UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

LABORATORIO DE ELECTRONICA II

IDENTIFICACION
Nombre de la practica: Fecha:
TRANSISTORES BJT 21/08/2021
Integrante: Grupo:
Guerreo Baez Yoyle Gissela E 151
Programa: Docente:
TECNOLOGIA EN IMPLEMENTACIÓN DE Luz Marina Rojas Gallardo
SISTEMAS ELECTRÓNICOS INDUSTRIALES

TRANSISTORES BJT

Un transistor BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un dispositivo semiconductor

impulsado por corriente, que puede ser utilizado para controlar el flujo de corriente
eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente en el conductor base controla una
mayor cantidad de corriente entre el Colector y el Emisor. Se pueden utilizar para
amplificar una señal débil, como un oscilador o un interruptor.

Como funciona un transistor:

Por ejemplo, vamos a mostrar cómo funciona un transistor NPN. Una forma sencilla de
ver su función como un interruptor es pensar en el agua que fluye a través de un tubo,
controlada por una válvula. La presión del agua representa la 'Tensión' y el agua que fluye a
través de un tubo representa la 'Corriente'. Los tubos grandes representan la unión del
Colector/Emisor con una válvula entre ellos, expresado en la figura como un óvalo gris,
como una tapa móvil, que es accionada por la corriente desde un pequeño tubo que
representa la base. La válvula mantiene la presión del agua que fluye desde el Colector al
Emisor. Cuando el agua fluye a través del tubo más pequeño (la Base), abre la válvula entre
la unión del Colector/Emisor, permitiendo que el agua fluya a través del Emisor, y luego a
Tierra (Tierra representa el regreso para la Tensión/Corriente del agua).
 Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos
diodos semiconductores. Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las
letras hacen referencia a las capas de material semiconductor que están construidos.

 Transistor tipo NPN: Está formado por dos capas de material tipo “N” y separadas
por una capa tipo “P”.

 Transistor tipo PNP: Está formada por dos capas de material tipo “P” y separadas
por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central
se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial
del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
 La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.

 La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor.

Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el
emisor hacia el colector.

 La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores

inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la
zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, se debe identificar la
terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección.
Transistor BJT 2N3904 NPN 40V

El transistor BJT 2N3904 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado

TO-92 de plástico con tres terminales (pines). Este un transistor de media potencia,
destinado para propósito general en amplificación y conmutación, capaz de disipar hasta
625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran
tensiones de hasta 40Vdc.

Transistor BJT 2N2222 NPN DE 30V

El transistor BJT 2N2222 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado

TO-92 de plástico con tres terminales (pines). Este un transistor es de baja potencia, capaz
de disipar hasta 625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que
requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se sobrepase su potencia de
disipación máxima.

Transistor BJT 2N3906 PNP 40V

El transistor BJT 2N3906 es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado

TO-92 de plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones de amplificación
y conmutación de media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta
625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran
tensiones de hasta 40Vdc con una ganancia hasta de 300 MHz.
 WEBGRAFIA

https://www.digikey.com/es/articles/transistor-basics
https://uelectronics.com/transistores-bjt/