TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO El Transistor de Efecto de Campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en diversas aplicaciones, en gran

parte, similares a las del BJT. La principal diferencia entre los dos es que el BJT es un dispositivo controlado por corriente mientras que el FET es un dispositivo controlado por voltaje. (Figura 1)

entre 0 V y VP VGS es el voltaje de control del JFET, por lo tanto es posible desarrollar curvas de ID en funcin de VDS para distintos valores de VGS (figura 5)

Figura 1. BJT y FET.

Presentan caractersticas importantes como gran impedancia de entrada, menos ganancia comn de voltaje y mayor estabilidad ante los cambios de temperatura que los BJT. Existen dos tipos de FETs: los JFETs y los MOSFETs. Los MOSFETs a su vez se dividen en tipo decremental y en tipo incremental. JFET (TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN) La construccin bsica de un JFET se muestra en la figura 2. La parte superior del canal se encuentra conectada por medio de un contacto hmico a una terminal referida como drenaje (D), mientras que extremo inferior se conecta a una terminal referida como fuente (S). Los dos materiales intermedios se encuentran conectados entre s y tambin con la terminal de compuerta (G).

Figura 4.Caractersticas de un JFET canal-n con IDSS = 8 mA y VP = -4 V.

Figura 5. Caractersticas del JFET canal-p con IDSS = 6 mA y VP = +6 V

Cuando VGS = VP, ID se hace 0 mA, por lo tanto se puede considerar que el dispositivo se ha apagado.
VP es un voltaje negativo para los JFET canal-n y un voltaje positivo para los JFET canal-p Resistor controlado por voltaje

La resistencia del JFET entre el drenaje y la fuente cuando VDS < | |, es una funcin de VGS. es la resistencia cuando
Figura 2 JFET canal-n y JFET canal-p

Caracterstica de transferencia

A medida que VDS se incrementa, la corriente se incrementar como los muestra la figura 3 y para valores pequeos de VDS la resistencia es en esencia constante. Conforme VDS se eleva y se acerca a | | (voltaje de estrechamiento) la resistencia se incrementa y la corriente ID mantiene un nivel de saturacin definido como IDSS (corriente de drenaje mxima del JFET).

La relacin entre ID y VGS se encuentra definida por la ecuacin de Shockley. ( )

El trmino cuadrtico dar una relacin no lineal entre ID y VGS con lo que se genera una curva que crece exponencialmente con magnitudes decrecientes de VGS.
Smbolos

Figura 3. ID en funcion de VDS cuando VGS = 0 V

Figura 6. Smbolo a) JFET canal-n b) JFET canal-p

MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-xido Semiconductor) El MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos ms importantes utilizados en el diseo de circuitos de computadoras. Se divide en dos tipos decremental e incremental. MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Este tipo de MOSFET tiene una caracterstica similar a un JFET entre el corte y la saturacin para IDSS, pero luego tienen el rango adicional de caractersticas que se extienden hacia la regin de polaridad opuesta para VGS.

Figura 11. Smbolos MOSFET de tipo decremental.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Las caractersticas del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de cualquier transistor visto hasta ahora. La curva de transferencia no esta definida por la ecuacin de Shockley, y la corriente de drenaje ahora est es corte hasta que el voltaje compuerta-fuente alcanza una magnitud especfica.

Figura 7. MOSFET de tipo decremental canal-n.

Figura 12. MOSFET de tipo incremental de canal-n

Figura 8. Caracterstica para un MOSFET de tipo decremental de canal-n.

Si VGS = 0 V y se aplica un VDS la ausencia de un canal-n dar como resultado una corriente de 0 A. El nivel de VGS que ocasiona un incremento significativo de la corriente de drenaje se le llama voltaje de umbral, y se le asigna el smbolo VT. Cuando VGS se incrementa ms all de VT, se obtiene un nivel mayor de corriente de drenaje. Si se mantiene VGS constante y se incrementa VDS la corriente de drenaje alcanzar un nivel de saturacin. El nivel de saturacin para VDS est relacionad con el nivel de VGS aplicado por: Para un valor fijo de VT, mientras mayor sea el nivel de VGS, mayor ser el nivel de saturacin para VDS. Para los niveles de VGS > VT, la corriente esta dada por:

Figura 9. MOSFET de tipo decremental de canal-p.

K es una constante que est en funcin de la fabricacin del dispositivo y se puede calcular:
Figura 10. Caractersticas de un MOSFET de tipo decremental del canal-p.

Figura 13. Caracterstica ID de un MOSFET de tipo incremental de canal-n con VT = 2 V y k = 0,278 x 10-3 A/V2. Figura 17. Smbolos del MOSFET de tipo incremental.

CMOS

Es posible tener un circuito lgico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de canal.n sobre el mismo sustrato.
Figura 14. Grafica de las caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n a partir de las caractersticas de drenaje.

La construccin de un MOSFET de tipo incremental canal-p es la siguiente:

Figura 18. CMOS

Figura 15. MOSFET de tipo incremental canal-p

Todas las polaridades del voltaje y las direcciones de corriente estn invertidas. El voltaje de umbral es un valor negativo y los niveles crecientes de corriente resultan del incremento de los valores negativos de VGS (figura 16)

A esta configuracin se lo conoce como arreglo complemetario de MOSFET y se le abrevia CMOS. Tiene diversas aplicaciones en el diseo de lgica de computardoras. La impedancia de entrada es relativamente alta, las rpidas velocidades de conmutacin y los bajos niveles de potencia de operacin dan por resultado el uso del diseo lgico CMOS.

Figura 16. Caracterstica ID de un MOSFET de tipo incremental de canal-p con VT = -2 V y k = 0,5 x 10-3 A/V2.