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Laboratorio 4: MOSFET VS IGBT EN

CONMUTACIÓN
Diego Armando Mendoza Castillo Universidad Popular del Cesar, Estudiante de Ingeniería
Electrónica, Laboratorio de Electrónica de Potencia.

o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están


Resumen—En la electrónica de potencia existen unos prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
dispositivos muy importantes que, con sus características de
semiconductores, son utilizados en la conmutación para dar una
señal de salida en respuesta de una señal de entrada. Dichos
dispositivos son los transistores, de los que encontramos varios
tipos tales como los BJT, los MOSFET, los IGBT, los GaN cada MOS de acumulación también conocidos como de
uno con sus respectivas características que lo ajustan a cierto tipo enriqueci- miento. [3]
de aplicaciones

La puerta, está separado del substrato por un dieléctrico


I. INTRODUCCIÓN (Si02) formando una estructura similar a las placas de un
condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se

E n esta práctica se pretende, en primer lugar, hacer


identificación, análisis y observación de las características
inherentes de los transistores IGBT y MOSFET con enfoque en
induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie
del substrato y se crea un camino de conducción entre los
terminales drenador y fuente.
su utilidad de conmutación con el objetivo de hacer
comparaciones de utilidad
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se
En segundo lugar, por medio de un circuito realizado en el denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es
software MULTISIM, evaluar las pérdidas de por apagado de un parámetro característico del transistor. Si la V ttS < V T ,
dichos transistores la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta
tensión son 0.5 V a 3
II.OBJETIVOS
A. Objetivo General:
- Identificar las ventajas que ofrecen cada uno de los
transistores
- Evaluar pérdidas de conmutación de los transistores
B. Objetivos Específicos:
- Identificar los parámetros más relevantes de los
transistores a la hora de hacer diseños
- Observar los estados de régimen transitorios en los
diodos bajo prueba.
- Determinar tiempo de recuperación inversa de
diferentes tipos de diodos.

III. MARCO TEÓRICO.


A. Transistor MOSFET de Potencia Figura 1.
Transistor
de Señal
MOSFET de Enriquecimiento, Canal n
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un
campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son
dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor
parte de los circuitos integrados digitales se construyen con
la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez,
estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement)
Figura 4. Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
VGS
I D=IDSS∗(1− )
1) Características Transistor de Efecto de Campo de VT
Señal:
• Zona de ruptura, VDS > V BD .
Zonas de funcionamiento del transistor MOS:

• Zona de corte, VGS < V T, iD ÷ 0; el transistor se Figura 7. TRANSISTOR IGBT


considera un interruptor abierto.

• Zona de saturación, VGS − V T < VDS , iD


∼=constante

(independiente de VDS ):

i
D = (VGS − VT )2

• Zona óhmica, VGS − V T > VDS , en esta zona el


transistor se considera un interruptor cerrado, con una
resistencia (para valores muy pequeños de VDS):

las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo


la de canal). Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 V la
resistencia de la capa (RD) es mucho mayor a del canal.

B.

IV. DESARROLLO

1.) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS:


TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)
Las características fundamentales de los MOSFETS son las
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS )
siguientes:
elevadas, RD tendrá un valor elevado al ser ND necesariamen-
te bajo y el espesor WD grande. La caída en conducción será:
1. Máxima tensión drenador-fuente
iD ∗ Ron Donde RON será la suma de las resistividades de 2. Máxima corriente de drenador
3. Resistencia en conducción
4. Tensiones umbral y máximas de puerta
5. Velocidad de conmutación

1. Máxima tensión drenador-fuente


Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el
substrato (unido a la fuente) y el drenador. Se mide con la
puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA).

La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o


como V(BR)DSS

Figura 5. Representación simbólica del Transistor IGBT a) Como BJT , b) 2. Máxima corriente de drenador
Como MOSFET
El fabricante suministra dos valores (al menos): Se calculan multiplicando el voltaje en estado de conducción
por la corriente y el ciclo útil de la conmutación. Dado que la
corriente y el ciclo útil dependen de las exigencias de la carga
 Corriente continua máxima ID
para una aplicación en particular, solo queda por analizar el
 Corriente máxima pulsada IDM comportamiento del voltaje en conducción. Para el MOSFET y
La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de el IGBT el voltaje en conducción depende de la corriente en
la cápsula operación, la temperatura, el voltaje de compuerta y la
tecnología del dispositivo.

3. Resistencia de conducción 3.1. Corriente

Es uno de los parámetros más importantes en un MOSFET. Durante la conducción, un MOSFET puede ser modelado como
Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo. una resistencia controlada por voltaje, llamada RDS(on); el voltaje
Se representa por las letras RDS(on); es la resistencia que opone el de drenaje a fuente aumenta a partir de cero casi linealmente
transistor entre resistencia y drenaje cuando está en conducción con la corriente. RDS(on) es el inverso de la pendiente en la curva
de la corriente versus el voltaje en conducción, y aumenta
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un levemente con la corriente, según se observa en la curvatura
dispositivo particular, decrece con la tensión de puerta. Este leve de las curvas de voltaje en conducción del MOSFET
decrecimiento tiene un límite.
(figura 1) para un pulso de disparo de 100 μs, 1 ms y 10 ms.
Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,
RDS(on) crece con el valor de VDSS.

4. Tensiones umbral y máximas de puerta

La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para


que comience a haber conducción entre drenador y fuente. Los
fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la tensión
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1
mA Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V.
La tensión umbral cambia con la temperatura

5. Velocidad de conmutación
Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros
dispositivos usados en electrónica de potencia (tiristores,
transistores bipolares, IGBT, etc.).
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción
unipolar. En ellos, los niveles de corriente conducida no están
asociados al aumento de la concentración de portadores
minoritarios, que luego son difíciles de eliminar para que el Figura 1. Transistor MOSFET IP60R080
dispositivo deje de conducir.
La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las
capacidades parásitas del dispositivo. Se pueden distinguir
esencialmente tres: Por tu parte, a muy baja corriente, el IGBT se comporta más
como un diodo que como resistencia. El voltaje a través de un
IGBT es llamado Vce(ON) es siempre, por lo menos, el voltaje
 Capacidad de lineal, CGS
nominal de un diodo; esto debido al diodo interno de la unión
 Capacidad de transición, CDS PN en serie con el modelo simple de IGBT (mostrado en la
 Capacidad Miller, no lineal, CDG figura). Este diodo es la fuente de portadores minoritarios en el
IGBT, y también la razón de la caída de voltaje de diodo a baja
corriente. Este transistor también puede ser entendido como un
transistor MOSFET y un transistor PNP en configuración
Darlington En contraste con el MOSFET, el voltaje en
conducción del IGBT aumenta muy poco con la corriente
3) Pérdidas de conducción debido a la amplia base del transistor PNP. Cuando la corriente
aumenta, más portadores minoritarios se inyectan en el IGBT,
lo que causa una disminución de la resistencia al flujo de
Los IGBT tienen una transconductancia más alta que los
corriente.
MOSFET de alto voltaje, debido a la inyección de portadores
minoritarios; con esto se benefician más del alto voltaje en
términos de reducción de pérdidas por conducción.

La principal desventaja de los MOSFET convencionales


son sus pérdidas en conducción, el IGBT tiene menos de
cinco veces las pérdidas por conducción a temperatura
ambiente presentadas por el MOSFET
3.4. Tecnología Del Dispositivo

3.2. Temperatura

Los transistores utilizan un diodo de unión PN para bloquear el


El voltaje en conducción del MOSFET a 125 °C se incrementa
voltaje. Para aumentar el voltaje de bloqueo, la resistencia del
un 12% (660°C/585°C – 1) mientras que típicamente el
material de silicio usado para crear este diodo de unión o región
increment de un IGBT es menor al 9%. En una comparative
observamos que la disipación de potencia por temperatura en de arrastre debe aumentar. En los MOSFET de alto voltaje, más
un MOSFET es mayor que la de un IGBT del 80% de las pérdidas por conducción están en la resistencia
de la región de arrastre. La técnica clásica para disminuir las
pérdidas por conducción es disminuir el tamaño; no obstante,
esto no afecta las asociadas a la región de arrastre. En el IGBT,
la solución es utilizar la modulación de la conductividad
inyectando portadores minoritarios en la región de arrastre, lo
que reduce enormemente la resistencia al flujo de corriente.

Otra técnica utiliza una estructura de compensación en un


MOSFET, conocida comúnmente como MOSFET de
superjuntura. La resistencia de la región de arrastre se reduce
bastante, lo que normalmente generaría la reducción del voltaje
de bloqueo; sin embargo, la geometría del diodo de unión PN
se altera, distribuyendo el campo eléctrico de forma tal que el
voltaje de bloqueo no se reduce. La ventaja del MOSFET de
superjuntura es que reduce notoriamente la RDS(on)

4) Pérdidas por conmutación

Figura 1. Voltaje vs Temparatura Transistor MOSFET


IP60R080 Además de los factores de pérdidas por conducción, al
momento de hablar de conmutación se suman otros que
afectan el encendido y el apagado del transistor.

3.3. Voltaje de Compuerta

3.2. Encendido
Para ambos, el voltaje en conducción es determinado por el
voltaje de compuerta, A mayor voltaje de compuerta se obtiene
un menor voltaje en conducción a determinada corritente
ización directa.
Este efecto es pequeño para los MOSFET e IGBT de alto
Valores significativos obtenidos del diodo de propósito
voltaje, con voltajes de compuerta significativamente
general (1N4007)
superiores a los nominales, debido a que la sensibilidad de
voltaje del canal resistivo es pequeña comparada con la
V1 0 2.5 5 7.5 10
resistencia de la región de drift o región de arrastre
Id(mA) 0 18.14 42.67 67.4 92.27
Vd(mV 0 686 731 756 773 5.2) Caracterización Estática: Polarización inversa
)
Fig 2. Circuito de Polarización Inversa.

Valores significativos obtenidos del diodo Schottky Por razones de comodidad, se realizaron dos tablas de datos,
(MBR20200CT) una para V2=-10V y otra para V2=-20V

V1 0 0.3 0.5 2 5
-10v
Vd 0 275m 397m 438m 479m
Id(A) 0 244µ 1.266m 1.53m 4.62m
1N4007 MUR1560G MBR20200

VR 41.912m 132.7m 222.56n

VD 9.958 9.867 9.77

Io 41.954n 132.8n 222.79n

VD 237M 74.3M 43.85M


RD=
Io

-20v

1N4007 MUR1560G MBR20200

VR 51.9m 142.7m 232.5m

VD 19.95 19.857 19.767

Io 51.9n 142.8n 232.8n


Podemos observar que el voltaje umbral de ambos diodos
son diferentes (el diodo Schottky posee un voltaje umbral VD 384M 139M 85M
entre 0.4 y 0.45 mientras que el diodo de propósito general RD=
Io
tiene un voltaje umbral de cercano a los 0.7V) además de
que también podemos notar que el valor de la pendiente del
diodo Schottky es mayor. Esto traduce que el diodo Schottky
tiene una conductancia mayor que el 1N4007
Fig2.1.1 Curva Inversa 1N4007

5.2) Caracterización dinámica: Tiempo de


Recuperación Inversa

Fig 3. Circuito de Polarización en Corriente


Fig2.1.2 Curva Inversa MUR1560G Alterna.

Fig2.1.2 Curva Inversa MBR20200

Simulaciones:

10KHz
Fig3.2.1 Diodo 1N4007 sometido a una frecuencia de
100KHz (tiempo de recuperación de 3.16µs)

Fig 3.1.2 Diodo MUR1560 sometido a una frecuencia de


100KHz (tiempo de recuperación de 512ns)

Fig 3.1.1 Diodo 1N4007 sometido a una frecuencia de


10KHz (tiempo de recuperación de 5.15µs)
Fig 3.1.3 Diodo MBR20200CT sometido a una frecuencia de
10KHz (tiempo de recuperación de 610ns)

Fig 3.1.2 Diodo MUR1560 sometido a una frecuencia de Podemos observar que el tipo de respuesta del diodo 1N4007
difiere de los demás. Mientras que el MUR1560 y el
MBR20200CT tienen una respuesta suave, la respuesta del

1N4007 es abrupta; pero los tiempos de conmutación del


1N4007 son mucho mayores que los de los otros diodos

10KHz (tiempo de recuperación de 486ns)


A A. Desarrollo Práctico.

Fig 3.1.3 Diodo MBR20200CT sometido a una frecuencia de


10KHz (tiempo de recuperación de 610ns)

100KHz
Fig4 Fotografía del montaje del circuito

V1 0 0.3 0.5 2 5
1) Caracterización estática: Vd 0 263m 382m 421m 481m
La siguiente tabla muestra algunos valores de la caída de Id(A) 0 224µ 1.2m 1.61m 4.1m
tensión en la resistencia y el voltaje y corriente de diodo
(valores comprobados por la profesora)

Diodo 1N4007

V1 1 2 3 4 5 6
VD 0.47 633m 685m 703m 720m 728m
VR 12m 313m 797m 1,16 1.68 1.91
ID 121µ 2m 7.41m 11.6 16m 22m
m

(Gráfica de la práctica esbozada en MATLAB)

Fig4.1.1 Fotografía del comportamiento del diodo 1N4007 a


10KHz (tiempo de recuperación de 5.20µs)

Fig4.1.2 Fotografía del comportamiento del diodo 1N4007 a


100KHz (tiempo de recuperación de 3.44µs)

(Gráfica de la práctica esbozada en MATLAB)

Diodo Schottky MBR20200CT


Fig4.2.1 Fotografía del comportamiento del diodo
MUR1560G a 10KHz (tiempo de recuperación de 400ns)

Fig4.2.2 Fotografía del comportamiento del diodo


MUR1560G a 100KHz (tiempo de recuperación de 280ns)
Fig4.3.1 Fotografía del comportamiento del diodo
MBR20200CT a 10KHz (tiempo de recuperación de 220ns)

V. CONCLUSIONES
1. Se determinó los tiempos de conmutación en los
diferentes diodos bajo prueba, llegando a establecer
que el diodo rápido tiene mejores prestaciones en
cuanto a sus tiempos de conmutación en los diferentes
regímenes transitorios.
2. La velocidad de conmutación de un diodo también
depende de la frecuencia a la que trabaja. Mientras
mayor sea la frecuencia de trabajo menor es el tiempo
de conmutación.
3. No se pudo obtener el esboce de la gráfica de
polarización inversa debido a que la corriente de fuga
Fig4.3.1 Fotografía del comportamiento del diodo es tan pequeña que los aparatos de medición no logran
MBR20200CT a 10KHz (tiempo de recuperación de 240ns) determinarla

VI. RECOMENDACIONES
1. Leer de manera detenida la guía de laboratorio
2. Obtener los Datasheet de los diferentes diodos que se
pondrán a prueba con el afán de verificar datos
medidos y dados por el fabricante.
3. Operar con cuidado los elementos dados en el
laboratorio, de ser posible tener su manual de usuario.
.