Fase 4 - Desarrollar el componente práctico

Roger Bryan Betancourth Andrade

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD
Escuela de Ciencias Basicas, Tecnologia e Ingenieria
Electronica de Potencia
Pasto, Colombia
Roger_bryan33@yahoo.es

OBJETIVOS
Identificar y desarrollar los circuitos de disparo
requeridos para semiconductores de potencia. SCR,
MOSFET e IGBT.
Desarrollar un análisis teórico-práctico sobre el
comportamiento de estos componentes bajo
diferentes voltajes y corrientes de disparo.
Realizar las actividades prácticas propuestas para
contextualizar el desarrollo de los componentes
teóricos del curso de Electrónica de Potencia.

El transistor IGBT (del inglés, Insulated Gate

Practica No.3: Características V-I Del IGBT Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de Puerta
Aislada) procede esencialmente de la tecnología
MOSFET de potencia; por lo que su estructura y
funcionamiento son similares. Es un transistor
híbrido que combina un MOSFET y un BJT, por eso
tiene terminales puerta (del MOSFET), colector y
emisor (de BJT) El material de partida es una oblea
tipo P. Su estructura consiste en 4 capas (PNPN), la
unión adicional PN creada reduce la resistividad y la
caida de tension Vce(on) en conducción, esto se
conoce como "Modulacion de la resistividad" y
permite aumentar la intensidad. Sin embargo la
60N60
unión adicional P introduce un transistor parásito,
que en caso de ser activado puede destruir el
dispositivo.
Hay dos versiones de IGBT conocidas como IGBT
PT (Punch Through, "estructura de perforacion") e
Figura No.3 IGBT NPT (Non Punch Through, "estructura de no
perforación"), la diferencia radica en que el IGBT
NPT no tiene capa de separación n+ y presenta una
caída de tensión en estado on, menor. Un IGBT con
estructura de PT presenta velocidades de Procedimiento:
conmutación más bajas.
R1= Potenciómetro de 4K y R2 = Potenciómetro de
10K

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

Funcionamiento
Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con
tensión. Para el encendido se da una tensión positiva
en puerta respecto al emisor, los portadores n son
atraídos a la región p de la puerta; así se polariza en
directa la base del transistor NPN permitiendo la
circulación de corriente colector-emisor. Para el
apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto
requiere de un circuito de control simple para el
transistor IGBT.
DATASHEET

2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo

y R1 y R2 a un ½ del valor total.

3. Seleccione el valor de V1 hasta que VCE=10V.

 0.6V 10V 0.3mA
0.6V 12V 0.3mA

4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en Características de Colector

cada 0.5V de cambio tenga en cuenta que el VGE
máximo debe ser 10 voltios. 1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el
VGE sea 5V o mayor o igual al VTH y V1 hasta
V2=VGE V1 que VCE = 10V.
IC
𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝟏 𝑰𝑪
0.5V 9.19V 0.01mA
1.0V 9.19V 02.5mA
1.5V 9.19V 07.0mA
2.0V 9.19V 12.5mA
2.5V 9.19V 15.3mA
3.0V 9.19V 20.9mA
3.5V 9.19V 14.1mA
4.0V 9.19V 28mA
4.5V 9.19V 32.5mA 2. Lentamente varié V1 y anote los valores de VCE
5.0V 9.19V 36.6mA e IC para un particular voltaje de compuerta (VG)
existe un valor de voltaje de apagado VP (voltaje
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es Pinch-off) entre colector y emisor.
requerido para que el IGBT conduzca es llamado
VTH.
3. Si VGE es menor que VP el dispositivo trabaja en
6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores la región de ganancia constante e IC es
de VGE y dibuje la gráfica de VGE vs IC. directamente proporcional a VGE.

V2=VGE V1 4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante

IC fluye por el dispositivo y esta región es llamada
𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝟏 𝑰𝑪 región de corriente constante.
0.6V 2.0V 0.0mA
0.6V 4.0V 0.0mA 5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores
0.6V 6.0V 0.4mA de VGE y anote los valores de IC vs VGE.
0.6V 8.0V 0.3mA
BIBLIOGRAFIA
Introducción a los sistemas electrónicos de
potencia.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).
Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones
y diseño (pp. 3-14). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/una
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m=1482450097688
Dispositivitos de potencia.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).
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Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).
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y diseño. (pp. 608-637). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/una
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