EXPERIENCIA N° 5

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERISTICOAS BASICAS

I. OBJETIVOS
 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP
 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar NPN
II. EQUIPOS Y MATERIALES
 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
 02 punta de pruebas de osciloscopio
 Transformador con puntos central
 Diodos 1N4004 (4) y otros equivalentes
 Resistores de 10KΩ, 1kΩ y 0.22KΩ y 0.1KΩ
 Capacitores de 25V de 2200uF, 1000uF, 470uF y 100uF
 bobina
III. INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor
bipolar
Transistor bipolar

1. Funcionamiento del transistor

A simple vista es como si un transistor se formase juntando dos diodos contrapuestos.
Esta idea aunque ilustrativa, no es adecuada para comprender lo más interesante del
comportamiento del transistor.

Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que cumplir una serie
de condiciones, como que:

El espesor de la base sea muy pequeño

El emisor esté mucho más dopado que la base
Esté bien polarizado, es decir a las tensiones adecuadas.
Cuando un transistor se polariza como aparece en la figura para un transistor PNP, se
podría esperar que sólo circulase corriente entre el emisor y la base que tienen la unión
polarizada en directa, mientras que la unión entre la base y el emisor está polarizada en
inversa.
Pues bien, se observa que como la base es una capa fina, parte de los portadores de carga
pasan al colector, por lo que por él sale corriente a pesar de estar conectado en inversa.
Esta corriente de salida del colector se puede regular regulando la corriente de la base. El
hecho de que el emisor esté más dopado, ayuda a que haya más portadores de carga que
se difundan hacia el colector.

Como en el transistor no se acumula carga, se cumple que la corriente que sale por el
emisor es igual a la suma de las corrientes que entran por la base y el colector.

La corriente que sale es la suma de las corrientes que entran.

Tipos
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la
descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo
N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a
la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.
Transistor bipola
El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación
en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector.
Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un
transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta
región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
Funcionamiento del transistor
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla la potencia.
Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen
grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una
resistencia se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de tensión según
sea necesario.

Fundamento físico del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre
el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor
se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una
corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no
debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de
la corriente que circula por emisor-base.

Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B).
Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña (IB). Si
se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del
transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a
quedar absorbida por el campo existente en el diodo B.

De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la
base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este terminal de base
porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa
y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

Polarización del Transistor Bipolar

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas
que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.
 Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente
por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para
polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos
sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y
la colector-base en inversa.

Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-
colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica sólo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores

determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula

también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolar: 2N3904, AC127, 25C784Y,
TR59 y 2N2222
Transistor Bipolar (BJT) NPN

Características:
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como suiche y hasta 100 MHz como
amplificador
IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V
fT: 300MHz
Encapsulado: TO-92
Producto genuino

Transistor bipolar, AC127

Tipo de Transistor NPN

Corriente DC Máxima del Colector 500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor 32 V
Tipo de Encapsulado TO-2
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima 340 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC 50
Frecuencia Máxima de Funcionamiento 2,5 MHz
Conteo de Pines 3
Número de Elementos por Chip 1

Transistor 2n2222
 Principales características

Figura I.
Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia total disipada 500mW(Pd)
Ganancia o hfe 35 mínima
Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Encapsulado de metal TO-18
Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados. Determinar el punto de operación

del circuito del experimento

IV. PROCEDIEMIENTO
1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar la simulación
del circuito mostrado en la figura 5.1. considere todo los casos indicados en el paso 3.
Llenar los valores correspondientes en la tabla 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del multímetro.
Llene la tabla 5.1
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor 1090 > 40 M
Base – Colector 1098 >40M
Colector - Emisor >40M >40M

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

 Resistores: Re = 230Ω, Rc = 1KΩ, R1 = 56KΩ, R2 = 22KΩ

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (𝐼𝑐 ), el emisor (𝐼𝑒 ) y la base (𝐼𝑏 ) cuando el
potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de 0Ω
b. Medir las tensiones entre el colector-emisor (𝑉𝑐𝑒 ) entre base-colector (𝑉𝑏𝑒 )y entre emisor-
tierra (𝑉𝑒 )
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2
Tabla 5.2
Valores(R1=56K) 𝐼𝑐 (mA) 𝐼𝑏 (mA) 𝐼𝑏 (uA) 𝑉𝑐𝑒 (v) 𝑉𝑏𝑒 (v) 𝑉𝑒 (v)
Teóricos
Simulados
Medidos 3.9 105 7.42 0.677 0.830

d. Cambiar R1ca 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos en la tabla 5.3
(P1=100KΩ)
Tabla 5.3
Valores(R1=68K) 𝐼𝑐 (mA) 𝐼𝑏 (mA) 𝐼𝑏 (uA) 𝑉𝑐𝑒 (v) 𝑉𝑏𝑒 (v) 𝑉𝑒 (v)
Teóricos
Simulados
Medidos 3.8 79 7.54 0.614 0.830

e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. observar lo que sucede
con las corrientes 𝐼𝑏 y con la tensión 𝑉𝑐 (usar 𝑅𝑒 = 0) llenar la tabla 5.4
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida Vo
con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5

Tabla 5.4
Valores 𝐼𝑐 (mA) 𝐼𝑒 (mA) 𝐼𝑏 (uA) 𝑉𝑐𝑒 (v) 𝑉𝑏𝑒 (v) 𝑉𝑒 (v)
Teóricos
P1=100KΩ Simulados
Medidos 3.8 5.9 7.9
Teóricos
P1=250KΩ Simulados
Medidos 3.4 -22 8.04
Teóricos
P1=500KΩ Simulados
Medidos 3.35 -36 8.11
Teóricos
P1=1MΩ
Simulados
 Medidos 3.35 -41 8.14

Tabla 5.5
Valores 𝑉𝑖 𝑉𝑜 𝐴𝑣 𝑉𝑜 𝐴𝑣(𝑠𝑖𝑛 𝐶𝑒)
Teóricos
R1=56KΩ Simulados
Medidos
Teóricos
R1=68KΩ Simulados
Medidos

V. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con el

multímetro en función ohmímetro.

Nuestro transistor a experimentar fue el 2BC547, nos vino con las figuras previas al dibujo
mostrado ya que el transistor era de tipo NPN, sabiendo la teoría respectiva hicimos las
mediciones del caso en donde verificamos el estado del transistor, el cual estaba averiado.

2. Representar la recta de carga en un gráficos Ic vs Vce del circuito del experimento.

Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
3. ¿en qué regiones de trabajo se encuentra n los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?
Para ambos casos, la tabla 2 y 3, los puntos de trabajo se ubican en la zona activa, debido
a ello funcionan como amplificadores.
Esto se puede comprobar también si analizamos lo valores. Si estuviera en la zona de
corte, la corriente de colector sería muy pequeña y el voltaje Vce sería igual al valor de la
fuente Vcc.
Si estuviera en la zona de saturación el voltaje Vce sería cero.
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150K? explicar los valores
e indicar el valor teórico.
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento (transistor
NPN) con respecto al interior (transistor NPN).
La mayor diferencia radica en el tipo de transistor.

En el anterior experimento el transistor usado fue uno de

tipo PNP, por ello el colector era polarizado negativamente. Para este caso el transistor
era de tipo NPN y el colector se polarizo positivamente.

A pesar de que el resto del circuito era el mismo para

ambos experimentos, los puntos de trabajo son distintos debido a la gran diferencia que
ay entre las ganancias.
VI. OBSERVACIONES
Utilizando el ohmímetro comprobamos si es PNP o NPN.
• Comprobamos cual es base, colector y emisor en el transistor. • Comprobamos que los
valores que nos media el ohmímetro se
aproximaban a los valores teóricos del específico transistor.
• A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente
colector disminuye.
• A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente
base disminuye.
• A medida que aumentábamos el potenciómetro la Vce (v)
aumenta.
VII. BIBLIOGRAFIA

• http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp

• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

 BOYLESTAD NASHELSKY, electrónica :teoría de circuitos y dipositivos electrónicos

decima edicion