Instituto Tecnológico de Mexicali

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

Mecatrónica

Electronica Analogica

Practica No.7
Polarización Por Fuente De Corriente

Docente:

Gilberto Garcia Gomez

Estudiantes:
Garcia Jara Rafael (20490951)
Elguera Espinoza Jose Luis (20490944)
García Jose Limber Antonio (20490952)
Salazar Estrada Caleb Alejandro (20490552)

Mexicali,B.C 30 de octubre de 2022.

 Introducción
En esta práctica se realizó un una polarización por fuente de corriente, el objetivo de este
reporte es proporcionar los resultados que fueron obtenidos durante la práctica, y de esa
manera corroborar que fue realizada de manera correcta.
El circuito se configuró con una polarización por fuente de corriente donde se usan dos
transistores, los transistores son dispositivos semiconductores de 3 capas npn o pnp que
tienen como principal aplicación el amplificar señales. En este práctica se usaron 2 tipos
específicos de transistores, un drenador y un surtidor, estos son lo que se les conoce como
transistor MOSFET los transistores mosfet están basados en una estructura MOS, esta
estructura está compuesta de dos terminales y tres capas. un substrato de silicio, puro o poco
dopado, sobre el cual se generará una capa de óxido de silicio que posee características
dieléctricas y aislantes lo que presenta una alta impedancia de entrada. Para finalizar estos
también cuenta con una capa de metal que posee características conductoras.

La estructura MOS es la que se puede observar en la imagen, como se mira la G es la

compuerta, la placa superior está hecha de un metal mientras que tiene una capa debajo de
óxido, un semiconductor P en el centro y en la parte de abajo el substrato.
Con esto dicho, el trabajo va a presentar lo que sería el uso de un surtidor, drenador y
compuerta para la realización del circuito y haciendo un polarización por fuente de corriente.
 Objetivo De La Práctica
Comprobar que lo visto en la clase por el método de polarización por fuente de corriente
funcione como se explicó en clase, esto sería comprobar que el voltaje en el drenador y el
surtidor obtenidos mediantes las fórmulas vista nos den en la simulación y en los cálculos
valores cercanos a los obtenidos en el laboratorio comprobando así que lo visto en la clase
funciona como se dijo.
 Análisis y Simulación

Simbología
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐷𝑒 𝑡ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 𝑉𝐵 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐶𝑜𝑚𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑎
𝑅1,𝑅2 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 𝑅4=𝐸 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝐷𝑒 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟

𝐼𝐸=𝐶=𝐷 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟, 𝑆𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟, 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑉𝐶 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑆𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 − 𝑆𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 𝑉𝐷 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑅𝐷 = 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟
𝑉𝑅1,𝑅2 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝐸𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 1 𝑦 2 𝐼𝑅1,𝑅2 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐸𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠 1 𝑦 2
Cálculos
Estos valores son en base al tipo de transistor usado en la simulación el cual fue el 2N5454 y
en la práctica el usado fue el 2N5457
𝑅2 24𝐾Ω
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 𝑅1+𝑅2
= 16𝑣 106𝐾Ω
= 3. 6𝑣
𝑉𝑇𝐻−𝑉𝐵𝐸 3.6𝑣−0.7𝑣
𝐼𝐸 = 𝑅𝐸=𝑅4
= 1.6𝐾Ω
= 1. 825𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐷 = 1. 825𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐷𝑅𝐷 = 16𝑣 − 1. 825𝑚𝐴(2. 7𝑘Ω) = 11. 07𝑣

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝐷 + 𝑅𝐸) = 16 − 1. 825(4. 3𝐾Ω) = 8. 1525𝑣

𝑉𝐶 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 = 11. 07𝑣 − 8. 1525𝑣 =2.9125v
𝑉𝐶𝐶 16𝑣
𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 = 𝑅1+𝑅2
= 106𝑘Ω
=0.15094A

𝑉𝑅1 = 0. 15094𝐴 * 82𝑘Ω = 12. 377𝑣

𝑉𝑅2 = 0. 15094𝐴 * 24𝑘Ω =3.622v
 Material Utilizado

1 Resistencia de 1M Ohms

1 Resistencia de 82K Ohms

1 Resistencia de 24k Ohms

1 Resistencia de 1.6k Ohms

1 Resistencia de 2.7k Ohms

Fuente a 16 volts
1 transistor 2N5457

1 transistor 2N2222

Multímetro

Protoboard

Cables
 Procedimiento
La práctica fue dejada por el profesor desde el viernes pasado, dicha práctica consta de una
polarización por fuente de corriente, dicha práctica fue realizada con un poco de
anticipación, se compraron los componentes y se realizaron los cálculos a partir de los
componentes comprados. Con esto procedimos a realizar la simulación en multisim, dicha
simulación se realizó con bastante facilidad y ya teniendo los cálculos y la simulación solo
faltaba realizar el circuito en el protoboard.
Ya llegando el día de la práctica se realizó el circuito en el laboratorio. Teniendo el circuito
realizado solo faltaba tomar los valores de los voltajes de la resistencia 1 y resistencia 2 que
serían la resistencia de 82k Ohms y 24k Ohms.
Después de que se tomaron estos valores se tomaron los valores del voltaje de drenador y
del surtidor.
Con los valores ya capturados solo falto comparar los valores que se obtuvieron mediante la
simulación y los cálculos. Se anotaron todos los valores que fueron obtenidos mediante los
distintos medios y se pusieron en una tabla de comparación para corroborar lo obtenido.
 Comprobación y Resultados

Tabla Comparativa De Polarización Por Fuente De Corriente

Resistencias y Cálculos Simulación Laboratorio

transistor

Ohms Voltaje(v) Voltaje(v) Voltaje(v)

84k 12.377 12.685 12.55

24k 3.622 3.315 3.41

Drenador(D) 11.07 11.542 11.48

Surtidor(C) 2.9125 3.878 3.42

Voltaje En Drenador(D) Voltaje En Surtidor(C)
 Conclusión y Observaciones
La elaboración de esta práctica fue relativamente sencilla, todos vimos el funcionamiento de
este tipo de polarización y el funcionamiento que tiene con estos transistores dejándonos
claro y sin muchas dudas el uso que se les da, no se presentaron problemas a la hora de
calcular el voltaje en en los respectivos puntos solicitados haciendo que la práctica acabara de
buena forma y sin problemas. Es necesario poder realizar estas prácticas dentro del
laboratorio porque le da más sentido a lo que se mira dentro de clase. tuvimos unos
problemas principalmente debido a que el transistor usado dentro de la simulación y en el
circuito son distintos, estos serían el 2N5454 y el 2N5457, la principal diferencia que
pudimos ver a simple vista es al diferencia que arrojó en los voltajes de las resistencias,
aunque dicha diferencia es solamente de algunas décimas. Fuera de eso la práctica fue
realizada con mucha simplicidad y no hubo tantos problemas fuera de eso.
 Referencias Electrónicas
(n.d.). El transistor - Ediciones UCC. Se recuperó el octubre 30, 2022 de
https://ediciones.ucc.edu.co/index.php/ucc/catalog/download/65/55/493?inline=1
(2012, noviembre 15). El Transistor MOSFET – Electrónica Práctica Aplicada. Se recuperó el octubre
30, 2022 de https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet