La Regulación por Ancho de Pulso de un motor de CC está basada en el hecho de que si se recorta

la CC de alimentación en forma de una onda cuadrada, la energía que recibe el motor disminuirá
de manera proporcional a la relación entre la parte alta (habilita corriente) y baja (cero corriente)
del ciclo de la onda cuadrada. Controlando esta relación se logra variar la velocidad del motor de
una manera bastante aceptable.

Cambiando los valores de R1 y R2 se ajusta la frecuencia básica. El potenciómetro regula el

ancho de pulso.

En el caso de cargas inductivas (motores, relés, o electroimanes), la desconexión producirá

una generación de contracorriente que puede dañar la salida digital, o al dispositivo, por lo que
será necesario implementar una protección.
Una resolución de 8 bits en una salida PWM significa que tiene 256 niveles.
Los MOSFET disponen de ventajas en ciertos aspectos frente a los BJT pero, para lo que
nos ocupa en esta entrada, la mayor ventaja es que nos permiten manipular grandes
cargas.

Al igual que los transistores BJT un transistor FET dispone de tres

terminales, aunque sus nombres son diferentes de los que encontramos en los
transistores BJT.

 Gate (puerta), similar a la base del BJT

 Source (fuente), similar al emisor del BJT

 Drain (drenaje), similar al colector del BJT

los transistores FET presentan 3 modos de funcionamiento, aunque la

zona activa del BJT es sustituida por la zona lineal u ohmnica. (Y no solo es un
simple cambio de nombre, realmente ambas zonas presentan funcionamientos
muy diferentes)

 Corte, el transistor se comporta como un circuito abierto entre Source y Drain

 Saturación, se comporta como un cortocircuito entre Source y Drain

 Zona lineal, se comporta como una resistencia de valor variable

Y de forma similar al caso de los transistores BJT, para encender una carga
estamos interesados en hacer funcionar el FET como un interruptor controlado
eléctricamente, para lo cual usaremos los modos en los modos corte y
saturación, evitando la zona lineal.
 los transistores FET tienen importantes diferencias con los transistores BJT.
En primer lugar, su funcionamiento no se basa en la unión de materiales
semiconductores, sino en la creación de un canal de conducción entre Source
y Drain dentro de un único material semiconductor. El ancho de este canal es
controlado por el terminal Gate.

Otra diferencia importante es que el estado de un transistor FET se controla

por la tensión aplicada en Gate, a diferencia de los BJT cuyo estado dependía de
la corriente que circulaba por la base. Por tanto, los FET son dispositivos
controlados por tensión, mientras que los BJT son dispositivos controlados por
corriente.

en modo de saturación los transistores MOSFET se comportan como una resistencia

de muy pequeño valor, mientras que los transistores BJT siempre imponían una caída de
tensión. Esto permite a los transistores MOSFET manejar enormes cargas con poca
disipación de energía.

los tiempos de conmutación son más rápidos que los BJT. Además generan menos ruido y
son menos sensibles a la temperatura.

Si recordamos la entrada de transistores BJT, un transistor BJT se comporta como un

amplificador lineal de la corriente en la base (Ib) y la intensidad del colector (Ic), con un
cierto factor hFE,

En el caso de los MOSFET, la intensidad que atraviesa el drenaje (Id) tiene una relación
cuadrática con la tensión entre Gate y Source (Vgs). Dada esta relación cuadrática, en lugar
de plantear un modelo matemático os recomendamos consultar las gráficas del
Datasheet para determinar el punto de operación del transistor.

el transistor MOSFET se comporta como una resistencia variable entre Drain y Source.
En la zona lineal el valor de la resistencia depende de la tensión Vgs. Pasado el punto de
saturación, la resistencia Rds disminuye drásticamente (a este valor de Rds en saturación se
denomina frecuentemente Rdson)

el Gate del transistor se comporta como un condensador. Es decir, el transistor necesita

absorber una cierta cantidad de carga eléctrica (equivalentemente, de intensidad durante
un cierto tiempo) para cambiar de modo de trabajo.
 Resumiendo, para llegar a saturar el MOSFET necesitaremos dos cosas

 Superar un umbral en la tensión en la Gate (Vgs)

 Proporcionar la carga suficiente para que el MOSFET sature

POTENCIA DISIPADA EN EL MOSFET

La potencia soportada por el MOSFET es la resistencia del mismo, por el

cuadrado de la corriente que lo atraviesa.

De forma cuantitativa, para cada una de las zonas de trabajo posible

 En la zona corte Rds es la determinada por Vgs, pero Ics es nula, por lo que la potencia
disipada es cero

 En la zona saturación Ids es grande, pero Rdson es muy pequeña, por lo que la potencia
disipada es muy pequeña

 En la zona lineal Ids puede ser grande, y Rds "no es pequeña", por lo que la potencia
disipada puede ser grande

Por tanto, un transistor MOSFET solo tiene que soportar una potencia
realmente importante en la zona lineal, especialmente a medida que nos
acercamos al punto de saturación. Una vez saturado, el MOSFET es capaz de
soportar una gran intensidad, con pequeña disipación de energía.

Por tanto, si queremos usar el MOSFET como interruptor evitaremos la zona

lineal porque en esta zona la energía disipada es elevada, la cual se convierte en
calor y en un incremento de temperatura que puede dañar el transistor.
Si la potencia disipada por el MOSFTET es demasiado elevada, necesitaremos añadir un disipador.

Modelos habituales de MOSFET son el IRF520, IRF530 e IRF540, con una intensidad
nominal Id de, respectivamente, 9.2A, 14A y 28A. Sin embargo, al emplear estos
transistores con un Arduino y una Vgs de 5V, los valores de Id caen a 1A, 2A, y 11A.

Las dos resistencias empleadas en el montaje son necesarias para el correcto

funcionamiento del sistema, y cumplen funciones diferentes.

Por un lado Rg, la resistencia en Gate, sirve para limitar la corriente que
"demanda" Gate. Valores más altos suponen menores intensidades, y por tanto
menor consumo en Arduino. Por contra, disminuir el valor de la resistencia
favorece las transiciones más rápidas, con lo que el transistor pasa menos tiempo
en la zona lineal, y se calienta menos en las conmutaciones.
 Rs simplemente pone el transistor a un estado conocido (GND) cuando el Pin está en
un estado indeterminado (alta impedancia), por ejemplo, durante el arranque del programa,
que podrían provocar encendidos y apagados del MOSFET. Un valor alto de resistencia, de
100K a 1M, es suficiente para poner el Gate a tierra.

MOSFET CON CARGAS INDUCTIVAS

Exactamente igual que con transistores BJT, en caso de emplear un MOSFET
para alimentar cargas inductivas (motores, bobinas, electroimanes) deberemos
añadir un dispositivo de seguridad denominado diodo de Flyback.

Este diodo proporciona un recorrido de mínima resistencia, que permite

disipar las corrientes inducidas producidas por el campo magnético de la carga
inductiva cuando esta es desconectada de la corriente, y que podrían dañar al
transistor o a Arduino..

Por tanto, para cargas inductivas e incorporando el diodo de Flyback, el

montaje sería el siguiente.
MOSFET CON SALIDAS PWM
los transistores MOSFET no son apropiados para generar señales
PWM simplemente conectándolos directamente a una salida de Arduino, ni
siquiera en los modelos de transistores de nivel lógico.

Esto es debido a que tanto la tensión y, sobre todo, la intensidad

proporcionada por una salida de Arduino no es suficiente para saturar
rápidamente al MOSFET. Esto hace que el transistor pase excesivo tiempo en la
zona lineal, aumentando las pérdidas.

Para lidiar con estas limitaciones podemos:

 Limitarnos a cargas pequeñas, que demanden intensidades menores a la nominal

 Plantearnos sustituirlo por un par Darlington

 Hacer una etapa previa de amplificación de potencia con un BJT (lo vemos a
continuación)
 Antes de usar un MOSFET en un PWM conviene reflexionar un poco antes de
hacer el montaje, y tener siempre en cuenta la potencia y temperatura soportada
por el transistor.

USAR UNA ETAPA BJT COMO DRIVER

Hemos visto a lo largo de la entrada que las limitaciones en tensión y
corriente que imponen las salidas de Arduino (y en general de cualquier
procesador o autómata) nos obligan a reducir las cargas que podemos alimentar
con un MOSFET, o a emplear transistores especiales de nivel lógico.

Esta situación es incluso peor en el caso de las salidas PWM, dado que la
limitación de corriente obliga al MOSFET a estar más tiempo en la zona lineal,
aumentando la potencia disipada y su temperatura.

Una forma de eliminar estas restricciones es emplear una etapa de

preamplificación, entre la salida de Arduino y el MOSFET. Esta etapa, o driver,
puede ser un circuito formado por un simple BJT de pequeño tamaño (N2222,
BC337 o similar).
 Esta etapa recibe la salida de Arduino, y proporciona al MOSFET la tensión e
intensidad que necesita para saturar completamente, y con una velocidad de
conmutación rápida.

Con este tipo de circuito aprovechar por completo el MOSFET, permitiendo

proporcionar grandes intensidades incluso en salidas PWM. Pero, por contra,
añade componentes y complejidad a los montajes.

Por tanto, no existe una solución única para escoger cuando es más
apropiado un BJT, un MOSFET directamente, o un MOSFET con preamplificación.
Es una decisión de diseño que debéis tomar de forma individual para cada uno
de vuestros montajes, según todo lo que hemos visto en esta entrada.
COMO CONECTAR UN MOSFET DE POTENCIA A
UN MICROCONTROLADOR
Los mosfets de potencia (power mosfets) son componentes electrónicos que nos
permiten de controlar corrientes muy elevadas. Como en el caso del los mosfets
comunes, tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate (D,
S y G). La corriente principal pasa entre Source y Drain (ISD) mientras que el control
de esta corriente se obtiene aplicando una tensión sobre el terminal Gate
(respecto al terminal Source), conocida como VGS.

Conexión directa de un
Mosfet a un microcontrolador
En condiciones de reposo, la corriente de Gate es prácticamente nula porque al
interno del componente, el terminal Gate se encuentra conectado a una especie
de capacitor. Por lo tanto circula corriente de Gate solo cuando cambiamos el nivel
de tensión de entrada (cambio de estado lógico) y este es el motivo por el cual el
consumo de los mosfet (como en el caso de todos los circuitos lógicos MOS)
aumenta en proporción a la frecuencia de conmutación.

Existen "power mosfets" de dos tipos: los de canal N y los de canal P. La

diferencia entre estos está en la polaridad de conexión Source-Drain y en el hecho
que la tensión de Gate de los mosfet de canal P es negativa (las mismas
diferencias que existen entre los transistores NPN y PNP).
 Símbolos de los mosfet
En base a la aplicación, un mosfet de potencia puede trabajar en la "región lineal"
o en "saturación". En los sistemas analógicos, como por ejemplo en las etapas de
salida de los amplificadores de audio, los mosfets trabajan en la región lineal
mientras que en los sistemas digitales, en los cuales se usan como interruptores
digitales de potencia, estos trabajan en corte (OFF) o saturación (ON). En este
artículo analizaremos solamente los mosfet usados como interruptores digitales.

Cuando un mosfet se encuentra en saturación, el valor de resistencia interno entre

Source y Drain (Rsd) es muy bajo y por lo tanto, la disipación de potencia en él
será poco significativa no obstante la corriente que lo atraviesa pueda ser muy
elevada.

Para llevar un mosfet a la saturación, es necesario que la tensión de control en el terminal

Gate sea suficientemente alta y esto podría ser un problema si usáramos directamente la
baja tensión de salida de un microcontrolador. Me explico mejor con un ejemplo. Para
saturar un transistor bipolar (tipo BC548) se necesita superar la tensión de umbral de la
base que es solamente de 0,6V. Una tensión de control de 0,6V se pueden obtener con
cualquier sistema digital alimentado con 5V, 3,3V y hasta 1,8V. Por el contrario, la tensión
necesaria para poner en conducción un mosfet (llamada "tensión de umbral" o Vth) es
mucho más elevada (algunos volts) y depende del modelo de mosfet. Es más, aunque si
alcanzáramos este valor, no sería suficiente porque deberíamos salir de la región lineal de
trabajo para llevarlo a la saturación. Si no fuera así, la conducción no sería plena y por lo
tanto parte de la potencia se disiparía en el mosfet en forma de calor porque la potencia
disipada por el mosfet es el resultado de la multiplicación entre la caída de tensión y la
corriente que pasa por él (Pmosfet = Vsd * Isd).

Podríamos usar cualquier valor de resistencia pero un valor bajo permite la carga
rápida de este capacitor y por lo tanto una conmutación más veloz del mosfet, útil
si quisiéramos usar una regulación de potencia por impulsos (PWM). En este tipo
de regulación, si la conmutación del mosfet fuera "lenta", este se encontraría por
más tiempo en la zona lineal y por lo tanto aumentaría la disipación de potencia en
él, especialmente si trabajamos con frecuencias elevadas. Una vez que el mosfet
ha conmutado, el Gate no absorbe más corriente. Por lo tanto si pensamos de
usar nuestro mosfet para simples encendidos y apagados, el valor de esta R
puede ser de 10K. Por el contrario, si deseamos modular la potencia de salida a
través de la modulación PWM, nos conviene un valor de resistencia de 4,7K, 3,3K
o 1,2K inclusive. La mejor elección depende fundamentalmente de la frecuencia
PWM.

La resistencia de 100K a masa sirve para definir un estado lógico preciso en el

caso que el micro no lo hiciese como por ejemplo en la fase de inicialización del
mismo.

Cuando la salida del microcontrolador tiene un nivel lógico bajo (0 volt), el transistor no
conduce y por lo tanto, su colector, que se encuentra conectado al Gate del mosfet tendrá
un potencial positivo de 12V a través de la resistencia a positivo. Cuando la salida del
microcontrolador pasa a nivel alto, (1,8V, 3,3V o 5V), el transistor conduce y lleva el Gate
del mosfet a 0V, por lo tanto el mosfet deja de conducir.

tiene la ventaja que la tensión de Gate alcanza la tensión máxima de alimentación

garantizando la completa saturación de cualquier tipo de mosfet que conectemos. El valor
de la resistencia de gate conectada a positivo modifica la velocidad de conmutación del
mosfet como explicado en el caso anterior. (valores altos para conmutaciones lentas y
valores bajos para conmutaciones veloces (modulación PWM).