso bajo, como muestra la figura 10.2.
 Figura 10.2 Filtro activo paso banda

10.2 Filtros de rechazo de banda

La respuesta de frecuencia en el filtro rechazo de banda se presenta en la figura 10.3. Este filtro
se forma al poner en paralelo un filtro pasa-bajo con uno pasa-alto. Se recurre al amplificador
sumador para generar la salida del filtro rechaza- banda como se indica en la figura 10.4.

Figura 10.3 Filtro rechazo de banda

 Figura 10.4 Filtro paso bajo y paso alto en paralelo

Se puede diseñar un filtro rechazo de banda sencillo al conectar en cascada un filtro paso
banda y un sumador. En este circuito la señal de salida del filtro paso banda se resta de su
señal de entrada, como muestra la figura 10.5.

Figura 10.5 Filtro activo rechazo de banda

10.3 Tipos de respuestas y de circuitos

La respuesta del filtro real depende del tipo de implementación. En la práctica, los que más se
usan comúnmente son:

 Butterworth. Tiene la respuesta en la banda de paso más plana. La atenuación

después de la frecuencia de corte tiene una pendiente de -20dB/década de frecuencia
por cada polo (orden) del filtro.
 Chebyshev. Tiene una mayor atenuación arriba de la frecuencia de corte. Sin embargo,
presenta un mayor rizado en la banda de paso.
 Bessel. Presenta un mínimo sobreimpulso al llegar a la frecuencia de corte como
respuesta a un pulso de entrada.
 Gaussian. Tiene una respuesta tipo función gaussiana ante la presencia de un impulso.

Para su implementación, las dos topologías que más se emplean son MFB (Multiple Feedback) y
Sallen-Key, las cuales se muestran en la siguiente figura:

Topologías MFB (G=-R2/R1) y Sallen-Key (G=1).

Texas Instruments. (2011). FilterPro TM User’s Guide. Recuperado de
http://www.ti.com/sitesearch/docs/universalsearch.tsp?searchTerm=sbfa001c#q=sbfa001c&t=everything&linkId=1
Solo para fines educativos.
Conclusión

El desempeño del filtro (especialmente la localización de la frecuencia de corte) depende

mucho de la exactitud de los valores de los componentes. La referencia a los valores estándar
de los componentes indica que es necesario realizar aproximaciones. En los diseños se
recomienda recurrir a las simulaciones por computadora para verificar resultados.

Tema 11. Osciladores con retroalimentación

Introducción

Con cierta frecuencia los sistemas electrónicos de comunicación utilizan fuentes de señales,
como es el caso de los osciladores, estos circuitos proporcionan voltajes senoidales a una
frecuencia determinada. Los osciladores son amplificadores analógicos que están diseñados
intencionalmente con retroalimentación positiva y una red selectiva RC o LC, para generar
voltajes de salida senoidales. Otros sistemas electrónicos, como los sistemas digitales,
requieren señales con formas de onda especiales como la onda cuadrada, la onda triangular o
la señal de un solo pulso.

Explicación

11.1 Fundamentos de operación de un oscilador

La estructura básica de un oscilador senoidal consta de un amplificador y una red selectiva de

frecuencia conectada en un lazo de retroalimentación positiva, como se muestra en forma de
diagrama de bloques en la figura 11.1

Figura 11.1 Estructura básica de un oscilador senoidal

Aunque en un circuito oscilador real no habrá señal de entrada (Xs) presente, incluimos una
señal de entrada aquí para ayudar a explicar el principio de operación. Es importante observar
que la señal de retroalimentación Xf se suma con un signo positivo.

Entonces la ganancia con retroalimentación está dada por:

Si a una frecuencia específica la ganancia de lazo βA es igual a la unidad, se deduce que Af será
infinita.

Esta condición se conoce como criterio de Barkhausen. Es decir, que si Xs = 0, entonces Xo =

finito. Esto es, el circuito tendrá una salida finita para señal de entrada cero. Este circuito es,
por definición, un oscilador.

11.2 Tipos de osciladores

Un oscilador básico es el circuito puente de Wien, que se muestra en la figura 11.2; el

circuito está formado por un amplificador operacional que está conectado en la configuración
no inversora, y dos redes RC que forman el circuito de retroalimentación y de selección de
frecuencias

Figura 11.2 Circuito de un oscilador puente de Wien

La función de transferencia de retroalimentación β es:

Donde:

Y
Sustituyendo y acomodando términos:

β será un número real cuando:

Lo cual determina que la frecuencia de oscilación es:

Para cumplir con el criterio de Barkhausen βA=1, se deduce que A = 3 o

Para asegurar que se inicien las oscilaciones, se selecciona R2/R1 ligeramente mayor que 2.

El oscilador de desplazamiento de fase es ejemplo de un oscilador con un amplificador

operacional, el cual está conectado como amplificador inversor. La estructura básica del
oscilador de desplazamiento de fase se muestra en la figura 11.3. Consiste en un amplificador
de ganancia negativa con una red en escalera RC de tres secciones en la retroalimentación.

Figura 11.3 Circuito de un oscilador de desplazamiento de fase

El efecto de carga de cada red sucesiva RC complica el análisis, aunque se aplica el mismo
principio de operación. El análisis muestra que la frecuencia de oscilación es:

La relación de las resistencias del amplificador debe ser:

Para asegurar que se inicien las oscilaciones, se selecciona R2/R ligeramente mayor que 29.
Conclusión

En este tema se presentó otra aplicación de los amplificadores operacionales, que son los
osciladores. Un oscilador lineal se puede formar si se conecta una red selectiva de frecuencia
en la trayectoria de retroalimentación de un amplificador (un op-amp). El circuito oscilará a la
frecuencia a la cual el desfasamiento total alrededor del lazo es cero, siempre que a esta
frecuencia la magnitud de la ganancia del lazo sea igual o mayor a la unidad. El oscilador de
puente de Wien y el oscilador de desplazamiento de fase son configuraciones preferidas para
frecuencias de hasta 1 MHz.

Tema 12. Temporizador 555

Introducción

El circuito integrado monolítico del temporizador 555 fue introducido en primer lugar por la
corporación Signetics en 1972, el circuito utilizaba la tecnología bipolar, rápidamente se volvió
un estándar en la industria para las funciones de temporización y oscilación. La mayor parte de
los fabricantes realizaron una versión del circuito integrado 555, algunos utilizaron la tecnología
CMOS. El 555 es un circuito integrado de propósito general que se puede utilizar en
aplicaciones de temporización, generación de pulsos, temporización secuencial, generación de
líneas de retardo, modulación por ancho de pulso, modulación por posición de pulso y
generación lineal de rampas.

Explicación

12.1 Estructura interna

El 555 puede operar en los modos monoestables y astables, los pulsos de temporización
pueden durar desde microsegundos hasta horas. También tienen un ciclo de trabajo ajustable
y normalmente pueden producir corrientes de salida de hasta de 200 mA.

El circuito integrado incorpora dentro de sí, dos comparadores, un flip-flop RS (elemento

biestable de fijar restablecer), y un transistor que opera como interruptor, se requiere una
fuente de alimentación (Vcc) para operación, con un voltaje típicamente de 5 V, un divisor de
voltaje resistivo, que consiste de tres resistencias de igual valor, se conecta en los terminales de
Vcc y establece los voltajes de referencia para los dos comparadores; su estructura interna
simplificada se representa en el diagrama de bloques de la figura 12.1, donde se indican
además, las conexiones externas para acceder a cada uno de ellos.
 Figura 12.1 Representación de diagrama a bloques del temporizador 555

12.2 Circuito monoestable

El circuito monoestable, que también se conoce como circuito de un disparo, funciona al

cargar un capacitor de temporización con la corriente que determina una resistencia externa.
Cuando se dispara el circuito monoestable, la red de carga trabaja solamente durante el
intervalo de temporización. El intervalo total de temporización incluye el tiempo de
recuperación que se necesita para que el capacitor se cargue hasta el nivel de umbral.

La figura 12.2 muestra el circuito externo y las conexiones para el 555 que se utiliza como
circuito monoestable, cuando se aplica un voltaje de alto nivel en la entrada de disparo, la
salida del comparador de disparo es baja, la salida del flip-flop es alta, el transistor de
descarga se enciende y el capacitor de temporización C se descarga casi al potencial de tierra;
entonces la salida del circuito 555 es baja, esto se puede llamar estado de reposo del circuito
en operación monoestable.
 Figura 12.2 Circuito de un 555 conectado como circuito monoestable

Cuando se aplica la transición negativa de un pulso en la entrada de disparo, la salida del

comparador de disparo se vuelve alta cuando el pulso de disparo disminuye por debajo de
(1/3) Vcc. La salida es baja, esto significa que la salida del 555 se vuelve alta, y el transistor de
descarga se apaga, la salida del 555 permanece alta aunque el pulso de disparo regresa a su
valor inicial (alto), porque la entrada R del flip-flop todavía está en un nivel bajo. El capacitor de
temporización se carga en forma exponencial hacia el valor final de Vcc a través de la
resistencia R.

De la anterior descripción vemos que el circuito monoestable produce un pulso de salida como
se indica en la figura; el ancho del pulso, T, es el intervalo que el circuito monoestable pasa en
estado casi estable; se puede determinar por referencia de las ondas de la figura 12.3, como
sigue:

Denotando como t = 0 instante al cual el pulso de disparo se aplica, la onda exponencial de Vc

se puede expresar como:

Al sustituir Vc = (2/3) Vcc en t = T resulta

 Figura 12.3 Ondas del circuito monoestable

El ancho del pulso de salida es una función que depende solamente de la constante de tiempo
externa RC; es independiente del voltaje de alimentación y los parámetros internos del circuito;
el pulso de disparo de entrada debe tener una duración más pequeña que T, la amplitud del
pulso de salida es una función del voltaje de alimentación, así como de los circuitos internos,
para el circuito bipolar del 555, la amplitud del pulso de salida es aproximadamente 1.7 V por
debajo del voltaje de alimentación.

Cuando la salida es alta y el capacitor de temporización se está cargando, la aparición de otro

pulso de disparo en la entrada no tendrá ningún efecto en el circuito. Si se desea, el circuito
puede restablecerse durante este periodo al aplicar una señal de entrada de bajo nivel en la
terminal de restablecimiento. La salida regresará a cero y permanecerá en este estado de
reposo hasta que se aplique otro pulso de disparo.

12.3 Oscilador astable

En la figura 12.4 se muestra el circuito de un oscilador astable que utiliza el circuito integrado
555, dos resistencias externas, RA y RB y un condensador externo C.

Figura 12.4 Circuito de un 555 conectado como circuito astable

Supongamos que inicialmente C está descargado y el flip-flop está fijado. Entonces Vo está alto
y Q1 no conduce. El condensador C se cargará a través de la combinación serie de R A y RB, y el
voltaje en sus terminales, Vc se elevará en forma exponencial hasta que Vc alcance el valor de
(2/3) Vcc. Entonces la salida del comparador de umbral se vuelve alta, forzando a la salida
del flip-flop hacia el nivel alto. El transistor de descarga se enciende, y el capacitor se
descarga a través de RB y el transistor de descarga.

El voltaje del capacitor disminuye hasta que alcanza el valor de (1/3) Vcc, en ese punto el
comparador de disparo cambia su estado y envía la salida a un nivel bajo. El transistor de
descarga se apaga, y el capacitor empieza a recargarse. Cuando el voltaje del capacitor alcanza
el valor de (2/3) Vcc, el ciclo se repite. De la anterior descripción vemos que el circuito de la
figura 12.4 oscila y produce una onda cuadrada a la salida. El cálculo de los intervalos de
tiempo, durante los cuales la salida es alta y baja, puede hacerse empleando las siguientes
fórmulas:

Las ecuaciones se pueden combinar para obtener el periodo T de la onda cuadrada de salida
como:

Para ver cómo opera el circuito, consultemos las ondas descritas en la figura 12.5.
 Figura 12.5 Ondas del circuito astable

Empaque:

El circuito integrado 555 se coloca en empaque de CI estándar, que incluye el metálico, el

empaque en línea doble y el empaque plano. La cápsula protege al circuito de la humedad y los
contaminantes, sirve como disipador de calor, proporciona los pines de acceso, y facilita su
manipulación e identificación.

Temporizador de circuito integrado típico 555

Imagen obtenida de http://www.circuitstoday.com/ Solo para fines educativos.

En la siguiente liga, encontrarás diversos simuladores para configuraciones con el

temporizador 555 http://www.falstad.com/circuit/e-index.html
Se sugiere revisar 555 Timer Chip; puedes modificar los valores de voltaje y resistencia y
analizar sus efectos

Conclusión

Si el circuito 555 se conecta en el modo monoestable, cuando se aplica una señal externa en la
terminal del voltaje de control se provocarán variaciones en el tiempo de carga del capacitor de
temporización y el ancho del pulso. Si se dispara el circuito del multivibrador monoestable
utilizando un tren de pulsos continuos, la anchura del pulso de salida será modulada por la
señal externa. Este circuito se conoce como modulador por ancho del pulso (PWM).

También se puede desarrollar el circuito de un modulador por posición del pulso, utilizando el
modo astable, la señal moduladora que se aplica en la terminal del voltaje de control producirá
variaciones en la posición del pulso; la posición del pulso estará controlada por la señal
moduladora en una forma similar a la del PWM.

Finalmente, se puede construir un generador de rampa lineal utilizando el 555 en el modo

monoestable. El patrón normal de cambio del capacitor de temporización es exponencial
debido al circuito RC, si la resistencia R se reemplaza por una fuente de corriente constante, se
producirá una rampa lineal.

Tema 13. Reguladores de voltaje

Introducción

La naturaleza pulsante del voltaje de salida producido por los circuitos rectificadores
estudiados antes lo hace inapropiado como fuente de cd para circuitos electrónicos. Una forma
sencilla de reducir la variación del voltaje de salida es poner un condensador en paralelo con la
carga. Se demostrará que este condensador de filtro sirve para reducir considerablemente las
variaciones del voltaje de salida del rectificador.

Explicación

13.1 Voltaje de rizo en la regulación

Para ver la forma en que funciona el circuito rectificador con un condensador de filtro,
considere primero el sencillo circuito donde una resistencia de carga R se conecta en paralelo
con el condensador C, como se describe en la figura 13.1. Para una entrada senoidal y
suponiendo que el diodo es ideal, el condensador se carga al valor pico de la entrada, entonces
el diodo está en corte y el condensador se descarga a través de la resistencia de carga R, la
descarga del condensador continúa durante casi todo el ciclo, hasta el momento en que Vi
exceda el voltaje del condensador. Entonces el diodo conduce otra vez, carga el condensador al
valor pico de Vi y el proceso se repite. Observe que para evitar que el voltaje de salida se
reduzca demasiado durante la descarga del condensador, se selecciona un valor de C de modo
tal que la constante de tiempo RC sea mucho mayor que el intervalo de descarga.

13.2 Filtrado por capacitor

Ahora estamos listos para analizar el circuito en detalle, en la figura 13.1 se muestran las ondas
de voltaje de entrada y salida en estado estable bajo la suposición de que RC >> T, donde T es
el periodo de la señal de entrada; si se supone que el diodo es ideal, la conducción del diodo
comienza en el que el voltaje Vi de entrada es igual a la salida Vo que decae exponencialmente,
la conducción del diodo se detiene poco después del pico de Vi. Durante el intervalo de corte
del diodo, el condensador C se descarga a través de R y entonces Vo decae exponencialmente
con una constante de tiempo RC:
Al terminar el intervalo de descarga, y aproximando T = T’ tenemos:

Ahora, como RC >> T, podemos utilizar la aproximación para obtener

El voltaje de rizo Vr se puede expresar en términos de la frecuencia T = 1/f como:

Figura 13.1 Ondas de voltaje del circuito rectificador de media onda con filtrado capacitivo

El circuito de la figura 13.1 se conoce como rectificador de pico de media onda. Los circuitos
rectificadores de onda completa se pueden convertir en rectificadores de pico si se incluye un
condensador en paralelo con la resistencia de carga. Al igual que en el caso de media onda, el
voltaje de cd de salida será casi igual al valor pico de la onda senoidal de entrada (véase la
figura 13.2). La frecuencia de rizo, sin embargo, será el doble de la de entrada. El voltaje pico a
pico de rizo, para este caso, se puede derivar usando un procedimiento idéntico al anterior,
pero con el periodo T de descarga sustituido por T/2, lo que resulta en:

Si se compara esta expresión con la correspondiente para el caso de media onda, observamos
que para los mismos valores de Vmax, f, R y Vr necesitamos un condensador de la mitad del
valor del necesario en el rectificador de media onda. También la corriente en cada diodo del
rectificador de onda completa es aproximadamente la mitad de la que circula en el diodo del
circuito de media onda.

Figura 13.2 Ondas de voltaje en el rectificador de pico de onda completa

13.3 Regulador Zener

Un diodo Zener es un dispositivo cuya contaminación se realiza de un modo que hace que la
característica de voltaje de avalancha o ruptura sea muy inclinada; si el voltaje inverso supera al
voltaje de ruptura, el diodo Zener normalmente no será destruido. Esto se cumple siempre que
la corriente no exceda un valor predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente.

Un diodo Zener puede usarse como un regulador de voltaje en la configuración que se muestra
en la figura 13.3, que ilustra una corriente de carga variable representada por medio de una
resistencia de carga variable, el circuito se diseña de modo que el diodo opere en la región de
ruptura, de manera que este se aproxima a una fuente de voltaje ideal, en una aplicación
práctica varía la fuente de voltaje, Vs, y ocurre lo mismo con la corriente de carga. El reto de
diseño es elegir un valor de Rs que permita al diodo mantener un voltaje de salida constante,
aunque cambien tanto el voltaje de la fuente de entrada como la corriente de carga.

Figura 13.3 Regulador con diodo Zener en paralelo

A continuación se analizará el circuito para determinar la elección apropiada de Rs, en la que se

emplea la ecuación de nodo para encontrar la corriente Zener, Iz.
Las cantidades variables son Vs e IL. Con el fin de asegurar que el diodo permanece en la
región de ruptura (voltaje constante), se examinan los dos extremos de las condiciones de
entrada/salida, como sigue:

 La corriente a través del diodo, Iz, es un mínimo (Izmin) cuando la corriente de carga, IL,
es máxima (ILmax) y el voltaje de fuente, Vs, es un mínimo (Vsmin).
 La corriente que circula por el diodo, Iz, es un máximo (Izmax) cuando la corriente de
carga, IL, es un mínimo (ILmin) y el voltaje de fuente, Vs, es máximo (Vsmax).

Cuando estas características de los extremos se insertan en la ecuación se tiene:

En un problema práctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de los voltajes de

entrada, el intervalo de las corrientes de carga y el voltaje Zener deseado, para evitar la porción
no constante de la curva característica del diodo, se usa la regla práctica aceptada de que la
corriente Zener mínima debe ser 0.1 veces la máxima, es decir:

Resolviendo con respecto a Izmax.

Después de que se resuelve con respecto a la corriente Zener máxima, se calcula el valor de Rs.

El circuito del regulador con Zener puede combinarse con el rectificador de onda completa
para producir el regulador con Zener de onda completa.

Figura 13.4 Regulador con Zener de onda completa

El valor de C se encuentra adaptando la ecuación anterior a esta situación:

Conclusión

Los diodos Zener se utilizan en el diseño de reguladores de voltaje cuya función es obtener un
voltaje constante de CD que varía poco con variaciones en el voltaje de la fuente de
alimentación, la corriente de carga o ambas. El diodo Zener es un tipo especial de diodo, que
siempre se utiliza polarizado inversamente, el diodo Zener es la parte esencial de los
reguladores de voltaje que recibe este nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener.

Tema 14. Reguladores de voltaje lineales

Introducción

La mayor parte de los equipos electrónicos requieren de voltajes de CD para operar. Las
baterías son una opción, pero se agotan y tienen que ser reemplazadas. Otra opción consiste
en generar la fuente de alimentación, utilizando la red de distribución de CA disponible en los
tomacorrientes, la cual puede ser manipulada fácilmente usando un transformador y circuitos
rectificadores, los que sumados a un dispositivo regulador proporcionan el valor de voltaje de
CD de salida requerido. En este tema se analizará un circuito regulador con transistor en serie y
en paralelo.

Explicación

14.1 Regulador en serie

La principal desventaja del regulador con diodo Zener en paralelo presentado anteriormente es
que el diodo Zener debe absorber toda la corriente que la carga no requiera, una forma de
solucionar esto es incorporando un transistor. En esta configuración, la corriente que absorbe
el diodo Zener no es la que no requiere la carga IL, sino la que no desea la base del transistor.
Este tipo de regulador utiliza un transistor en serie con la carga, como puede observarse en la
Figura 14.1. Note que la corriente de carga es la corriente que circula de colector a emisor.

Figura 14.1 Circuito de regulador en serie.

El circuito funciona de la siguiente forma:

El voltaje de salida Vo debe mantenerse fijo, el diodo Zener proporciona la referencia de voltaje
al cual debe permanecer el regulador. Por lo tanto, siempre debe circular a través del diodo por
lo menos Izmin. Si existe un incremento de la corriente de carga IL (por disminución de RL), esto
implica una disminución del voltaje Vo, entonces el voltaje VBE aumenta, lo que lleva a un
incremento de la corriente de base. Finalmente, aumenta la corriente de colector, para
mantener Vo constante. Si existe una disminución de la corriente de carga I L (por incremento de
RL), crece Vo, luego disminuye IB, lo que lleva a una disminución de la corriente de carga I L,
disminuyendo Vo. La resistencia Rs debe seleccionarse para que por el diodo Zener circule la
corriente necesaria para que se polarice adecuadamente.

De acuerdo con esto:

Donde:

En la práctica se puede considera r Izmax = 10 Izmin. Luego:

Para seleccionar el transistor se debe cuidar que la diferencia de voltaje de entrada y el voltaje
de carga multiplicada por la corriente de carga no rebase la potencia máxima que el transistor
es capaz de disipar. Finalmente, la corriente de colector máxima del transistor no debe ser
rebasada.

14.2 Regulador en paralelo

Las fuentes en paralelo adolecen del problema de que el rendimiento energético es menor, en
general, que el de las fuentes serie. Sin embargo, si la corriente de carga es constante o casi
constante, se puede lograr un rendimiento cercano al de las fuentes serie, pero con un
transistor de menor corriente que para el caso de fuente serie. Esto se debe a que el transistor
en paralelo con la carga solo debe ser capaz de manejar la máxima variación de corriente. Por
ejemplo, en una fuente cuya corriente de carga varía entre 20 A y 21 A, el transistor solo debe
ser capaz de absorber 1 A cuando la carga esté demandando solo 20 A. Un regulador de voltaje
en paralelo ofrece regulación al desviar la corriente de la carga para controlar el voltaje de
salida. El voltaje de entrada proporciona la corriente que requiere la carga.

Una parte de la corriente se deriva por los elementos de control para mantener el voltaje de
salida regulado. Si el voltaje de salida trata de cambiar como consecuencia de un cambio en la
carga, el circuito de muestreo proporciona una señal a un comparador, que a su vez
proporciona una señal de control para variar la cantidad de la corriente desviada desde la
carga. Por ejemplo, si el voltaje de salida trata de ser más grande, el circuito de muestreo
proporciona una señal para obtener una corriente de derivación mayor, proporcionando
menos corriente a la carga y, por lo tanto, evitando que el voltaje de salida se incremente.
 Figura 15.1 Circuito regulador de voltaje en paralelo.

La Figura 15.1 muestra un circuito sencillo para realizar una fuente de voltaje regulada en
paralelo. El voltaje de base-emisor del transistor y el diodo Zener establece el voltaje de carga.
Si la resistencia de carga se reduce, fluye menos corriente a través del colector del transistor,
con lo que se mantiene el voltaje regulado. Por inspección del circuito, se observa que el voltaje
de salida es:

Circuito regulador con transistor en paralelo mejorado

En la Figura 15.2 se muestra un regulador en paralelo mejorado. La resistencia R1 detecta el

voltaje de salida, mientras que el diodo Zener proporciona un voltaje constante y el transistor
Q2 controla la corriente de base que fluye hacia el transistor Q1, para que este varíe la
corriente que deja pasar para mantener el voltaje de salida constante.

Figura 15.2 Circuito regulador en paralelo mejorado.

El voltaje de salida Vo es igual a:

14.3 Circuito regulador en serie con amplificador operacional

Circuito regulador en serie

En la figura 14.3 se muestra un regulador en serie que utiliza un amplificador operacional. Las
resistencias R1 y R2 actúan como un divisor de voltaje, mientras que el diodo Zener
proporciona un voltaje constante.

Figura 14.3 Circuito de regulador en serie con amplificador operacional.

El voltaje V2 que proporciona el divisor de voltaje R1 y R2 debe ser igual al voltaje del diodo
Zener, es decir:

Despejando Vo:

Circuito regulador en paralelo

En la Figura 15.3 se muestra un regulador en paralelo que utiliza un amplificador operacional

como comparador de voltaje. Las resistencias R1 y R2 actúan como divisor de voltaje, mientras
que el diodo Zener proporciona un voltaje constante.

Figura 15.3 Circuito de regulador en serie con amplificador operacional.

El voltaje V2 que proporciona el divisor de voltaje R1 y R2 debe ser igual al voltaje del diodo
Zener. Es decir:
Despejando Vo, tenemos:

Conclusión

En estos últimos temas, abordamos los conceptos de las aplicaciones de la electrónica que se
usa en todos los equipos electrónicos. El tema es la regulación de voltaje de CD que los equipos
deben contener en su interior para realizar la aplicación para la que fueron diseñados. Primero,
abordamos el tema general de la regulación de voltaje y enfatizamos la importancia que tienen
los diodos Zener en la construcción de estos circuitos. Posteriormente, en los temas finales
abordamos por separado los diseños básicos de circuitos reguladores de voltaje de CD tanto en
serie como en paralelo o de derivación. El enfoque de cada uno de estos es diferente, pero la
aplicación es la misma: mantener un voltaje constante ante cambios en el nivel de voltaje no
regulado de entrada o ante cambios en la corriente en la carga, que a su vez provoca cambios
en el voltaje de salida.

Tema 15. Control de motores de CD

Introducción

Una de las aplicaciones básicas de la Ingeniería mecatrónica es el control de motores para la

realización de diversas actividades en un sistema productivo. Este control se realiza en motores
de potencia baja hasta motores de alta potencia que realizan acciones de precisión, control de
posición y alto rendimiento, como en la robótica hasta el control de caudal mediante una
bomba. Para realizar estas acciones se requiere de un convertidor de potencia que sea la
interfaz entre el sistema de control y el motor.

Los manejadores o driver para motor se pueden clasificar en forma general para motor de CD,
motor de inducción y motores síncronos. En este tema haremos una revisión de los
manejadores para motor de CD.

Explicación

15.1 Motor de CD

En un motor de CD el flujo de campo se establece por el estator por medio de imanes

permanentes (donde el campo es constante) o por medio de un devanado de campo (donde la
corriente de campo controla el flujo .

Motor de CD de devanado de campo

 Figura 1. Motor de CD con devanado de campo.
Fuente: Mohan, N., Undeland, T.M., y Robbins, W.P. (2009). Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y
diseño (3a ed.). México: McGraw-Hill.

El par de torsión electromagnético que se genera es debido al flujo del campo (ɸ) y la

corriente de inducido (ia) y definido por .

 Debido a la rotación de los conductores de inducido a una velocidad (ωm), se produce

una fuerza contraelectromotriz definida por .
 En la práctica, la corriente de inducido (ia) circula al aplicar una fuente de voltaje
controlable (vi) a la resistencia (Ra) y la inductancia (La) del devanado del inducido junto

con la fuerza contraelectromotriz (ea) .

 En función a la carga que tenga el motor, el par de torsión depende de la inercia (J), el
amortiguamiento total (B) de la combinación motor-carga y el par de torsión de trabajo

(TWL) .

Donde los términos constantes son kt y ke.

Motor de CD de imanes permanentes

En motores pequeños de CD, el estator tiene imanes permanentes que producen un flujo de
campo constante.
 Figura 2. Motor de CD con imanes permanentes.
Fuente: Mohan, N., Undeland, T.M., y Robbins, W.P. (2009). Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y
diseño (3a ed.). México: McGraw-Hill.

Dado que el flujo del campo es constante, entonces se definen las constantes de par de torsión
del motor () y de voltaje del motor () para el motor de CD de imanes permanentes.

15.2 Modulación por ancho de pulso

Los convertidores CD-CD se usan en suministros de energía CD regulado en modo de

conmutaciones (como las fuentes conmutadas) y en aplicaciones de driver motrices (como los
moduladores de ancho de pulso o PWM). Los convertidores básicos son el reductor y el
elevador, de donde se desprenden las diversas variedades de los mismos.

Un convertidor de puente completo, como se muestra en la Figura 3, es una adaptación del

convertidor reductor y aplican principalmente para:

 Driver para motores de CD.

 Conversión CD-CA en fuentes de energía no interrumpibles monofásicas.
 Conversión CD-CA en fuentes de potencia conmutadas con aislamiento por
transformador.
 Figura 3. Esquema de un convertidor CD-CD de puente completo.

El voltaje de salida Vo presente en la carga se determina por el estado de los interruptores y es

independiente del sentido de io. Así:

con base en el trabajo de A1.

con base en el trabajo de B1.

Entonces, la polaridad del voltaje de salida es reversible y el interruptor del convertidor se

modula mediante el ancho del pulso, lo cual se denominada modulación por ancho de
pulso (PWM - Pulse Width Modulation). El PWM se obtiene al comparar una forma de onda de
diente de sierra (cuya frecuencia es la frecuencia de conmutación) y un voltaje de control.

Para el PWM, hay dos estrategias de operación:

1. PWM con conmutación de voltaje bipolar, donde se conmutan los interruptores por
pares: A1-B2 y A2-B1; cada par se enciende y se apaga en forma simultánea.
2. PWM con conmutación de voltaje unipolar, donde cada interruptor se maneja de forma
independiente.
 Figura 4. Principio de operación del PWM voltaje bipolar.

En un PWM con conmutación de voltaje bipolar (Figura 4), tenemos lo siguiente:

 Cuando , los interruptores A1-B2 se encienden.

 Cuando , los interruptores A2-B1 se encienden.

D1 y D2 son la relación de trabajo de cada par de interruptores y .

El voltaje de salida se define por:

En el caso del PWM con conmutación de voltaje unipolar, los interruptores A2 y B2 se

consideran siempre encendidos y ahora la señal triangular se compara con dos voltajes de
control (vcontrol y –vcontrol), como se muestra en la Figura 5.
 Figura 5. Principio de operación del PWM voltaje unipolar.

Entonces:

 A1= on cuando y .
 B1= on cuando y .

 .

El promedio del voltaje de salida es el mismo en ambos esquemas y varía linealmente

según vcontrol. Si la frecuencia de conmutación es igual en ambo casos, la conmutación unipolar
genera una mejor forma de onda de salida y respuesta en frecuencia, ya que la frecuencia
efectiva es el doble y el componente de oscilación rms de salida es menor comparado con la
conmutación bipolar.

15.3 Driver para motor de CD

Generalmente, los drivers para motor de CD se emplean para aplicaciones de control de

velocidad y posición. Se han popularizado los servomotores para estas aplicaciones. Existen
diversos esquemas de manejadores para motores de CD en función de su operación y
potencia. En esta sección solo se revisará el esquema más clásico denominado puente H.

Un convertidor CD-CD de modo conmutado de puente completo produce una salida de CD

controlable en los cuatro cuadrantes. Este circuito se conoce como puente H. Se muestra su
esquema general en la Figura 6.
 Figura 6. Esquema general de un puente H.

Los cuatro interruptores en el puente H se conmutan durante cada ciclo de la frecuencia de

conmutación, permitiendo con ello la operación en los cuatro cuadrantes con una conducción
de corriente continua, donde .

Conclusión

Con este último tema se realiza una breve introducción al control de motores de CD, que es un
tema propio de electrónica de potencia. El control de motores tiene una gran variedad de
formas y técnicas empleadas en función de los tipos de motores. Se usa ampliamente en todo
tipo de industrias. Es por ello que es importante que los ingenieros mecatrónicos se involucren,
analicen y apliquen este tema en su futuro desarrollo profesional.