Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
FACULTAD DE INGENIERIA
El presente trabajo tiene como fin dar una contextualizacion acerca de los
materiales semiconductores. En el se exponen: su procedencia e historia, sus
propiedades, su clasificación y sus aplicaciones.
Una vez referidos los temas de interés nombrados anteriormente se pretende
hallar la utilidad de este tipo de materiales, para posteriormente hacer una
asociación con los campos de acción pertinentes a nuestra área de estudio que
es la Ingeniería Industrial y determinar la manera en que estos se pueden
implementar para una posible innovación, optimización, estandarización o
solución de problemas a nivel profesional y porque no en el diario vivir.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
• SILICIO
• GERMANIO
• SELENIO
PROPIEDADES FÍSICAS
CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA
Relación Conductividad/Temperatura
Semiconductores intrínsecos
La conductividad aumenta con la temperatura de forma lineal
rápidamente, ya que los electrones de la banda de valencia se activan
térmicamente saltando a la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos
En la relación conductividad/temperatura podemos diferenciar tres
rangos:
Rango extrínseco: Se da a bajas temperaturas, la conductividad no se ve
muy afectada por el aumento de la temperatura.
Rango de agotamiento ( tipo n) o Rango de saturación (tipo p): donde la
conducción se mantiene constante debido a que los átomos donores y
aceptores se encuentran todos ionizados.
Rango intrínseco: Se da a altas temperaturas, se comporta igual que un
semiconductor intrínseco.
CONDUCTIVIDAD TÉRMICA
Son malos conductores térmicos debido a que los átomos de la red cristalina
están unidos mediante enlaces covalentes que impiden la movilidad de los
átomos y por lo tanto la difusión del calor. Esta propiedad es importante de cara
a sus aplicaciones como componentes electrónicos.
PROPIEDADES MECÁNICAS
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho
de que los electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por
los cuatro átomos vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura en
la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el
semiconductor se comporta como un aislante.
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y
por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga
neta, ni campos eléctricos internos
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Funcionamiento:
Iz max.
La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden
del doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito.
Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de
un enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una
Multiplicación por Avalancha.
Grupo en la Electrones en
Número Nombre del Números de
Tabla Categoría la última
Atómico Elemento valencia
Periódica órbita
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) Va No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico)
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide
El transistor bipolar
La invención y desarrollo del transistor bipolar de difusión se llevó a cabo en los
Bell Telephone Laboratories, donde un grupo de ingenieros electrónicos y
metalúrgicos (W.Schockley, J. Bardeen, W. Brattain) se propusieron la
realización de un amplificador de estado sólido. La denominación transistor
bipolar es debida a la existencia de dos tipos
de portadores –electrones y huecos- y al hecho del cambio de impedancias
entre el circuito de emisor (baja) y el de colector (alta), de donde se genera la
palabra transistor (transfer-resistor). W. Schockley, J. Bardeen, W. Brattain
reciben el premio Nobel de Física en 1956.
Diodo
Termistores
Transistor
Circuito integrado
Amplificador
Oscilador
C.P.U.
Unidad central de proceso o UCP (conocida por sus siglas en inglés, CPU),
circuito microscópico que interpreta y ejecuta instrucciones. La CPU se ocupa
del control y el proceso de datos en las computadoras. Generalmente, la CPU
es un microprocesador fabricado en un chip, un único trozo de silicio que
contiene millones de componentes electrónicos. El microprocesador de la CPU
está formado por una unidad aritmético-lógica que realiza cálculos y
comparaciones, y toma decisiones lógicas (determina si una afirmación es
cierta o falsa mediante las reglas del álgebra de Boole); por una serie de
registros donde se almacena información temporalmente, y por una unidad de
control que interpreta y ejecuta las instrucciones. Para aceptar órdenes del
usuario, acceder a los datos y presentar los resultados, la CPU se comunica a
través de un conjunto de circuitos o conexiones llamado bus. El bus conecta la
CPU a los dispositivos de almacenamiento (por ejemplo, un disco duro), los
dispositivos de entrada (por ejemplo, un teclado o un mouse) y los dispositivos
de salida (por ejemplo, un monitor o una impresora).
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFIA
http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/materiales-
semiconductores.pdf
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.p
df
http://es.scribd.com/doc/39573177/Electronica-de-dispositivos
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm