UNIVERSIDAD

TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL
AVELLANEDA
Dispositivos Electrónicos – 2021

Transistor Bipolar de Juntura

Tiempo de transito en la base

El tiempo de transito de los portadores minoritarios a través de la base cuasi neutral en el

transistor con polarización activa es un parámetro significativo. El retraso en el tiempo de
transito fue la limitación sobre el comportamiento transitorio de los primeros transistores.

Figura 1: Perfil de portadores minoritarios en la base

La carga de portadores minoritarios en exceso en la base en polarización activa es:

#!
𝑞! = # 𝑞𝐴𝑛" (𝑥)𝑑𝑥
$

La carga inyectada 𝑞! lleva la corriente de colector que fluye debido a la acción de

transistor entre el emisor y el colector, por lo tanto, el tiempo de transito de la base 𝜏 %
necesario para transferencia de los portadores minoritarios a través de la base es

𝑞!
𝜏% =
𝐼&

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Transistor Bipolar de Juntura – Tiempo de transito en la base 2

Dado el perfil casi lineal1 de la base, podemos aproximar 𝑞! como el área del triangulo
formado por el perfil de portadores minoritarios:
𝑞𝐴𝑛' (0)𝑊! 𝑞𝐴𝑊! 𝑛'$ (𝑒 (!" ⁄(# )
𝑞! = =
2 2

sabemos que 𝐼& es la difusión de los minoritarios en la base,

𝑞𝐴𝐷* 𝑛'$ (𝑒 (!" ⁄(# )

𝐼& =
𝑊!

entonces,
𝑊! +
𝜏% =
2𝐷*

Es el tiempo requerido para el transporte de difusión a través de la base. Es el

tiempo promedio que un portador minoritario permanece en la zona de base durante su
difusión hacia el colector

Otra forma de verlo:

𝑛' ( 0 ) 𝑑𝑛'
𝑛 ' (𝑥 ) = − 𝑥 + 𝑛' ( 0 ) 𝐽* = −𝑞𝐷*
𝑊! 𝑑𝑥

𝑞𝐷* 𝑛'$ (𝑒 (!" ⁄(# )

𝐽* =
𝑊!

𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝐽*
𝐽* = 𝑞𝑛' (𝑥 )𝑣 y 𝑣= 𝑑𝑡 = 𝑣=
𝑑𝑡 𝑣 𝑞𝑛' (𝑥 )

1 En realidad es exponencial decreciente, pero como el ancho de la base es mucho menor a la longitud de difusión se genera

un perfil casi lineal dado por la baja recombinación de portadores minoritarios.

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Transistor Bipolar de Juntura – Tiempo de transito en la base 3

,! #! #!
𝑑𝑥 𝑞𝑛' (𝑥 )
𝜏! = # 𝑑𝑡 = # =# 𝑑𝑥
$ $ 𝑣 $ 𝐽*

𝑛' (0)
𝑞 6− 𝑥 + 𝑛' (0)7
#! 𝑊! #!
𝑥 𝑊!
𝜏! = # 𝑑𝑥 = # 8− + 9 𝑑𝑥
$ 𝑞𝐷* 𝑛'$ (𝑒 (!" ⁄(# ) $ 𝐷* 𝐷*
𝑊!

#
#!
𝑥 #!
𝑊! −𝑥 + ! 𝑊! #! −𝑊! + 𝑊! +
𝜏! = # − 𝑑𝑥 + # 𝑑𝑥 = : + 𝑥; = +
$ 𝐷* $ 𝐷* 2𝐷* $ 𝐷* $ 2𝐷* 𝐷*

𝑊! +
𝜏% =
2𝐷*

El tiempo de transito de la base esta relacionado con la capacidad de entrada que presenta
el transistor, e indica su limitación en frecuencia.
La frecuencia de transición 𝜔 % es igual a la inversa del tiempo de transito del transistor
(𝜏 % )2

Bibliografía de referencia:
Muller, Kamins, “Device Electronics for Integrated Circuits”

2 Clase 14 – Modelo de Giacolletto

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