Explicación del tema 1

Tema 1. Características voltaje-corriente de los diodos semiconductores

Introducción

La historia de la electrónica se remonta a principios

del siglo XX cuando se fabricaron por primera vez los dispositivos de tubos al vacío
conocidos como bulbos. Durante varias décadas, este tipo de dispositivos formaba la
parte fundamental de los equipos electrónicos, como radio transmisores y receptores,
televisores para el hogar y las primeras computadoras electrónicas.

Fue en 1940 cuando por primera vez se construyó un diodo semiconductor, inventado por
el ingeniero estadounidense Russell Ohl (1898-1987), miembro de los laboratorios Bell,
quien por casualidad descubrió la unión p-n, fundamento físico de todos los dispositivos
semiconductores. Ohl se dio cuenta que el cristal de silicio con 99.8% de pureza que había
construido tenía una grieta hacia la mitad del material que, ante la presencia de una
fuente luminosa, se elevaba significativamente el nivel de corriente que circulaba por la
pieza. Esto dio origen al estudio del efecto fotoeléctrico y a la experimentación con diodos
semiconductores, ya que observó también que los niveles de pureza en cada lado de la
grieta eran diferentes, lo cual producía que la corriente circulara solo en una dirección. Así
nació el primer diodo semiconductor.

Explicación

1.1 Materiales semiconductores

Hoy en día se conocen varios compuestos semiconductores que se pueden utilizar para
construir elementos discretos (individuales) o circuitos integrados. El arseniuro de galio
(GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico
(GaAsP) son ejemplos de la clase de semiconductores compuestos, mientras que el silicio
(Si) y el germanio (Ge) son de la clase de un solo cristal.
 Los semiconductores comerciales están construidos
principalmente de Ge, Si y GaAs, siendo los de silicio los que más se usan debido a sus
características superiores en cuanto a sensibilidad a la temperatura. Para usos en
optoelectrónica, se utiliza el arseniuro de galio.

Desde el punto de vista eléctrico, todos los materiales de la naturaleza y los creados por el
hombre se pueden clasificar en tres categorías de acuerdo con su conductividad
(característica del material que permite el flujo de electrones): aislante, semiconductor y
conductor.

Los materiales aislantes, como la madera, el corcho, el hule, los plásticos, etc., no
presentan circulación de electrones al aplicarles un campo eléctrico a través de una
fuente de voltaje, o al menos no a los niveles de voltajes que utilizamos en nuestros
equipos.

Los materiales conductores oponen muy poca resistencia a la circulación de electrones

cuando se les somete a un campo eléctrico. Ejemplos de estos materiales son los metales
como el oro, la plata y el cobre. Este último es el material que más se utiliza debido a sus
características de costo-beneficio. Hay mejores conductores eléctricos, como el oro, pero
su alto costo lo hace poco práctico para uso comercial en cables eléctricos. Se utiliza en
ciertos circuitos integrados y en algunos conectores donde es necesario contar con sus
características.

Los materiales semiconductores se comportan como aislantes o como conductores de

acuerdo con las condiciones del campo eléctrico al que se someten y a otros factores
como temperatura y la corriente eléctrica que circula a través de sus terminales. Esta
característica es lo que los hace tan útiles en la construcción de los equipos electrónicos
que hoy utilizamos.

1.2 Niveles de energía de los electrones

El modelo atómico de Bohr establece que el átomo está compuesto principalmente de

tres partículas básicas: neutrones, protones y electrones. Los dos primeros conforman el
núcleo, mientras que los electrones se encuentran en órbitas fijas alrededor de dicho
núcleo. En la órbita más alejada del núcleo del átomo se encuentran los electrones de
valencia, término que indica que para remover estos electrones de la estructura atómica
se requiere un nivel de potencial de ionización significativo más bajo que para cualquier
otro electrón en otros niveles.

Consultando en una tabla periódica de elementos podemos observar que el silicio (Si)
tiene un número atómico 14, el germanio (Ge) 32, el galio (Ga) 31 y el arsénico (As) 33. Este
número nos indica la cantidad de protones que existen en el núcleo del átomo, pero
también el número de electrones que circulan en sus órbitas. De estos electrones, los que
están en la órbita más alejada del núcleo se les conoce como electrones de valencia, de
los cuales el germanio tiene 4, el silicio 4, el galio 3 y el arsénico 5.

Cuando los átomos de silicio o de germanio se unen cada uno a otros cuatro átomos del
mismo elemento, compartiendo los electrones de valencia mediante enlaces covalentes,
forman una estructura cristalina pura.

Al material semiconductor que se fabrica refinándolo para reducir al mínimo el número

de impurezas se le llama intrínseco.

Materiales extrínsecos

Las características eléctricas de los semiconductores se pueden modificar

significativamente con la adición de impurezas específicas en el material intrínseco. El
material extrínseco es el que se le ha sometido a un proceso de dopado agregando tales
impurezas. Existen dos tipos de materiales extrínsecos para fabricar dispositivos
semiconductores: materiales tipo n y tipo p.

El proceso de dopado se lleva a cabo mediante el uso de un sustrato de material

intrínseco para someterlo a procesos químicos en los que se agregan las impurezas
específicas para convertir parte de ese material del sustrato en un material tipo n y otra
parte en material tipo p.

Material tipo n

Como ejemplo del proceso de dopado, se utilizará un sustrato de silicio. Sin embargo, la
explicación puede extenderse fácilmente a los materiales de germanio y de arseniuro de
galio. Para construir un material de tipo n se utilizan impurezas específicas con elementos
que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes). Por ejemplo: el antimonio
(Sb), el arsénico (As) o el fósforo (P). A este tipo de materiales se les conoce como átomos
donadores, ya que aportan un electrón libre al material tipo n que no está enlazado a
ningún otro átomo de la estructura cristalina del sustrato original; estos átomos
construyen enlaces covalentes con cuatro electrones de silicio, quedando el electrón
mencionado libre para circular por el material tipo n.

Material tipo p

Para formar un material de tipo p se utiliza un material de sustrato, como de silicio,

dopándolo con impurezas de átomos que tienen tres electrones de valencia, como el boro
(B), el galio (Ga) y el indio (In). La introducción de estas impurezas produce un número
insuficiente de electrones para completar los cuatro enlaces covalentes originales del
sustrato. A esta falta de un electrón se le llama hueco. Se representa con un signo más (+)
para indicar la ausencia de una carga eléctrica negativa (-), no para representar la
existencia de una carga positiva verdadera. Cuando un electrón de valencia adquiere
suficiente energía como para separarse del enlace covalente, llena el hueco que existe en
el átomo de impureza, creando un flujo de electrones y huecos en sentido contrario. Cabe
notar que la corriente convencional se considera el flujo de cargas positivas (en realidad lo
que circula son cargas negativas; electrones).

En un material tipo n, a los electrones libres aportados por el material de dopado se les
llama portadores mayoritarios y a los huecos que pudieran surgir por las impurezas no
deseadas en el material intrínseco se les llama portadores minoritarios. Por el contrario,
en el material tipo p los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones
generados por impurezas no deseadas se les llama portadores minoritarios.

1.3 Diodo semiconductor

La construcción de un diodo semiconductor se realiza dopando una parte del sustrato de

material con impurezas para convertirlo en material tipo n. Luego, se realiza un nuevo
dopado con impurezas para generar material tipo p. Estas dos regiones del material se
construyen una al lado de la otra para lograr una unión de los dos materiales llamada
unión np. Después de hacer los cortes necesarios, se conectan terminales conductoras en
cada uno de los extremos de los materiales n y p.

El símbolo del diodo semiconductor, su polarización directa y la relación que tiene con los
materiales n y p se muestran en la siguiente figura:

Figura 1.1 El símbolo del diodo semiconductor, con la polaridad del voltaje, la dirección de
la corriente definida (positiva) y la relación con los materiales n y p.

En la condición de polarización inversa (VD < 0), como se muestra en la Figura 1.4, con una
fuente de voltaje que tiene conectada su terminal positiva al material tipo n y la terminal
negativa al material tipo p, el número de iones en la región de agotamiento se incrementa
por la cantidad importante de electrones que son atraídos por el potencial positivo de la
fuente de voltaje, así como los huecos son atraídos hacia el potencial negativo de la
fuente. Como consecuencia, la región de agotamiento crece provocando que no exista
corriente en el sentido convencional del diodo. Sin embargo, debido al número limitado
de portadores minoritarios, produce una corriente llamada de saturación inversa Is que es
muy pequeña.
 Figura 1.2 Diodo en polarización inversa.

Cuando se aplica un voltaje con polarización inversa a la convencional en el diodo, la

corriente que circula también es inversa a lo convencional, pero con una magnitud muy
pequeña que se puede considerar cercana a cero.

Cuando el diodo está conectado con polarización directa (ID > 0), como se muestra en la
Figura 1.3, se le ha aplicado un voltaje positivo con respecto a la polarización
convencional. Es decir, el potencial positivo del voltaje está conectado al material tipo p y
el potencial negativo está conectado al material tipo n. Esta polarización impulsa a los
electrones libres del material tipo n y a los huecos del material tipo p, recombinándose
con los iones que están cercanos a la zona de agotamiento, reduciendo esta en tamaño y
provocando un flujo intenso de portadores mayoritarios a través de la unión.

Figura 1.3 Diodo en polarización directa.

Cuando se aplica un voltaje con polarización directa de acuerdo con la convencional en el

diodo, la corriente que circula también es directa correspondiendo con la convencional y
cuya magnitud depende de las condiciones externas del circuito.

Existen varias características más del diodo semiconductor que están fuera del alcance de
este curso (sin duda su estudio sería interesante para las personas que desean
profundizar en el tema de la física de los semiconductores). La Figura 1.4 resume los
modelos que podemos utilizar para los diodos semiconductores de acuerdo con las
condiciones del circuito al que está conectado el diodo.
 Figura 1.4 Modelos del diodo.

Podemos observar que las características de un diodo ideal son las siguientes:

1. Cuando tiene polarización directa el voltaje de diodo VD = 0 y la corriente está

dada por el circuito externo. Para la polarización inversa con voltajes de diodo
negativos, la corriente de diodo es ID = 0. Este modelo lo podemos usar siempre
que se cumplan las condiciones Rred >> rprom y Ered >> VK, las cuales indican que
la resistencia equivalente del circuito externo es mucho mayor que la resistencia
promedio del diodo y que el voltaje de la fuente que se está aplicando al diodo es
mucho mayor que el voltaje de rodilla.
2. Cuando el voltaje de la fuente aplicada al diodo es comparable al voltaje de rodilla
del diodo, debemos utilizar el modelo simplificado, lo que indica que sí se cumple
la condición de que la resistencia equivalente del circuito externo es mucho mayor
que la resistencia promedio del diodo.
3. Si ninguna de las condiciones se cumple, ya sea que el voltaje de la fuente es
mucho mayor que el voltaje de rodilla del diodo o que la resistencia equivalente
del circuito externo es mucho mayor que la resistencia promedio del diodo,
entonces debemos utilizar el modelo por segmentos para tomar en cuenta las
características completas del modelo del diodo.

Puedes emplear el siguiente simulador http://www.falstad.com/circuit/e-

diodevar.html para comprender el concepto de operación. Realiza cambios en el nivel de
voltaje aplicado al diodo y observa cómo se comporta el flujo de la corriente.
Encapsulado de diodos

Una vez construidos, los diodos se hospedan en cápsulas plásticas o metálicas. La cápsula
protege al diodo de la humedad y los contaminantes, sirve como disipador de calor,
proporciona los pines de acceso y facilita su manipulación e identificación.
Consulta la siguiente liga del Tema 3: El diodo de unión, donde podrás conocer más sobre
la operación y características del diodo:

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/TEMA3.htm

1.4 Circuitos con diodo

Una de las principales aplicaciones del diodo es como rectificador en las fuentes de
alimentación. Esta se detalla en el tema 4 de este primer módulo. A continuación,
revisaremos algunas otras aplicaciones comunes en donde utilizaremos el modelo
simplificado (se considerará que la resistencia del diodo en conducción es muy pequeña
en comparación con las resistencias presentes en el circuito).

Así, consideramos que un diodo está en conducción si la corriente que circula por él
coincide con la flecha de su símbolo y el voltaje de umbral es mayor o igual a 0.7 V para
silicio (Si), 0.3 V para germanio (Ge) o 1.2 V para arseniuro de galio (GaAs).

Diodo en serie
Considera el circuito de la figura y determina V1, V2, Vo e I.

Figura 1.5 Circuito con diodo en serie (valor de las resistencias en Ohm).

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla indicada, tenemos lo siguiente:

Con este dato, podemos calcular los voltajes V1 y V2.

Observando la malla de salida del circuito, tenemos que .

Entonces, .

Diodo en paralelo
Considera los diodos en paralelo de la figura (ambos del tipo de silicio). Calcula I, V0, I1 e
I2.
 Figura 1.6 Circuito con diodos en paralelo.

Como ambos diodos son de silicio, se pueden reemplazar por su

equivalente ya que está en paralelo con la salida. Así, el voltaje en R es
el siguiente:

Entonces,

Dado que ambos diodos son iguales, , así se limita la cantidad

de corriente que circula por ellos, manteniendo una caída de potencial idéntica de 0.7 V

Recortador en serie
Considera que al siguiente circuito se le aplica una señal senoidal cuyo voltaje máximo es
de 20 V. Utilizando el modelo ideal del diodo, determina el voltaje de salida.

Figura 1.7 Circuito recortador en serie.

En la figura, se observa que el voltaje de salida es la caída de potencial presente en R. A

continuación, se describen los posibles casos que ocurren en la señal de entrada:

• Si v(t)= 0 V, D conduce debido a E1 y V0= 5V.

• Si v(t)= 20 V, D sigue conduciendo y V0= v(t)+ 5V= 25 V.
• Si v(t)= -20 V, D no conduce y V0= 0 V.

El momento de transición de un estado a otro cuando el semiciclo positivo cruza el eje de

0 V y que V0= 0 V es Entonces, v(t)= -5 V. La siguiente figura muestra la forma
de onda de v0:
 Figura 1.8 Forma de onda resultante
Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2018). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos (11ª ed.). México: Pearson Educación.

Recortador en paralelo

Al circuito de la figura se aplica una señal triangular con Vm= 20 V. Determina v0.

Figura 1.9 Circuito recortador en paralelo.

En este circuito, el voltaje de salida se define como la combinación en serie del diodo y la
fuente de 5 V.

• Cuando el diodo conduce (durante el semiciclo negativo de la entrada), V0 = 5 V.

• Cuando el diodo no conduce (durante el semiciclo positivo de la entrada), V0 = v(t).

La siguiente figura muestra la forma de onda del voltaje de salida:

Explicación del tema 2

Tema 2. Principios de operación de los transistores bipolares

Introducción

Fue en 1947 cuando la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo campo

de interés y desarrollo (Boylestad y Nashelsky, 2009). El 23 de diciembre de 1947, Walter
H. Brattain y John Bardeen demostraron la función amplificadora del primer transistor en
los laboratorios Bell. En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión,
dispositivo semiconductor que puede amplificar señales eléctricas.

Explicación

2.1 Configuraciones básicas

Una vez estudiado el diodo, que es el dispositivo semiconductor de dos terminales más
elemental, centraremos nuestra atención en el estudio de los dispositivos
semiconductores de tres terminales.

El transistor de unión bipolar (BJT = Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo que se

compone de tres capas alternas de material semiconductor. Las capas alternas
proporcionan el nombre comercial común de cada uno: NPN y PNP. Este dispositivo tiene
características que lo hacen particularmente útil en circuitos de conmutación y
procesamiento de señal.

Figura 2.1 Geometría simple de transistores bipolares y su símbolo de circuito

La estructura real del transistor bipolar es considerablemente más complicada que los
diagrama de bloque de la figura. Un punto importante es que el dispositivo no es
eléctricamente simétrico. Esta asimetría ocurre debido a que las geometrías de las
regiones del emisor (E) y del colector (C) no son las mismas, ya que las concentraciones
de las impurezas agregadas en las tres regiones son sustancialmente diferentes. Las
capas externas, colector y emisor tienen un grosor mucho mayor que el de la base (B) con
una relación aproximada de 150:1.

Transistor npn: operación en modo activo directo

Puesto que el transistor tiene dos uniones PN, pueden

aplicarse cuatro combinaciones de polarización posibles al dispositivo, dependiendo de si
se aplica una polarización directa o inversa en cada unión.
Para su correcta operación, el BJT deberá polarizarse de la siguiente manera:

Para un transistor tipo NPN:

• La unión NP de entrada (Emisor-Base) debe polarizarse de manera directa, VBE.

• La unión PN de salida (Base-Colector) debe polarizarse de manera inversa, VCB

Para un transistor tipo PNP

• La unión PN de entrada (Emisor-Base) se polariza de forma directa, VEB.

• La unión NP de salida (Base-Colector) se polariza de forma inversa, VBC.

(a) (b)

Figura 2.2 Polarización del transistor tipo (a) NPN, (b) PNP

Si el transistor se emplea como un dispositivo amplificador, la unión base-emisor (B-E) se

polariza directamente y la unión base-colector (B-C) se polariza inversamente, en una
configuración llamada modo de operación activo directo, o simplemente región activa. La
razón de esta combinación de polarización se ilustrará cuando consideremos la operación
de tales transistores y las características de los circuitos que los usan.

• Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación de un

transistor NPN:
Falstad. (2016, 7 de diciembre). NPN Transistor. Archivo recuperado
de: http://www.falstad.com/circuit/e-npn.html
• Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación de un
transistor PNP:
Falstad. (2016, 7 de diciembre). PNP Transistor. Archivo recuperado
de: http://www.falstad.com/circuit/e-pnp.html
• Realiza cambios en el voltaje de la base y del colector para evaluar su efecto.

Corrientes del transistor

La figura muestra un transistor bipolar NPN ideal polarizado en el modo activo directo.
Puesto que la unión B-E está polarizada directamente, los electrones del emisor se
inyectan a través de la unión B-E hacia la base, creando una concentración de portadores
minoritarios en exceso en la base. En vista de que la unión B-C está polarizada
inversamente, la concentración de electrones en el borde de la unión es
aproximadamente cero.

Figura 2.3 Corriente en el transistor tipo NPN

Si la concentración de electrones en el emisor tipo n es mucho mayor que la

concentración de huecos en la base tipo p, entonces el número de electrones inyectados
en la base será mucho mayor que el número de huecos inyectados en el emisor. Esto
significa que la componente IB de la corriente de base será mucho más pequeña que la
corriente de colector. Además, si el ancho de la base es pequeño, entonces el número de
electrones que se recombina en la base será pequeño, y la componente de la corriente de
la base resultará mucho más pequeña que la corriente de colector.
Configuraciones del transistor

Los parámetros fundamentales de las tres configuraciones del BJT se muestran en la

siguiente tabla;

B común E común C común

Parámetro
Entrada IE y VBE IB y VBE IB y VBC

Salida IC y VCB IC y VCE IE y VCE

Ganancia

Principal No aporta Es la Se utiliza para

característica ganancia de configuración acoplamiento de
corriente ( ). más impedancia, ya
Es utilizado comúnmente que tiene una
principalmente en usada. Se utiliza alta impedancia
su región de corte como de entrada y baja
y saturación. conmutador impedancia de
(corte-saturación) salida.
o como
 amplificador
(región activa).

Ganancia de corriente del emisor común

En el transistor, la razón de flujo de electrones y la corriente de colector resultante son

una función exponencial del voltaje B-E, como lo es la corriente de base resultante. Esto
significa que la corriente de colector (IC ) y la corriente de base (IB ) se relacionan
linealmente. En consecuencia, es posible escribir, lo siguiente:

El parámetro es la ganancia de corriente del emisor común y es un parámetro clave del

transistor bipolar. En una situación idealizada, se considera constante para cualquier
transistor dado. El valor de suele estar en el intervalo de 50 < < 300, aunque puede
ser más pequeño o más grande en dispositivos especiales.

La figura muestra un transistor bipolar NPN en un circuito.

Debido a que el emisor es la conexión común, entre la malla de entrada y la malla de

salida, este circuito se conoce como una configuración de emisor común. Cuando el
transistor está polarizado en el modo activo directo, la unión B-E está polarizada
directamente y la unión B-C inversamente. Mediante el uso del modelo lineal por
secciones de una unión PN, suponemos que el voltaje B-E es igual al VBE (activado), el
voltaje de encendido de la unión, esto es 0.7 V.
Puesto que el voltaje de la fuente de alimentación debe ser
suficientemente grande para mantener la unión B-C polarizada inversamente. La
corriente de la base es establecida por V BB y RB, y la corriente de colector resultante
es

Características de salida de un transistor de silicio en configuración emisor común.

Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2018). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

Cuando un transistor se polariza en el modo activo directo, las relaciones fundamentales

entre las diferentes corrientes de las terminales del transistor bipolar son las siguientes:
Antes de pasar a las tareas de análisis, es conveniente introducir los equivalentes
circuitales de los transistores NPN y PNP. Favor de seleccionar los circuitos
equivalentes aquí.

2.2 Análisis en CD de circuitos transistorizados

El modelo lineal por secciones de una unión PN puede emplearse para el análisis en CD
de circuitos con transistores bipolares. La figura muestra un circuito de emisor común con
un transistor NPN y la figura b muestra el circuito equivalente en CD.

Aplicando la LVK en la malla de entrada, la corriente de base es la siguiente:

Implícito en la ecuación, se encuentra el hecho de que VBB > VBE, lo cual significa que IB >
0. Para efectos de análisis se considera que VBE=0.7

• Cuando VBB < VBE, el transistor está en corte e IB = 0.

• Cuando VCE = 0, el transistor entra en saturación e IC=ICMAX.

En la malla de salida (porción de colector-emisor), podemos escribir lo siguiente:

De donde se obtiene:
Recordando que

Estamos asumiendo implícitamente que VCE > VBE, lo cual significa que la unión B-C está
polarizada inversamente y el transistor está polarizado en el modo activo directo.

Ejemplo:

Si RB = 470 kΩ, VBB = 3 V, Rc = 10 kΩ, β = 100 y VCC = 12 V, calcula las corrientes y los
voltajes.

Solución

De la malla de entrada
La corriente de colector será entonces:
De la malla de salida :

Encapsulado

Los transistores se fabrican en serie, formando simultáneamente varios cientos o millares

de unidades sobre una oblea semiconductora y luego cortándolos uno por uno. Las
técnicas de fabricación más utilizadas son la aleación, la difusión, el proceso planar y el
crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores, se encierran en cápsulas
plásticas o metálicas. La cápsula protege el transistor de la humedad y los contaminantes,
sirve como disipador de calor, proporciona los pines de acceso, y facilita su manipulación
e identificación.

2.3 Aplicaciones básicas del transistor

Los transistores pueden emplearse para conmutar corrientes, voltajes y potencia,

efectuar funciones lógicas digitales y amplificar señales que varían en el tiempo.

A) Transistor en conmutación
Con el interruptor en la posición abierta, y, en consecuencia, , el
transistor no conduce y se encuentra en estado
de corte, donde .

Cuando el interruptor se cierra, el transistor conduce y se encuentra en estado

de saturación:

Malla de entrada

Malla de salida
B) Aplicación. Si tenemos en la entrada una onda cuadrada:

Como se observa, la señal de salida es invertida con respecto a su polaridad, sin embargo,
el nivel de voltaje de entrada a la base puede ser significativamente más pequeña que el
voltaje VCC que se maneja; así, este circuito permite manejar voltajes mayores (por
ejemplo, 24 V) con voltajes de control pequeños (por ejemplo, 5 V).

C) Acción amplificadora del transistor

Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, podemos introducir la acción

amplificadora del transistor a un nivel superficial utilizando la red de la figura.
Aplicando LVK a la malla de entrada:

Ahora aplicando LVK a la malla de salida:

La amplificación del voltaje es entonces:

La acción amplificadora básica se produjo al transferir la corriente de la fuente de un

circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de los dos términos produce la
etiqueta transistor, es decir:

Puedes conocer más sobre los transistores consultando la siguiente página:

Universidad del país vasco. (2016). Campus Gipuzkoa-El transistor de unión bipolar BJT.
Archivo recuperado
de http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/TEMA6.htm
Explicación del tema 3

Tema 3. Transistores de efecto de campo

Introducción

El transistor de efecto de campo (FET = Field Effect

Transistor) deriva su nombre de la esencia de su operación física. El FET es un dispositivo
de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que
coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor bipolar. En esta
sección consideraremos la operación y características del transistor de unión de efecto de
campo (JFET = Junction Field Effect Transistor). Al igual que otros tipos de FET, el JFET se
fabrica en dos polaridades: canal-n y canal-p.

El MOSFET (MOSFET = Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) se ha convertido

en uno de los dispositivos más importantes en los chips procesadores y de memoria para
computadores digitales. En comparación con los BJT, los MOSFET pueden ser muy
pequeños y su proceso de manufactura es relativamente sencillo. Los MOSFET se
desglosan en tipo empobrecimiento (depletion-type) y en tipo enriquecimiento
(enhancement-type), y después cada uno en canal-n y canal-p.

Explicación

3.1 Características de los JFET’s

En un transistor de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) la acción de control de la

corriente entre dos de sus terminales se establece mediante la creación de un campo
eléctrico a partir de la tercera terminal, controlando el paso de los electrones libres o los
huecos. Al igual que en los transistores BJT existen las configuraciones NPN y PNP, para
los FET existen los transistores de canal n y los de canal p.
 Figura 3.1 Construcción del JFET

En el caso del JFET de canal n, que es el más usado de los dos, el voltaje VGS de entrada que
se aplica es negativo, mientras que el voltaje VDS es positivo; la corriente ID es positiva en
el sentido convencional de la corriente. Por otro lado, en un JFET de canal p el voltaje VGS de
entrada es positivo, mientras que el voltaje VDS es negativo; la corriente ID es positiva en el
sentido convencional de la corriente.

El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras para dar
lugar a configuraciones de amplificadores de señal, interruptores controlados, etcétera.
Sin embargo, no son las únicas aplicaciones.

JFET canal n

El FET se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal Drenador (Drain)

se polariza positivamente con respecto a la terminal del Surtidor (Source), y
la Compuerta (Gate) se polariza negativamente con respecto al Surtidor.

Figura 3.2 Polarización del JFET canal N

La región en que la corriente del ID es constante se llama región de saturación o región

de estrangulamiento o región activa.

Característica de transferencia

No existe una relación lineal entre la entrada y la salida en un JFET, la relación entre I D y
VGS se define por la ecuación de Shockley:
Donde VGS es la variable de control y Vp e IDSS son constantes especificadas por el fabricante.
La forma gráfica de esta función recibe el nombre de curva de transferencia. El término
cuadrático dará por resultado una relación no lineal entre I D y VGS produciendo una curva
que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V GS. La curva más
ampliamente usada para el análisis de circuitos con FET es precisamente la curva de I D en
función de VGS, por lo tanto, solo dando valores de IDSS y Vpen la ecuación de Shockley se
definen los límites de la curva de transferencia y solo resta encontrar unos cuantos
puntos intermedios para completar la curva de transferencia.

Figura 3.3 Características de un JFET canal n con IDSS= 8mA y Vp= -4V.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

A continuación, visualiza unos gráficos de resumen aquí.

3.2 Características del MOSFET’s

El nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de óxido

metálico (Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) y, ya que hay diferencias en las
características y operación de los diferentes tipos de MOSFET, se abordan en secciones
distintas. La característica principal del MOSFET de empobrecimiento es que su
funcionamiento es muy parecido al de un JFET, solo que es más rápido y permite valores
de voltaje VGS, tanto positivos como negativos.
 Figura 3.4 Construcción y característica de transferencia para un MOSFET tipo empobrecimiento canal N

A continuación, visualiza unos gráficos del MOSFET de empobrecimientoaquí.

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los
MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del
MOSFET tipo enriquecimiento son muy diferentes a los anteriores. La curva de
transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y el control de corriente en un
dispositivo de canal N ahora se ve afectado por un voltaje positivo V GS en lugar de por los
voltajes negativos encontrados en los JFET de canal N y en los MOSFET tipo
empobrecimiento de canal N.
 Figura 3.5 Construcción y característica de transferencia para un MOSFET tipo enriquecimiento canal N.

Por su parte, los MOSFETS de enriquecimiento tienen características muy semejantes a

los de empobrecimiento, solo que estos funcionan con voltajes VGS positivos.

A continuación, visualiza unos gráficos del MOSFET de enriquecimiento aquí.

Prueba la siguiente simulación para experimentar acerca de la operación del MOSFET
canal n, realiza cambios en el voltaje de compuerta (Gate Voltage) para evaluar su efecto:

Falstad. (2016, 7 de diciembre). n-MOSFET. Archivo recuperado

de: http://www.falstad.com/circuit/e-nmosfet.html
 Esta pantalla se obtuvo directamente del software que se está explicando en la
computadora, para fines educativos.

También puedes experimentar con la simulación de la operación del MOSFET canal p,

realiza cambios en el voltaje de compuerta (Gate Voltage) para evaluar su efecto

Falstad. (2016, 7 de diciembre). p-MOSFET. Archivo recuperado

de http://www.falstad.com/circuit/e-pmosfet.html

Los símbolos gráficos para el JFET, MOSFET tipo empobrecimiento y MOSFET tipo
enriquecimiento de canales n y p se proporcionan en la siguiente figura.
 Figura 3.6 Símbolos de JFET y MOSFET

3.3 Configuraciones para JFET y MOSFET

Cuando un FET se polariza en la región activa, las relaciones fundamentales entre las

diferentes corrientes de las terminales del transistor son

La ecuación de Schockley se aplica a los JFET y a los MOSFET tipo empobrecimiento:

Para los MOSFET tipo enriquecimiento, la siguiente ecuación es aplicable:

Para visualizar las configuraciones de polarización de los FET, haz clic aquí.
Ejemplo:

Si el JFET se caracteriza por IDSS = 12 mA y Vp = - 4 V. Encontrar el valor de VDD tal que el JFET
opere en la región activa (o de corriente constante).

El valor mínimo de VDS para que el JFET opere en región activa es V DS = VGS – Vp = 4 V

Como VGS = 0

Para aprender sobre FET y MOSFET, visualiza el siguiente video:

Haz clic en el ícono para ver el video

TutoElectro (2009,28 de julio). Tutorial de Electrónica Básica 7: Transistores (FET y MOSFET) [Archivo de video].
Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=2kvajfSCMd0
Encapsulado

Al igual que los BJT, los FET se fabrican en serie, formando simultáneamente varios cientos
o millares de unidades sobre una oblea semiconductora y luego cortándolos uno por uno.
Las técnicas de fabricación más utilizadas son la aleación, la difusión, el proceso planar y
el crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores, se hospedan en cápsulas
plásticas o metálicas. La cápsula protege al transistor de la humedad y los contaminantes,
también sirve como disipador de calor, proporciona los pines de acceso y facilita su
manipulación e identificación.
Explicación del tema 4

Tema 4. Introducción a la electrónica de potencia

Introducción

Se denomina electrónica de potencia a la rama de la ingeniería electrónica que se

refiere a la aplicación de dispositivos electrónicos (principalmente semiconductores) al
control y transformación de potencia eléctrica.

La electrónica de potencia tiene muchos usos variados, desde los diodos presentes en
todas las fuentes de poder de los equipos electrónicos, hasta el control de la corriente en
los equipos de radar y máquinas soldadoras. Otra rama de la electrónica de potencia es el
amplificador electrónico para mover actuadores de todo tipo, equipos de audio y video
que se usan muy extensamente en nuestros días.

Haz clic en el ícono para ver el video.

biWy Mecatrónica. (2016, 8 de julio). Introducción a la Electrónica de Potencia [Archivo de video]. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=obWB5-agrX8

Explicación

De todo este ámbito de la electrónica de potencia, nos concentraremos solo en dos temas
de suma importancia: las fuentes de poder y los amplificadores de potencia.
 Figura 4.1 Diagrama de bloque de una fuente de poder.

4.1 Circuitos rectificadores

Haz clic en el ícono para ver el video.

Juan D. Aguilar Peña. (2011, 16 de febrero). Introducción a las fuentes de alimentación [Archivo de video].
Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=z5w37WA9eMM

La rectificación es el proceso de convertir un voltaje alterno (CA) en uno que está

limitado a una polaridad. El diodo es útil para esta función debido a sus características no
lineales; la corriente existe para una polaridad de voltaje, pero es esencialmente cero para
la polaridad opuesta.

La rectificación se clasifica como de media onda u onda completa, siendo la de media

onda la más simple. Una aplicación importante de los diodos en los circuitos electrónicos
es la conversión de un voltaje de CA a un voltaje de CD, tal como el correspondiente al de
una fuente de alimentación de CD, la cual se usa para polarizar circuitos y sistemas
electrónicos. Los circuitos rectificadores que contienen diodos efectúan esta conversión.

Rectificador de media onda

En la Figura 4.2, se puede observar el circuito más simple para alimentar una carga que
necesita solo valores de voltaje positivos, así que es necesario dejar pasar la corriente que
provoque un voltaje positivo en la carga, bloqueando la corriente que pudiera producir un
voltaje negativo.

Como se puede ver en la Figura 4.2 (a), el diodo tiene polarización directa cuando el
voltaje de la fuente es positivo, por lo que deja circular la corriente a través de este y
provoca una corriente en la carga, como se muestra en la Figura 4.2 (b). Sin embargo,
cuando el voltaje de la fuente toma valores negativos, el diodo está polarizado
inversamente y bloquea el paso de corriente en el sentido inverso al anterior, como se
muestra en la Figura 4.2 (c). El resultado final es que solo la corriente positiva circulará por
la carga.

Figura 4.2 Rectificador de media onda.

(a) El circuito rectificador de media onda se compone solamente de la fuente de CA, un

diodo rectificador y la carga que se va a alimentar.
(b) El diodo está polarizado directamente durante el medio ciclo positivo de la fuente de
voltaje, por lo tanto permite el paso de corriente y provoca un voltaje positivo en la carga.
(c) El diodo tiene polarización inversa durante el medio ciclo negativo de la fuente de
voltaje, bloqueando el paso de corriente en el sentido inverso.

El voltaje de salidavO se muestra en la Figura 4.3.

 Figura 4.3 Señal rectificada de media onda

En esta señal, se puede observar que el voltaje de salida V0 es igual a la señal de entrada
para el medio ciclo positivo, mientras que la salida es igual a 0 (cero) para el medio ciclo
negativo. Aunque el valor del voltaje de salida todavía es cambiante, solo toma valores
positivos (eso ya se considera una señal de CD).

El valor promedio de la señal de CD está dado por Vcd = 0.318Vm para un diodo ideal.

Rectificador de onda completa de puente

El circuito rectificador de onda completa de puente se puede observar en la Figura 4.4.

 Figura 4.4 Rectificador de onda completa de puente.

Nota: el circuito puede simplificarse dibujando la resistencia RL dentro del puente de

diodos.

Cuando el voltaje de la fuente Vi se encuentra en el medio ciclo positivo, la unión entre los
diodos D1 y D2 está conectada a ese potencial positivo de la fuente, mientras que la unión
entre los diodos D3 y D4 está en el potencial negativo de la fuente. En este caso, el diodo
D1 bloquea la corriente porque tiene polarización inversa, pero el diodo D2 deja pasar la
corriente porque tiene polarización directa.

Cuando la corriente llega a la unión de los diodos D2, D4 y la resistencia RL, el diodo D4
bloquea la corriente debido a su polarización inversa. Por lo tanto, la corriente circula por
RL, provocando un voltaje positivo en Vo con la polaridad indicada en la figura.

Cuando la corriente llega a la unión de D1, D3 y RL, D1 está en polarización inversa. Por lo
tanto, no conduce la corriente. En cambio, D3 se encuentra en polarización directa y la
corriente circula a través de este, llegando a su destino en la terminal negativa de la
fuente.

Se puede hacer un análisis similar cuando la fuente Vi se encuentra en el medio ciclo

negativo. D3 no conduce, pero D4 sí; D2 no conduce, pero RL sí. Esto provoca nuevamente
un voltaje positivo en Vo. Luego, D3 no conduce, pero D1 sí. Así se llega al potencial
negativo que tiene ahora la fuente en ese punto.

Figura 4.5 Señal rectificada de onda completa.

En la gráfica de la Figura 4.5, se puede observar que el voltaje de salida Vo es igual a la

señal de entrada para cada medio ciclo tanto positivo como negativo. Aunque el valor del
voltaje de salida todavía es cambiante, solo toma valores positivos (eso ya se considera
una señal de CD).

El valor promedio de la señal de CD está dado por Vcd = 0.636Vm para un diodo ideal.

Para mayor información sobre este tema, te sugerimos consultar Tema 4. Circuitos con
diodos disponible
en http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/TEMA4.htm

4.2 Otros diodos

Los diodos rectificadores son los tipos más comunes, pero la rectificación no es todo lo
que un diodo puede hacer.

Diodo Zener

Es un diodo de silicio que el fabricante ha optimizado para trabajar en la zona de

disrupción. El diodo Zener es la columna vertebral de los reguladores de voltaje y los
circuitos que mantienen prácticamente constante el voltaje en la carga a pesar de las
variaciones de voltaje en la red y en la resistencia de carga.

Diodo Schottky

A medida que aumenta la frecuencia, el funcionamiento de los diodos rectificadores de

pequeña señal comienza a deteriorarse. Ya no pueden conmutar tan rápidamente para
generar una señal de media onda bien definida. La solución al problema se encuentra en
los diodos Schottky, los cuales son dispositivos de alta corriente capaces de conmutar
rápidamente, a la vez que proporcionan corrientes en directa en el orden de los 50 A.
Presentan voltajes de disrupción bajos comparados con los diodos rectificadores de unión
pn.

El varactor
También denominado condensador controlado por tensión, varicap, epicap y diodo de
sintonización. Se emplea en receptores de televisión, receptores FM y equipos de
comunicación.

Diodo emisor de luz (LED)

Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o
invisible (infrarroja) cuando se energiza.

Haz clic en el ícono para ver el video

Daniel Aguilar. (2016, 11 de abril). Diodos: tipos y aplicaciones. [Archivo de video]. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=ZeQfz6jIEbk

4.3 Amplificadores de potencia

Cuando utilizamos un equipo electrónico, generalmente no reflexionamos de dónde viene

la potencia que hace que ese equipo trabaje. Una buena pista es que todos los equipos
necesitan una fuente de energía o alimentación de voltaje, ya sea a través de un arreglo
de pilas, una batería o la fuente de suministro eléctrico de la compañía. Otro indicio lo
podemos encontrar en la fuente de la información que utiliza el equipo electrónico. Por
ejemplo, los bits almacenados en una unidad de disco duro.

Uniendo esos dos conceptos, podemos concluir que la mayoría de los equipos
electrónicos utilizan una fuente de información cuyo origen físico es un dispositivo
transductor que convierte una señal física de baja potencia en una señal electrónica con
potencia aún más baja. Luego, esta señal la toman las etapas de amplificación para
hacerla más adecuada para su utilización y, sobre todo, más potente para manejar los
dispositivos de salida que generalmente utilizan mucha potencia para operar.

En términos generales, la señal que se lee con la cabeza lectora de un disco duro necesita
ser amplificada para utilizarse en el CPU de una computadora, mientras que la señal que
recibe una antena de TV debe ser amplificada para poder reproducirse en la pantalla.

Los amplificadores de potencia o de señal grande proporcionan la suficiente potencia a

una carga (usualmente de baja impedancia), por lo general desde algunos watts hasta
decenas de watts.

Las características principales de un amplificador de potencia son la eficiencia de

potencia del circuito, la máxima potencia que el circuito es capaz de manejar y el
acoplamiento de impedancias con el dispositivo de salida. Un método utilizado para
categorizar amplificadores es por clase. Básicamente, las clases de
amplificadores representan la cantidad de variación de la señal de salida en un ciclo de
operación durante el ciclo completo de la señal de entrada. A continuación, veremos una
descripción breve de las clases de amplificadores de potencia.

Clasificación de los amplificadores de potencia

Amplificadores clase A
En este tipo de amplificadores, un solo transistor de potencia maneja toda la señal de
entrada, tanto la parte de valores positivos como los negativos. Para estos amplificadores,
el punto de operación o polarización de CD, el valor de ICQ, se encuentra
aproximadamente a la mitad de la zona activa del transistor.

Amplificadores clase B
Un circuito clase B proporciona una señal que varía durante la mitad del ciclo de la señal
de entrada o durante 180° de la señal. El punto de polarización de CD de la clase B es, por
consiguiente, de 0 V. Obviamente, la salida no es una reproducción fiel de la entrada si
solo hay un semiciclo.

Amplificadores clase AB
El punto de operación de este tipo de amplificadores está entre los de la clase A y la clase
B,con un valor de la corriente de colector ICQ sobre un valor superior a cero, pero menor
que la mitad de la recta de carga. Esta configuración se utiliza para optimizar la
distribución de potencia alrededor de la zona donde ocurre la mayor parte del trabajo de
amplificación y para evitar la distorsión de cruce generada por una configuración de clase
B.

Amplificadores clase C
Este tipo de amplificador no está diseñado para uso en potencia. Es un circuito que se
comporta casi como clase B para la mayoría de las frecuencias de entrada, pero funciona
como un amplificador de clase A para una frecuencia específica. Por lo tanto, este es un
circuito sintonizado para uso en telecomunicaciones.
Explicación del tema 5

Tema 5. Tiristores bidireccionales

Introducción

Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados

estables y cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa de una
estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el más
empleado es el rectificador controlado de silicio (SCR). Se usa principalmente en la
rama de electrónica de potencia y en el ámbito de control. Por ejemplo, para controlar la
velocidad de motores, para variar la intensidad de la luminosidad de las lámparas, para
controlar los dispositivos de alta corriente como soldadoras de puntos, sistemas de
encendido de motores de combustión interna, circuitos de alarma, control de alumbrado
de emergencia, entre otros. Existen también algunas otras aplicaciones de baja potencia,
como los generadores de señal de diente de sierra y otras.

Explicación

5.1 El SCR

Existen varios dispositivos construidos con tres uniones np. Entre estos destaca
el rectificador controlado de silicio SCR (Silicon Controlled Rectifier). En la Figura 5.1
podemos ver algunas de sus características.
 Figura 5.1. SCR (a) construcción, (b) símbolo, (c) circuito equivalente de dos transistores.

El SCR es un tiristor unidireccional. Es decir, solo conduce en el sentido del ánodo al

cátodo (dirección de la corriente IA). Por lo tanto, solo conduce en los semiciclos positivos
(de ahí su nombre de rectificador).

Sin embargo, este dispositivo es controlado por la corriente IGT. Si esta corriente es igual a
0 (cero), el SCR no conduce, pero cuando esta corriente alcanza un nivel suficiente, el SCR
conduce. Así que, controlando la corriente IGT, se puede controlar la porción de cada medio
ciclo en el que se conduce la corriente (por ello su nombre de rectificador controlado).

En la gráfica de la figura siguiente, se puede observar la curva característica del SCR y sus
características típicas. Cuando el voltaje VF aumenta, el tiristor no conduce mucha
corriente, pero al llegar al valor de voltaje en conducción en directa V(BR)F el tiristor conduce
la corriente de mantenimiento.
 Figura 5.2 Características del SCR.

Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

Para aprender sobre las partes de un SCR empleando un multímetro, revisa el siguiente
video:

Haz clic en el ícono para ver el video.

Angie Marian. (2013, 12 de octubre). Cómo identificar pines en un SCR (rectificador controlado de silicio) [Archivo
de video]. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=zTB88aQE534&feature=youtu.be&list=PLTMIJSjDaObYCOXTP_-
d84L2pzBw10g0b

5.2 El DIAC

El DIAC es un tiristor de cuatro uniones np que puede conducir en cualquier dirección de

la corriente. No tiene compuerta de control y se usa fundamentalmente en los circuitos de
control de los SCR y de otros tiristores. En la Figura 5.3, podemos ver las características del
DIAC.
 Figura 5.3 El DIAC, símbolo, circuito equivalente y estructura interna.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

Como se observa, las terminales no indican un cátodo, sino el ánodo 1 y 2 (en ocasiones
se nombran como electrodo 1 y 2).

• Cuando el ánodo 1 es positivo (respecto al ánodo 2), las capas que se polarizan
son p1, n2, p2 y n3.
• Cuando el ánodo 2 es positivo (respecto al ánodo 1), las capas que se polarizan
son p2, n2, p1 y n1.

En la siguiente figura, se observa la curva característica del DIAC. Como ya se mencionó,

los tiristores tienen curvas características en las que hay una región de bloqueo en directo
y, al llegar al voltaje de conducción en directa, el dispositivo conduce la corriente de
mantenimiento. Este dispositivo, a diferencia del SCR, puede conducir la corriente en
cualquier sentido. Además, no cuenta con una compuerta de control. Por lo tanto, se usa
la característica en forma estática.
 Figura 5.4 Curva característica de IDIAC.
Fuente: Boylestad, R., y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México:
Pearson Educación.

5.3 El TRIAC

El TRIAC tiene una construcción muy parecida a un DIAC, ya que cuenta con seis
uniones np que agregan un material n en cada extremo del dispositivo. Este tiristor
es bidireccional y cuenta con una compuerta de control que controla la conducción en
cualquier dirección de la corriente, estableciendo cuáles ciclos, medios ciclos o porciones
de medios ciclos se conducen.

La Figura 5.5 muestra el símbolo, la estructura interna de las capas y la curva

característica del TRIAC.