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Flavio Narvaja Electrónica de Potencia Elementos semiconductores de Potencia

Transistor Bipolar, BJT

El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de señal. En el contexto de los

componentes electrónicos de Potencia, es usado como un dispositivo de conmutación, ya que,
dispone de las características que lo convierten en un conmutador casi ideal. A diferencia del
transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo más importante es la lineal, en el transistor
de potencia los estados más importantes de funcionamiento son saturación y corte. Estos dos
estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Nota: El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen dispositivos de
potencia con características muy superiores. Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones
para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad.

CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al del transistor normal,
teniendo como característica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y
por tanto elevadas potencias a disipar.

Características a tener en cuenta en el transistor bipolar:

• IC = Intensidad máxima que puede circular por el Colector
• VCE0 = Tensión de ruptura de colector con base abierta, (máxima tensión C-E que se puede
aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura)
• Pmax = Potencia máxima
• Tensión en sentido directo
• Corriente de fugas
• Frecuencia de corte
• VCBO = Tensión de ruptura colector - base con base abierta
• VEBO = Tensión de ruptura emisor - base con base abierta
• VCEOSUS = Tensión de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la
tensión C - E

En función de la polarización B-E, se pueden definir otras características:

• VCEO = Tensión de ruptura colector – emisor, con base abierta.

• VCER = Tensión colector – emisor con resistencia de base especificada.
• VCEX = Tensión colector – emisor con circuito especificado entre base – emisor.
• VCEV = Tensión colector – emisor con tensión especificada entre base – emisor.
• VCES = Tensión colector – emisor con unión base – emisor cortocircuitada.

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En relación con los parámetros definidos anteriormente, se puede decir que la VCEmáx depende
esencialmente de tres factores.
• La polarización base - emisor.
• El gradiente de tensión (dV/dt).
• La estructura interna del transistor (tecnología de fabricación).

Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutación un fenómeno complejo

conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera
ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unión debido a efectos térmicos
localizados (creación de puntos calientes). La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de
la tensión C - E. Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensión C - E y la
corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que ésta última se concentra en una
pequeña área de la unión de colector polarizado inversamente. La concentración de corriente
forma un punto caliente (falta de uniformidad en el reparto de la corriente) y el dispositivo se
destruye térmicamente. Este tipo de ruptura podrá presentarse tanto en turn on como en turn off.
Al igual que en uno de pequeña potencia, se pueden distinguir tres zonas: activa, corte y
saturación.

Vcc
Rc

RCE Vcc

El la zona de saturación y en la zona de corte existe baja potencia, mientras que en la zona activa
la potencia es alta dado que se tienen altas corrientes con altas tensiones. Por esta razón en
electrónica de potencia se trabaja en las zonas de corte y saturación.

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Ejemplos constructivos de BJT

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario
hacerle cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El paso de un estado a otro se denomina
conmutación y no se realiza de forma instantánea, sino que requiere un cierto tiempo. Esta
limitación cobra mayor importancia a medida que aumenta la velocidad de conmutación o lo que
es lo mismo, la frecuencia de control.
Cada uno de los dos tipos de conmutación, turn on y turn off lleva asociado un tiempo de
conmutación que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.

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*Tiempo de encendido, ton: Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de corte a
conducción, turn on.

Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la
señal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su
valor final.
Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la señal de salida para evolucionar desde
el 10% hasta el 90% de su valor final.

*Tiempo de apagado, toff : Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de

conducción a corte, turn off.

Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor inicial.
Tiempo de caída (Fall time, tf) Tiempo que emplea la señal de salida para evolucionar desde el
90% hasta el 10% de su valor inicial.

AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Para saber si el transistor esta trabajando en un punto seguro, sin correr riesgo de sobrepasar los
parámetros del mismo se suministra la curva SOA (Safe Operating Area). Esta curva está
definida por aquellos puntos que cumplen que el producto IC · VCE no sobrepase la máxima
potencia disipable permitida por el transistor elegido.

Zona 1: (IC (máx) continuous). Representa el máximo valor de corriente que puede circular por
el colector para una tensión colector emisor dada.
Zona 2: (DC operation dissipation – limites). Este tramo indica la máxima disipación de potencia
del dispositivo. Es la zona en la cuál el producto de IC y VCE proporciona la disipación máxima
del dispositivo.
Zona 3: (IS/B limited). Es el límite permitido para evitar la destrucción del dispositivo por el
fenómeno de ruptura o avalancha secundaria.
Zona 4: (VCEO(máx)). El último tramo es el límite debido a la tensión de ruptura primaria del
transistor e indica la máxima tensión que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.

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Efecto segunda ruptura en los BJT.

La segunda ruptura (la segunda ruptura es un fenómeno potencialmente destructivo que se
produce en todos los transistores bipolares; este fenómeno aparece cuando la energía
absorbida por un transistor excede el nivel crítico produciendo puntos calientes localizados;
se van degradando; la posición de la segunda ruptura depende del tipo de servicio, es decir,
del ancho del pulso de excitación y de la altura; depende de Tc ).

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El área de operación segura viene dada a una temperatura de juntura virtual de 25ºC por lo que
cuando el dispositivo trabaja a otra temperatura hay que aplicarle le factor de degradación que
viene dado en un gráfico como el de la figura. Con los datos aportados por este gráfico, se hacen
las correcciones en los límites del área de operación segura y obtener un área acorde a la
temperatura de juntura virtual.
La forma de obtener esta nueva área en función de la temperatura de juntura virtual es la
siguiente:
Se ingresa al gráfico de factor de degradación a la temperatura de juntura virtual de trabajo
calculada por la potencia disipada, subiendo por el gráfico obtenemos los porcentuales de los
factores de degradación para la disipación máxima y para la segunda ruptura. Luego en el gráfico
del SOA nos paramos en un punto de la recta de la disipación máxima y le aplicamos el
porcentaje del factor de degradación correspondiente, esto nos da un nuevo punto y por este
trazamos una paralela a la recta de disipación máxima para 25ºC. Realizamos el mismo
procedimiento para la segunda ruptura y obtenemos el SOA degradada para la temperatura de
juntura virtual de trabajo (dato de entrada).

Nota : los BJT tienen coeficiente negativo respecto de la temperatura, es decir que cuando se
calientan bajan su resistencia a la corriente de colector, por lo tanto esta aumenta y lo calienta
mas, los que provoca un embale térmico y la destrucción del dispositivo, por lo tanto no se
pueden poner BJT en paralelo para aumentar la corriente de control

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DISIPACIÓN DE POTENCIA EN CONMUTACIÓN

La disipación de potencia del transistor trabajando en conmutación se puede subdividir en varias
componentes: la potencia en la base, la potencia en estado de corte, la potencia en estado de
conducción y la potencia perdida en las conmutaciones.

La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene dada por la
expresión.

TON

Esta potencia puede ser despreciable, sino se acumula a la disipación del transistor
Cálculos de disipación de potencia con carga resistiva

Del circuito de la figura la potencia instantánea disipada por el transistor, se obtiene

multiplicando la intensidad de colector por la tensión colector - emisor en cada instante.
Integrando en los instantes de estudio nos queda.

1  r VCC I Csat VCC I Csat 2 

tr t tr
1  VCC  I Csat 
PSWon =∫0 VCC − t r t  t r t dt ⇒ PSWon = T ∫0 t r tdt − ∫0 t r2 t dt 
T
⇒
 
1 V I t 2
V I t 
3
V I t f
⇒ PSWon =  CC Csat r − CC 2 Csat r  ⇒ PSWon = CC CEsat r
T  tr 2 tr 3 6

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 VCC  I Csat  1  VCC I Csat VCC I Csat 2 

tf tf tf
1  
PSWoff =∫0  t f 
T
t I Csat − t
t f 
dt ⇒ PSWoff =
T  ∫0 t f
 tdt − ∫0 t 2f t dt  ⇒
  
1 V I t f VCC I Csat t f 
2 3
V I t f
⇒ PSWoff =  CC Csat −  ⇒ PSWoff = CC Csat f
T  t f 2 2
tf 3  6

VCC I Csat (t r + t f ) f
PSW = PSWon + PSWoff ⇒ PSW = Potencia de conmutación para carga resistiva
6

PON = VCEsat I Csat δ + VBEsat I b′δ ; PTotal = PON + POFF + PSW ; POFF ← despreciable ⇒
PTotal = PON + PSW

Cuanto más rápido conmute el transistor, mayor será la disipación de potencia ya que PSW ∝ f y
ya que para pasar de la parte de corte a saturación y viceversa debe pasar por la zona activa que
disipa energia.
Esto es importante para poder calcular el disipador asociado al transistor.

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Tiempos de conmutación con carga Inductiva

Si analizamos un solo inductor cargando un BJT, vemos que no se le puede aplicar un tren de pulsos ya
que destruiría el transistor al querer desconectar la carga, por eso analizamos los siguientes casos.

Clamp.

En el gráfico de potencia anterior, para achicar aún más el área rayada azul, se utiliza el siguiente
circuito, en el cual, durante el tiempo de apagado del transistor, se lleva al transistor a la máxima
tensión que soporta, tal que VCC < VCLAMP ≤ VCEX . Este circuito es poco práctico porque requiere
una fuente adicional VCLAMP .
∆I E
En la conexión ó tiempo de encendido → E = L ⇒ ∆I = ∆T (rampa de i c/pend. posit.)
∆T L
∆I V −E
En la desconexión ó tiempo de apagado → VCLAMP − E = L ⇒ ∆I = CLAMP ∆T
∆T L
(rampa de i c/pend. neg.)

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Carga inductiva con diodo de recirculación

(*)

Nota: Durante el tiempo de apagado del transistor, V A = VCC + VL , siendo V L tan grande como
sea necesario para que se cumpla la condición de continuidad I L (0 − ) = I L (0 + ) , invirtiéndose de
esta manera la polaridad en L . Entonces se coloca el diodo de recirculación / free wheel /
volanteo D , de manera tal que durante el tiempo de apagado del transistor dicho diodo D queda
polarizado en directa, V L queda limitado a VD , y de esta manera circula la corriente entre L y
D , disipándose la energía en la resistencia dinámica de D y la resistencia interna de L .

En el gráfico de potencia anterior, se observa que PSWoff > PSWon porque t SWoff > t SWon debido a
que t s influye mucho sobre t SWoff , tanto con carga resistiva como con carga inductiva. Para
achicar el área rayada azul, se utiliza el siguiente circuito, en el cual, respecto al circuito de la
figura anterior, se agrega un camino más para la corriente del inductor durante el tiempo de
apagado del transistor.

Resumen para R5051 UTN-10 Rev.2(*) 19

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– Cálculos de disipación de potencia con carga inductiva (c/D, s/snubber, s/VClamp)

tr 2
PSWon =
1 I Csat
∫ (VCC + VD ) tdt ⇒ PSWon =
1
(VCC + VD ) I Csat t r ⇒
T 0
tr T tr 2
(VCC + VD )I Csat t r f
PSWon =
2

1
tf
 I 
PSWoff =
T ∫ (V CC + VD ) I Csat − Csat
 tf
t dt

⇒
0  
1
tf tf
(V + VD )I Csat 
PSWoff =  ∫ (VCC + VD )I Csat dt − ∫ CC tdt  ⇒
T  0 0
tf 

1 (VCC + VD )I Csat t 2f  (VCC + VD )I Csat t f f

⇒ PSWoff = (VCC + VD )I Csat t f −  ⇒ PSWoff =
T  tf 2  2

(VCC + VD )I CEsat (t r + t f ) f
PSW = PSWon + PSWoff ⇒ PSW =
2

PON = VCEsat I Csat δ + VBEsat I b′δ ; PTotal = PON + POFF + PSW ; POFF ← despreciable ⇒
PTotal = PON + PSW

La disipación de potencia en conmutación se triplica con carga inductiva respecto a con carga
resistiva. La disipación de potencia en conducción es la misma con carga inductiva respecto a con
carga resistiva.

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Snubber o de protección de corte

.
Este circuito agregado se llama circuito snubber. De esta forma, la tensión varía según la línea
punteada roja (*), como se muestra en el gráfico de tensión anterior. El diodo del circuito snubber
sirve como protección del transistor, para que, durante el tiempo de conducción del transistor, al
descargase C lo haga a través de R y no queme al transistor.
Supongamos que la bobina es de alta inductancia entonces podemos reemplazarla por un
generador de corriente.
Por Kirchhoff
IL = I Q + I DL
Ahora le agregamos un camino alternativo a la corriente de la bobina en el apagado, como
muestra la figura el circuito snubber. Cuando se apaga el transistor y sube su tensión, diodo del
snubber se polariza en directa y carga el capacitor C retrasando el cambio de tensión de nivel bajo
al alto. Cuando pasa el transistor a conducción se descarga el capacitor a través de la resistencia y
el propio transistor. Cuanto mas grande es el capacitor, mas tarda en llegar a la tensión de
alimentación y la potencia de conmutación en el transistor es menor, pero la energía acumulada
es grande y la resistencia va a disipar mucha potencia haciendo al circuito de mayores
dimensiones.
Para calcular el capacitor tenemos en cuenta que la corriente del transistor llegue a cero antes que
el capacitor se cargue completamente, entonces Vc(tf ) = Vf
t
1 IL * t IL * t 2 IL * tf 2 IL * tf
Vc(t ) = ∫ dt = ⇒ Vf = =
C 0 tf 2 * C * tf 2 * C * tf 2*C

IL * tf
C=
2 *Vf

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La potencia absorbida por el transistor antes de colocar el circuito snubber es:

Con el snubber queda:

Se elige una resistencia tal que el capacitor se descargue completamente antes que el transistor se
vuelva a apagarse, por eso tomamos entre 3 y 5 constantes de tiempo para asegurarnos que se
descargo completamente. Entonces el tiempo de conducción es de donde despejamos R
Otra condición a cumplir es el límite de corriente de descarga del capacitor através del transistor
esto en saturación o conducción cuando el capacitor ya esta totalmente cargado. Partiendo de

VCC V
IQ = IC + I L ⇒ IQ = + I L lo que implica CC = I Q − I L
R R

1,2 *VCC
Despejando y aplicando un factor de seguridad del 20% R =
IˆQ − I L
Elegimos un valor de R comprendido entre

TON 1,2 *VCC

R≥
5*C IˆQ − I L

Ahora igualamos la energía del capacitor a la que va a disipar la resistencia y nos da la potencia
que maneja esta.

Podemos trazar un grafico para ver las pérdidas del transistor y las del circuito de protección
viendo que el uso de este viendo que este reduce las pérdidas de conmutación y por lo tanto la
necesidad de refrigeración del transistor pero también puede reducir las perdidas totales en juego.
En conclusión estoy disminuyendo la potencia disipada en el transistor a costa de que el circuito
sea más complejo. Lo que hago es que la resistencia sea la encargada de disipar lo que perjudica
al transistor.

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CONMUTACIÓN DEL BJT. CIRCUITOS DE CONTROL

– Beta forzado Y factor de Over drive

• En los cálculos, se utilizará no al β sino al β forzado β F .

• En conjunto con β F , se utilizará también el factor de sobre-excitación Fsob ≡ FSE ≡ FS .
• Utilizando β F y Fsob se logra apantallar los efectos de variación de β y lograr valores de
VCE bajos, pero con la desventaja de que el transistor es más lento para apagarse, es decir,
valores de t s mayores.

Ic
RB
Ic I cM I ODF
|β = ; βF = ; Fsob = Vcc
IB IBODF I BS Vce
IB
VBB
IB (corriente de base)
IcM = (Vcc-VceSAT)/Rc (Corriente de Colector en saturación)
IB * β > ICs => hay saturación
IBs = ICs/β (Corriente de Base en saturación)
IBODF = ODF x IBs (corriente de base para aplicar para asegurarse la saturación del dispositivo)
βf = ICM/IBODF (Beta forzado)

La saturación del transistor puede definirse como el nivel de corriente de base por encima del
cual ningún incremento aumenta significativamente la corriente de colector

Circuitos para mejorar el control

Inicialmente interesaría una corriente de base elevada, para disminuir el tiempo de retardo, y
finalmente, una corriente de base negativa, para forzar el bloqueo en el menor tiempo posible. La
figura muestra la forma de onda idónea de la corriente de base de un transistor bipolar para
obligarle a evolucionar sin problemas, a saturación y después a corte de forma óptima.

Circuitos complicados si los hay.

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Algunos circuitos para mejorar la excitación de los BJT

Este circuito también se aplica para MOSFET con la única salvedad que se pone una resistencia
entre GATE y SOURCE (RGS)

Circuito antisaturación de Braker

La resolución de este circuito se da en un apartado.

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