PRACTICA N° 12

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES

DE EMISOR COMÚN

PROTOCOLO

ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

EDICIÓN 2017
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

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 TABLA DE CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN ................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS .......................................................................................................... 3
2.1 OBJETIVO GENERAL. ................................................................................... 3
2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS. ............................................................................ 3
3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA....................................................................... 3
4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS ................................................................................. 3
5. MARCO TEÓRICO ................................................................................................ 3
5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO
…………………………………………………………………………………………4
6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA ............................................................ 10
7. BIBLIOGRAFÍA .................................................................................................... 11
8. ANEXOS.............................................................................................................. 11
A1. PDF ................................................................................................................. 11

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1. INTRODUCCIÓN

Todos los transistores BJT tienen capacitancias parásitas en sus junturas de base-
colector y de base-emisor. Estos condensadores parásitos, cuando sube la frecuencia,
se comportan como “cortos”, acaban con la magia del transistor (el transistor ya no
amplifica corriente) y por lo tanto, el amplificador de voltaje deja de amplificar. Se
puede calcular la frecuencia máxima a la cual en amplificador funciona
aceptablemente y la frecuencia mínima a la cual empieza a trabajar. La diferencia
entre la frecuencia máxima y la frecuencia mínima se conoce mundialmente como el
ancho de banda del amplificador.

2. OBJETIVOS

2.1 OBJETIVO GENERAL.

Mostrar al estudiante los inconvenientes que conllevan los transistores al tener

capacitancias parásitas

2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS.

 Lograr que el estudiante ratifique el concepto de ancho de banda

 Lograr que el estudiante ratifique la presencia de condensadores parásitos en
los transistores BJT
 Asegurar que el estudiante use el teorema de Miller para obtener capacitancias
equivalentes en la entrada y en la salida para condensadores que están
ubicados con un PIN en la salida y con el otro PIN en la entrada

3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA

Los estudiantes no se exponen a ningún peligro en esta práctica.

4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben llegar al laboratorio con el

amplificador diseñado y construido previamente en un protoboard (en el laboratorio de
uso libre con que cuenta la Facultad de Electrónica).
Tiempo asignado para el desarrollo de la práctica: 1 sesión de 1 hora y 30 minutos.

5. MARCO TEÓRICO

El estudiante debe llegar al laboratorio con un pre informe escrito a mano alzada que
contenga las explicaciones teóricas de los criterios de diseño vistos en clase y un
diseño con características escogidas por el profesor del laboratorio. Los criterios
teóricos deben ser:
 Demostración del Teorema de Miller

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  Análisis físico-químico de la presencia de capacitancias parásitas en la junturas
(análisis a nivel de barrera de iones)
 Cálculo de ancho de banda del amplificador usado en la prácticas 10 y 11

5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO

CAPACITANCIAS PARÁSITAS EN LAS JUNTURAS

Si se recuerda la estructura a nivel de iones de un transistor (Ver Figura 1), se

encuentra que al polarizar la juntura base-colector en inverso se produce una capa de
iones positivos en el material tipo N del colector, enfrentada a una capa de iones
negativos en el material tipo P de la base.
Las capas de iones funcionan como un dieléctrico rodeado por una porción de material
tipo N en la parte superior y por una porción de material tipo P en la parte inferior.
Estas son dos capas de cargas eléctricas separadas por un dieléctrico constituido por
una barrera de iones. Esto es un condensador parásito llamado 𝑐𝑐′ de muy baja
capacitancia (del orden de picofaradios), despreciable a bajas frecuencias, sin
embargo, a altas frecuencias puede ser determinante para definir la máxima
frecuencia a la cual trabajarán los amplificadores (este condensador 𝑐𝑐′, como se
demostrará, es determinante en la definición del ancho de banda del amplificador).

Si se observa nuevamente la Figura 1 en la juntura base-emisor también se encuentra

el enfrentamiento de dos capas de iones, que aunque más pequeñas que la barrera de
iones en la juntura base-colector, también representa un efecto capacitivo parásito
llamado mundialmente 𝑐𝑒′.
Los dos condensadores parásitos expresados anteriormente se deben medir y publicar
en el manual del respectivo transistor. 𝑐𝑐′ es fácil de medir y aparece en los manuales
como 𝐶𝑐 , 𝐶𝑐𝑏 , 𝐶𝑜𝑏 ó 𝐶𝑜𝑏𝑜 . Por ejemplo, para el transistor 2N3904, aparece la
capacitancia base-colector como 4 pF. Para el 2N2330, aparece una capacitancia
parásita de base-colector de 10 pF. Recordar que pico faradio (pF) es 10−12 faradios.
Son condensadores muy pequeños, pero a altas frecuencias también se pueden
convertir en un corto que anula el transistor. El amplificador ya no amplificaría, más
bien anularía la señal de entrada. Por lo tanto, estos efectos capacitivos los debemos
estudiar a fondo.
El condensador 𝑐𝑒′ es difícil de medir, sin embargo, los fabricantes de transistores
publican un valor llamado producto de ganancia de corriente por ancho de banda
que aparece en los manuales como 𝑓𝑇 . Este valor significa la frecuencia a la cual el
transistor deja de amplificar corriente. Esto significa que a este valor 𝑓𝑇 , el 𝛽 del
transistor es igual a 1. Por ejemplo, para el transistor 2N3904, 𝑓𝑇 es 270 MHz.

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 Figura 1. Barreras de iones del transistor de doble juntura

Deducir ce’ de 𝑓𝑇 es muy sencillo:

1
𝑐𝑒 ′ =
2𝜋𝑓𝑇 𝑟𝑒′
25𝑚𝑉
Recordar que 𝑟𝑒′ depende del punto 𝑄 de polarización y que 𝑟𝑒 ′ ≅ 𝐼 𝐶𝑄

CIRCUITOS EQUIVALENTES A ALTA FRECUENCIA PARA EL AMPLIFICADOR DE

EMISOR COMÚN

A frecuencias bajas, como se observó en capítulos anteriores, la preocupación estaba

centrada en el diseño de los valores de los condensadores C1, C2 y C3. A frecuencias
altas estos condensadores son un corto asegurado y no representan ningún problema,
sin embargo, los efectos capacitivos parásitos descritos anteriormente sí representan
un problema que se debe analizar (Ver Figura 2). En esta figura se observa que cc’
está ubicado entre la entrada del amplificador y su salida.

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 Figura 2. Condensadores parásitos cc’ y ce’. Condensadores que ya no son
despreciables a altas frecuencias.

El análisis de un efecto capacitivo situado entre la entrada y la salida de un

amplificador es muy difícil, por eso se debe recurrir a herramientas circuitales
desarrolladas en los cursos precedentes de análisis de circuitos como el Teorema de
Miller. En este teorema, un capacitor que se encuentra entre la entrada y la salida de
un cuadripolo, se puede desglosar en dos condensadores equivalentes, uno en la
entrada y otro en la salida. A continuación se recordará la deducción del Teorema de
Miller (Ver Figura 3).

Figura 3. Teorema de Miller

Observando la Figura 3, se puede deducir que:

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉 𝑆𝐴𝐿 𝑉𝑖𝑛(1 − 𝐴𝑉)

𝐼= =
−𝑗𝑋𝑐𝑐 ′ −𝑗𝑋𝑐𝑐 ′

𝑉𝑖𝑛 −𝑗𝑋𝑐𝑐 ′ −𝑗1

⇒ = =
𝐼 (1 − 𝐴𝑉) 2𝜋𝑓𝑐𝑐′(1 − 𝐴𝑉)

⇒ 𝑐 𝑖𝑛 (𝑀𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟) = 𝑐𝑐′(1 − 𝐴𝑉)

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También se puede deducir que:

𝑉 𝑆𝐴𝐿 − 𝑉𝑖𝑛 𝑉 𝑆𝐴𝐿(1 − 1⁄𝐴𝑉 )

𝐼′ = =
−𝑗𝑋𝑐𝑐 ′ −𝑗𝑋𝑐𝑐 ′

𝑉 𝑆𝐴𝐿 −𝑗𝑋𝑐𝑐 ′ −𝑗1

⇒ = =
𝐼 (𝐴𝑉 − 1)⁄𝐴𝑉 2𝜋𝑓𝑐𝑐′ (𝐴𝑉 − 1)⁄𝐴𝑉

𝑐𝑐′(𝐴𝑉 − 1)
⇒ 𝑐 𝑆𝐴𝐿 (𝑀𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟) =
𝐴𝑉

Usando los resultados del Teorema de Miller demostrado anteriormente, se pueden

obtener dos circuitos equivalentes para altas frecuencias, uno para el circuito de
entrada y otro para el circuito de salida (Ver Figura 4).

Figura 4. Circuito equivalente de un amplificador de emisor común a altas frecuencias.

Este circuito es imprescindible para obtener la máxima frecuencia al que funcionará el
amplificador.

En el circuito de entrada quedan en paralelo los dos condensadores 𝑐𝑐′(1 − 𝐴𝑉) y 𝑐𝑒′,
por lo tanto se suman.
𝑟𝑒′, visto desde la base del transistor, queda como 𝛽𝑟𝑒′ (este valor ya fue deducido
cuando se calculó la impedancia de entrada de un transistor necesaria para el cálculo
de C1). Por lo tanto, el circuito equivalente de entrada es el de la Figura 5 (a).
En el circuito de salida, recordar que el amplificador tiene como impedancia de salida
𝑅 𝐶, por lo tanto, el circuito de salida equivalente para altas frecuencias es el de la
Figura 5 (b).

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 Figura 5. Circuitos equivalentes a altas frecuencias en la entrada y en la salida.

Si se observa con detenimiento, en la Figura 5(a) se ha agregado la resistencia 𝑟𝑏′

que es aquella resistencia, debido al material tipo P de la base, que es del orden de
décimas de Ohmio. Esto se lleva a cabo para ser exactos en el modelo, sin embargo,
esta resistencia se desprecia en la mayoría de los análisis.
Si se obtiene el THEVENIN equivalente TH1 en el circuito de entrada, se obtiene la red
de atraso de la Figura 6(a) y si se obtiene el THEVENIN equivalente TH2 de la Figura
75(b) tendremos como resultado el circuito equivalente (otra red de atraso) de la
Figura 6(b).

Figura 6. Dos redes de atraso equivalentes: (a) en la entrada (b) en la salida

Mundialmente se ha pactado que la frecuencia máxima (Fmáx), antes que el

condensador de la red de atraso se vuelva un corto circuito, se presenta cuando la
resistencia equivalente (𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 ) del circuito sea igual a la reactancia capacitiva
equivalente del circuito (𝑋𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣).
Si se recuerda que
1
𝑋𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 =
2𝜋𝑓 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣
Y que 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = 𝑐𝑐′(1 − 𝐴𝑉) + 𝑐𝑒′ (Ver Figura 6(a))
Además 𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = (𝑅𝑆||𝑅1||𝑅2 + 𝑟𝑏′)||𝛽𝑟𝑒′
Por lo tanto, la frecuencia máxima a la cual funcionará el circuito de entrada será
cuando se cumpla la siguiente igualdad:

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 1
(𝑅𝑆||𝑅1||𝑅2 + 𝑟𝑏′)||𝛽𝑟𝑒 ′ =
2𝜋𝐹𝑚á𝑥 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣
Por consiguiente,

1
𝐹𝑚á𝑥 =
(2𝜋 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣)(𝑅𝑆||𝑅1||𝑅2 + 𝑟𝑏′)||𝛽𝑟𝑒 ′

Si se desprecia 𝑟𝑏′, la frecuencia máxima del circuito de entrada será:

1
𝐹𝑚á𝑥 =
(2𝜋 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣)(𝑅𝑆||𝑅1||𝑅2)||𝛽𝑟𝑒 ′

Ahora, en el circuito de salida (Ver Figura 6(b))

𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = 𝑅𝐶||𝑅 𝐼𝑁. 𝑆𝐸.

Donde 𝑅𝐶 es la resistencia colocada sobre el colector del transistor usado para el

amplificador de emisor común. 𝑅 𝐼𝑁. 𝑆𝐸. es la resistencia de entrada de la siguiente
etapa.
𝑐𝑐′(𝐴𝑉 − 1)
𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = + 𝑐 𝑒𝑛𝑡. 𝑆𝐸
𝐴𝑉

Donde 𝑐 𝑒𝑛𝑡. 𝑆𝐸 es la capacitancia equivalente a la entrada de la siguiente etapa.

Nuevamente la frecuencia máxima a la cual funcionará el circuito de salida (Ver Figura
6(b)), se presenta cuando:
1
𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = 𝑋𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 =
2𝜋𝑓 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣

1
⇒ 𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 = 𝑅𝐶||𝑅 𝐼𝑁. 𝑆𝐸. =
2𝜋𝐹𝑚á𝑥 𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣
1
⇒ 𝐹𝑚á𝑥 =
2𝜋𝐶 𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣(𝑅𝐶||𝑅 𝐼𝑁. 𝑆𝐸. )

Cuando se calcula el ancho de banda de un amplificador, se calcula 𝐹𝑚á𝑥 del circuito

de entrada (Ver Figura 6(a)) y se calcula 𝐹𝑚á𝑥 del circuito de salida.
La frecuencia máxima escogida de las dos anteriores será la frecuencia menor ya que
el amplificador, cuando sea sometido a esta frecuencia menor, dejará de funcionar
(una de las dos capacitancias equivalentes empieza a comportarse como un corto
circuito) y el amplificador ya no amplifica la señal de entrada, al contrario, la anula.

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 Figura 7. Ancho de Banda de un amplificador.

La diferencia entre la frecuencia máxima escogida y la frecuencia mínima (para la cual

se diseñaron los condensadores C1, C2 y C3) se llama ancho de banda.

Ejercicios sugeridos para los profesores que dictan el Laboratorio:

1. Ratificar que el ancho de banda teórico coincide con el ancho de banda medido
en la práctica. No olvidar que usted cuenta con una fuente de señal sinusoidal
de frecuencia variable y un osciloscopio de dos canales.
2. Usando el software de simulación Altium (del cual la Escuela Colombiana de
Ingeniería Julio Garavito posee licencia), u otro que domine el profesor y los
estudiantes, simular la respuesta en frecuencia del amplificador diseñado en la
práctica N° 10 y agregar los resultados impresos en el informe, haciendo un
análisis de resultados en los siguientes puntos:

 Señal en la entrada
 Señal en la carga
 Corriente ICQ
El voltaje pico en la entrada, hacerlo variar desde 10 mV hasta 100 mV con
pasos de 20 mV. Analizar los resultados

6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

El diseño, cuyas características fueron escogidas por el profesor, debe llegar al

laboratorio construido con anticipación a nivel de “protoboard” (los estudiantes cuentan
con un laboratorio libre para llevar a cabo las construcciones y pruebas antes de llegar
al día de presentación de la práctica de laboratorio).

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben mostrar al profesor que las
características solicitadas por él se cumplen en la práctica gracias al diseño elaborado
por ellos, en ese momento el profesor debe recibir el pre-informe escrito realizado con

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anticipación, lo revisa y hace correcciones que deben ser corregidas y agregadas en el
informe de práctica siete días después, en la siguiente fecha de laboratorio.

Esto significa que los estudiantes elaboran un pre-informe con las características
anteriormente mencionadas antes de ingresar a la práctica y adicionalmente, en la
siguiente sesión deben presentar un informe con las conclusiones de la práctica
pasada más las correcciones teóricas del pre-informe que el profesor detectó.
De acuerdo a lo anterior, sólo en la primera práctica, los estudiantes presentan un pre-
informe. A partir de la segunda práctica los estudiantes presentan el informe de la
práctica pasada y el pre-informe de la práctica actual.

Los informes de prácticas son más sencillos, sólo deben contener:

1. Conclusiones: Conceptos que el estudiante ratificó.

2. Correcciones: Conceptos que el profesor corrigió (Si los hubo)

7. BIBLIOGRAFÍA

 Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill

 Boylestad, R.; Nashelsky, L. (2003). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos. Octava Edición. Pearson Educación.
 Savant, C.J.; Roden, M.S.; Carpenter, G.L. (2000). Diseño Electrónico
Circuitos y Sistemas. Prentice Hall. Pearson Educación.

8. ANEXOS

A1. PDF

Los estudiantes deben anexar al pre-informe los pdf’s con las características del
transistores y diodos usados. Estos los pueden descargar de internet e imprimirlos. No
es necesario hacerlos a mano alzada.

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