PROCEDIMIENTO DE LOS LABORATORIOS N° 8 Y 9

EE441
CURVAS DEL TRANSITOR BIPOLAR
AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR
BIPOLAR EN BASE COMÚN
CHRISTIAN MIGUEL CAPPILLO UCEDA
GERSON ESCOBAR AMANCA
KENNY JULIÁN LUQUE TICONA

24-12-2020

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 1
 LABORATORIO Nº 8

CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVO:
Obtención de las curvas características del transistor Bipolar.

MATERIAL Y EQUIPO:

− 01 transistor 2N2222 ó 2N3904 − 01 protoboard

− 01 Resistor de 100Ω, 0.5W − 01 Fuente de Alimentación
− 01 Resistor de 10KΩ, 0.5W Programable
− 01 Potenciómetro de lineal 50KΩ, 0.5W − 01 Multímetro FLUKE
− 01 Potenciómetro de lineal 500KΩ, 0.5W − 02 puntas de prueba

PROCEDIMIENTO:

I. INTRODUCCIÓN
El transistor es el componente semiconductor probablemente más importante de la electrónica actual, se dice
que fue el componente que marco el verdadero inicio de la revolución electrónica, puesto que ha sido el punto
de partida para la invención de la mayoría de los dispositivos que hoy conocemos (radios, televisores,
reproductores de audio, video, computadoras, teléfonos), entre algunas de sus características más importantes
están la de conmutador o switch y amplificador de señal.

II. FUNDAMENTO TEÓRICO

• Transistor Bipolar (BJT):

El transistor de unión bipolar (BJT), desarrollado en los años sesenta, fue el primer dispositivo utilizado para
amplificar señales. Consiste en un cristal de silicio (o germanio) al cual se le han agregado impurezas, de
modo tal que queda intercalada una capa de silicio tipo p (o tipo n) entre dos capas de silicio tipo n (o tipo p).
Por consiguiente, existen dos tipos de transistores: npn y pnp. Las estructuras básicas de los transistores npn y
pnp se muestran en las figuras (a) y (b). Un BJT puede verse como dos uniones pn conectadas una contra otra.
Se le llama bipolar porque la carga en el dispositivo es transportada por dos portadores de diferente polaridad
(huecos y electrones). A menudo, el BJT se designa simplemente como transistor. Dispone de tres terminales,
conocidas como emisor (E), base (B) y colector (C). En las figuras (c) y (d) se muestran los símbolos.

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 2
La dirección de la flecha en el emisor determina si el transistor es de tipo npn o pnp, como se ilustra en las
figuras (c) y (d).

• Polarización de un BJT:

Al utilizar un transistor para amplificar cl voltajc (o la corriente), se tiene que polarizar el dispositivo. Las
razones principales para la polarización son activar el dispositivo y, en particular, situar el punto de operación
cn la región característica donde el dispositivo opera con mayor linealidad, de modo que cualquier cambio en
la señal de entrada provoque un cambio proporcional en la señal de salida. En la práctica, normalmente se
utiliza una fuente de cd fiJa, y los elementos del circuito se seleccionan para polarizar las uniones colectorbase
y cmisor-base con la magnitud y polaridad apropiadas. Existen muchos tipos de cit. cuitos dc polarización; el
más utilizado sc ilustra en la figura (a).

• Configuraciones básicas del transistor Configuración en Base Común:

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 3
En la figura se muestra un amplificador base comú práctico. La señal se inyecta al emisor a través de Ci y se
extrae amplificada por colector vía Co. La base, conectada dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como
elemento común a los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y salida siempre están en fase.

Configuración en Emisor Común:

En la figura se muestra un amplificador emisor común práctico. La señal se inyecta a la base a través de Ci y
se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor, conectado dinámicamente a tierra a través de Ce,
actúa como elemento común a los circuitos de entrada y salida. Observe que en este modo de conexión, las
señaes de entrada y salida siempre están en oposición de fase.

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 4
Configuración de Colector Común:
En la figura se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se introduce por la base a través de
Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector, conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como
elemento común a los circuitos de entrada y salida. Las señales de entrada y salida siempre están en fase.

PUNTO DE OPERACIÓN

El término polarización es un vocablo que incluye todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para
establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente de cd
resultantes establecen un punto de operación sobre las características, el cual define la región que se empleará
para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las
características, se le conoce también como punto quiesciente. Por definición, quiesciente significa quieto,
inmóvil, inactivo. La Figura 9 muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos
de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del
dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la región activa.

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 5
 III. CUESTIONARIO
1)Hacer los cálculos empleando simuladores.

Para IB = 40uA, β=187.636

VCE (V) IC (mA) IC (mA) Teórico

0.2 5.505 7.505

0.5 7.532 7.505
1 7.572 7.505
2 7.649 7.505
3 7.725 7.505
4 7.802 7.505
5 7.875 7.505
6 7.949 7.505
7 8.025 7.505
8 8.098 7.505
9 8.175 7.505
10 8.249 7.505

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 6
Para IB = 80uA, β=187.636

VCE (V) IC (mA) IC (mA) Teórico

0.2 10.727 7.505

0.5 15.233 7.505
1 15.315 7.505
2 15.468 7.505
3 15.62 7.505
4 15.771 7.505
5 15.92 7.505
6 16.081 7.505
7 16.231 7.505
8 16.388 7.505
9 16.535 7.505
10 16.693 7.505

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 7
 IB (uA) IC (mA) β
I B ( uA) vs I C ( mA) (V CE =5 v)
2 0.333 166.5
25
5 0.9 180 20
10 1.877 187.7 15

20 3.863 193.15 10

30 5.861 195.366667 5

40 7.874 196.85 0
0 20 40 60 80 100 120
50 9.887 197.74
60 11.895 198.25
β vs I C ( mA )
70 13.915 198.785714 205
200
80 15.92 199 195
190
90 17.931 199.233333 185
180
100 19.941 199.41 175
170
165
160
0 5 10 15 20 25
Para VCE=5v

IB (uA) VBE (V)

10 0.6581
20 0.6777
30 0.6897
40 0.6985
50 0.7057
60 0.7118
70 0.7171 IB vs VBE
14
80 0.7219 0
12
0
10
90 0.7263
08
100 0.7304 0
6
0
4
110 0.7342
0
2
120 0.7378 00
0.6 0.6 0.6 0. 0.7 0.7 0.7
4 6 8 7 2 4 6

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 8
 LABORATORIO Nº 9

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR

BIPOLAR EN BASE COMÚN

OBJETIVO:
Estudio de las características del amplificador en base común. Cálculo de Zin y Zout.

MATERIAL Y EQUIPO:

− 01 transistor 2N2222 ó 2N3904 − 01 Osciloscopio TEKTRONICS-COLOR

− 02 Resistores de 1KΩ, 0.5W
− 01 Resistor de 5.6KΩ, 0.5W
− 01 Resistor de 10KΩ, 0.5W
− 01 Resistor de 91KΩ, 0.5W
− 01 Resistor de 15KΩ, 0.5W
− 01 protoboard
− 01 Multímetro FLUKE
− 03 puntas de prueba
− 01 Generador de funciones TEKTRONICS
− 02 Condensadores electrolíticos de 10µF, 16V
− 01 Condensadores electrolíticos de 100µF, 16V

100µF, 16V CIRCUITO PARA ANALIZAR

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 9
 SIMULANDO EL CIRCUITO TENEMOS

Se hizo la simulación en MICROCAP12

Análisis en DC

Av=33.383/10=3.3383

SIMULANDO EL CIRCUITO TENEMOS

Se hizo la simulación en EasyEda

Análisis en AC

Av = 33.61/10 = 3.361

Se hizo la simulación en Multisim Online

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 10
 Av = 33.855/10 = 3.3855
Vin(Vpico)mV 9.999 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985 9.985

f(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 15K 20K 25K 30K 35K 50K

Vo(Vpico)mV 33.3185 33.381 33.3865 33.3895 33.391 33.3915 33.392 33.392 33.392 33.392 33.392 33.392

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I 11