Transistores de Potencia Alacena 000

Transistores de Potencia
Transistor
Transistor
BJT
MOSFET
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia
EMISOR
BASE
SMBOLO
PNP
NPN
COLECTOR
10m
COLECTOR
iC
iC
iB
BASE
iB
uCE
uBE
iE
EMISOR
uCE
BASE
uBE
5-20m
N+ EM.
P
EMISOR
BASE
EMISOR
1016 t/cm2
50-200m
N-
COLECTOR 1014 t/cm2
250m
N+
COLECTOR
iE
EMISOR
1019 t/cm2
COLECTOR
DISEO: Especificar DOPADOS y ESPESORES (p.ej.: el espesor de la capa N- determina la tensin de

ruptura)
Base de pequeo espesor aumenta
Base de pequeo espesor menor tensin de ruptura
montaje darlington
Estructura vertical maximiza el rea de conduccin minimiza res. hmica y trmica

Presentan varias bases y emisores entrelazados, para evitar la concentracin de corriente.
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas estticas
ibMAX
ic
Ic
PMAX
SATURACIN
ib2
ZONA ACTIVA
ib1
Vce0
ib=0
uce
CORTE
VCE0: uCE de ruptura con la base abierta (IB=0)
IC: Corriente mxima de colector
PMAX: mxima potencia capaz de ser disipada por el transistor.
Las zonas de avalancha deben evitarse.
Avalancha secundaria
La corriente de base provoca cadas de tensin
interna en la zona de base que se suman a la tensin
externa entre emisor y colector.
BASE
Esta tensin es mayor cuanto menor sea

La concentracin de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en
avalancha secundaria cuando IC es grande. Para
minimizar este fenmeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores
entrelazados.
EMISOR
N+
- --- - - -- -- -- --
NN+
COLECTOR
Avalancha secundaria
La corriente de base provoca cadas de tensin
interna en la zona de base que se suman a la tensin
externa entre emisor y colector.
BASE
Esta tensin es mayor cuanto menor sea

La concentracin de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en
avalancha secundaria cuando IC es grande. Para
minimizar este fenmeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores
entrelazados.
EMISOR
N+
-----
- -- - - - -- --
NN+
COLECTOR
ic
continua
100us
IcMAX-DC
100us
PMAX
Zona de
avalancha
secundaria
S.O.A.R.
Vce0
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
uce
El transistor bipolar de potencia: SOAR
uB
Circuitos equivalentes estticos.

RCARGA
uce
VCC
ic
uB
uce
ic
SATURACIN
CORTE
SATURACIN
Circuito equivalente en saturacin
Para estimar la potencia disipada en el bipolar:
RCARGA
VCC
VCE SAT 0,3 V
RB
uB
VBE 0,7 V
VBE
VCE-SAT
V 0,7
PEst SAT VCE SATIC VBEIB 0,3IC 0,7 B
RB
Circuito equivalente en corte
RCARGA
VCC
RB
uB
VCE
El transistor bipolar de potencia: Caractersticas dinmicas
uB
Encendido con carga resistiva.

RCARGA
uce
VCC
ic
uB
uce
ic
90%
10%
tdON
trise
tON
La gran cantidad de carga espacial necesita tiempo para ser creada y destruida. El paso de corte a
saturacin, y viceversa, es lento. Cuanta menos carga espacial ms rpida ser la conmutacin pero
tambin mayores sern las prdidas estticas.
Con el fin de acelerar la conmutacin y disminuir sus prdidas, puede suministrarse una IB negativa
para pasar de saturacin a corte.
uB
Apagado con carga resistiva.

RCARGA
uce
VCC
ic
uB
uce
ic
90%
10%
tst
tfall
tOFF
tst: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conduccin contina a costa de los portadores

almacenados en la base.
Las prdidas en conmutacin en el apagado son MAYORES que las del encendido (debido al tiempo de
bajada)
Clculo de la potencia disipada en la conmutacin: APAGADO
Durante tfall:
uCE ( t )
VCC
t
t fall
EOFF
t t fall
t 0
EOFF
t t
iC ( t ) iC MAX fall
t fall
iC ( t )uCE ( t )dt
iC MAXVCC t fall
6
VCC
uce
ic
iC MAX
tfall
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.

Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se acta de manera anloga.
Apagado con carga inductiva:
uce
VCC
VCC
ic
uB
ic i
C MAX
uce
t1
t2
toff
En t1:
t
uCE ( t ) VCC
t1
En t2:
iC ( t ) IC MAX
t2 t
t2
(Mientras exista circulacin de corriente por el

diodo, soporta tensin nula).
EOFF
t t OFF
t 0
EOFF
iC ( t )uCE ( t )dt
iC MAXVCC t off
2
Encendido con carga inductiva:
uce
VCC
VCC
ic
uB
En t1:
uce
iC MAX
t1
ton
t2
uCE ( t ) VCC
iC ( t ) iC MAX iRR
En t2:
iRR
ic
t
t1
t2 t
t2
t t
iC ( t ) iC MAX iRR 2
t2
EON
t t on
t 0
uCE ( t ) VCC
EON
iC ( t )uCE ( t )dt
iC MAXVCC t on
2
iRR VCC t on 1
2
El transistor bipolar de potencia: Montaje Darlington
Caractersticas
Aumento de : TOT= 1*2+1+2.
La conmutacin es an ms lenta.
Diodo externo para aplicaciones de

medio puente y puente completo.
COLECTOR
iC
iB
BASE
iE
EMISOR
Diodo externo para aumentar la

velocidad de conmutacin.
El MOSFET de potencia: Estructura
PUERTA
FUENTE
SMBOLO
XIDO
CANAL P
CANAL N
DRENADOR
DRENADOR
iD
iD
iG
N
P
N
P
N-
iG
uDS
PUERTA
N
P
SUS
uDS
PUERTA
uGS
iS
FUENTE
uGS
iS
FUENTE
DRENADOR
Dispositivo fundamental como interruptor controlado por tensin. Suele usarse casi exclusivamente
los de canal N.
Siempre de ACUMULACIN; no tienen el canal formado. El sustrato est siempre conectado a la
fuente.
Compuesto por muchas clulas de enriquecimiento conectadas en paralelo.
Alta impedancia de entrada (CGS).
El MOSFET de potencia: caractersticas estticas
ID MAX
iD
uGS2>uGS1
SATURACIN
ZONA
ACTIVA
PMAX
uGS=uGS1
uGS<uGS TH
CORTE
VDS MAX
uDS
Si uGS es menor que el valor umbral, uGS TH, el MOSFET est abierto (en corte). Un valor tpico de
uGS TH es 3V. uGS suele tener un lmite de 20V. Suele proporcionarse entre 12 y 15 V para
minimizar la cada de tensin VDS.
VDS MAX: Tensin de ruptura mxima entre drenador y fuente.
ID MAX: Corriente de drenador mxima (DC).
RDS ON: Resistencia de encendido entre drenador y fuente.
El MOSFET de potencia: caractersticas estticas
iD
Zona limitada
por RDS ON
PMAX
100us
S.O.A.R.
uDS
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
El MOSFET de potencia: S.O.A.R.
El MOSFET de potencia: Caractersticas estticas
uGS
Circuitos equivalentes estticos.

RCARGA
uDS
VCC
iD
uGS
uDS
iD
SATURACIN
Circuito equivalente en corte
CORTE
SATURACIN
Circuito equivalente en saturacin
RCARGA
RCARGA
VCC
uDS
VCC
uGS
RDS ON
MOSFET en corte (uDS>0)
PUERTA
FUENTE
XIDO
Zona de transicin:
La zona P-N- es un diodo
polarizado inversamente.
uDS
N
P
N
P
N
P
N-
N
SUS
N
DRENADOR
La unin PN- est inversamente polarizada.

La tensin drenador-fuente est concentrada en la unin PN-.
La regin N- est poco dopada para alcanzar el valor requerido de tensin soportada (rated
voltage).
Tensiones de ruptura grandes requieren zonas N poco dopadas de gran extensin.
MOSFET saturado (iDS>0)
uGS
Con suficiente uGS se forma un canal bajo la puerta

que permite la conduccin bidireccional.
PUERTA
Aparece una resistencia RDS ON, entre drenador y

fuente, que es suma de resistencias: canal, contactos
de fuente y drenador, regin N-...
Cuando la tensin de ruptura aumenta, la regin Ndomina en el valor de RDS ON.

En una zona poco dopada no hay muchos
portadores, por lo que RDS ON aumenta rpidamente
si la tensin de ruptura se quiere hacer de varios
centenares de voltios.
FUENTE
XIDO
N
P
N
P
N
P
N-
N
SUS
N
DRENADOR
Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o iguales a 500V. Ms all es preferible,
en general, un IGBT.
El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante superiores a su valor medio mximo (rated
current).
Diodo parsito entre drenador y fuente.
DRENADOR
El diodo se polariza directamente cuando VDS es negativa.
iD
Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.

La mayora son lentos. Esto provoca picos de corriente de
recuperacin inversa que pueden destruir el dispositivo.
Puede anularse o sustituirse el diodo parsito mediante diodos
externos rpidos.
Anulacin
PUERTA
iG
uGS
uDS
iS
FUENTE
Sustitucin
El MOSFET de potencia: Caractersticas dinmicas
Parmetros parsitos
CGD
Los tiempos de conmutacin del MOSFET se deben

principalmente a sus capacidades e inductancias parsitas, as
como a la resistencia interna de la fuente de puerta.
LD
Parmetros parsitos.
CDS
CGS
LS
CGD
CDS
CGS
CISS: CGS + CGD Capacidad de entrada Se mide con la salida en

cortocircuito.
CRSS: CGD Capacidad Miller o de transferencia inversa.
COSS: CDS + CGD Capacidad de salida; se mide con la entrada
cortocircuitada
LD: Inductancia de drenador
LS: Inductancia de fuente.
CGS: Grande, constante

CGD: pequea, no lineal
CDS: moderada, no lineal
Conmutaciones con carga resistiva pura
VA
VDD
CGD
uGS
RD
uGS-TH
iD
RG
CDS
t1
uDS
t2
10%
10%
CGS
VA
90%
90%
pMOS
tdelay
trise
ton
tdisch
tfall
toff
EFECTO MILLER
UF UI UO
UF
UO AUUI
ZF
UF UI AUUI 1 AU UI
EFECTO MILLER EN LA ENTRADA
IF
Au
UI
UO
1 AU
UF
UI
ZF
ZF
UF
UO
UO 1 AU UO
A
AU
U
UI
EFECTO MILLER EN LA SALIDA
1 AU
AU
U
IF F UO
ZF
ZF
ZF
1 AU
Au
ZF
AU
1 AU
UO
Conmutaciones con carga resistiva pura
VA
VDD
CGD
uGS
RD
uGS-TH
iD
90%
90%
RG
CDS
t1
tdelay trise
uDS
t2
CGS
VA
10%
10%
pMOS
ton
tdisch tfall
toff
Conmutaciones con carga inductiva
VA
LD
VDD
uGS
CGD
iD
uGS-TH
IRR
RG
CDS
t1
uDS
t2
CGS
VA
pMOS
t1
t2
ton
t3
t4
toff
El MOSFET de potencia: Clculo de prdidas
Clculo de la potencia disipada en la conmutacin: APAGADO con carga resistiva
Durante tfall:
uDS ( t )
VDD
t
t fall
EOFF
t t fall
t 0
EOFF
t t
iD ( t ) iD MAX fall
t fall
iD ( t )uDS ( t )dt
iD MAXVDD t fall
6
VDD
uDS
iD
iD MAX
tfall
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.

Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se acta de manera anloga.
EJEMPLO:
Evalense las prdidas en el MOSFET de RDS
ON=0,55 W para el caso de que su tensin y
corriente sean las de la figura. Hgase el
clculo cuando d=0,3 y con frecuencias de
10kHz y 150 kHz.
iD
5A
uDS
150V
Puesto que T>>100ns, puede aproximarse

2
P1 RDS ONIDrms 0,55 52d 4,125 W
EOFF EON
(1-d)T
dT
100 ns
100 ns
iD MAXVDD t fall 5150100109
12,5J
6
6
PMOS ( f ) 2EON ( f ) P1
PMOS (10kHz) 0,25W 4,125W 4,38W

PMOS (150kHz) 37,5W 4,125 W 41,6W
Apagado con carga inductiva:
En t1:
t
uDS ( t ) VDD
t1
En t2:
iD ( t ) ID MAX
t2 t
t2
uDS
VDD
iD i
D MAX
t1
t2
toff
(Mientras exista circulacin de corriente por el
diodo, soporta tensin nula).
EOFF
t t OFF
t 0
EOFF
iD ( t )uDS ( t )dt
iD MAXVDD t off
2
Encendido con carga inductiva:
En t1:
uDS ( t ) VDD
uDS
t
iD ( t ) iD MAX iRR
t1
En t2:
t t
uDS ( t ) VDD 2
t2
t t
iD ( t ) iD MAX iRR 2
t2
EON
t t on
t 0
EON
iD ( t )uDS ( t )dt
iD MAXVDD t on
2
iRR VDD t on 1
2
iD
VDD
iRR
iD MAX
t1
ton
t2
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
Sin aislamiento
CGD
+VCC
R
CDS
VGG
CGS
1.- Circuito para disminuir el efecto Miller.
2.- Los transistores de puerta son de seal y por tanto ms rpidos.
3.- La resistencia de puerta, r, es muy pequea (<10W) y se coloca para proteger la puerta
de posibles picos de tensin.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente constante.
5.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy pequea.
Con aislamiento
1.- Siempre hay un interruptor cerrado generndose una
onda cuadrada sobre R.
D
G
S
500V
INT
R
2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G y en S debe

haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en su fuente
aparecen 500V.
4.- En ese momento, para mantener el MOSFET cerrado, en
puerta debe haber 515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las fuentes de
tensin deben estar referidas a masa, pues provienen de VG.
6.- Se necesita una tensin superior a la propia VG.
7.- En la resolucin de este problema, los circuitos de bomba
de carga se han impuesto a los transformadores de
impulsos.
BOOTSTRAP
1.- Al cerrarse el interruptor inferior, CBOOT se
carga a 15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo DBOOT

impide que CBOOT se descargue; dicho diodo
debe ser capaz de bloquear toda la tensin del
circuito.
4.- Con dos transistores auxiliares se aplica la
tensin de CBOOT a la puerta del MOSFET de
potencia.
5.- CBOOT debe tener una capacidad muy
superior a la de puerta para que apenas se
descargue.
CBOOT
QG
VCC 1,5V 12V
CBOOT
D
G
500V
DBOOT
INT
VCC
QG: carga de puerta

VCC: 15V
1,5V: cadas de tensin en los transistores auxiliares
12V: tensin mnima de puerta
El MOSFET de potencia: Caractersticas reales
Algunos MOSFET de potencia
Referencia
VDS,MAX
ID,MAX
RON
QG (tpica)
tc (tpico)
SMM70N06
60V
70A
0,018 W
120nC
120ns
IRF510
100V
5,6A
0,54 W
5nC
47ns
IRF540N
100V
27A
0,052 W
71nC
74ns
APT10M25BVR
100V
75A
0,025 W
150nC
50ns
IRF740
400V
10A
0,55 W
35nC
40ns
APT4012BVR
400V
37A
0,12 W
195nC
67ns
APT5017BVR
500V
30A
0,17 W
200nC
66ns
MTW10N100E
1000V
10A
1,3 W
100nC
290ns
El MOSFET de potencia: Encapsulados
Semitop 2
TO220
Semitrans 1
TO247
Semitrans 2
TO3
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
15
TRANSISTORES

Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica

electrnica analgica. Tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS.
Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida
a partir de , corriente o tensin de entrada, y por lo tanto,
tanto, se utilizan en amplificacin de
corrientes y tensiones.
Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:considerndose
como entrada dos de ellos y de salida el tercero.
CLASIFICACIN
16
SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES
17
EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT

Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales:C: "Colector", la zona
central es la B:"Base" y E: "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin
muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo
de colector" (el de la derecha en este caso).
CURVAS CARACTERSTICAS Y REGIONES DE
FUNCIONAMIENTO:
Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un

diodo de unin.
Curvas Ic(VCE):para diferentes valores de IB:
IE sale; IB, IC entran
IE entra; IB, IC salen
PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE:

VCEO <Vcc, VCESAT, VBESAT
Icmax, Pcmax
= HFE
ICBO=Ico=Ic con la base en circuito abierto.
EL TRANSISTOR POLARIZADO
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e
inesperados. Hay 3 configuraciones:
Base comn (BC).

Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).
Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA:
UE en Directa y UC en Inversa.
AMPLIFICADORES
Zona de SATURACIN:
UE en Directa y UC en Directa.
CONMUTACIN
Zona de CORTE:
UE en Inversa y UC en Inversa.
CONMUTACIN
Zona ACTIVA INVERTIDA:
UE en Inversa y UC en Directa.
SIN UTILIDAD
18
ECUACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR:
Corrientes:
Transistor como un nudo: IE=IC+IB
Ic= IB + (+1) IC0; IC0: Corriente Ic con la base en circuito abierto.
Ganancia en corriente contnua: HFE =Ic IB

Ganancia en corriente : =Ic / IE
Tensiones:
VCE= VCB+ VBE ; para transistores NPN.
VEC= VEB+ VBC ; para transistores PNP.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO CON CURVAS LINEALIZADAS:
ECUACIONES DE UN CIRCUTO CON TRANSISTOR BIPOLAR

Ecuacin de la malla de base:
15=470IB+ VBE; IB
VBE=0,7v
,
=30,4A

Ecuacin de la malla de colector :
VCEsat=0,2v
,
15=3,6IC+ VCE; ICSAT=
,
= 4,11mA
IC= IB =100 0,0304mA=3,04mA< ICSAT=>TRT en activa

VCE=15-3,6IC = 15-3,63,04=4,05v
19
Potencia mxima de un transistor:
Potencia disipada por un transistor: Pc=VCE Ic

Punto de trabajo ptimo: Pc=VCEQ= Vcc/2 ; ICQ= Vcc/2Rc
EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
-
Un transistor trabaja en conmutacin cuando ante seales de entrada en la base reacciona

funcionando en corte: Ic=0; VCE=Vcc en saturacin:Ic=IcSAT;VCE=0,2v 0v.
Este modo de funcionamiento es til para activar/desactivar dispositivos o para arquitectura de

puertas lgicas.
CORTE SATURACION
=100; VBE=0,7v
Si Ve=10v
ICSAT=(10-VCESAT)/1K=(10-0,2)/1K =9,8mA
IB=(Ve-VBE)/10K=(10-0,7)/10K =0,93mA;
IC= IB=1000,93mA=93mA>ICSAT=>Ic= ICSAT=9,8mA; VCE= VCESAT=0,2v=>TRT en SAT
Si Ve=0v
IB=0mA=>Ic=0mA=>VCE=Vcc=10v=>TRT en CORTE.
Se comporta como un inversor.

Simulacion de punto de trabajo y recta de carga
20
EJEMPLOS DE PUERTAS LOGICAS CON DIODOS Y TRANSISTORES:
Si a y b tienen un nivel bajo de

tensin(<0,7v)=> los dos transistores
estaran en corte=>Vs=VH=3v
Si a b tienen un nivel alto de
tensin(>0,7v)=> uno o los dos transistores
estaran en saturacin=>Vs=VL=0,2v
Circuito A
Circuito B
Circuito A
Si a y b tienen un nivel alto de tensin=> los dos diodos no conducen=> IB>0;VBE=0,7v
=>transistor en SAT=>Vs=VL=0,2v
Si a b tienen un nivel bajo de tensin=> Uno o los dos diodos conducen=> VBE<0,7v ; IB=0;
=>transistor en CORTE=>Vs=VH=5V.
Circuito B
Si a y b tienen un nivel alto de tensin=> los dos diodos no conducen=> T1 en SAT D3 conduce
y Ve>0,7v =>T2 en SAT=>Vs=VL=0,2v
Si a b tienen un nivel bajo de tensin=> Uno o los dos diodos conducen=> VB<0,7v ; IB=0;
T1 en CORTE D3 NO conduce y Ve=0v =>T2 en CORTE=>Vs=VH=5V.
-Siempre que en a o b haya un nivel bajo, el transistor

multiemisor conducir porque Vbe>0,7v.
=>T no conduce porque su corriente de base es negativa.
=>T2 no conduce porque Vb2=0, ya que la IE de T es cero.
=>El diodo no conduce=> T1 en corte(no conduce)=>Vc2=5v.
-Si a y b son niveles altos, el transistor multiemisor no
conduce porque Vbe<=0.
=>T conduce porque su corriente de base es positiva.
=>T1 y T2 conducen en saturacin porque Vb1,Vb2>0,7v ,ya
que la IE de T es >0.
=>El diodo conduce=> =>Vc2=Vce2sat=0,2v.
21
ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES
- El TO-92: Para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin de patitas
(emisor - base - colector) no est estandarizado.
- El TO-18: Es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que
indica que la patita ms cercana es el emisor
- El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es mas grande, pero
tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin
de calor.
- El TO-126: En aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no
utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se
debe utilizar una mica aislante
- El TO-220: Debe disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al
igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un
tornillo debidamente aislado.
- El TO-3: En transistores de gran potencia. Como se puede ver en el grfico es de
gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es
muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en
calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues
este estara conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el
contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor
trmico.
El emisor y la base se encuentran ligeramente a un lado y si se pone el transistor como
se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.
IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES y estado DE UN TRANSISTOR
Para los dos valores mas bajos(200): patilla 3 se

repite=>3=BASE
Patilla3 positiva=>Tipo: NPN
Patilla3 negativa=>Tipo: PNP
Para el siguiente valor mas bajo (8K):

Tipo NPN : Patilla2 positiva=>2=COLECTOR
Tipo PNP : Patilla2 positiva=>2=EMISOR.
Esto ayuda a determinar tambien el estado del

transistor.
Con un polmetro que disponga de opcin HFE se
puede determinar :
El patillaje.
El tipo
La ganancia en corriente Contnua HFE
22
EJERCICIO 1: =260, VEB=0,65v, VCESAT=0v. VCC=10v.
Calcular:
2 1
VCC
a.
Las corrientes y las tensiones de los

dos transistores para:Ve=0v y Ve=9v.
b.
Si la Resistencia de 500 se corresponde con

un rel de: ION=7,5mA, IOFF=1,6mA.
a. Se activar o desactivar para las dos
tensiones de entrada anteriores?
b. Cules son los lmites de Ve para la
activacin y desactivacin del rel?
c.
Si el BC337 es el complementario de BC328,

lo es el circuito?
500
C
Ve
BC337
BC328*
2 1
Ve
500
VCC
1k
Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes.

Calcular: Las corrientes y las tensiones de los dos
transistores .
Calcular: Las potencias del circuito.
10k
a.
b.
BC328*
21
21
EJERCICIO 2: =200, VEB=0,65v, VCESAT=0,2v. VCC=10v.
VCC
VCC
EJERCICIO 3: =100, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v.

a.
Marcar en el circuito todas las tensiones y

corrientes.
Calcular: Las corrientes y las tensiones de los
dos transistores .
b.
c.
d.
Marcar en el circuito todas las

tensiones y corrientes.
Calcular: Las corrientes y las tensiones
de los dos transistores .
23
e.
Calcular: Las corrientes y las
tensiones de los dos transistores .
Estudiar la estabilidad frente a la
temperatura.
EJERCICIO 6: =200, VBE=0,7v, VCESAT=0,2v. RB=50K, RC=1K

Calcular: Las corrientes y las
tensiones de los dos transistores .
Estudiar la estabilidad frente a la temperatura.
VCC
VCC
220
KA
21
BC337
21
3
BZV55-C9V1
Hallar: Vsal

VD=1,6v, VZ=9,1v,Ion=5mA,Izmin=5mA
Hallar: Las corrientes, las tensiones y las
potencias
K
A
220
24
EJERCICIO 9: VBE=0,7v, VCESAT=0,2v.
Calcular los puntos de trabajo.
Circuito1:IZMIN=5mA IZMIN=10mA.
Circuito2:IZMIN=0mA IZMIN=5mA.
EJERCICIO 10:
25
Hoja de caractersticas de un transistor

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB....................................60 V (mximo valor en inversa)
VCEo...................................40 V (mximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (mximo valor en inversa)
En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en:
Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.

Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.
Corriente y potencia mximas
En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unin ms problemtica la unin CB, porque
es la que ms se calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:
Tj = Temperatura de la unin.
TC = Temperatura de la capsula.
TA = Temperatura del ambiente.
Factor de ajuste
Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado.
EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = - 2,8 mW/C
Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW.
CALCULO Y ELECCION DE UN CIRCUITO EN DC CON RESISTENCIAS Y TRANSISTORES:
Disear un circuito en EC que cumpla los requisitos siguientes: VBB = 5 V, VCC = 15 V, hFE = 120, IC =
10 mA y VCE = 7,5 V. Resolverlo usando la 2 aproximacin.
Solucin:
Colocando los datos que da el problema en el circuito emisor comn se ve que falta por determinar el valor
de RB y RC.
Malla de entrada y ecuacin de la ganancia:
Malla de salida:
26
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes
en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
Transistor de efecto de campo de unin o JFET
Transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET).
Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como
conmutador.
Sus caractersitcas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente
diferentes.
Ventajas del FET:
1. Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107a
1012).
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
msdispositivos en un C1.
5. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de
tensindrenaje-fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir operaciones de muestreo en conversores A/D y memorias.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
1) Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada, y en general son menos
lineales que los BJT.
2) Se pueden daar debido a la electricidad esttica.
Caractersticas elctricas del JFET
27
|VGS|<|VP|
|VDS|=<|VP|-|VGS|
|VGS|<|VP|
|VDS|>|VP|-|VGS|
28
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO:
PARMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las
hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuracin de fuente comn y
se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular
por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este
valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes
dispersiones en su valor.
RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene
constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de estrangulamiento.
TRANSISTOR MOSFET
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy
similares.
NMOS de Enriquecimiento:
29
EJERCICIO 11: Calcular el punto de trabajo:VDS,VGS, ID
30
EJERCICIO 12
Determinar el valor de las salidas
V01 y V02 cuando VIN valga
cero y diez voltios.
Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V. Rd1=1K,Rd2=0,1K,K=0,5mA/v2
EJERCICIO 13
a) Explicar su funcionamiento y determinar qu tipo de puerta
lgica es.
EJERCICIO 14
Calcular los parmetros que toman las resistencias RD y RS del

circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=4mA y
VD=1.Datos: VTH=2V; K=4mA/V2
K=0.4mA/V2
31
1.- Dibujar las curvas caractersticas de un transistor bipolar: BC547B

RC=1K
a) Montar el circuito RB =10K
Curva de entrada:
b) Con Vcc=10v; VBE=0..0,8v ,variando VBB ,medir VBE , y calcular IB=(VBB VBE)/RB
c) Anotar IB=en la tabla en uA.
Curva de salida:
d) ParaVBE=0,2v, 0,72v y 0,8v; Anotar la IB correspondiente, y variando
Vcc,=0..20v , medir VCE , y calcular IC=(VCC VCE)/RC
c) Anotar IB=en la tabla en uA.
2.- Hallar , dibujar , y medir el punto de trabajo para el transistor anterior:

Vcc=20v
VBB=1,5v
3.- Sacar las curvas de entrada y salida utilizando el osciloscopio y el montaje de la figura
OSCILOSCOPIO:
AJUSTES DEL OSCILOSCOPIO
Aislar masas del osciloscopio
Triguer edge.
Modo XY
Autoset:Centrar
AJUSTES DEL GENERADOR:
Entrada: 4Vp, 2DC, 5Hz

Salida: 30Vp,16DC,1KHz
4.- Hallar y medir el punto de trabajo para el transistor FET: 2N4416 del circuito de la figura
VGG=-1v, RD=RS=1K, VDD=15v,
8 12
RG=100K
1k
5
D
Vp(Id=0)=
Idss(Vgs=0)=
2N4416
2
1
100k
1V
21
2
1
9
1k
15 V
Prcticas de electrnica
Grupo:
Entrenador:
Material:
Detector de oscuridad
Entrenador de electrnica
Transistor BD135
Resistencia 10K
Potencimetro 10K
LDR Roscur=10K
Diodo
Rel Rrele=0,23K
Explicar el funcionamiento.
Esquema:
COM
NA
NC
Ic
I1
Ib
I2
BD135
b
e
LDR
Clculos:
De los datos de las medidas:
SIN LUZ:Rldr=10K
I2=Vldr/10K=
I1=I2-Ib=
R1=(VCC-Vldr)/I1=
CON LUZ:
I1=(Vcc-Vldr)/R1
I2=I1-Ib
Rldr=Vldr/I1=
Toma de medidas con el polmetro.
Con luz
Sin luz
VBE =
VBE =
VCE =
VCE =
VLDR =
VLDR =
Ib =
Ib =
Ic =
Ic =
32
Ejercicio 1: Curva caracterstica de entrada

Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de
entrada, tomando valores de IB y VBE podemos
obtener la caracterstica de (la malla de) entrada.
Ejercicio 2 : Curva caracterstica de salida

1.
2.
3.
4.
Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB.
Ajustando VBB fijamos un valor de IB que vamos a mantener constante (por ejemplo IB = 10 A).
Ahora variamos VCC , medimos valores de VBE y IC y obtenemos la correspondiente curva de IB = 10 A.
Hacemos lo mismo para IB = 20 A, etc... Y as sucesivamente para diferentes valores de IB.
En cada una de estas
curvas hay diferentes zonas:
BC546/547/548/549/550
BC546/547/548/549/550
Switching and Applications
High Voltage: BC546, VCEO=65V
Low Noise: BC549, BC550
Complement to BC556 ... BC560
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol
VCBO
Collector-Base Voltage
Parameter
: BC546
: BC547/550
: BC548/549
Value
80
50
30
Units
V
V
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage : BC546

: BC547/550
: BC548/549
65
45
30
V
V
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
5
V
V
IC
Collector Current (DC)
100
mA
PC
Collector Power Dissipation
500
mW
TJ
Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature
-65 ~ 150
: BC546/547
: BC548/549/550
Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Symbol
ICBO
Parameter
Collector Cut-off Current
Test Condition
VCB=30V, IE=0
Min.
110
Typ.
hFE
DC Current Gain
VCE=5V, IC=2mA
VCE (sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
90
200
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
700
900
VBE (on)
Base-Emitter On Voltage
VCE=5V, IC=2mA
VCE=5V, IC=10mA
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz
300
Cob
Output Capacitance
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
3.5
Cib
Input Capacitance
VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz
NF
Noise Figure
VCE=5V, IC=200A
f=1KHz, RG=2K
VCE=5V, IC=200A
RG=2K, f=30~15000MHz
: BC546/547/548
: BC549/550
: BC549
: BC550
580
Max.
15
Units
nA
800
660
2
1.2
1.4
1.4
250
600
mV
mV
mV
mV
700
720
mV
mV
MHz
pF
10
4
4
3
dB
dB
dB
dB
pF
hFE Classification
Classification
hFE
110 ~ 220
200 ~ 450
420 ~ 800
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002
BC546/547/548/549/550
Typical Characteristics
100
VCE = 5V
IB = 400A
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
100
IB = 350A
IB = 300A
80
IB = 250A
60
IB = 200A
40
IB = 150A
IB = 100A
20
10
IB = 50A
0.1
0.0
0
0
10
12
14
16
18
VCE = 5V
hFE, DC CURRENT GAIN
1000
100
10
1
100
0.8
1.0
1.2
1000
10000
IC = 10 IB
V BE(sat)
1000
100
V CE(sat)
10
1
10
100
1000
IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage
1000
f=1MHz
IE = 0
10
0.1
1
10
100
V CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
Figure 5. Output Capacitance
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
1000
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT
100
Cob[pF], CAPACITANCE
0.6
Figure 2. Transfer Characteristic
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
Figure 1. Static Characteristic
10
0.4
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.2
20
VCE = 5V
100
10
1
0.1
10
100
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
Rev. A2, August 2002
2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix
N-Channel JFETs
PRODUCT SUMMARY
Part Number
VGS(off) (V)
V(BR)GSS Min (V)
gfs Min (mS)
IDSS Min (mA)
2N4416
v6
30
4.5
2N4416A
2.5 to 6
35
4.5
SST4416
v6
30
4.5
FEATURES
BENEFITS
APPLICATIONS
D Excellent High-Frequency Gain:

2N4416/A, Gps 13 dB (typ) @
400 MHz
D Very Low Noise: 3 dB (typ) @
400 MHz
D Very Low Distortion
D High AC/DC Switch Off-Isolation
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Wideband High Gain

Very High System Sensitivity
High Quality of Amplification
High-Speed Switching Capability
High Low-Level Signal Amplification
High-Frequency Amplifier/Mixer
Oscillator
Sample-and-Hold
Very Low Capacitance Switches
DESCRIPTION
The 2N4416/2N4416A/SST4416 n-channel JFETs are
designed to provide high-performance amplification at high
frequencies.
The TO-206AF (TO-72) hermetically-sealed package is

available with full military processing (see Military
Information.) The TO-236 (SOT-23) package provides a
low-cost option and is available with tape-and-reel options
(see Packaging Information). For similar products in the
TO-226AA (TO-92) package, see the J304/305 data sheet.
TO-206AF
(TO-72)
TO-236
(SOT-23)
S
C
1
1
3
S
2
G
Top View
2N4416
2N4416A
Top View
SST4416 (H1)*
*Marking Code for TO-236
For applications information see AN104.

Document Number: 70242
S-04028Rev. F, 04-Jun-01
www.vishay.com
7-1
2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix
HIGHFREQUENCY SPECIFICATIONS FOR 2N4416/2N4416A (TA = 25_C UNLESS NOTED)
Limits
100 MHz
Parameter
Symbol
Min
Test Conditions
400 MHz
Max
Min
Max
Unit
Common Source Input Conductance
giss
100
1,000
Common Source Input Susceptance
biss
2,500
10,000
Common Source Output Conductance
goss
Common Source Output Susceptance
boss
Common Source Forward Transconductance
gfs
Common-Source Power Gain
Gps
Noise Figure
NF
VDS = 15 V, VGS = 0 V
mS
m
75
100
1,000
4,000
4,000
VDS = 15 V, ID = 5 mA
18
10
2
RG = 1 kW
dB
Notes
a. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
b. Pulse test: PW v300 ms duty cycle v3%.
c. This parameter not registered with JEDEC.
NH
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Drain Current and Transconductance

vs. Gate-Source Cutoff Voltage
10
gfs
12
IDSS @ VDS = 10 V, VGS = 0 V

gfs @ VDS = 10 V, VGS = 0 V
f = 1 kHz
rDS(on) Drain-Source On-Resistance ( )
16
0
0
2
4
6
8
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V)
rDS @ ID = 1 mA, VGS = 0 V

gos @ VDS = 10 V, VGS = 0 V
f = 1 kHz
400
rDS
300
60
gos
200
40
100
20
10
0
0
4
6
8
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V)
Output Characteristics
10
10
15
VGS(off) = 2 V
VGS(off) = 3 V
12
VGS = 0 V
ID Drain Current (mA)
80
gos Output conductance (S)
IDSS
100
500
gfs Forward Transconductance (mS)
IDSS Saturation Drain Current (mA)
20
0.2 V
0.4 V
4
0.6 V
0.8 V
1.0 V
1.2 V
VGS = 0 V
0.3 V
0.6 V
0.9 V
1.2 V
1.5 V
3
1.8 V
1.4 V
4
6
8
VDS Drain-Source Voltage (V)

S-04028Rev. F, 04-Jun-01
10
4
6
8
10
www.vishay.com
7-3
2N4416/2N4416A/SST4416
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
5
VGS(off) = 2 V
VGS = 0 V
4
0.3 V
0.2 V
VGS = 0 V
VGS(off) = 3 V
0.4 V
3
0.6 V
0.8 V
1.0 V
1
0.6 V
3
1.2 V
0.9 V
1.5 V
2
1.8 V
1
1.2 V
2.1 V
1.4 V
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
VDS = 10 V
VGS(off) = 3 V
1.0
VDS = 10 V
8
TA = 55_C
0.8
10
VGS(off) = 2 V
25_C
125_C
TA = 55_C
25_C
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.6
1.2
1.8
2.4
VGS Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
Transconductance vs. Gate-Source Voltgage
10
10
VGS(off) = 3 V
VDS = 10 V
f = 1 kHz
VGS(off) = 2 V
0.6
Transfer Characteristics
Transfer Characteristics
10
8
TA = 55_C
6
25_C
125_C
VDS = 10 V
f = 1 kHz
8
TA = 55_C
6
25_C
4
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
www.vishay.com
7-4
0.4
0.6
1.2
1.8
2.4

S-04028Rev. F, 04-Jun-01
Dispositivos de Electrnica de Potencia
Captulo 2
2.1 Introduccin
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control
externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of
Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se
debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a
OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de
la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.
En los siguientes apartados se detallan las caractersticas ms importantes de cada uno
de estos dispositivos.
2.2 Diodo de Potencia

Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y
corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de funcionamiento,
generalmente despreciados para los diodos de seal, pueden ser significativos para
componentes de mayor potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores
corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas). La figura 2.1
muestra la estructura interna de un diodo de potencia.
nodo (A)
P+
10 m
Depende
de la
tensin
N-
250 m
Substracto
N+
Catodo (K)
Figura 2.1. Estructura interna de un diodo de potencia
Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una sola
unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de
seal, puesto que en este caso existe una regin N intermediaria con un bajo dopaje. El papel
de esta regin es permitir al componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta
regin de pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica resistiva
en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la tensin que ha
de soportar el componente. Las capas que hacen los contactos externos son altamente
dopadas, para obtener un contacto con caractersticas hmicas y no del tipo semiconductor.
La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corriente-tensin de
un diodo de potencia.
iAK
(1 / Ron )
vAK
VR
K (-)
A (+)
iAK
VF 1 V
vAK
Regin de
bloqueo
inverso
Figura 2.2. Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin de un diodo de potencia
La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se refiere a la cada de

tensin cuando el diodo est conduciendo (polarizacin directa). Para diodos de potencia, sta
tensin de cada en conduccin directa oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Adems,
esta cada depende de la corriente que circule, tenindose una caracterstica corriente - tensin
bastante lineal en la zona de conduccin. Esta relacin se conoce como la resistencia en
conduccin del diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el inverso de la
pendiente de la asntota de la curva esttica en la zona de polarizacin directa. La tensin VR
representa la tensin de ruptura del dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo,
la mxima tensin inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado
(polarizacin inversa).
Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el valor
de tensin de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulacin de corriente inversa y en definitiva, por excesiva disipacin de potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y
pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo
condiciona sus caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos del orden de
varios cm2.
Como ya se ha mencionado, los diodos son interruptores unidireccionales en los
cuales no puede circular corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no disponiendo de
ningn terminal de control. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos:
1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta
instantneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarizacin directa, la
zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito
externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una tensin inversa, cuando la

corriente pasa por cero an existe una cantidad de portadores que cambian su sentido
de movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo,
denominado tiempo de recuperacin inverso (trr), tal como se muestra en la figura 2.3.
Los parmetros definidos en el proceso de bloqueo dependen de la corriente directa,
de la derivada de la corriente (di/dt) y de la tensin inversa aplicada. El tiempo de
recuperacin de un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los diodos rpidos
del orden de algunos nanosegundos.
2) Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia que el
anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin, y cuyo efecto se muestra
tambin en la figura 2.3.
En el proceso de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente de
bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensin Vfp,
ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la inyeccin de
portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una resistencia donde su valor
decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente est relacionada con la
concentracin de portadores minoritarios inyectados. Por tanto Vfp depende de la
anchura y resistividad de la zona central del diodo.
dir/dt
t1
t3
trr
dif/dt
Qrr
i = Vr/R
iD
Vfp
t4 t5
Von
vD
-Vr
Vrp
t2
+Vr
Vi
-Vr
vD
vi
iD
R
Figura 2.3. Conmutacin de un diodo.
Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy
pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan
tensiones inversas superiores a 50 100 V.
Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en

combinacin con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de
recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y
varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas
(trr) de pocos nanosegundos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el estado de conduccin

(ON) de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un trr
grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea.
Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios
kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango
de tensin o de corriente.
2.3 Tiristores
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una
puerta. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON)
se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado
ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).
2.3.1
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de

la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente hablar de
tiristor que de SCR.
El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la
Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite
soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente).
El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,
teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y
la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en
sentido nodo-ctodo. La figura 2.4 ilustra una estructura simplificada del dispositivo.
Rc (carga)
Vcc
J1
J2 J3
N-
N+
nodo
K
Vg
Gate G
A
Vcc
Ctodo
S
Rg
Rc
K
G
Rg
Vg
Figura 2.4. Estructura simplificada y smbolo del SCR
Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente polarizada. No habr
conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente hasta un valor que provoque la
ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores
negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2, siendo
entonces atrados por el nodo.
De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la
corriente de puerta.
Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en
cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre
dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo que
cabe a la unin J1 mantener el estado de bloqueo del componente.

Existe una analoga entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociacin de dos
transistores bipolares, conforme se muestra en la figura 2.5.
IA
P
T1
N
G
Ib1
P
N
Ic2
Ic1
T2
IG
Ib2
IK
Figura 2.5.Estructura y esquema equivalente simplificado de un SCR
Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarn. Como Ic2 =
Ib1, T1 conducir y tendremos Ib2 = Ic1 + IG, que aumentar Ic2 y as el dispositivo
evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de puerta IG. Tal efecto
acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se
mantendr en conduccin desde que, despus del proceso dinmico de entrada en conduccin,
la corriente del nodo haya alcanzado un valor superior al lmite IL, llamada corriente de
enclavamiento latching current.
Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del
valor mnimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera de potencial en
J2. Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre nodo
y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de desconexin por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la
desconexin.
Debido a las caractersticas constructivas del dispositivo, la aplicacin de una
polarizacin inversa del terminal de puerta no permite la conmutacin del SCR. Este ser un
comportamiento de los GTOs, como se ver ms adelante.
Caractersticas tensin-corriente
En la figura 2.6 podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de
apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si
no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la

tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin (ON)
aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin
directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V).
Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON),
aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.
iA
Estado de conduccin (ON)
Ruptura
inversa
Zona de
bloqueo
inverso
Transicin de OFF a ON
Estado de bloqueo (OFF)
vAK
Tensin de
ruptura
inversa
Tensin de ruptura
directa
Figura 2.6. Caracterstica principal de los SCRs
En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo

podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no
conduccin en inversa, comportndose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un
circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.
3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente
superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho estado
si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.
La figura 2.7 muestra las caractersticas corriente-tensin (I-V) del SCR y permite ver
claramente cmo, dependiendo de la corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden
variar.
iA
von
IL
IH
Vbr
IG2>IG1
1a3V
IG1>IG0 IG0=0
VAK
Vbo
Figura 2.7. Caracterstica I-V de un SCR en funcin de la corriente de puerta.
Activacin o disparo y bloqueo de los SCR

Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conduccin:
a) Disparo por tensin excesiva
Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensin de
polarizacin se aplica sobre la unin J2 (ver figura 2.4). El aumento de la tensin VAK lleva a
una expansin de la regin de transicin tanto para el interior de la capa de la puerta como
para la capa N adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto trmico, siempre existirn
cargas libres que penetren en la regin de transicin (en este caso, electrones), las cuales son
aceleradas por el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de tensin (y, por
tanto, de campo elctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas
aceleradas, al chocar con tomos vecinos, provoquen la expulsin de nuevos portadores que
reproducen el proceso. Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de
cargas por la unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de corriente por la puerta, de
modo que, si al iniciar la circulacin de corriente se alcanza el lmite IL, el dispositivo se
mantendr en conduccin (ver figura 2.7).
b) Disparo por impulso de puerta
Siendo el disparo a travs de la corriente de puerta la manera ms usual de disparar el
SCR, es importante el conocimiento de los lmites mximos y mnimos para la tensin VGK y
la corriente IG, como se muestra en la figura 2.8.
vGK (V)
Mxima tensin
de puerta
Lmite de baja
corriente
Mxima potencia
instantnea de puerta
VGmin
Lmite de alta
corriente
VGmax
Recta de carga
IGmin
iG (A)
0,5
A
12
6V
G
iG
vGK
Sistema
Figura 2.8. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a travs de control de puerta y
circuito de disparo reducido a su equivalente Thvenin.
El valor VGmin indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos
los componentes de un tipo determinado, para la mnima temperatura especificada.
El valor VGmax es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de
un tipo determinado entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin.
La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en
conduccin de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura 2.8) para
determinar la recta de carga sobre las curvas caractersticas vGK-iG. Para el ejemplo de la
figura 2.8, la recta de carga cortar los ejes en los puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de
disparo) y 6 V / 12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operacin
correcta del componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los lmites
vGmin y iGmin, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima).
c) Disparo por derivada de tensin

Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin exterior aplicada.
Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrar en conduccin estable y permanecer as una vez pasado el escaln de tensin que lo
dispar.
El valor de la derivada de tensin dv/dt depende de la tensin final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son stas.
d) Disparo por temperatura
A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unin P-N inversamente polarizada
aproximadamente se duplica con el aumento de 8 C. As, el aumento de temperatura puede
llevar a una corriente a travs de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin.
e) Disparo por luz
La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin
electromagntica de longitud de onda apropiada puede provocar tambin la elevacin de la
corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y obligar al disparo.
Los tiristores diseados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(Light Activated SCR) suelen ser de pequea potencia y permiten un aislamiento ptico
entre el circuito de control y el circuito de potencia.
2.3.2
TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres

terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser
disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente. La figura 2.9
muestra el esquema equivalente de un TRIAC.
A1
A2
G
Figura 2.9. Esquema equivalente de un TRIAC.
La figura 2.10 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su

estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la
conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa, de ah que los terminales no se
denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2). En algunos
textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos
permite la puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el
TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms
usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.
G
A2
A1
n
p
A1
p
n
p
n
A2
Figura 2.10. Smbolo y estructura interna de un TRIAC
La figura 2.11.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC. Se puede observar que
presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede ser disparada
desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la
corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser
tanto positiva como negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la
transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.
iA
von
IL
IH
IG=0
IG1
IG2
IG1
IG2
IG=0
Vbo
VA1A2
Figura 2.11. Caractersticas I-V del TRIAC
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo

nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin
embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de
potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con
tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de
TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de
motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia
mxima a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofsica.
2.3.3
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso
de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un
interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar

las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el
GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), as como su estructura interna en dos
dimensiones.
i AK
n
p
n
p
A
Figura 2.12. Smbolo y estructura interna de un GTO.
Principio de funcionamiento
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los
tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a
travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente
polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo.
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven
hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el
potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por
encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para
mantenerse en conduccin.
La figura 2.13 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y
salida de conduccin del GTO.
La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la
abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del
dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la
barrera de potencial en la unin J2.
Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad,
las diferencias estn en el nivel de construccin del componente. El funcionamiento como

GTO depende, por ejemplo, de factores como:
Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es posible

debido al uso de impurezas con alta movilidad.
Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo
tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin
en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor

dopado en la regin del ctodo.
Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo

con gran rea de contacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones

inversas.
Rc
Vcc
Entrada en
conduccin
J1
P+
J2
J3
N-
N+
A
nodo
Gate
Ctodo
Vg
Rg
Rc
Vcc
Apagado
(Bloqueo)
J1
J2 J3
P+ N-
N+
A
nodo
Gate
Ctodo
Vg
Rg
Figura 2.13. Proceso de conmutacin (abertura y cierre) del GTO.
La figura siguiente (Fig. 2.14) muestra las caractersticas estticas (corriente tensin) del
GTO.
i AK
IG > 0
IG < 0
VB
v AK
ruptura (kV )
Figura 2.14. Caracterstica esttica (I V) de un GTO.
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al

estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor
dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF.
Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento.
Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo a ctodo, pero
no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que un SCR y adems el
rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se
suelen llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-ctodo en
conduccin directa tambin es ms elevada que para los tiristores convencionales.
2.4 Transistores
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto
difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un
circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de
transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT,
los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de
puerta aislada (IGBT). A continuacin veremos cada uno de ellos.
2.4.1. Transistor Bipolar de Potencia (TBP)

Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordar existen dos tipos
fundamentales, los npn y los pnp, si bien en Electrnica de Potencia los ms usuales y
utilizados son los primeros. La figura 2.15 muestra un recordatorio de los smbolos empleados
para representar los transistores bipolares.
npn
pnp
Colector (C)
Base (B)
Emisor (E)
Base (B)
Emisor (E)
Colector (C)
Figura 2.15. Smbolos de los transistores bipolares npn y pnp.
Principio de funcionamiento y estructura

La figura 2.16 muestra la estructura bsica de un transistor bipolar npn.
La operacin normal de un transistor se hace con la unin J1 (B-E) directamente polarizada, y
con J2 (B-C) inversamente polarizada.
En el caso de un transistor npn, los electrones son atrados del emisor por el potencial
positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los
portadores tenga energa cintica suficiente para atravesarla, llegando a la regin de transicin
de J2, siendo entonces atrados por el potencial positivo del colector.
El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con Ic
por la ganancia de corriente del dispositivo.
Rc Vcc
J2
N+
N-
J1
N+
E
Vb
Rb
Figura 2.16. Estructura bsica del transistor bipolar
En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (TBP) es

diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con
baja concentracin de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensin de bloqueo del
componente.
La figura 2.17 muestra una estructura tpica de un transistor bipolar de potencia. Los
bordes redondeados de la regin de emisor permiten una homogeneizacin del campo
elctrico, necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas dbiles entre base y
emisor. El TBP no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentracin de
impurezas (elevado dopado) del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).
N + 10e19 cm -3
10e16 cm -3
N-
10e14 cm -3
10 m
5 a 20 m
50 a 200 m
N+
10e19 cm -3
250 m
Substracto
C
Figura 2.17. Estructura interna de un TBP tipo NPN
La preferencia en utilizar TBP tipo NPN se debe a las menores prdidas con relacin a
los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros,
reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutacin del componente.
Caractersticas estticas
Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el
circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja
cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i
grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien

diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada:
- Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un
interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por
tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado o la corriente de base no
es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarizacin inversa.
- Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada
tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base,
con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente
representada por las siglas F o hF . Por tanto, en la regin activa, el transistor acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el
voltaje vCE disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE
directa.
- Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que
el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus
terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn
polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en saturacin.
La figura 2.18 muestra la caracterstica esttica de un transistor bipolar npn. Tal como
se muestra en su caracterstica V-I, una corriente de base suficientemente grande IB>IC/
(dependiendo de la I de colector) llevar al componente a la plena conduccin. En el estado de
conduccin (saturacin) la tensin vCE(sat) est normalmente entre 1-2 V.
La caracterstica de transferencia se muestra en la figura 2.19.
iC
Saturacin
iB5
iB4
Activa
iB3
iB2
iB1
vCE(sat)
iB = 0
vCE
Corte
Figura 2.18. Caractersticas V-I de los transistores bipolares
vCC Corte
Activa
Saturacin
vCE(sat)
iB
Figura 2.19. Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar
En Electrnica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la

zona de saturacin, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el
rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeo. Adems tngase en cuenta que dado
que en Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, esa disipacin
de potencia debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el
semiconductor por una excesiva temperatura en su interior.
Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal y los de potencia son
bastante significativas. En primer lugar, la tensin colector-emisor en saturacin suele estar
entre 1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de cada en un transistor de seal.
Conexin Darlington
Otra diferencia importante es que la ganancia de un transistor de potencia elevada
suele ser bastante pequea. Ello conlleva que debido a las grandes corrientes de colector que
se deben manejar, la corriente por la base debe ser tambin elevada, complicando el circuito
de control de base del transistor. Para transistores de seal se suelen obtener valores de
ganancia entorno a 200, mientras que para transistores de potencia es difcil llegar a obtener
valores de ganancia de 50. Si por ejemplo un TBP con = 20 va a conducir una corriente de
colector de 60 A, la corriente de base tendra que ser mayor que 3 A para saturar el transistor.
El circuito de excitacin (driver) que proporciona esta alta corriente de base es un circuito
de potencia importante por s mismo.
Para evitar esta problemtica se suelen utilizar transistores de potencia en
configuraciones tipo Darlington, donde se conectan varios transistores de una forma
estratgica para aumentar la ganancia total del transistor. sta configuracin se muestra en la
figura 2.20.
(C)
(B)
12
2
(E)
Figura 2.20. Conexin Darlington
Las principales caractersticas de esta configuracin son:
Ganancia de corriente = 1 .(2+1) + 2

T2 no satura, pues su unin B-C est siempre inversamente polarizada
Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el disparo, T1 entra en
conduccin primero, dndole a T2 una corriente de base. En el bloqueo (apagado), T1
debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.
Debido a que la ganancia de corriente efectiva de la combinacin o conexin es,

aproximadamente, igual al producto de las ganancias individuales ( = 1 .(2+1) + 2), se
puede, por tanto, reducir la corriente extrada del circuito de excitacin (driver). La
configuracin Darlington puede construirse a partir de dos transistores discretos o puede
obtenerse como un solo dispositivo integrado.
En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y frecuencias
de trabajo medias (hasta unos 40 kHz). La ventaja de este tipo de interruptores es que su cada
de tensin en conduccin es bastante constante, si bien el precio que se paga es la
complejidad del circuito de control, ya que es un semiconductor controlado por corriente. Este
tipo de transistores, a diferencia de los que se vern en los siguientes apartados, suelen ser
bastante econmicos.
2.4.2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello de debe al aislamiento (xido de
Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET,
los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los
primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la
mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.
La figura 2.21 muestra un recordatorio de los smbolos utilizados para estos

dispositivos.
Drenador (D)
Puerta (G)
Canal n
Fuente (F)
Fuente (S)
Puerta (G)
Canal p
Drenador (D)
Figura 2.21. Smbolos de los transistor MOSFET de canal n y canal p.
Si bien el TBP fue inventado a finales de los aos 40, ya en 1925 fue registrada una
patente que se refera a un mtodo y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente
elctrica entre dos terminales de un slido conductor. As mismo, tal patente, que se puede
considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de Campo, no redund en un
componente prctico, puesto que entonces no haba tecnologa que permitiese la construccin
de los dispositivos. Esto se modific en los aos 60, cuando surgieron los primeros FETs,
pero an con limitaciones importantes con respecto a las caractersticas de conmutacin. En
los aos 80, con la tecnologa MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar
valores significativos de corriente y tensin, con velocidad superior al que se obtena con los
bipolares.
El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio
(SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el
cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. La
figura 2.22 muestra la estructura bsica del transistor.
Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los
agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta
tensin alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por
efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin
P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms
portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el
aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.
VDD
VGS
S
N+
-ID
- ID
NN+
D
SiO2
metal
Figura 2.22. Estructura bsica del transistor MOSFET
La circulacin de ID por el canal produce una cada de tensin que produce un efecto
embudo, o sea, el canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta
a la regin N-. Un aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un mayor
efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la corriente. Obviamente
el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante
para cualquier VDS, caracterizando una regin activa o de saturacin del MOSFET. La figura
2.23 muestra la caracterstica esttica del MOSFET de potencia.
Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las
capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms.
De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo
bien diferenciadas:
- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin
umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.
- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada,
ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la
puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el
producto tensin-corriente es alto.
iD
Ohmica
vGS4
Saturacin
vGS3
ON
vGS2
OFF
vGS1
vDS
Corte
Figura 2.23. Caracterstica esttica del transistor MOSFET canal n
Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte

o en hmica (interruptor abierto o cerrado). Atencin con los nombres de las zonas de trabajo,
que pueda causar confusin al lector cuando se habla de un bipolar y de un MOSFET.
Observar que la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona hmica del MOSFET y
que la zona de saturacin de ste corresponde a la zona activa del BJT.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden
manejar es bastante reducida. Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos,
en general, por la limitacin de tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que
existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario altas velocidades de
conmutacin (se pueden llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable
para los bipolares).
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en
conduccin RON vara mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no
se tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin
embargo, su ventaja ms relevante es la facilidad de control gracias al aislamiento de la
puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el diseo del circuito de
disparo (driver) y control correspondiente.
Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas de
ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT que se
describe en el siguiente apartado.
2.4.3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados
anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas
prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo
que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se
tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La
figura 2.24 muestra la simbologa para este tipo de transistores.
Colector (C)
Puerta (G)
Emisor (E)
(C)
(G)
(E)
Figura 2.24. Smbolos alternativos de los transistores IGBTs.
Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha

crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes
para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa
P+ que forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 2.25.
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V
y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de
puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs,
pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante
elevadas.
En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la
regin N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios
(agujeros), a partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta mayor
conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un MOSFET similar.
Gate (puerta)
Emisor
J3
P
SiO2
metal
J2
NN+
J1
P+
Colector
Figura 2.25. Estructura bsica del transistor IGBT
El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una
polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se hace
por tensin.
La mxima tensin que puede soportar se determina por la unin J2 (polarizacin
directa) y por J1 (polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede
concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado inversamente.
Los IGBT presentan un tiristor parsito. La construccin del dispositivo debe ser tal
que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la
regin P. Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento
indeseado.
En la figura 2.26 se muestra la caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de
conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura
secundaria como los BJT.
iC
vGE
vCE
Figura 2.26. Smbolo y caracterstica esttica del transistor IGBT
El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de

conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
2.4.4. Comparacin entre los diferentes transistores de potencia

A continuacin se presenta una breve tabla de comparacin de tensiones, corrientes, y
frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos.
BJT
1000-1200V
700-1000A
25kHz
P medias
MOSFET
500-1000V
20-100A
Hasta 300-400kHz
P bajas, <10kW
IGBT
1600-2000V
400-500A
Hasta 75kHz
P medias - altas
Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede encontrar
en el mercado. En general, el producto tensin-corriente es una constante (estamos limitados
en potencia), es decir, se puede encontrar un MOSFET de muy alta tensin pero con corriente
reducida. Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo. Existen bipolares de poca potencia
que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo ms usual.
2.5 Prdidas en conduccin y en conmutacin

Una problemtica de los semiconductores de potencia est relacionada con sus prdidas
y con la mxima disipacin de potencia que pueden alcanzar. Como se ha mencionado
anteriormente, si se supera la temperatura mxima de la unin (uniones entre distintos tipos
de semiconductores) en el interior de un dispositivo, ste se destruye rpidamente. Para ello es
necesario evacuar la potencia que se disipa mediante radiadores, que en algunos casos pueden
ser de gran tamao.
La disipacin de potencia no es otra cosa que las prdidas que tiene el dispositivo
semiconductor. Existen dos mecanismos que provocan las prdidas. Lo que se denominan
prdidas en conduccin, es decir, cuando el interruptor est cerrado y por tanto hay
circulacin de corriente. Por ejemplo, un MOSFET cuando est cerrado se comporta como
una resistencia de valor Ron, de manera que disipa una potencia que vale aproximadamente
Ron I2. Adems existen unas prdidas adicionales, denominadas prdidas en conmutacin,
que se producen cuando un semiconductor pasa del estado de bloqueo a conduccin y
viceversa. Las transiciones de corriente y tensin en el semiconductor no son instantneas ni
perfectas, con lo que en cada conmutacin se producen unas determinadas prdidas. El lector
rpidamente entender que las perdidas en conmutacin dependen de la frecuencia de
conmutacin, es decir, cuantas ms veces por segundo abra y cierre un transistor, ms
potencia estar disipando el semiconductor. Es decir, las prdidas en conmutacin dependen
directamente de la frecuencia de trabajo del dispositivo. De ah que se debe limitar la
frecuencia de conmutacin de cualquier dispositivo en electrnica de potencia para evitar su
destruccin. La figura 2.27 muestra las curvas de tensin (VDS), corriente (IDS) y potencia (P)
de un MOSFET inicialmente bloqueado (OFF). Se puede ver la conmutacin de OFF a ON,
despus un periodo que se mantiene en conduccin para despus volver a cerrarse. La figura
muestra las prdidas (potencia disipada) relacionadas con la conmutacin y la conduccin del
dispositivo.
PERDIDAS EN CONDUCCIN
PERDIDAS EN CONMUTACIN
Figura 2.27. Prdidas en conduccin y en conmutacin
2.6 Comparacin de prestaciones entre los diferentes dispositivos de

electrnica de potencia.
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia
ms utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de
trabajo.
Tabla de prestaciones:
DISPOSITIVO
DIODOS
TIRISTORES
GTOs
TRIACs
MOSFETs
BJTs
IGBTs
TENSIN
<10kV
<6000V
<6000V
<1000V
<1000V
<1200V
<2000V
CORRIENTE
<5000A
<5000A
<3000A
<25A
<100A
<700A
<500A
FRECUENCIA
<10MHz
<500Hz
<500Hz
<500Hz
<1MHz
<25kHz
<75kHz
Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele

trabajar en distintas zonas, parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de
trabajo. Una clasificacin cualitativa se presenta en la siguiente figura:
DISPOSITIVO
POTENCIA
FRECUENCIA
TIRISTORES
Alta
Baja
GTOs
Alta
Baja
TRIACs
Baja
Baja
MOSFETs
Baja
Alta
BJTs
Media
Media
IGBTs
Media-Alta
Media
Por otro lado, la figura 2.28 muestra un grfico que compara las capacidades de
tensin, corriente y frecuencia de los componentes controlables.
Tiristor
GTO
5kV
4kV
IGBT
3kV
BJT
1kHz
10kHz
2kV
1kV
100kHz
MOSFET
1MHz
1kA
2kA
3kA
4kA
5kA
6kA
Figura 2.28. Comparativa de los dispositivos de potencia
En la siguiente tabla se aaden otras caractersticas importantes a tener en cuenta en el

diseo de circuitos de electrnica de potencia.
Dispositivos
DIODO
SCR
GTO
BJT
MOSFET
IGBT
Caractersticas de disparo
---------
En corriente
En corriente
En corriente
En tensin
En tensin
Potencia del circuito de

mando
---------
Media - Alta
Alta
Media - Alta
Muy baja
Muy Baja
Complejidad del circuito de

mando
---------
Baja
Alta
Alta
Muy Baja
Muy Baja
Densidad de corriente
Mxima tensin inversa
Perdidas en conmutacin
(circuitos convencionales)
Media p/ Alta
Alta
Media - Alta
Media
Alta - Baja
Alta
Media
Alta
Alta
Baja - Media
Media - Baja
Madia - Alta
Baja p/ media
Alta
Alta
Media - Alta
Muy Baja
Madia - Alta
Por ltimo la figura 2.29 muestra algunas posibles aplicaciones de los distintos
dispositivos de electrnica de potencia.
Figura 2.29. Aplicaciones de la Electrnica de Potencia segn los dispositivos empleados.
2.7 Bibliografa
-
Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan, Undeland y Robbins,

John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.
Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana.

Prentice Hall.
Dispositivos de Potencia
66.25 Dispositivos Semiconductores - FIUBA
Dr. Ing. Ariel Lutenberg
Organizacin de la clase
1. Introduccin a la electrnica de potencia
2. Diodos de potencia
3. Modelo trmico y clculo de disipadores
4. Tiristores
5. Transistores de potencia
6. Conclusiones
1.Introduccin a la electrnica de potencia

Objetivos de la clase:
Entender las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Conocer diferentes dispositivos de potencia y sus usos.
Definicin de electrnica de potencia:

Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al control y
conversin de energa elctrica.
Ejemplos: Control de motores, calefaccin, sistemas de
iluminacin, fuentes de alimentacin, etc.
Dispositivos semiconductores de potencia:

Se pueden clasificar en cinco tipos:
2. Tiristores
3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura)
4. MOSFET de potencia
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
Sus terminales son nodo y ctodo.

Conduce slo cuando Va > Vk (equivale a un cable).
Si Vk > Va el diodo no conduce (equivale a un circuito abierto).

2. Tiristores
Sus terminales son: nodo, ctodo y compuerta (gate).

Slo conduce cuando Va > Vk, y se inyecta una corriente por
el Gate (entonces A-K equivale a un cable).
La nica forma de apagarlo es forzando Va < Vk .
3. TBJ (Transistor bipolar de juntura)
Sus terminales son emisor, base y colector.

Slo conduce cuando VBE > 0.7V
Si adems IB es suficientemente grande, entonces C-E
equivale a un cable.

4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Sus terminales son gate, source y drain.
Es un dispositivo de conmutacin rpida
(ms rpido que TBJ).
Slo conduce si VD > VS y
VG > VS (n-MOSFET), entonces D-S es un cable.
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Sus terminales son gate, emisor y colector.
Combina las mejores caractersticas
del TBJ y del MOSFET.
Slo conduce si VC > VE y
VG > VE (nIGBT), entonces C-E es un cable.

Caractersticas tpicas de los dispositivos
Dispositivo
Max. Volt Inverso Switching

Max. Corr Directa time (s)
Resistencia
equivalente
Uso general
High Speed
5000V/5000A
3000V/1000A
100
2-5
0,16m
1m
Schottky
40V/50A
0,2
10m
Uso general
5000V/5000A
200
0,25m
High Speed
1200V/1500A
20
0,50m
Light triggered
6000V/1500A
200-400
0,50m
TBJ
MOSFET
400V/250A
500V/9A
10
0,7
4m
0,6m
IGBT
1200V/400A
2,3
60m
Diodos
Tiristores
Transistor
Que dato falta en la tabla para poder hacer la comparacin?

Ejemplo de uso de los dispositivos:
Lo intento apagar
Dispositivos con
control de apagado

Ejemplo de uso de los dispositivos:
La corriente
de base es
significativa
La corriente
de gate es
despreciable
Debe permanecer encendido

Lo intento apagar

Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia:
Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica de DC y AC:
1.
2.
3.
4.
5.
Rectificadores con diodos

Conversores AC-DC (rectificadores controlados)
Conversores AC-AC (ac voltage controllers)
Conversores DC-DC (dc choppers)
Conversores DC-AC (inverters)

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N1:

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N2:
Funcionamiento:
t1
t2

2. Conversores AC-DC - Ejemplo:
ngulo de disparo
Pulso de encendido
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VDC
VDC

3. Conversores AC-AC - Ejemplo:
ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VAC

4. Conversores DC-DC - Ejemplo:
Tiempo de disparo
Diodo de
proteccin
VDC
Cambiando el
duty cycle (t1)
se modifica
VDC

5. Conversores DC-AC - Ejemplo:
Semi-periodo de disparo
Cambiando el
disparo se
modifica VAC

Efectos indeseados:
stos circuitos operan encendiendo y apagndose constantemente,

lo que introduce ruido en:
La tensin de salida
La fuente de alimentacin
Esto genera problemas:
Inyecta ruido en la carga
Inyecta ruido en la fuente de alimentacin
Produce interferencia en circuitos cercanos
Para reducir estos problemas se puede:
Usar filtros de entrada y de salida
Elegir el circuito ms conveniente
Usar blindaje electromagntico
2.Diodos de potencia
Esquema del diodo:
Curvas caractersticas:
Ecuacin del diodo:
Donde:
ID = corriente que circula por el diodo [A]
VD = tensin Va-Vd [V]
IS = corriente de saturacin inversa (10-6 a 10-15A)
n = coeficiente de emisin (1 a 2)
VT = voltaje trmico:
q = carga del electrn (1.6022 * 10-19 C)
T = temperatura [K]
k = constante de Boltzmann (1.38 * 10-3 J/K)
En directa (VD >> VT) :

En inversa (VD < 0) :
En ruptura (VD < VBR)
Diodos de propsito general:
-
Tiempo de recuperacin ~ 10 s
1A-6000A / 400V-3600V / VF = 1.2V
Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)
Diodos Fast-recovery:
Tiempo de recuperacin ~ 0.1 a 10 s

30A-200A / 400V-1500V / VF = 1.2V
Usados como conversores DC-DC o DC-AC (inversores, UPS)
Diodos Schottky (metal-semiconductor):

-
Tiempo de recuperacin ~ 5 ns
1A-120A / 15V-150V / VF = 0.7V
Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)
Encapsulado DO-5:
Funcin del encapsulado:

-
Conexin elctrica
Disipacin trmica
Aislamiento elctrico
Ejemplo de hoja de datos (1/3):
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3):
Al aumentar la corriente ID aumenta la potencia disipada y el diodo
comienza a recalentarse:
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)
3.Modelo trmico y clculo de disipadores

Tj
Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica:
Pot.Rt = Tamb
I.R = V
Juntura
Modelo
trmico
equivalente
del diodo:
Rjc
Carcaza
Tc
Rca
Ambiente
Regimenes mximos
Ta
T ambiente
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax

Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn:
Forma tpica (Tjmax=125C):
Pdja @Ta=25C = 25W
Rjc
= 1,4 C/W
Alternativa (Tjmax=125C):
Pdja @Ta=25C = 25W
Pdjc @Tc=25C = 70W
Frecuentemente (Tjmax=125C) :
Pdjc @Tc=25C = 70W
derate
= 0,25 W/C
Ocasionalmente (Tjmax=125C) :
Rjc
= 1,4 C/W
Rca
= 2,6 C/W
Estos cuatro casos son exactamente equivalentes (demostrarlo).
Pd

Clculo de disipadores
Problema: Dado un diodo con mximos:
Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W
y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador.
Solucin: A partir del modelo trmico:
Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax
Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax
Del enunciado:
Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W
Pdjc
70 W
Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W
Pdja
25 W
Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C
Si no se cumple hay
que usar disipador
El disipador quedara en paralelo con Rca: Rca//Rd ~ Rd, Rd = Tj Ta - Rjc

Pd

Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?

Ejercicio - Resolucin
Tj
Tc
Ta
R jc
Rca
R ja = R jc + Rca
Temperatura de Juntura [C]

Temperatura de carcasa [C]
Temperatura ambiente [C]
Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W]
Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W]
Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]
Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos:

mx
Temperatura de juntura mxima: T j = 200C
Disipacin de potencia mxima: P mx = 6 W @ T a = 25 C
P mx = 117W @ T c = 25 C
Por lo tanto:
R jc =
R ja=
T mx
j Tc
P @T
mx
T mx
j Ta
P @T
mx
200 25 C
C
= 1.50
177 W
W
200 25 C
C
= 29.17
6
W
W
Rca = R ja R jc = ( 29.17 1.50 )
C
C
= 27.67
W
W

Puede el dispositivo, sin disipador externo, disipar 30W a Ta = 50C?
Verificacin: Si P= 30 W, T a = 50 C y
R ja= 29.17
C
W
Entonces:
T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C
Resulta T mx
>> 200C
j
Qu hacemos?
TO-92
TO-5
TO-247
TO-218
Mayor disipador
TO-220
TO-220
TO-3
menor resistencia
TO-3

Incidencia de la posicin
Ventilacin forzada
Diferentes tipos de aislantes
Mantenimiento de disipadores
Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste

Ejercicio (resolucin - continuacin)
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
Dispositivo con disipador externo:
P= 30 W
Si tomamos: T j = 200 C
T a = 50 C
mx
T mx
c = T j P R jc
R jc = 1.50
R ja = 27.67
C
W
C
W
Tcmx = 200 C 30 1.5 C

= 155 C
Quema!
Y cuanto debe valer Rdis?

P= 30 W
R jc = 1.50
T a = 50 C
R ja = 27.67
Tc = 155 C
Despejando:
C
W
C
W
Tc Ta = P ( Rca || Rdis )
Tc Ta 155 50 C
C
=
= 3.5
P
30
W
W
1
1
1
C
=
Rdis = 4
Rdis
C Rca
W
3.5
Rca || Rdis =
Verificando: T j = Ta + P ( Rca || Rdis + R jc ) = 50 C + 30W ( 4 || 27.67 +1.5 ) C = 199.8 C

W
C
Qu ocurre si Ta = 75C? T j = Ta + P Rtotal = 75 C + 30W 5 = 225 C > 200 C!!
W

Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador.
En general se elige un disipador con R 30% menor a la calculada.
Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un
disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W.
A simple modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se
necesita una superficie de aletas aproximadamente de 156 cm2 de acuerdo a la
siguiente frmula emprica:
2
50 cm C
50
Rdis =
A= cm 156cm 2
A W
4
Para obtener 2.8 C/W el disipador tendra una superficie de aletas

DOS veces mayor (318 cm2).
4.Tiristores
Para qu sirve un tiristor?
ngulo de disparo
Pulso de encenido
Cambiando el ngulo de
disparo se modifica VDC
VDC
El tiristor es un dispositivo unipolar con un terminal de disparo pero sin corte.
4.Tiristores
- El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia.
- Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:
- Si IG = 0, entonces es un circuito abierto.

- Si IG = 0 y VGK > VBO, el tiristor se dispara, se produce una realimentacin
positiva (~reaccin en cadena) y se transforma en un cable (es peligroso).
- Si IG > 0 y VGK < VBO, el tiristor se dispara en forma segura.
4.Tiristores
Curva caracterstica del tiristor:
VBO (tensin de ruptura): mnima tensin de Vak que dispara al tiristor.

IL(corriente de latch): es la mnima corriente de encendido del tiristor.
IH (corriente de retencin): mnima corriente que lo mantiene encendido.
IR (corriente reversa): corriente que circula para Vk > Va.
4.Tiristores
Modos de encendido del tiristor
- Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga.
- Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor.
- Por tensin: Si VAK > VBO el tiristor se enciende, pero de modo destructivo.
- dv/dt: Si VAK varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable).
- IG: Con IG > 0 y una tensin VAK < VBO el tiristor se enciende.
- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots
- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema
dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT
Al cargarse el capacitor
limita dV/dt
pero al descargarse
nada limita la corriente
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT
Limita la corriente
de descarga del
capacitor
Este circuito es muy habitual y se conoce como Snubber Circuit
4.Tiristores
Clasificacin de los tiristores:
1. Silicon control rectifier
(SCRs)
2. Fast Switching Thyristors
(SCRs)
3. Gate Turn-off Thyristors
(GTOs)
4. Triode of Alternating Current
(TRIACs)
5. Reverse Conducting Thyristors
(RCTs)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
(1,2)
(6)
(3)
(9)
(4)
(7)
4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO):
- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.
- Tiene varias ventajas sobre los transistores:
Mayor capacidad de bloqueo de tensin inversa.

Mejor capacidad de manejo de corrientes pico.
Menor corriente de activacin (que el TBJ)
Una seal de activacin mas corta
+
+
4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):
5. Reverse Conducting Thyristor (RCT)

- Tiene un diodo integrado en inversa
- Se usa en inverters DC-AC y choppers DC-DC.
4.Tiristores
6. Static Inductor Thyristor (SITH):
- Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate.
- Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.
7. Light Activated Silicon Controlled Thyristor (LASCRs)

- Se usa en aplicaciones de alto voltaje y corriente (lneas de HVDC)
- Brinda completa aislacin entre el gate y la salida.
- El LASCRs no se puede apagar desde el Gate.
4.Tiristores
8. FET Controlled Thyristor (FET-CTHs)
- Consiste de un FET en paralelo con un tiristor.
- No se puede apagar desde el Gate.
9. MOS Controlled Thyristor (MCTs):

Combinan caractersticas de SCR y de MOS:
1. Baja cada de tensin nodo-ctodo.
2. Rpido encendido y apagado.
3. Bajo consumo para switcheo
4. Baja capacidad de bloqueo de Vak inverso.
5. Alta impedancia de gate.
Se usa en apliaciones de baja velocidad.
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL para
diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar cuando la
potencia disipada en la carga es mxima.
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs
vs
t
vSCR
vSCR
t
vRL
vRL
td = 0
td > 0
La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce en

td = 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la seal,
ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga.
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
En el semiciclo en el cual no circula corriente (el SCR no conduce), el SCR
no disipa potencia. En el semiciclo en el cual circula corriente, la cada en el
SCR es de 1 Volt, aproximadamente en forma continua. Durante ese
intervalo de tiempo la corriente pico que circula es: 311V 1V
I=
500
= 0.62 A
Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es: I ef = 1 0.62 A = 0.22 A
1V
Por otro lado, la tensin eficaz en el SCR es: Vef = = 0.5V
2
Entonces la potencia disipada del SCR durante el ciclo completo es:

Se necesita disipador?
PSCR = 0.5V 0.22 A = 0.11W
4.Tiristores
Ejercicio
El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente:
Sin disipador tenemos:
PMAX =
Tj Ta 150 C 50 C
=
= 1.57W
Rja
63.5 C / W
As resulta: PMAX > Pdisipada = 0.11 W
No se necesita disipador.
Verificacin: Tj = Ta + P Rja = 50 C + 0.31W 62 C / W = 69 C < TjMAX
4.Tiristores
Ejercicio
Dado el circuito de la figura, graficar la forma de onda en cada uno de los
dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones:
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
c. Los SCR no conducen en ningn momento.
Vs
Vef = 220V
f = 50Hz
SCR1
Seal disparo
D1
RL
Seal disparo
D2
SCR2
4.Tiristores
SCR1
Seal disparo
D1
Vs [V]
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.

200
0
-200
V SRC1 [V]
200
0
-200
V SCR2 [V]
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
200
0
-200
200
0
-200
V D2 [V]
SCR2
V D1 [V]
Seal disparo
D2
V RL [V]
RL
200
0
-200
200
0
-200
Y qu pasa si los SCR conducen durante ciclo de la seal Vs?
4.Tiristores
SCR1
Seal disparo
D1
Vs [V]
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.

200
0
-200
V SRC1 [V]
200
0
-200
200
0
-200
V SCR2 [V]
V D2 [V]
SCR2
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
200
0
-200
V D1 [V]
Seal disparo
D2
V RL [V]
RL
200
0
-200
200
0
-200
Y qu pasa si los SCR no conducen en ningn momento?
4.Tiristores
SCR1
Seal disparo
D1
RL
Vs [V]
c. Los SCR no conducen en ningn momento.

200
0
-200
0
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
V SRC1 [V]
V D1 [V]
200
0
-200
200
0
-200
200
0
-200
V D2 [V]
SCR2
V SCR2 [V]
D2
V RL [V]
Seal disparo
200
0
-200
200
0
-200
5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Alta (1010 )
Media (104 )
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10 a 100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Resistencia OFF (corte)
Alta
Alta
Voltaje CE/DS mx. aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Costo
Alto
El IGBT ofrece entrada MOS y corriente de TBJ:

- Se activa por tensin (no por corriente).
- Tiempos de conmutacin bajos.
- Soporta mayor disipacin (como los bipolares).
Medio
-Caractersticas
Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal:
Manejo de alta potencia.

Bajo tiempos ton toff.
Alta densidad de corriente.
Que apagado soporte alta tensin VCE o VDS.
Que soporte grandes di/dt y dv/dt.
TBJ NPN
Principios bsicos de funcionamiento

- En un TBJ se controla IC con IB:
IC = IB
- En un MOS se controla ID con VGS: ID = k(VGS-VT)2

En ambos casos, con una potencia pequea (IB o VGS)
se controla una mucho mayor (IC o ID).
MOS - N
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ (las del MOS son similares):
IC
IB
Funcionamiento normal
Funcionamiento extremo
- Avalancha primaria: Superada la mxima VCB con emisor abierto (VCBO), o la

mxima VCE con base abierta (VCEO), la unin C-B polarizada en inversa entra
en un proceso de ruptura similar al de un diodo y conduce corriente.
- Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo
de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.
Tiempo de conmutacin y disipacin
- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.
- Durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:
Esto es as porque:
VC
E
Potdis
= VCEIC
IC
Potdis-ON = 0VIC
ON
Potdis-OFF = VCE0A
IB
Pdi
s
IC
OFF
Ejemplos de dispositivos daados:
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La zona de funcionamiento est limitada por la disipacin de energa:
- El transistor puede estar en la zona lmite de la avalancha secundaria durante

cortos intervalos de tiempo sin que se destruya.
- Para corrientes grandes se funden las conexiones metlicas
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Las cargas inductivas generan las condiciones de trabajo ms desfavorables:
Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A
Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A:
- Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor VCE >> VCC
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia
del transistor:
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:
Vz>Vcc
Red Snubber
- En A) y B) se limita la VCE durante el paso de saturacin a corte,

proporcionando un camino para la circulacin de corriente del inductor.
- En C) al cortarse el transistor la corriente pasa por el diodo y por Cs, el cual
tiende a cargarse a Vcc. En saturacin Cs se descarga a travs de Rs.
Circuitos de encendido del transistor:
El tiempo de conmutacin puede reducirse usando una seal adecuada:
El sobrepico acelera
la conmutacin
- Para esto puede emplearse el siguiente circuito:
Circuitos de encendido del transistor:
Otra opcin es el popular circuito anti-saturacin:
Enclavador Baker = Baker Clamp
- El objetivo es evitar que durante la conduccin la juntura B-C est en directa

(VB > VC) para as lograr minimizar el tiempo de apagado del transistor.
- Cuando la tensin de control aumenta, D1 conduce una corriente IB que
enciende el transistor. Entonces D2 est en inversa (no conduce).
- Si la tensin de control sigue aumentando, entonces VC disminuye hasta que.
D2 est en directa y conduce. Entonces D1 pierde corriente, el transistor
conduce menos y VC aumenta, por lo que D2 deja de conducir.
Este circuito usa una realimentacin negativa para impedir que VC sea muy
baja y as logra aumentar la velocidad de apagado del transistor.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):
Es una mezcla entre MOSFET y TBJ:
- El IGBT presenta alta impedancia de entrada como los MOSFET, y bajas

perdidas de conduccin como el TBJ, pero sin ruptura secundaria como el TBJ.
- El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET
Comparacin de distintos tipos de transistores
- Los valores no son exactos dada la gran disparidad del mercado.

- En general el producto tensin-corriente es una constante (limitacin de
potencia): hay MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida.
-Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo: existen bipolares de poca
potencia que trabajan a 50kHz, aunque no es lo usual.
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
6.Conclusiones
6.Conclusiones
Aplicaciones:
Bibliografa
- http://materias.fi.uba.ar/6625
- http://www.redeya.com
- http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/courses/index33d.html
- Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan,
Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
- Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
- Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University,
Valparaso Indiana. Prentice Hall.
3
.
2
El transistor de
PARTADO
potencia
Electrnica Industrial
32
3.2
A Introduccin a los transistores de potencia
A. Introduccin a los transistores de potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOS
Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura de operacin Alta (200C)
Bipolar
Media (150C)
Coste
Alto
Medio
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensin.

Tiempos de conmutacin bajos (alta frecuencia de funcionamiento)
Margen de potencia en conduccin mucho mayor (como los bipolares).
Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos semiconductores de potencia que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los

transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamenta-
33
3.2
El transistor de potencia
les de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y
base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
.A.1
Principios bsicos de funcionamiento
La diferencia ms notable entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es

el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el
FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que
son sustancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume
el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.
B. El transistor bipolar de potencia (BJT)

A continuacin veremos las caractersticas ms importantes del BJT. Es de destacar
que el inters actual del BJT es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia
con caractersticas muy superiores. Sin embargo, le dedicamos un tema dentro de
esta asignatura porque es necesario comprender sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia
en la actualidad dentro del campo de la Electrnica de Potencia.
.B.1
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo

de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:
34
3.2
B El transistor bipolar de potencia (BJT)
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin

emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es
la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones.
La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC = 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE = 0).
En la siguiente figura, se muestra la curva V-I tpica del transistor bipolar:
.B.2
Especificaciones importantes
Las principales caractersticas que han de considerarse en los transistores bipolares

de potencia son:
ICmax: intensidad mxima de colector

BVCEO: tensin de ruptura de colector-emisor
Pmax: potencia mxima disipable en rgimen continuo
Adems, conforme los transistores utilizados en circuitos de potencia trabajan generalmente en saturacin y corte (rgimen de conmutacin), resulta de inters la cada
de tensin colector-emisor en saturacin VCEsat y los tiempos de saturacin y corte para
aplicaciones de alta frecuencia.
.B.3
Caractersticas dinmicas. Tiempos de conmutacin
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto iC x vCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en
el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,
35
3.2
debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el
paso de un estado a otro.
Como siempre, podemos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y
tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos, quedando as cuatro tiempos a estudiar:
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

ton = td + tr
toff = ts + tf
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que
el tiempo de encendido (ton), como ocurre en la mayora de los conmutadores, tal y
como se muestra en la siguiente figura.
36
3.2
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima (fmax) a la
cual puede conmutar el transistor:
f max =
.B.4
1
t on + t off
rea de operacin segura en un BJT de potencia
Adems de especificar la mxima disipacin de potencia a diferentes temperaturas de

encapsulado, los fabricantes de transistores de potencia suelen indicar una grfica de
la frontera del rea de operacin sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en el plano
ic-vce. La especificacin de una SOA tpica presenta la forma que se muestra en la siguiente figura:
37
3.2
En esta curva se pueden observar cuatro reas claramente diferenciadas:

1. La corriente mxima permisible ICmax. Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como resultado que se fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del encapsulado
2. La hiprbola de mxima disipacin de potencia. Este es el lugar geomtrico de
los puntos para los cuales se cumple que vceic = Pmax (a TCO). Para temperaturas TC >
TCO se obtendrn un conjunto de hiprbolas ms bajas. An cuando se pueda permitir
que el punto de trabajo se mueva de modo temporal por encima de la hiprbola, no
debe permitirse que el promedio de disipacin de potencia exceda de Pmax.
3. Lmite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenmeno que resulta debido a que la circulacin de corriente por la unin entre emisor y base no es uniforme.
Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unin. Esta
aglomeracin de corriente da lugar a mayor disipacin de potencia localizada y por lo
tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre de puntos calientes. Como
el calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente trmico
que provoque la destruccin de la unin semiconductora.
4. Voltaje de ruptura de la unin colector emisor BVCEO. Nunca debe permitirse que
el valor instantneo de vce exceda de BVCEO; de otra manera, ocurrir la ruptura de
avalancha de la unin entre colector y base.
Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logartmicas para
ic y vce que llevan a un lmite de rea de operacin sin riesgo (SOA) formada por lneas
rectas.
.B.5
Efectos producidos por cargas inductivas. Protecciones
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables dentro de la zona activa, en el sentido de que se oponen a las variaciones
de corriente que imponen los transistores al conmutar de saturacin a corte y viceversa.
38
3.2
En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor
pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a
corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior
el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte
lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una
profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc).
Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que se muestran a continuacin:
a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la tensin de la fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a
corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva de la carga.
39
3.2
En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando

por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la
conmutacin sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites
por disipacin y por avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el
condensador se descarga a travs de RS.
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte
(punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a
la fuente Vcc.
Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:
de donde :
Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar

descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de
tiempo de RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que
permanece en saturacin el transistor:
C. El transistor MOSFET
El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los componen; una fina pelcula metlica (Metal -M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (Semiconductor- S).
40
3.2
C El transistor MOSFET
Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en

la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en
que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren
solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT),
son controlados por corriente aplicada a la base.
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT
La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los nanosegundos, por esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.
Inconvenientes de los Mosfet
.C.1
Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Los Mosfet son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que provoca
mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.
Tipos de MOSFET
Mosfet de Deplexin o empobrecimiento: existe un canal por el cual circula

la corriente aunque no se aplique tensin en la puerta.
Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento: el canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica una tensin en la puerta. A su vez, dentro
de los transistores MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos:
de canal n o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo
de portadores mayoritarios por el canal. En la siguiente figura se pueden observar la estructura fsica y el smbolo ms habitual para un MOSFET de canal
n:
41
3.2
Asimismo, en la siguiente figura se muestran las mismas figuras para un MOSFET de canal p:
.C.2
Regiones de trabajo de los MOSFET
La curva caracterstica nos da informacin acerca de como vara la intensidad del drenador (id) para una tensin fija (vds), y variando la tensin aplicada entre la puerta y el
surtidor (vgs). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva caracterstica de
un n-MOSFET de enriquecimiento.
Las caractersticas reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y como se puede observar en la grfica anterior.
42
3.2
C El transistor MOSFET
Regin de Corte
En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales (muy pequeas),
cuando el dispositivo est en corte. Si la tensin aplicada entre Puerta Surtidor es inferior
a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el dispositivo continuar
en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente
nula.
Las ecuaciones para esta regin sern:
vGS < VGS (th)

vDS > 0
iD 0
Regin Activa (Saturacin de Canal)
En esta regin se utiliza el transistor Mos como amplificador. Para un valor de vgs, que
ser como mnimo Vgs(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor.
En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, controla la magnitud
de la corriente del drenador (id), como la tensin entre el drenador y el surtidor (vds).
Como se puede ver en la curva caracterstica, para un valor particular de la tensin
entre puerta surtidor, tenemos un valor de la corriente del drenador (id).
Las ecuaciones para esta regin sern:
vGS > VGS (th)
vGS - VGS (th) < vDS
i G 0 iD iS
Regin hmica
Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin
que
vGS - VGS (th) vDS
Por lo tanto, las ecuaciones tpicas para esta regin son:
vGS > VGS (th)
vGS - VGS (th) vDS
i G 0 iD iS
Para un p-MOSFET de enriquecimiento es importante recordar que el voltaje umbral
VGS (th) es negativo y para inducir un canal es necesario aplicar un voltaje en puerta que
sea ms negativo que el propio voltaje umbral. Por lo tanto, para un MOSFET de canal
p, se definen las tres regiones anteriores de la siguiente manera:
43
3.2
Regin de Corte : vGS > VGS (th)
Regin Activa (saturacin) :
vGS < VGS (th)

vGS - VGS (th) < vDS
Regin hmica :
vGS < VGS (th)

vGS - VGS (th) > vDS
D. El transistor IGBT
El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutacin, como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada
velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo
se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el
rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT se fabrican
desde una tensin de 1400V y una corriente de 300A, a una tensin de 600V y una
corriente de 50A.
El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento
que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con
una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para
conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.
44
Controladores de Potencia
Dispositivos Electrnicos de Potencia
Prof. Alexander Bueno M.
17 de septiembre de 2011
USB
Dispositivos Electnicos de Potencia
Funciones Bsicas de los Convertidores Electrnicos de

Potencia
USB
Diodos
Es el dispositivo ms bsico de la electrnica de potencia, esta constituido por una

juntura semi conductora NP su encendido se realiza cuando la tensin entre su
nodo y ctodo supera la tensin de ruptura de la componente (vak vto).
Smbolo:
Esquema Semiconductor:
USB
Fotos:
Curvas:
Real
USB
Ideal
3
Tabla 1: Tipos de diodos

Tipo
Uso General
Alta Velocidad
Schottky
USB
Tensin (kV)
5.0
6.0
0.6
2.8
4.5
6.0
0.6
0.15
Corriente (kA)
5.0
3.5
9.57
1.7
1.95
1.1
0.017
0.08
Frecuencia (kHz)
1.0
1.0
1.0
20.0
20.0
20.0
30.0
30.0
Tiristor o SCR
El Tiristor o SCR esta conformado por tres junturas NP en serie, este dispositivo
reemplazo al los tiratrones y posee controlo de encendido a travs del suministro
de un pulso de corriente en el orden de los 20mA en la compuerta de disparo o
gate, adicionalmente requiere polarizacin nodo ctodo positiva (vak > 0) .
Smbolo:
USB
Esquema como Semi conductor:
USB
Foto:
USB
Curvas:
Real
USB
Ideal
8
Tabla 2: Tipos de tiristores

Tipo
Tensin (kV)
Corriente (kA)
Frecuencia (kHz)
Bloque Inverso
6.0
2.3
20.0
4.5
3.7
20.0
6.5
4.2
0.06
2.8
1.5
0.06
5.0
5.0
0.06
2.8
1.85
20.0
1.8
2.1
20.0
Bidireccionales
4.2
1.92
20.0
RCT
2.5
1.0
20.0
Conduccin Inversa
2.5
1.0
5.0
Gatt (Traccin)
1.2
0.40
20.0
Fototiristor o Lumnicos
6.0
1.5
0.400
Conmutados por lnea
Alta Velocidad
USB
Triac
Smbolo:
Foto:
USB
10
Curvas:
Real
Ideal
Tabla 3: Tipos de triac
Tipo
Uso General
USB
Tensin (kV)
1.2
Corriente (kA)
0.3
Frecuencia (kHz)
0.4
11
Tiristores Auto Desactivables
GTO:
IGCT:
USB
12
MTO:
MCT:
USB
13
SITH:
ETO:
USB
14
Curvas:
Real
USB
Ideal
15
Tabla 4: Tipos de tiristores auto desactivables

Tipo
GTO
HD-GTO
Pulso-GTO
MCT
MTO
ETO
IGCT
SITH
USB
Tensin (kV)
4.5
4.5
5.0
4.5
1.4
4.5
4.5
4.5
4.0
Corriente (kA)
4.0
3.0
4.6
0.25
0.065
0.5
4.0
3.0
2.2
Frecuencia (kHz)
10.0
10.0
10.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
20.0
16
Transistores BJT
Los transistores BJT ms utilizados en la electrnica de potencia son los NPN, y

su operacin se centra en corte y saturacin, es decir, como interruptor electrnico.
Recordemos que para que un transistor NPN se encuentre polarizado es necesario
que la tensin del colector sea mayor a la de la base y esta mayor que la del emisor
(vC > vB > vE ) en por lo menos 0,7V .
La polarizacin de este dispositivo se realiza por corriente y es de la forma:
ibase
USB
icolector
iemisor
=
=
hf e
(hf e + 1)
(1)
17
Smbolo:
USB
18
Caracterstica:
Real
Ideal
Para operar el transistor en corte es necesario suministra cero corriente por la base.
La condicin para operar el transistor en saturacin es:
ibasesaturacion
USB
1
icolectoroperacion
hf e

(2)
19
Tabla 5: Tipos de transistores BJT de potencia

Tipo
Individual
Individual
Individual
Darlington
USB
Tensin (kV)
0.4
0.4
0.63
1.2
Corriente (kA)
0.25
0.04
0.05
0.40
Frecuencia (kHz)
25.0
30.0
35.0
20.0
20
MOSFET
Smbolo:
USB
21
Foto:
Caracterstica:
Real
USB
Ideal
22
Los MOSFET ms utilizados en electrnica de potencia son los canal N y su

operacin se reduce a interruptor electrnica, es decir, en corte y operacin.
La ventaja de este dispositivo en relacin con el BJT es su polarizacin en tensin
y alta impedancia de entrada.
Tabla 6: Tipos de transistores MOSFET de potencia
Tipo
Individual
COOLMOS
COOLMOS
COOLMOS
USB
Tensin (kV)
0.8
0.8
0.6
1.0
Corriente (kA)
0.0075
0.0078
0.04
0.0061
Frecuencia (kHz)
100.0
125.0
125.0
125.0
23
IGBT
Los transistores de compuerta aislada o IGBT combinan las caractersticas de los

MOSFET y BJT
Smbolo:
USB
24
Esquema Interno:
Foto:
USB
25
Caracterstica:
Real
Ideal
Tabla 7: Tipos de transistores IGBT de potencia

Tipo
Individual
Individual
USB
Tensin (kV)
2.5
1.2
Corriente (kA)
2.4
0.08
Frecuencia (kHz)
100.0
100.0
26
SIT
El SIT es el FET de electrnica de potencia y su aplicacin se reserva para altas

frecuencias.
Smbolo:
USB
27
Caracterstica:
Real
Ideal
Tabla 8: Tipos de transistores SIT de potencia

Tipo
Individual
USB
Tensin (kV)
1.2
Corriente (kA)
0.30
Frecuencia (kHz)
100.0
28
Clasicacin de los Semiconductores de Potencia
Activacin y desactivacin sin control.

Activacin controlada y desactivacin sin control.
Activacin y desactivacin controlada.
Requerimiento de encendido por nivel de compuerta o anco de compuerta.
Capacidad de tensin bipolar o unipolar.
Corriente bidireccional o Unidireccional.
USB
29
Caractersticas de conmutacin de los semiconductores

de potencia
USB
30
Seleccin de Semiconductores de Potencia
La seleccin de un dispositivo de potencia, para una determinada aplicacin

depende:
Tensin y Corriente
Caracterstica de conmutacin y controlabilidad.
Perdidas en los tres estados de operacin (conduccin, bloqueo y conmutacin).
Los niveles de perdidas que pueden manejar la componente depende de su
capacidad de disipacin de calor al medio ambiente que esta estrechamente
ligada con su disipador.
Frecuencia para encendido y apagado que requiera la aplicacin.
USB
31
Ventajas y Desventajas de la Electrnica de Potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia permite realizar puentes convertidores

electrnicos, ecientes que mejoran las prestaciones estticas y dinmicas de los
procesos de conversin de energa elctrica, originando procesos ms ecientes
debido a la capacidad de conmutar grandes bloques de energa con mnimas
prdidas.
La conmutacin de altos bloques de energa trae consigo la introduccin de
contaminacin armnica en tensin y corriente sobre las lneas de alimentacin,
problemas de resonancia, interferencia electromagntica, fallas de aislacin, entre
otras.
Estos problemas pueden solucionarse mediante ltros pasivos y/o activos o mejorando las estrategia de conmutacin de los puentes electrnico.
USB
32
USB
33

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by TIP35A/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

!#
" !

. . . for generalpurpose power amplifier and switching applications.
25 A Collector Current
Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A
High Current Gain Bandwidth Product hfe = 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
v
MAXIMUM RATINGS
Symbol
TIP35A
TIP36A
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
Unit
*Motorola Preferred Device
VCEO
60 V
80 V
100 V
Vdc
CollectorBase Voltage
VCB
60 V
80 V
100 V
Vdc
EmitterBase Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current Continuous

Peak (1)
IC
25
40
Adc
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 100 VOLTS
125 WATTS
Base Current Continuous
IB
5.0
Adc
Total Power Dissipation

@ TC = 25_C
Derate above 25_C
PD
125
1.0
Watts
W/_C
TJ, Tstg
65 to + 150
_C
ESB
90
mJ
Rating
CollectorEmitter Voltage
Operating and Storage Junction

Temperature Range
Unclamped Inductive Load
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
JunctionToFreeAir Thermal Resistance
(1) Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle
Symbol
Max
Unit
RJC
1.0
_C/W
RJA
35.7
_C/W
CASE 340D02
TO218AC
10%.
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
125
100
75
50
25
0
25
50
75
125
100
TC, CASE TEMPERATURE (C)
150
175
Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 1
Motorola, Inc. 1996

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)

Characteristic
Symbol
Min
Max
60
80
100
1.0
1.0
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage (1)

(IC = 30 mA, IB = 0)
VCEO(sus)
TIP35A, TIP36A
TIP35B, TIP36B
TIP35C, TIP36C
CollectorEmitter Cutoff Current

(VCE = 30 V, IB = 0)
(VCE = 60 V, IB = 0)
Vdc
ICEO
mA
TIP35A, TIP36A
TIP35B, TIP35C, TIP36B, TIP36C
CollectorEmitter Cutoff Current

(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
ICES
0.7
mA
EmitterBase Cutoff Current

(VEB = 5.0 V, IC = 0)
IEBO
1.0
mA
25
15
75
1.8
4.0
2.0
4.0
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 1.5 A, VCE = 4.0 V)
(IC = 15 A, VCE = 4.0 V)
hFE
CollectorEmitter Saturation Voltage

(IC = 15 A, IB = 1.5 A)
(IC = 25 A, IB = 5.0 A)
VCE(sat)
BaseEmitter On Voltage
(IC = 15 A, VCE = 4.0 V)
(IC = 25 A, VCE = 4.0 V)
VBE(on)
Vdc
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
SmallSignal Current Gain

(IC = 1.0 A, VCE = 10 V, f = 1.0 kHz)
hfe
25
CurrentGain Bandwidth Product

(IC = 1.0 A, VCE = 10 V, f = 1.0 MHz)
fT
3.0
MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
2.0%.
VCC
TURNON TIME
RL
+ 2.0 V
0
3.0
TO SCOPE
tr 20 ns
10
RB
tr
20 ns
30 V
11.0 V
2.0
10 TO 100 S
DUTY CYCLE 2.0%
RL
+ 9.0 V
3.0
TO SCOPE
tr 20 ns
10
RB
VBB
+ 4.0 V
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 4, RB & RL ARE VARIED.

INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN, REVERSE ALL POLARITIES.
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuits
0.3
tr
0.2
0.1
11.0 V
tr 20 ns
10 to 100 s
DUTY CYCLE 2.0%
0.7
0.5
30 V
t, TIME ( s)
VCC
TURNOFF TIME
TJ = 25C
IC/IB = 10
VCC = 30 V
VBE(off) = 2 V
1.0
td
(PNP)
(NPN)
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
0.5 0.7 1.0

5.0 7.0 10
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
20
Figure 3. TurnOn Time
30

1000
(PNP)
(NPN)
3.0
ts
t, TIME ( s)
2.0
500
200
TJ = 25C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
hFE , DC CURRENT GAIN
10
7.0
5.0
ts
1.0
0.7
0.5
tf
0.3
tf
0.2
VCE = 4.0 V
TJ = 25C
100
50
20
10
PNP
NPN
5.0
2.0
0.1
0.3 0.5 0.7
1.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
20
0.1
30
0.2
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
FORWARD BIAS
300 s
50
30
20
TC = 25C
1.0 ms
10
10 ms
5.0
2.0
dc
SECONDARY BREAKDOWN
THERMAL LIMIT
BONDING WIRE LIMIT
1.0
0.5
0.3
0.2
0
REVERSE BIAS
TIP35A, 36A
TIP35B, 36B
TIP35C, 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0
Figure 6. Maximum Rated Forward Bias

Safe Operating Area
40
For inductive loads, high voltage and high current must be

sustained simultaneously during turnoff, in most cases, with
the base to emitter junction reverse biased. Under these
conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
accomplished by several means such as active clamping,
RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
and represents the voltagecurrent conditions during reverse biased turnoff. This rating is verified under clamped
conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode. Figure 7 gives RBSOA characteristics.
100
50
Figure 5. DC Current Gain
Figure 4. TurnOff Time
There are two limitations on the power handling ability of a

transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 6 is based on TC = 25_C; T J(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
when TC
25_C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations.
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
TJ 100C
30
25
20
TIP35C
TIP36C
15
TIP35B
TIP36B
10
TIP35A
TIP36A
5.0
0
10
40
60
80
20
30
50
70
90
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
Figure 7. Maximum Rated Forward Bias

Safe Operating Area

TEST CIRCUIT
VCE MONITOR
L1
(SEE NOTE A)
RBB1
MJE180
TUT
20
INPUT
L2
(SEE NOTE A)
50
RBB2 = 100
50
VCC = 10 V
+
IC MONITOR
VBB2 = 0
RS = 0.1
VBB1 = 10 V
+
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS

tw = 6.0 ms
(SEE NOTE B)
5.0 V
INPUT
VOLTAGE
0
100 ms
COLLECTOR
CURRENT
3.0 A
0
10 V
COLLECTOR
VOLTAGE
V(BR)CER
NOTES:
A. L1 and L2 are 10 mH, 0.11 , Chicago Standard Transformer Corporation C2688, or equivalent.
B. Input pulse width is increased until ICM = 3.0 A.
C. For NPN, reverse all polarities.
Figure 8. Inductive Load Switching

PACKAGE DIMENSIONS
C
Q
U
S
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
4
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
L
1
J
H
MILLIMETERS
MIN
MAX
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
INCHES
MIN
MAX
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
CASE 340D02
ISSUE B

Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Typical parameters which may be provided in Motorola
data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including Typicals
must be validated for each customer application by customers technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of
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are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer.
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3142 Tatsumi KotoKu, Tokyo 135, Japan. 038135218315
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51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 85226629298
*TIP35/D*

TIP35/D
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www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.
TIP35C
TIP36C
Complementary power transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary NPN - PNP transistors
Applications
General purpose
Audio amplifier
3
2
1
TO-247
Description
The devices are manufactured in planar
technology with base island layout. The
resulting transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Table 1.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
Device summary
Order code
Marking
TIP35C
TIP35C
TIP36C
TIP36C
September 2008
Rev 5
Package
Packaging
TO-247
Tube
1/9
www.st.com
Electrical ratings
TIP35C - TIP36C
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
NPN
TIP35C
PNP
TIP36C
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
100
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
100
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
Collector current
25
Collector peak current (tP < 5 ms)
50
Base current
125
-65 to 150
150
Value
Unit
C/W
IC
ICM
IB
Ptot
Total dissipation at Tcase = 25 C
Tstg
Storage temperature
TJ
Max. operating junction temperature
For PNP type voltage and current values are negative.
Table 3.
Symbol
Rthj-case
2/9
Thermal data
Parameter
Thermal resistance junction-case
max
TIP35C - TIP36C
Electrical characteristics
(Tcase = 25 C; unless otherwise specified)
Table 4.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEO
Collector cut-off current

(IB = 0)
VCE = 60 V
mA
IEBO
Emitter cut-off current

(IC = 0)
VEB = 5 V
mA
ICES
Collector cut-off current

(VBE = 0)
VCE = 100 V
0.7
mA
Collector-emitter
VCEO(sus)(1) sustaining voltage
(IB = 0)
VCE(sat)(1)
Collector-emitter
saturation voltage
VBE(on)(1)
Base-emitter voltage
hFE (1)
fT
DC current gain
Transition frequency
IC = 30 mA
100
IC = 15 A __
IB = 1.5 A
IC = 25 A _
IB = 5 A
IC = 15 A __
VCE = 4 V
IC = 25 A _
VCE = 4 V
IC = 1.5 A_
VCE = 4 V
IC = 15 A __
VCE = 4 V
IC = 1 A_
VCE = 10 V
f = 1 MHz
25
10
3
1.8
4
V
V
2
4
V
V
50
MHz
1. Pulsed duration = 300 ms, duty cycle 1.5%.

For PNP type voltage and current are negative.
3/9
2.1
4/9
TIP35C - TIP36C
Electrical characteristic (curves)

Figure 2.
DC current gain for NPN type Figure 3.
DC current gain for PNP type
Figure 4.
DC current gain for NPN type Figure 5.
DC current gain for PNP type
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage for NPN type
Collector-emitter saturation
voltage for PNP type
Figure 7.
TIP35C - TIP36C
Figure 8.
Base-emitter saturation
voltage for NPN type
Figure 10. Base-emitter on voltage for

NPN type
Figure 9.
Base-emitter saturation
voltage for PNP type
Figure 11. Base-emitter on voltage for

PNP type
5/9
Package mechanical data
TIP35C - TIP36C

In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK
packages. These packages have a Lead-free second level interconnect . The category of
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.
ECOPACK specifications are available at : www.st.com
6/9
TIP35C - TIP36C
TO-247 Mechanical data

mm.
Dim.
A
Min.
4.85
A1
2.20
Typ
Max.
5.15
2.60
1.0
1.40
b1
2.0
2.40
b2
3.0
3.40
0.40
0.80
19.85
20.15
15.45
15.75
5.45
14.20
L1
3.70
L2
4.30
18.50
3.55
4.50
14.80
3.65
5.50
5.50
7/9
Revision history
TIP35C - TIP36C
Revision history
Table 5.
8/9
Document revision history
Date
Revision
Changes
07-Sep-2003
07-Mar-2008
Package change from TO-218 to TO-247.
23-Sep-2008
Added figures 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,11.
TIP35C - TIP36C
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9/9
Notas de Clase
Electrnica II
NOTAS DE CLASE
Transistores de Potencia
Edicin 2010
Notas de Clase
Electrnica II
ndice
1.
2.
Introduccin. ............................................................................................ 3
Caracterizacin de los transistores de potencia - el transistor bipolar..... 4
2.1 Generalidades.....................................................................................................................4
2.2 Parmetros mximos..........................................................................................................4
2.2.1 Corriente mxima de colector .....................................................................................4
2.2.2 Tensiones de ruptura ...................................................................................................4
2.3 Curvas de primera ruptura .................................................................................................6
2.4 Curva de potencia mxima.................................................................................................7
2.5 Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria ................................7
2.5.1 Segunda ruptura con polarizacin directa base-emisor...............................................7
2.5.2 Segunda ruptura con polarizacin inversa base-emisor ..............................................8
2.5.3 Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarizacin de base-emisor
directa e inversa. .....................................................................................................................10
2.5.4 Curvas de potencia mxima y segunda ruptura.........................................................10
2.6 rea de operacin segura (SOA) .....................................................................................11
2.7 rea de operacin segura para polarizacin directa (Forward Bias Safe Operating Area FBSOA) .....................................................................................................................................11
2.8 Observaciones sobre las curvas de potencia mxima: .....................................................12
3.
Caracterizacin de los transistores de potencia - el transistor MOSFET 13
3.1 Parmetros mximos........................................................................................................13

3.1.1 Corriente de drenaje ..................................................................................................13
3.1.2
Tensin de ruptura drenaje-fuente ( V( BR ) DSS ) ......................................................13
3.1.3
Tensin mxima (absoluta) compuerta-fuente..........................................................13
R DS (ON )
3.2
Resistencia en conduccin drenaje-fuente,
3.3
Tensin drenaje-fuente en conduccin
3.4
Diodo inverso...................................................................................................................15
3.4.1
(Drain-Source ON Resistance)...14
V DS (ON ) .....................................................15
Corriente continua de drenaje inversa
I DR ...........................................................15
I DRM .........................................................16
3.4.2 Corriente de drenaje pulsante inversa

3.4.3 Tensin de conduccin directa del diodo..................................................................16
3.5 rea de operacin segura.................................................................................................16
3.5.1 rea de operacin secura en dolarizacin directa - FBSOA.....................................16
3.5.2 rea de operacin secura en conmutacin SSOA.................................................. 17
4.
BIBLIOGRAFIA.................................................................................... 17
Notas de Clase
Electrnica II
1. Introduccin.
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores
normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen
que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOSFET
Bipolar
Muy Alta
Media
Segunda Ruptura
No
Si
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Complejidad del circuito de excitacin Baja
Alta
Costo
Alto
Medio
Es de destacar que esta tabla es solamente ilustrativa en trminos generales. Ya que pueden
encontrarse muchos transistores bipolares que trabajen a ms frecuencia que muchos MOSFET.
Lo mismo con el voltaje aplicable.
Una ventaja importante de los MOSFET es adems que pueden colocarse directamente en
paralelo para aumentar la capacidad de entregar corriente. Ya que estos poseen un coeficiente de
temperatura negativo. Al aumentar la temperatura disminuye la corriente por el canal.
En el caso de los bipolares el coeficiente es positivo y se produce el fenmeno de embalamiento
trmico. Por esta razn cuando se conectan bipolares en paralelo para aumentar la capacidad de
entregar corriente estos deben conectase con resistencias de emisor para ecualizar y estabilizar la
corriente.
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOSFET, ms la capacidad de carga en
corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensin.
Alta impedancia de entrada.
Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor.
Notas de Clase
Electrnica II
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y

concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa
no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff).
Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
2. Caracterizacin de los transistores de potencia - el transistor

bipolar
2.1 Generalidades
Aprovechamos a repetir lo dicho una y otra vez en el curso respecto a que si un dato no es
acompaado de exactas y completas condiciones de definicin, que en muchos casos necesita
adems del circuito y procedimiento de medicin, su utilizacin puede no resultar todo lo
confiable que uno deseara.
2.2 Parmetros mximos

2.2.1 Corriente mxima de colector
Es un parmetro absoluto que depende principalmente de la solidez fsica del transistor. Por lo
general esta limitado por la fusin de las conexiones internas.
2.2.2 Tensiones de ruptura
2.2.2.1 Tensin de ruptura colector-base con emisor abierto
Smbolo: V( BR ) CBO (Anteriormente
BVCBO ).
El tercer subndice indica la condicin del tercer terminal no indicado, en este caso el emisor que
se indica esta abierto, O = Open = Abierto. A veces se interpreta la O como cero, referida a
corriente cero y como la forma de asegurarlo es abriendo el terminal de emisor la interpretacin
aunque errnea resulta equivalente.
Se define como la tensin de ruptura entre Colector y Base, a una especificada corriente de
colector, con el emisor abierto.
2.2.2.2 Tensin de ruptura colector-emisor con base abierta

Smbolo: V( BR ) CEO (Anteriormente
BVCEO ).
Se define como la tensin de ruptura Colector-Emisor, medida a una especificada corriente de

Colector, con la base abierta.
El valor de esta tensin de ruptura es mucho menor que la correspondiente a colector base que
responda a una simple tensin de ruptura de una juntura. En este caso la corriente de fuga de
colector, forzada hacia el emisor por la condicin de base abierta, se ve multiplicada por ( +l )
efecto que anticipa la avalancha.
Notas de Clase
Electrnica II
2.2.2.3 Tensin de ruptura colector-emisor con resistencia entre base y

emisor
Smbolo: V( BR ) CER (Anteriormente
BVCER )
Se define como la tensin de ruptura Colector-Emisor, a una especificada corriente de colector,

con una resistencia conectada entre base y emisor, cuyo valor debe ser especificado;
En este caso la corriente de base real es negativa.
2.2.2.4 Tensin de ruptura colector-emisor con la base en corto con el emisor.

Smbolo:
V( BR ) CES
(Anteriormente
BVCES )

colector, con la base cortocircuitada con el emisor. Al igual que el caso anterior aqu tambin la
corriente de base es negativa.
2.2.2.5 Tensin de ruptura colector-emisor con aplicacin de tensin inversa

Smbolo:
V( BR ) CBV
(Anteriormente
BVCEV )
Se define como la tensin de ruptura Colector-Emisor, medida a una especificada corriente, con
la aplicacin de un valor especificado de polarizacin inversa entre Base y Emisor.
2.2.2.6 Tensin de ruptura colector-emisor con resistencia y tensin entre base y emisor
Smbolo:
V( BR ) CEX
(Anteriormente
BVCEX )

colector, con la juntura Emisor-Base polariza da directa o inversamente con una especificada
tensin o corriente. En caso de especificar tensin deber tambin especificarse la resistencia
equivalente en serie con la fuente de tensin de base.
No obstante que en esta definicin se habla de polarizacin directa o inversa, por lo general la
polarizacin especificada para la base es inversa, ya que normalmente este parmetro se utiliza
para evaluar la capacidad de un transistor para soportar tensin entre Colector y Emisor en el
caso de conmutacin de conduccin (Saturacin) al corte, momento en el cual es comn la
aplicacin de una tensin inversa para reducir el tiempo de almacenamiento.
Este parmetro es utilizado para reemplazar a los dos anteriormente citados, V( BR ) CER ,
V( BR ) CEV
por algunos fabricantes.
2.2.2.7 Tensin de ruptura emisor-base con el colector abierto

Smbolo: V( BR ) EBO (Anteriormente
BVEBO ).
Notas de Clase
Electrnica II
Se define como la tensin de ruptura entre Emisor y Base, con el colector

abierto. Corresponde a la tensin de ruptura de la juntura Base-Emisor polarizada inversamente.
En general siempre es
V( BR ) EBO 5 V en todos los transistores bipolares.
2.3 Curvas de primera ruptura

La primera ruptura o avalancha primaria es un fenmeno puramente elctrico. Cuando se supera
un determinado valor de campo elctrico en la juntura, los electrones son arrancados y comienza
la avalancha.
En la siguiente grafica tambin puede verse graficada la hiprbola de potencia mxima.
Es importante observar que la primera ruptura no produce un dao irreversible en el transistor a
menos que se supere la curva de potencia mxima.
IC
IB>0
IB4
IB3
IB2
VCEV2(SUS)
VCEV1(SUS)
IB1
VCES(SUS)
VCER(SUS)
VCE0(SUS)
IB=0
Rgimen
Mximo de VCE
V(BR)CB0
V
2
V(BR)CEV1 (BR)CEV
V(BR)CE0
V(BR)CER
V(BR)CES
VCE
Electrnica II
Notas de Clase
2.4 Curva de potencia mxima

En la grafica anterior tambin puede verse graficada la hiprbola de potencia mxima.
Cuando se supera la capacidad de disipacin del dispositivo, la temperatura se eleva por encima
de la temperatura de fusin de la juntura y esta se quema. Producindose en el transistor un dao
irreversible.
2.5 Segunda ruptura (Second Breakdown - SB) o avalancha secundaria

La 1ra, ya estudiada, consiste en un fenmeno elctrico que se manifiesta al alcanzarse un
determinado valor del campo aplicado a la juntura.
La 2da en cambio es un fenmeno netamente trmico que se origina en la concentracin de
corriente en alguna zona del transistor dentro del ancho activo de la base. Esta concentracin, de
corriente produce un calentamiento localizado, que puede, o no estabilizarse. Si no se estabiliza,
da lugar a un proceso de embalamiento trmico que incrementa la concentracin conduciendo en
definitiva a la fusin del cristal en un punto.
La manifestacin exterior de este fenmeno se aprecia como una brusca disminucin de la
tensin Colector-Emisor a valores muy inferiores a las tensiones de ruptura y sostenimiento (se
estima entre 5 y 30V). Dada la caracterstica fundamentalmente trmica del proceso es evidente
que la primera dependencia que podemos enunciar para la 2da ruptura es con la temperatura
ambiente, aumentando su susceptibilidad con el aumento de la misma.
Como se comprender, este fenmeno es destructivo quedando el transistor inutilizado, siendo
esta otra diferencia fundamental entre la 1ra y 2da ruptura, dado que la ruptura en avalancha por
si misma no presume la existencia de una degradacin de caractersticas o inutilizacin del
transistor.
2.5.1 Segunda ruptura con polarizacin directa base-emisor

Este fenmeno se lo asocia con un desequilibrio trmico en el sentido transversal en la zona de
base. Debido a la circulacin de la corriente a lo largo de la base debajo de la zona de emisor, se
produce una cada de tensin, con el consiguiente campo elctrico asociado, que concentra los
filetes de corriente de base en las zonas laterales, con la consiguiente concentracin de la
corriente de colector, que se ha tratado de esquematizar en la figura siguiente.
Esta distribucin marginal de las corrientes de base debido a las diferencias de polarizacin entre
la periferia y el centro, con la consecuente concentracin de corriente de colector, produce la
generacin de puntos calientes. En estos puntos calientes la tensin de la juntura base-emisor
disminuye con la temperatura (Coeficiente de.-2 a -2,5 mV/C), lo que favorece un aumento de
corriente de base en esa zona, con su consecuente aumento de corriente de colector y as
sucesivamente.
Notas de Clase
Electrnica II
IB1
IE
EMISOR
N
DIFUNDIDO
BASE
P
DIFUNDIDA
COLECTOR
IC
IB1
IE
IC
2.5.2 Segunda ruptura con polarizacin inversa base-emisor
Cuando se utiliza un transistor en aplicaciones de conmutacin y en especial aquellas con carga
inductiva, a los efectos de reducir principalmente el tiempo de almacenamiento y el tiempo de
cada de la corriente, es comn la aplicacin de una tensin inversa Base-Emisor que genera una
corriente
IB2
(Inversa) que puede llegar a valores mayores que la corriente directa
I B1
pero
Electrnica II
Notas de Clase
por perodos muy cortos. en este caso el sentido de la circulacin de la

corriente dentro y fuera de la base se invierte, la cada de tensin y el campo asociado tambin, y
en lugar de producirse la concentracin de corriente en la periferia de la base, la misma se
produce en su parte central. Los razonamientos son similares a los citados en polarizacin
directa.
Notas de Clase
Electrnica II
2.5.3 Curvas de la primera y de la segunda ruptura para polarizacin de

base-emisor directa e inversa.
La siguiente grafica muestra el lugar geomtrico de la primera y de la segunda ruptura para
polarizacin de base-emisor directa e inversa.
IC
Lugar geomtrico en 2da ruptura
I (BASE DIRECTA)
Polarizacin directa de base
I (BASE ABIERTA)
Polarizacin de base cero (Base abierta)
I (BASE INVERSA)
Polarizacin inversa
de base
Lugar geometrico de
iniciacin de segunda
ruptura
V(BR)CEO V(BR)CEV
VCE
2.5.4 Curvas de potencia mxima y segunda ruptura.

La siguiente grafica muestra el lugar geomtrico de la segunda ruptura y la curva de potencia
mxima, para poder apreciar su ubicacin relativa.
IC
SEGUNDA RUPTURA
PD=Cte
VCE
Notas de Clase
Electrnica II
2.6 rea de operacin segura (SOA)

Con el objeto de presentar la informacin necesaria para un diseo correcto, resumiendo todas
las limitaciones descriptas en forma compacta y accesible, se presentan curvas en el plano
I C = f (VCE ) , de diversas maneras.
Originalmente, como ya comentamos, antes de la aparicin de los transistores de gran potencia,
la nica informacin consista sencillamente en trazar superpuesta a las curvas de salida una
hiprbola que representaba el valor constante del producto I C x VCE igual a la potencia
mxima. Tambin se ofreca una grfica de degradacin de dicha potencia con la temperatura.
Un paso importante se realiz, cuando a raz del desarrollo de los estudios y mediciones sobre
2da ruptura, aument la diversidad de los datos y se condens la informacin en el mismo plano
anterior pero en una grfica doble logartmica que presenta un rea encerrada por las siguientes
curvas:
a) La corriente mxima
IC M
(Lnea horizontal)
b) La tensin mxima VCEO (Lnea vertical)

c) La potencia mxima (Lnea oblicua superior)
d) La 2da. ruptura (Lnea oblicua inferior)
La grfica as descripta fue denominada como SOA, y por algunos fabricantes como SOAR. La
curva de 2da ruptura como ya dijimos, se constituye con el lugar geomtrico de los valores de
corriente ( I S / B ) de segunda ruptura que se obtenan mediante ensayos destructivos.
El aumento del tamao, tensin y exigencias solicitado a los transistores de potencia y en
particular la proliferacin de su uso en circuitos de conmutacin con diseos especficos para ese
fin, gener la necesidad de separar las condiciones para funcionamiento con polarizacin directa
e inversa como veremos a continuacin.
2.7 rea de operacin segura para polarizacin directa (Forward Bias Safe
Operating Area - FBSOA)
Esta grfica que se corresponde con la ya descripta, puede sufrir dos modificaciones. La primera
cuando se consideran mayores temperaturas de operacin, en cuyo caso los desplazamientos de
las curvas de potencia y 2da ruptura pueden hacer desaparecer la primera ante la mayor
influencia que la 2da sufre con la temperatura, constituyndose en la nica lnea oblicua.
La segunda es una extensin de la grfica original o de corriente continua, para el rgimen de
pulsos, en particular definida como de pulso nico (Que en la prctica se concreta con un factor
de servicio de = 0.01 . Estas extensiones se presentan para distintos tiempos del pulso (del
orden de ms a s), que modifican la corriente mxima de colector y desplazan la curva de 2da
ruptura, de forma que para los pulsos de menor tiempo, la grafica se convierte prcticamente en
un rectngulo limitado por lo valores mximos de corriente y tensin. De todas formas no
entraremos en detalle de esta extensin que no pertenece a la asignatura.
Notas de Clase
Electrnica II
10
0
1m
se
g
se
g
Se generan paralelamente otras grficas para polarizacin inversa. Las curvas llamadas RBSOA
son curvas que se concentran en la zona de corte del transistor, con polarizacin inversa de la
juntura base-emisor. Tampoco entraremos en detalle de estas curvas que no pertenecen a la
asignatura.
2.8 Observaciones sobre las curvas de potencia mxima:

Una aclaracin importante es que no siempre la curva de potencia mxima que suministra el
fabricante corresponde a la hiprbola de potencia mxima terica que corresponde a una curva
de potencia mxima constante. Dado que los procesos de fabricacin y la geometra del transistor
alteran esta curva terica.
Por esta razn en transistores de potencia siempre conviene observar la curva dada por el
fabricante.
Observar los siguientes ejemplos que muestras casos en que la potencia mxima no se mantiene
constante.
Ej: BD 675
PMAX = 40 W
Notas de Clase
Electrnica II
Ej: MJE2955T
PMAX = 75 W
3. Caracterizacin de los transistores de potencia - el transistor

MOSFET
3.1 Parmetros mximos
3.1.1 Corriente de drenaje
Por lo general se especifican dos valores:
El primero es la Corriente mxima continua de Drenaje, por arriba de la cual se produce un
sobrecalentamiento y destruccin del transistor que por lo general se origina en el montaje del
mismo, conexiones terminales, etc. en forma similar al comentado para transistores bipolares.
El otro valor es Corriente de Drenaje Mxima pu1sante, considerado para un pulso
infinitesimal y depende adems de las conexiones internas (metalizacines), de la potencia
mxima disipable y de la resistencia del canal
R DS (ON )
que comentaremos luego.
3.1.2 Tensin de ruptura drenaje-fuente ( V( BR ) DSS )

Se define como la tensin de ruptura entre Drenaje y Fuente con una especificada corriente de
Drenaje y con la Compuerta en corto con la fuente.
Por ejemplo para el BUZ36 (corriente de drenaje nominal 22 A) :
V( BR ) DSS = 200V @ VGS = 0 ; I D = 0.25 mA
3.1.3 Tensin mxima (absoluta) compuerta-fuente
Es un valor mximo que depende directamente del espesor de la capa dielctrica, normalmente
oxido de silicio, y con su pureza, de tal forma que en la misma no se exceda el mximo campo
elctrico permitido. En caso que se produzca la ruptura, el efecto de perforacin del dielctrico
es destructivo y por lo tanto irreversible.
Un valor tpico en transistores de potencia es de 20V, no obstante algunos fabricantes
recomiendan no exceder el valor de 10V en operacin continua.
Recordemos que el transistor MOS debido a su conformacin netamente capacitiva a la entrada
(Compuerta), posibilita la acumulacin de energa elctrica con el desarrollo de tensiones altas
Notas de Clase
Electrnica II
como paso previo a su destruccin, por lo que su manipuleo y conexin en el

circuito exige procedimientos muy cuidadosos.
Los transistores MOS de potencia originales incluan un diodo zener como elemento de
proteccin de la compuerta. Tal diodo zener se conformaba con la tensin de ruptura inversa de
la juntura base-emisor de un transistor difundido dentro del conjunto del MOS. La presencia de
tal diodo altera las condiciones de entrada de compuerta, adems de generarse problemas ante la
aplicacin de tensiones inversas a la misma superiores a 0,6V.
Los transistores modernos resultan mucho ms robustos, presentando adems una capacidad a la
entrada mucho mayor que los MOS de seal o CMOS, que los hace menos susceptibles al dao.
El peligro normalmente proviene de las descargas electrostticas originadas por el fenmeno
triboelctrico. Todo aquel que maneje un auto en un da seco, con pantaln de lana y asiento
sinttico, habr notado y sufrido los efectos de estas cargas al descender del coche y tendr una
idea concreta de la magnitud de las tensiones generadas. Los alfombrados son una causa comn
de que el cuerpo humano se cargue de electricidad esttica al caminar, con valores estimados en
el orden de 1.000 a 30.000 V segn la humedad ambiente. En la actualidad se ofrecen alfombras
con tratamientos antiestticos.
Por lo anterior el transporte y manipuleo de los dispositivos MOS debe realizarse con ciertas
precauciones. El transporte debe efectuarse en estuches antiestticos o espuma conductiva. El
manipuleo posterior debe efectuarse en mesas o elementos puestos a tierra, incluida las personas
a las que se le deben colocar grilletes o pulseras conductoras puestas a tierra mediante cintas
flexibles. Los pisos deben ser conductores (Metal o plsticos especiales), elementos de soldar
puestos a tierra, recipientes antiestticos o metlicos para transportar los transistores, insercin
de aire ionizado para descargar las partes no conductoras existentes e impedir el ingreso de
elementos no conductores desde el exterior tales como bolsas, portafolios, etc. Estos detalles y
otros pueden encontrarse en manuales o notas de aplicacin provistas por los fabricantes.
3.2 Resistencia en conduccin drenaje-fuente, R DS (ON ) (Drain-Source ON

Resistance)
Suele denominarse tambin como Resistencia Esttica. Se define formalmente como la
resistencia Drenaje-Fuente en condiciones de conduccin, medida a valores especificados de
tensin Compuerta-Fuente y corriente de Drenaje.
Pueden encontrarse otros smbolos para esta resistencia tales como rDS () ; rds ; rDS ( ON ) .
De todas maneras la letra r minscula se entiende generalizada para valores dinmicos propios
de respuesta en seal, por lo que se consideran totalmente inapropiados para este caso en que se
trata de un parmetro esttico.
Es evidente que la
R DS (ON )
limita elctricamente la mxima corriente y determina la disipacin
de potencia del transistor, con lo cual introduce tambin una limitacin trmica del dispositivo a
la circulacin de la corriente. Adems del dato de R DS ( ON ) , para un punto determinado de
operacin, los manuales proveen la curva de
I D = f (VGS ) , V DS
en estas curvas (que se corresponde con la
V DS (ON )
), al igual que la temperatura. Esto
permite deducir el valor deseado de la relacin:
R DS (ON ) =
V DS (ON )
ID
esta dado como parmetro
Notas de Clase
Electrnica II
3.3 Tensin drenaje-fuente en conduccin V DS (ON )

Los diseadores acostumbrados a manejar los clculos en transistores bipolares basados en el
dato de
V CE sat
no compatibilizan con el uso de la resistencia del canal, por lo que algunos
manuales y en alguna de sus hojas de caractersticas, incorporan el dato de la tensin DrenajeFuente en condiciones de conduccin para diversas corrientes de Drenaje. Prcticamente todos
los fabricantes la especifican para una tensin Compuerta-Fuente de 10 V
Como es obvio, de no contar con el dato puede utilizarse la frmula:
V DS ( ON ) = R DS ( ON ) I D
Reiterando la aclaracin de que debe utilizarse la resistencia de canal que corresponde a esa
corriente.
3.4 Diodo inverso

La forma constructiva generalizada de los MOS de potencia hace que exista inherentemente un
diodo entre fuente y drenaje, segn puede observarse en la figura siguiente y que no opera en
condiciones normales de circulacin de la corriente, pero que puede ser usado en substitucin,
por ejemplo, del Free-Wheel diodo. No obstante este uso est limitado a que el tiempo de
recuperacin inversa de este diodo resulte suficiente para la aplicacin deseada.
No en todas las hojas de datos se encuentran sus especificaciones que por otra parte no difieren
en nada a los datos normales de cualquier diodo utilizado en aplicaciones de conmutacin. Por
ello nos referiremos muy sucintamente a sus caractersticas.
3.4.1 Corriente continua de drenaje inversa I DR

Se define como el mximo valor de la corriente continua directa del diodo a una especificada
temperatura de cpsula o ambiente.
Electrnica II
Notas de Clase
3.4.2 Corriente de drenaje pulsante inversa I DRM

Valor mximo de pico de la corriente inversa para operacin en rgimen de pulso. El ciclo de
trabajo considerado es normalmente el mismo que el especificado para el transistor.
3.4.3 Tensin de conduccin directa del diodo
Se define como la tensin directa del diodo entre Fuente y Drenaje en el estado de conduccin.
La corriente directa I F , la tensin V GS y la temperatura de la juntura deben ser especificadas.
3.5 rea de operacin segura

3.5.1 rea de operacin secura en dolarizacin directa - FBSOA
La presentacin del FBSOA es similar a la correspondiente a los transistores bipolares, con la
diferencia de que aqu no aparece la limitacin por 2da ruptura caracterstica de aquellos.
Como detalle particular de los MOS, algunos fabricantes limitan la grfica con una recta, que
representa la relacin entre la tensin y la corriente para una resistencia de conduccin del canal
y para relativamente bajas tensiones. Esta relacin no es constante ya que la resistencia del canal
no lo es para distintas corrientes y esta funcin aparece como una recta pero con relaciones voltamper crecientes a medida que aumenta la corriente (o la tensin). Resulta una buena ayuda para
el diseador ya que la zona superior izquierda no es alcanzable debido a la limitacin que la
resistencia propia del canal impone a la corriente. Esta recta debera tener especificada la tensin
compuerta-fuente o su entorno, y por supuesto la temperatura.
Como siempre, aparece una extensin de la curva FBSOA para rgimen de pulso y que resulta de
la aplicacin de una factor de servicio =0,01 (En algunos manuales se usa la letra D) que dado
su bajo valor se asimila a un rgimen de pulso nico. Segn el tiempo de duracin del pulso, la
grfica se va extendiendo para pulsos menores, teniendo como lmite absoluto por la parte
superior la corriente mxima pulsante y la tensin de ruptura V ( BR ) DSS por el otro. Para un
pulso infinitesimal la grfica se convierte en un rectngulo con los lmites indicados.
Electrnica II
Notas de Clase
3.5.2 rea de operacin secura en conmutacin SSOA

En los transistores MOS de potencia, la operacin en condiciones de conmutacin se presenta
mediante una grfica muy sencilla que est limitada por la corriente mxima pulsante y la
mxima tensin drenaje-fuente V ( BR ) DSS . Por lo general se aplica tanto en conexin como en
desconexin y para tiempos de conmutacin menores que un cierto valor especificado (Ej. ls).
La lnea de carga debe estar incluida en la misma y la potencia media de todo el ciclo no deber
exceder la potencia mxima del dispositivo.
4. BIBLIOGRAFIA
-) El Transistor en Circuitos de Potencia. Autor: Ing. Alberto C. Galiano
-) Circuitos de Potencia de Estado Slido. Manual para proyectistas / SP-52 / RCA. Editorial
Arbo.
INTRODUCCIN. Caractersticas Generales del BJT
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

3.1.
INTRODUCCIN
3.2.
CONSTITUCIN DEL BJT
3.3.
El inters actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya

que existen dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores.
Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran
importancia en la actualidad.
Saturacin
Cuasi-Saturacin
1/Rd
Ruptura Secundaria
IC(A)
C
IC
Ruptura Primaria
FUNCIONAMIENTO DEL BJT
Activa
IB
3.3.1. Zona Activa
IE
Corte
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturacin

3.3.3. Zona de Saturacin
3.3.4. Ganancia
3.4.
TRANSISTOR DARLINGTON
3.5.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
3.6.
EXCITACIN DEL BJT
E
0
BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Valores mximos de VCE :
BVCB0>BVCE0>BVSUS
BVSUS : Continua.
BVCE0 : Para IB=0
BVCB0 : Para IE=0
Definicin de Corte:
de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;
se deduce:
IC =
IB +
IC0
1
1
Posibles definiciones de corte:
3.7.
CONSIDERACIONES TRMICAS
3.8.
AVALANCHA SECUNDARIA
a) I B = 0 I C =
b)
3.9.
ZONA DE OPERACIN SEGURA (SOA)
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17
1
I C 0 10 I C 0
1
I E = 0I C = I C 0
Por tanto se considera el transistor cortado

cuando se aplica una tensin VBE
ligeramente negativa IB = -IC = -IC0
CONSTITUCIN DEL BJT
CONSTITUCIN DEL BJT
E
n+
B
p
n+
C
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
La anchura de la base y su dopado sern lo menores posibles para conseguir

una ganancia lo mayor posible (baja recombinacin de los electrones que
atraviesan la base).
Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un
dopado pequeo.
El problema surge cuando el dopado es pequeo, pues para alojar la zona
de deplexin la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por
tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.
B
WE=10m
WB=520m
Zona de
expansin
50200m
WC=250m
E
+
1019 cm-3 n
1016 cm-3
1014 cm-3
n-
1019 cm-3
Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
tpica de corriente entre 5 y 10. (muy baja).
n+
C
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Tpico
Ventajas de la estructura vertical:
Maximiza el rea atravesada por la
corriente:
Minimiza resistividad de las capas
Minimiza prdidas en conduccin
Minimiza la resistencia trmica.
En la prctica, los transistores

bipolares de potencia no se
construyen como se ve en esta
figura, sino que se construyen en
forma de pequeas celdillas como
la representada, conectadas en
paralelo.
Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen

empleando una estructura vertical y en forma de pequeas celdillas en paralelo.
CONSTITUCIN DEL BJT

Base
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa
Emisor
Vbb
Vcc
B
+
n+
n+
n+
n+
Activa
nn+
Colector
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Ventajas de la estructura multiemisor:
Zona Activa:
VCE Elevada
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Unin
Colector-Base
(inversamente
polarizada)
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de

potencia tpico en activa.
Reduce la focalizacin de la corriente debida al potencial de la base causante

de la avalancha secundaria.
Reduce el valor de RB (disminuye prdidas y aumenta la frecuencia fT ).
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturacin
Vbb
Vcc
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturacin
Vbb
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Base Virtual

potencia tpico, en Cuasi-Saturacin.
Saturacin
CuasiSaturacin
B
+
Vcc
n-
n+
Carga en
exceso
Q2
Q1
Base Virtual

potencia tpico, en saturacin.
Cuasi-Saturacin:
En activa al subir IB, IC VCE (=VCC - ICR ).
Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansin.
El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada):
Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones
procedentes del emisor en n-) Desplaz. a la derecha de la unin efectiva:
Rd Disminuye
Aumento del ancho efectivo de la base.
Disminuye
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia
TRANSISTOR DARLINGTON
Base
max
log( )
min garantizada
por el fabricante
IeTA
Emisor
n+
SiO2
I bTA
n+
IbTB
VCE-Saturacin
n-
IcTA
ICmax /10
ICmax
log(IC)
IcTB
n+
Variacin de en Funcin de IC
Colector
Colector
Base
TA
D2
=BA+B+A
TB
D1
Emisor
Estructura de un Par Darlington Monoltico

Montaje Darlington para Grandes Corrientes.
Colector Vcc
Colector Vcc
ZL
ZL
Interruptor BJT conmutando una
Carga Inductiva
IC
Base IB
VCE
Interruptor BJT conmutando una

Carga Inductiva
IC
Base IB
VBE
VCE
VBE
IC
IL
IBon
IC
IB
IBon
IB
dI B
dt
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
t
t=0 tdon
VCE
t
t=0
ts
trv1 trv2 tfi
tri
tfv1
tfv2
Proceso de conmutacin: Saturacin
Proceso de conmutacin: Corte
IC
EXCITACIN DEL BJT

Aislamiento galvnico
entre circuitos de
control y potencia
Potencia
disipada
muy alta
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo
Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutacin
IB
IBon
IL
dI B
dt
IB
BJT de potencia
Tierra de
potencia
-VCC
Circuito Tpico de Excitacin de Base para BJTs de Potencia
IC
Cb
Tierra digital
VCE
Acoplamiento
Seal digital
de control
IC
Amplificador
Fotoacoplador
Potencia disipada
muy baja
1
2
3
VCC
IBon
6
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
VCE
t
t=0
ts
trv1 trv2 tfi
t=0 tdon
tri
tfv1
tfv2
CONSIDERACIONES TRMICAS
Vcontrol
VBE
t
IC
Las prdidas en corte

suelen despreciarse al ser
la corriente muy baja.
Vcc
90%
RC
10%
td tr
ts
Concentracin
de corriente
Cada de tensin
VBE
Vcc
VCE
AVALANCHA SECUNDARIA
tf
IB
IC
VCE
VBE
Pd
Las
prdidas
conduccin pueden
aproximadas por:
en
ser
T
Pon = I c VCEsat ON
T
e-
e-
e-
n+
e-
+
e-
e-
n
C
Las prdidas en conmutacin pueden estimarse suponiendo que la corriente y la

tensin siguen una lnea recta durante la conmutacin:
n
T=1/f
n+
Cada de tensin
a)
b)
Concentracin o Focalizacin de Corriente en un BJT. a) En la Conmutacin a
Saturacin (IB >0) y b) en la Conmutacin a Corte (IB <0)
t
t
) I cmax dt
tr
tr
t t
0 ) dWr = Vcc Icmax (1 ) dt
tr tr
dWr = VCE I c dt + VBE I B dt VCE I c dt = (Vcc Rc I cmax
Rc Icmax = Vcc VCEsat Vcc (VCE Saturacion

tr
Wr = Vcc Icmax (1
0
t t
1
) dt = Vcc Icmax tr ;
tr tr
6
anlogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf =
1
Vcc Icmax (t r + t f ) ;
6
La potencia media disipada en el perodo T ser por tanto:
Pcom =
Wcom 1
= Vcc I c max f (tr + t f )
T
6
ZONA DE OPERACIN SEGURA
IC
f3
f2
ICM
f1
Lmite
trmico
dc
Avalancha
Secundaria
VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC
ICM
VBEoff <0
VBEoff =0
VCE0 VCB0 VCE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 s)
Zonas de Operacin Segura del Transistor Bipolar

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Transistores de Potencia

COLECTOR 1014 t/cm2

DISEO: Especificar DOPADOS y ESPESORES (p.ej.: el espesor de la capa N- determina la tensin de

Estructura vertical maximiza el rea de conduccin minimiza res. hmica y trmica

Esta tensin es mayor cuanto menor sea

Esta tensin es mayor cuanto menor sea

Circuitos equivalentes estticos.

Circuito equivalente en saturacin

Para estimar la potencia disipada en el bipolar:

VCE SAT 0,3 V

Encendido con carga resistiva.

Apagado con carga resistiva.

tst: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conduccin contina a costa de los portadores

Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.

(Mientras exista circulacin de corriente por el

Diodo externo para aplicaciones de

Diodo externo para aumentar la

Circuitos equivalentes estticos.

Circuito equivalente en corte

Circuito equivalente en saturacin

La unin PN- est inversamente polarizada.

Con suficiente uGS se forma un canal bajo la puerta

Aparece una resistencia RDS ON, entre drenador y

Cuando la tensin de ruptura aumenta, la regin Ndomina en el valor de RDS ON.

El diodo se polariza directamente cuando VDS es negativa.

Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.

Los tiempos de conmutacin del MOSFET se deben

CISS: CGS + CGD Capacidad de entrada Se mide con la salida en

CGS: Grande, constante

EFECTO MILLER EN LA SALIDA

Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.

Puesto que T>>100ns, puede aproximarse

P1 RDS ONIDrms 0,55 52d 4,125 W

iD MAXVDD t fall 5150100109

PMOS (10kHz) 0,25W 4,125W 4,38W

2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G y en S debe

2.- Cuando en S hay 500V el diodo DBOOT

QG: carga de puerta

Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica

EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT

Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un

IE sale; IB, IC entran

IE entra; IB, IC salen

PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE:

Base comn (BC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA INVERTIDA:

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO CON CURVAS LINEALIZADAS:

ECUACIONES DE UN CIRCUTO CON TRANSISTOR BIPOLAR

Ecuacin de la malla de colector :

IC= IB =100 0,0304mA=3,04mA< ICSAT=>TRT en activa

Potencia disipada por un transistor: Pc=VCE Ic

Un transistor trabaja en conmutacin cuando ante seales de entrada en la base reacciona

Este modo de funcionamiento es til para activar/desactivar dispositivos o para arquitectura de

Se comporta como un inversor.

Si a y b tienen un nivel bajo de

-Siempre que en a o b haya un nivel bajo, el transistor

Para los dos valores mas bajos(200): patilla 3 se

Para el siguiente valor mas bajo (8K):

Esto ayuda a determinar tambien el estado del

Las corrientes y las tensiones de los

Si la Resistencia de 500 se corresponde con

Si el BC337 es el complementario de BC328,

Marcar en el circuito todas las tensiones y corrientes.